Nghiên cứu thiết kế và chế tạo cảm biến đo khí NH3 bằng phương pháp in phun luận văn ths vật liệu và linh kiện nano (

i ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CƠNG NGHỆ ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP HỒ CHÍ MINH PTN CÔNG NGHỆ NANO NGUYỄN THỊ NGỌC NHIÊN NGHIÊN CỨU THIẾT KẾ VÀ CHẾ TẠO CẢM BIẾN ĐO KHÍ NH3 BẰNG PHƯƠNG PHÁP IN PHUN LUẬN VĂN THẠC SĨ Thành phố Hồ Chí Minh - 2014 ii ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP HỒ CHÍ MINH PTN CƠNG NGHỆ NANO NGUYỄN THỊ NGỌC NHIÊN NGHIÊN CỨU THIẾT KẾ VÀ CHẾ TẠO CẢM BIẾN ĐO KHÍ NH3 BẰNG PHƯƠNG PHÁP IN PHUN Chuyên ngành: Vật liệu Linh kiện Nanô (Chuyên ngành đào tạo thí điểm) LUẬN VĂN THẠC SĨ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: PGS TS ĐẶNG MẬU CHIẾN Thành phố Hồ Chí Minh - 2014 iii LỜI CẢM ƠN Đầu tiên, xin chân thành cảm ơn giúp đỡ tận tình thầy PGS TS Đặng Mậu Chiến giúp đỡ, động viên cho hội làm việc Thầy Tôi chân thành cảm ơn TS Đồn Đức Chánh Tín, ThS NCS Đặng Thị Mỹ Dung, TS Lê Thị Mai Hoa, ThS NCS Lê Duy Đảm CN Tô Diễn Thiện cho lời khuyên kinh nghiệm nghiên cứu quý báu suốt trình thực luận văn, đồng thời góp ý chỉnh sửa luận văn tốt nghiệp Tôi trân trọng cảm ơn Ban Giám đốc đồng nghiệp tạo điều kiện cho tơi hồn thành tốt luận văn tốt Tôi xin trân trọng cảm ơn Quý Thầy cô Khoa Vật lý Kỹ thuật Công nghệ Nano – Trường ĐH Công nghệ, ĐHQG Hà Nội Thầy cô Trường ĐH Khoa Học Tự Nhiên, ĐHQG TP HCM trang bị cho kiến thức cần thiết bổ ích cho nghề nghiệp sau Cuối cùng, không quên công ơn sinh thành dưỡng dục cha mẹ tôi, người chịu thương chịu khó lo lắng ni dạy để tơi có ngày hôm Sự quan tâm động viên, ủng hộ cậu mợ gia đình động lực lớn cho đường học vấn Cảm ơn anh, người bạn gắn bó, chia bên cạnh tơi suốt q trình thực luận văn Tp Hồ Chí Minh, ngày 20 tháng 11 năm 2014 Nguyễn Thị Ngọc Nhiên iv LỜI CAM ĐOAN Tôi Nguyễn Thị Ngọc Nhiên, học viên cao học chuyên ngành Vật liệu Linh kiện Nano thuộc chương trình liên kết Trường Đại học Công nghệ - ĐHQG Hà Nội Phịng Thí Nghiệm Cơng Nghệ Nano – ĐHQG TP HCM Tôi thực đề tài thạc sĩ “Nghiên cứu thiết kế chế tạo cảm biến đo khí NH3 phương pháp in phun” Phịng Thí nghiệm Cơng nghệ Nano (LNT) – ĐHQG TP HCM với hướng dẫn PGS TS Đặng Mậu Chiến Tơi xin cam đoan cơng trình nghiên cứu riêng Các số liệu, kết nêu luận văn trung thực chưa công bố cơng trình mà tơi khơng tham gia Tác giả Nguyễn Thị Ngọc Nhiên v MỤC LỤC LỜI CẢM ƠN i LỜI CAM ĐOAN iv MỤC LỤC v DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIẾT TẮT vii DANH MỤC HÌNH VẼ viii DANH MỤC BẢNG BIỂU & SƠ ĐỒ xi CHƯƠNG TỔNG QUAN 1.1 Tổng quan cảm biến khí 1.1.1 Tình hình nghiên cứu nước 1.1.2 Tình hình nghiên cứu nước ngồi 1.1.3 Các loại cảm biến khí 1.1.4 Polyme dẫn điện 1.2 Tổng quan công nghệ in phun …………………………………… 14 1.2.1 Công nghệ in phun 14 1.2.2 Ứng dụng công nghệ in phun để chế tạo cảm biến 17 CHƯƠNG THỰC NGHIỆM 19 2.1 Các thiết bị thực nghiệm 19 2.2 Các thiết bị phân tích 22 2.2.1 Kính hiển vi kim loại học 22 2.2.2 Thiết bị đo độ dày màng 23 2.2.3 Thiết bị đo điện trở suất 23 2.2.4 Phương pháp chụp ảnh kính hiển vi điện tử quét (SEM) 24 2.2.5 Thiết bị phổ tử ngoại khả kiến (UV-vis) 24 2.3 Quy trình thực nghiệm 24 CHƯƠNG KẾT QUẢ VÀ BÀN LUẬN 38 vi 3.1 Kết tạo màng mỏng SiO2 phương pháp oxi hóa 38 3.2 Đánh giá chất lượng lớp điện cực 38 3.2.1 Nghiên cứu độ phân giải máy in phun 38 3.2.2 Ảnh hưởng số lớp in đến bề dày điện trở 40 3.2.3 Kết nghiên cứu chế tạo điện cực 42 3.3 Kết khảo sát cảm biến hoàn chỉnh 47 3.3.1 Kết UV-Vis khảo sát dung dịch polymer dẫn điện 47 3.3.2 Kết ảnh bề mặt màng PANI-ES trước sau hấp phụ khí NH3 ………………………………………………………… 49 3.3.3 Kết khảo sát thay đổi điện trở theo độ ẩm 51 3.3.4 Kết khảo sát thay đổi điện trở với nồng độ khí ammoniac 52 3.3.5 Kết khảo sát thời gian hồi phục cảm biến 55 KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ 58 TÀI LIỆU THAM KHẢO 60 vii DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIẾT TẮT PANI : Polyaniline PANI-EB : Polyaniline Emeraldine Base PANI-ES : Polyaniline Emeraldine Salt PET : Poly Etylen Terephtalate PPy : Polypyrrole PTh : Polythiophene SEM : Kính hiển vi điện tử quét SOHO : Small office home office UV-VIS : Phổ hồng ngoại khả kiến viii DANH MỤC HÌNH VẼ Hình 1.1 Cấu trúc điện cực vàng phủ đế PET Hình 1.2 Ảnh chụp tụ điện điện cực đan xen chế tạo phương pháp in phun bạc Hình 1.3 Các dây vàng hình rắn chế tạo phương pháp in phun Hình 1.4 Cấu trúc (a) mặt cắt ngang cảm biến kiểu điện trở (b) Hình 1.5 Các chuỗi polyme dẫn điện tiêu biểu [17] 10 Hình 1.6 Cấu trúc độ dẫn điện vài polymer [17] 11 Hình 1.7 Cấu trúc PANI 12 Hình 1.8 Cơ chế pha tạp proton (protonation) PANI 13 Hình 1.9 Thang thể độ dẫn điện PANI chất khác 13 Hình 1.10 Số lượng cơng trình cơng bố cơng nghệ in phun 20 năm qua (trích từ ISI) 14 Hình 1.11 Nguyên lý đẩy (in) chất lỏng phương pháp nhiệt 16 Hình 1.12 Một số nguyên lý in phun dựa nguyên lý đẩy học vật liệu áp điện 17 Hình 2.1 Máy in phun Dimatix printer (a), Bộ phận phun mực (b), Cấu trúc áp điện để phun giọt mực (c) Cấu trúc lỗ phun (d) 20 Hình 2.2 Mực trạng thái chờ 20 Hình 2.3 Mực đưa vào buồng chứa 21 Hình 2.4 Mực đẩy khỏi vòi phun [3] 21 Hình 2.5 Đầu in trở lại trạng thái ban đầu [3] 22 Hình 2.6 Quy trình chế tạo cảm biến công nghệ in phun 25 Hình 2.7 Lị ơxi hóa PEO 601 26 Hình 2.8 Chương trình điều khiển Lị ơxi hóa PEO 601 27 Hình 2.9 Chương trình điều khiển trình Oxi hóa Lị ơxi hóa PEO 601 28 Hình 2.10 Chế tạo điện cực kỹ thuật in phun 30 ix Hình 2.11 Đầu in hộp mực 31 Hình 2.12 Cửa sổ điều chỉnh điện vòi phun 32 Hình 2.13 Sơ đồ quy trình điều chế màng polymer dẫn điện 34 Hình 2.14 Ảnh minh họa điện cực sau phủ polyme 35 Hình 2.15 Hệ đo nhạy khí nhóm nghiên cứu 36 Hình 2.16 Sơ đồ cấu tạo tổng quát hệ đo nhạy khí 37 Hình 3.1 Hình ảnh giọt/đường mực độ phân giải khác 39 Hình 3.2 Biểu đồ quan hệ độ dày, điện trở số lớp in 41 Hình 3.3 Ảnh chụp kính hiển vi kim loại học GX51 Hình (a) in đế thủy tinh; hình (b) in đế PET; hình (c) in điện cực hướng ngang hình (d) in điện cực hướng dọc đế SiO2/Si 43 Hình 3.4 Các điện cực thu sau trình in phun với kích thước 100 (a), 150 (b), 200 (c), 250 (d), 350 (e), 400 (f) 45 Hình 3.5 Các điện cực trước (a) sau phủ dung dịch polyme (b) 45 Hình 3.6 Đồ thị đo đặc tuyến I-V 46 Hình 3.7 Đồ thị điện trở phụ thuộc vào kích thước điện cực 47 Hình 3.8 Sự thay đổi màu sắc dung dịch PANI-EB (xanh đậm) (a), PANI-ES (xanh cây) với 2µl HCl 0.1 M (b), 3µl HCl 0.1 M (c), µl HCl 0.1 M (d) 48 Hình 3.9 Phổ UV-Vis PANI-EB PANI-ES dung môi DMSO DMF 49 Hình 3.10 Ảnh chụp kính hiển vi quang học với màng PANI-EB (a), màng PANI-ES (b), màng PANI-ES sau hấp phụ khí NH3 (c) chíp 150 độ phóng đại X10 50 Hình 3.11 Ảnh SEM điện cực 250 sau phủ dung dịch polyme độ phóng đại khác 51 Hình 3.12 Kết đo điện trở theo độ ẩm chíp với kích thước khác 52 Hình 3.13 Kết khảo sát đặc trưng nhạy khí màng polymer chíp 53 x Hình 3.14 Đồ thị tương quan tuyến tính điện trở nồng độ khí ammoniac chíp 150, 200 250 55 Hình 3.15 Thời gian hồi phục cảm biến 150 mơi trường khí N2 56 Hình 3.16 Kết khảo sát phục hồi cảm biến M150 57 Hình 3.17 Thời gian hồi phục cảm biến M150 gia nhiệt lò nung 60ºC 57 48 làm rõ quan sát kỹ khác vị trí đỉnh hai phổ UV-Vis PANI-EB PANI-ES Trong hình 3.9 cho thấy thay đổi đỉnh phổ PANI chuyển từ dạng emeraldine base sang dạng emeraldine salt, thay đổi phổ đóng vai trị quan trọng việc làm sáng tỏ chế pha tạp chất chuỗi polyme Phổ PANI-EB dung môi DMSO dung môi DMF điều thể rõ đỉnh có bước sóng 324 nm (3.9 eV) 625 nm (2.1 eV), kết phù hợp với nghiên cứu trước nhiều tác giả [6,38] Đây đỉnh đặc trưng polyaniline Vì vậy, thí nghiệm chúng tơi thấy PANI tan hai dung môi DMSO DMF Tuy nhiên, trình chế tạo dung dịch, sau lọc bỏ hạt PANI khơng hịa tan, khảo sát sơ thấy PANI tan nhiều dung môi DMSO dung mơi DMF (a) (b) (c) (d) Hình 3.8 Sự thay đổi màu sắc dung dịch PANI-EB (xanh đậm) (a), PANI-ES (xanh cây) với 2µl HCl 0.1 M (b), 3µl HCl 0.1 M (c), µl HCl 0.1 M (d) 49 Hình 3.9 Phổ UV-Vis PANI-EB PANI-ES dung môi DMSO DMF 3.3.2 Kết ảnh bề mặt màng PANI-ES trước sau hấp phụ khí NH3 Màng polyme phủ điện cực phương pháp nhỏ giọt, đánh giá độ đồng màng trước sau thổi khí NH3 kính hiển vi quang học GX51 (hình 3.10) kính hiển vi điện tử qt SEM (hình 3.11) Tất ảnh chụp Phịng Thí Nghiệm Cơng Nghệ Nano, ĐHQG TP HCM (a) (b) 50 (c) Hình 3.10 Ảnh chụp kính hiển vi quang học với màng PANI-EB (a), màng PANI-ES (b), màng PANI-ES sau hấp phụ khí NH3 (c) chíp 150 độ phóng đại X10 Màng polyme phủ phương pháp nhỏ giọt có bề mặt khơng đồng xốp không giống màng phủ phương pháp khác hình 3.11 Nhìn chung màng PANI-EB trước hấp phụ HCl 0.1M để tạo thành dạng muối có màu xanh bám dính lên đế tốt Do q trình nung chíp sau in có bay dung mơi để lại lỗ xốp Chính vậy, phủ dung dịch polyme lên chíp, dung dịch nhanh chống lắp đầy lỗ xốp tạo nên màng dẫn điện tốt Sau hấp thu HCl 0.1M lớp điện cực có thay đổi màu sắc từ màu xám trắng sang màu nâu, điều giải thích sau nhỏ dung dịch HCl nhanh chóng dung mơi mực in tác dụng với axit làm thay đổi màu sắc điện cực Đến khảo sát khí ammoniac màng polyme có vài chỗ bị bong tróc điện cực bị đứt gẫy trình đo, điều quan sát rõ hình 3.11 (a) (b) 51 (c) (d) Hình 3.11 Ảnh SEM điện cực 250 sau phủ dung dịch polyme độ phóng đại khác Chúng nhận thấy rằng, màng polyme bị bong q trình thí nghiệm Do đó, số lần lặp lại tăng màng polyme bị phá hủy nhiều, điện trở chúng tăng lên kết đo khơng cịn xác 3.3.3 Kết khảo sát thay đổi điện trở theo độ ẩm Các điện cực phủ dung dịch polyme dẫn điện khảo sát tính chất điện hệ đo đặc tuyến I-V Điện có giá trị từ [-1V; 1V], thu giá điện trở R tương ứng Ở chúng tơi thí nghiệm điện cực có kích thước từ 100 đến 400 µm, thay đổi độ dẫn điện theo độ ẩm thể hình 3.12 Điều chứng tỏ giá trị điện trở giảm tăng độ ẩm từ đến 70%, tức độ ẩm tăng chíp dẫn diện tốt chúng thích hợp mơi trường khí hậu nóng ẩm Việt Nam Từ hình 3.12 ta thấy chíp có kích thước lớn 150 µm có thay đổi đáng kể (từ 50 đến 100 kΩ) độ ẩm tăng từ 3% đến 70% thay đổi điện trở chíp 100 (khoảng 25 kΩ) Do đó, chíp với kích thước lớn 150 µm sử dụng thí nghiệm 52 Hình 3.12 Kết đo điện trở theo độ ẩm chíp với kích thước khác 3.3.4 Kết khảo sát thay đổi điện trở với nồng độ khí ammoniac Nồng độ khí ammoniac tính tốn sau: Ở đây, chúng tơi khảo sát buồng kim loại kín có thổi khí NH3 với nồng độ khí khác từ 25 ppm đến 100 ppm bước nhảy 25 ppm Nồng độ khí NH3 xác định cách định lượng sau: Nồng độ khí NH3 (ppm) xác định số mol khí NH3 / số mol khí N2 Thể tích bình chứa dung dịch NH4OH: V1 = 0.00025 m3 Thể tích buồng kính khảo sát: V2 = 0.00471 m3 Tổng thể tích khí: V = V1 + V2 = 0.00025 + 0.00471 = 0.00496 m3 Xét trạng thái khí lý tưởng, số mol khí Nito là: nN2 = P.V/R.T = (105*0.00496)/(8.3*300) = 0.2 mol Giả sử số nồng độ khí NH3 25 ppm, số mol NH3 là: nNH3 = 25 * nN2 * 10-6 Giả sử NH4OH NH3 + H2O có hiệu suất 100% nên số mol NH4OH số mol NH3 Như vậy, thể tích NH4OH nhỏ vào bình để có 25 ppm V = m.D (ml) 53 Như trình bày trên, màng polyme dẫn điện sử dụng để làm cảm biến nhạy khí NH3 Tính nhạy khí màng polyme dẫn điện trao đổi điện tử khí NH3 với bề mặt màng polyme Khi polyme hấp thụ phân tử khí NH3 (một loại khí có tính khử), điện trở màng polyme tăng lên, giống vật liệu dẫn điện lỗ trống Phân tử khí NH3 cho polyme điện tử, điện tử liên kết với lỗ trống màng polyme làm giảm mật độ hạt mang điện đo làm giảm độ dẫn điện màng polyme Hình 3.13 kết khảo sát đặc trưng nhạy khí màng polyme thu khí NH3 Nồng độ khí NH3 tăng điện trở tăng nên độ dẫn điện giảm Hình 3.13 Kết khảo sát đặc trưng nhạy khí màng polymer chíp Hình 3.13 cho thấy chíp 150, 200, 250 có thay đổi điện trở tuyến tính theo nồng độ khí ammoniac riêng chíp 400 khơng tn theo quy luật 54 (a) (b) 55 (c) Hình 3.14 Đồ thị tương quan tuyến tính điện trở nồng độ khí ammoniac chíp 150, 200 250 Kết hiệu chỉnh chíp 150, 200 250 hình 3.14 ta thấy chíp 150 có hệ số R2 cao 0.9915 điều chứng tỏ chíp 150 có độ tin cậy cao dùng để xác định nồng độ khí ammoniac 3.3.5 Kết khảo sát thời gian hồi phục cảm biến Trước khảo sát phục hồi cảm biến, cho cảm biến vào buồng kín, thổi khí N2 độ ẩm điều chỉnh 5% Kết khảo sát thời gian hồi phục (hình 3.15) cho ta thấy cảm biến sau hấp thụ khí NH3 để buồng kín thổi khí N2 có thời gian phục hồi lâu (khoảng 500 phút) Theo tài liệu [25], thời gian hồi phục cảm biến khoảng 18 phút gia nhiệt 50ºC Khi tiến hành khảo sát thời gian hồi phục phương pháp gia nhiệt, khảo sát cảm biến cách đo đặc tuyến I-V theo thời gian (V = 300 mV, RH = 5%) nhận thấy thời gian hồi phục lâu để mơi trường tự nhiên (hình 3.15) Như vậy, kết cho thấy có thời gian hồi phục cảm biến lâu để mơi trường khí N2 (nhiều 3000 giây) Mặc dù thời gian hồi phục cảm biến lâu, độ nhạy cảm biến nhạy Trên hình 3.15, cảm biến sau nhận khí NH3 100 giây điện trở 56 thay đổi nhanh từ 72 kΩ lên đến 187 kΩ Điều chứng tỏ cảm biến nhạy với khí NH3 Hấp phụ NH3 Giải hấp Hình 3.15 Thời gian hồi phục cảm biến 150 môi trường khí N2 Hình 3.16 cho thấy xuất khí NH3 cường độ dịng giảm đáng kể tức điện trở tăng lên, sau thổi khí N2 vào buồng khoảng 500 giây nhằm làm cho phân tử khí khử khơng bám bề mặt cảm biến chu kỳ khảo sát Trên hình 3.16 qua nhiều lần khảo sát mà giá trị điện trở khơng thay đổi ta khẳng định với cảm biến hấp thu/ giải hấp cảm biến nhạy ổn định 57 Hình 3.16 Kết khảo sát phục hồi cảm biến M150 Để cải thiện thời gian hồi phục, sau hấp thu thu NH3 tiến hành gia nhiệt cảm biến 60ºC 600 giây (10 phút) cho thấy kết khả quan thời gian hồi phục giảm đáng kể xem hình 3.17 Hấp phụ Giải hấp Hình 3.17 Thời gian hồi phục cảm biến M150 gia nhiệt lò nung 60ºC 58 KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ A Những nội dung thực hiện: Trong đề tài “Nghiên cứu thiết kế chế tạo cảm biến đo khí NH3 phương pháp in phun”, tơi thực nội dung sau: - Thiết kế điện cực với kích thước khác phần mềm Clewin - Nghiên cứu quy trình in phun chế tạo điện cực cho cảm biến cơng nghệ in phun - Hồn chỉnh cảm biến đo khí ammoniac cách phủ dung dịch polyme dẫn điện lên điện cực khảo sát độ nhạy cảm biến với khí ammoniac B Những kết đạt được: - Thiết kế chíp có kích thước từ 100 đến 400 µm phần mềm Clewin - Các thơng số cho q trình in phun tối ưu như: điện áp, nhiệt độ đầu in, nhiệt độ đế in độ phân giải máy in - Ứng dụng công nghệ in phun để chế tạo điện cực đế Silic có độ dẫn điện tốt, tính ổn định cao, độ bám dính tốt khơng bị bong tróc q trình thực nghiệm - Xác định độ phân giải máy in 564.44 dpi (d=45µm) tạo thành đường in liên lục điều làm cho điện cực khơng bị ngắn mạch - Xác định chíp có kích thước với chiều rộng khoảng cách lược 150 x 150 µm để tiến hành cho thí nghiệm đo độ nhạy khí ammoniac - Kết cho thấy cảm biến nhạy với độ ẩm khí amoniac Đặt biệt, khắc phục thời gian phục hồi cách đem gia nhiệt 60ºC sau 10 phút điện trở cảm biến trở giá trị ban đầu Điều này, chứng tỏ cảm biến nhạy với độ ẩm khí ammoniac, thời gian phục hồi tương đối thấp cạnh tranh với thị trường 59 C Hướng nghiên cứu tiếp theo: Vì thời gian có hạn nên cịn số nội dung chưa thể tiến hành luận văn Do chúng tơi có đề nghị sau: - Tiếp tục nghiên cứu cảm biến khí ammoniac công nghệ in phun - Khảo sát nhiều độ nhạy độ lựa chọn cảm biến - Nghiên cứu cảm biến đo nhiều loại khí khác 60 TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] N D Khoang, D D Trung, N Van Duy, N D Hoa, and N Van Hieu, Sensors and Actuators B: Chemical 174 (2012) 594 N Van Duy, N D Hoa, and N Van Hieu, Sensors and Actuators B: Chemical 173 (2012) 211 C V Tuan, M A Tuan, N V Hieu, and T Trung, Current Applied Physics 12 (2012) 1011 D D Trung, L D Toan, H S Hong, T D Lam, T Trung, and N Van Hieu, Talanta 88 (2012) 152 C.-C Tseng, Y.-H Chou, T.-W Hsieh, M.-W Wang, Y.-Y Shu, and M.-D Ger, Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 402 (2012) 45 F Molina-Lopez, D Briand, and N F de Rooij, Procedia Engineering 47 (2012) 1173 U Altenberend, F Molina-Lopez, A Oprea, D Briand, N Bârsan, N F De Rooij, and U Weimar, Sensors and Actuators B: Chemical H Cho, M Parameswaran, and H.-Z Yu, Sensors and Actuators B: Chemical 123 (2007) 749 S Busato, A Belloli, and P Ermanni, Sensors and Actuators B: Chemical 123 (2007) 840 F Loffredo, A D G D Mauro, G Burrasca, V La Ferrara, L Quercia, E Massera, G Di Francia, and D D Sala, Sensors and Acttititiuators B: Chemical 143 (2009) 421 J Kukkola, E Jansson, A Popov, J Lappalainen, J Mäklin, N Halonen, G Tóth, A Shchukarev, J P Mikkola, H Jantunen, K Kordás, J Hast, T Hassinen, A Sunnari, K Jokinen, H Haverinen, R Sliz, G Jabbour, T Fabritius, R Myllylä, A Vasiliev, and N Zaretskiy, Procedia Engineering 25 (2011) 896 M F Mabrook, C Pearson, and M C Petty, Sensors and Actuators B: Chemical 115 (2006) 547 W Shen, Sensors and Actuators B: Chemical 166–167 (2012) 110 Shirakawa, USA (1996) H Sharma, Master of technology (2006) D Kumar and R C Sharma, Eur Polym J 34 (1998) 1053 C Pratt, Chemistry (2011) 61 [18] A L Kukla, Sens Actuators B: Chem B37 (1996) (1996) 135 [19] S Z Wu, (2000) [20] D Dutta, J Colloid Interface Sci (2005) 153 [21] L F Huang D, Molesa S et al., Journal of The Electrochemical Society 150 (7) (2003) G412 [22] [23] [24] [25] D P C Dijksman J.F, Hack M.J.J et al, J Mater Chem 17 (2007) 511 H S Gans B.J, Schubert U.S, Adv Mater 18 (2006) 910 T C D Doan, Thesis (2012) M Matsuguchi, J Io, G Sugiyama, and Y Sakai, Synthetic Metals 128 (2002) 15 62 PHỤ LỤC Phụ lục 1: Danh mục công trình liên quan cơng bố  Bài báo tạp chí Quốc tế uy tín (khơng thuộc SCI SCI-Expanded) - Duyen Hoa Nguyen, Ha Thi Nguyen, Vu Ngoc Hoang, Ngan Nguyen Le, Nhien Ngoc Thi Nguyen, Tin Chanh Duc Doan, Chien Mau Dang, pH sensitivity of emeraldine salt polyaniline and poly(vinyl butyral) blend, Adv Nat Sci.:Nanosci Nanotechnol (ANSN), issue 4, volume 5, 2014  Bài báo tạp chí nước - Nguyễn Hoa Dun, Hồng Ngọc Vũ, Lê Nguyên Ngân, Nguyễn Thị Ngọc Nhiên, Nguyễn Thị Hạ, Đồn Đức Chánh Tín, Đặng Mậu Chiến, Nghiên cứu màng mỏng polymer dẫn điện polyaniline pha tạp ứng dụng cảm biến đo pH môi trường thủy hải sản, Tạp chí phát triển khoa học & Cơng nghệ, Vol 51, No 5A, pp 69-77, 2013  Bài báo đăng kỷ yếu Hội nghị Quốc tế - Duyen Hoa Nguyen, Ha Thi Nguyen, Vu Ngoc Hoang, Ngan Nguyen Le, Nhien Ngoc Thi Nguyen, Tin Chanh Duc Doan, Chien Mau Dang, pH sensors based on conductive polymer layers for water quality monitoring, Proceedings of IWAN 2013, Vung Tau, Vietnam - Nhien Ngoc Thi Nguyen, Ha Thi Nguyen, Dam Le Duy, Dang Thi My Dung, Tin Chanh Duc Doan, Chien Mau Dang, Fabrication of an ammonia (NH3) gas sensor by inkjet printing technology, Proceedings of IWAMSN 2014, Hà Nội, Vietnam Phụ lục 2: Tồn văn báo liên quan cơng bố ... MINH PTN CÔNG NGHỆ NANO NGUYỄN THỊ NGỌC NHIÊN NGHIÊN CỨU THIẾT KẾ VÀ CHẾ TẠO CẢM BIẾN ĐO KHÍ NH3 BẰNG PHƯƠNG PHÁP IN PHUN Chuyên ngành: Vật liệu Linh kiện Nanơ (Chun ngành đào tạo thí điểm) LUẬN... chế tạo cảm biến đo khí NH3 phương pháp in phun? ?? với mục tiêu Luận văn nghiên cứu chế tạo cảm biến kiểu điện trở để phát khí NH3 với điện cực kim loại đế cách điện phun phủ cơng nghệ in phun Lớp... nghệ in phun áp điện Đây phương pháp phổ biến để in mực có chứa vật liệu chế tạo linh kiện, thiết bị Phần tử áp điện (thường vật liệu PZT) gắn vào vòi phun nối với phát tín hiệu Khi có điện áp vào