Bài giảng kỹ thuật xung Chương V

Bài giảng Kỹ thuật Xung Chương CHƯƠNG 5. MẠCH KẸP I. KHÁI NIỆM Mạch kẹp hay gọi mạch ghim điện áp, mạch dòch mức DC tín hiệu AC đạt đến mức xác đònh, mà không bò biến dạng sóng. Mạch kẹp dựa sở mạch phục hồi thành phần điện áp DC. Nó dùng để ổn đònh đỉnh tín hiệu xung mức xác đònh khác không. Như mạch kẹp tín hiệu mức DC khác Dạng sóng điện áp bò dòch mức, nguồn điện áp không phụ thuộc cộng vào. Mạch kẹp vận hành dòch mức, nguồn cộng vào không lớn dạng sóng độc lập. Lượng dòch phụ thuộc vào dạng sóng thời. Mạch kẹp cần có: Tụ C đóng vai trò phần tử tích lượng Diode D đóng vai trò khóa Điện trở R Nguồn DC tạo mức DC Hai loại mạch kẹp chính: Mạch kẹp Diode Transistor. Dạng ghim mức biên độ dương mức biên độ âm, cho phép ngõ mở rộng theo hướng từ mức chuẩn. Mạch kẹp khóa (đồng bộ) trì ngõ số mức cố đònh cung cấp xung đồng lúc ngõ cho phép liên hệ với dạng sóng ngõ vào. Điều kiện mạch kẹp: Giá trò R C phải chọn để số thời gian τ = RC đủ lớn để sụt áp qua tụ không lớn Trong phần lý thuyết ta xem tụ nạp đầy sau 3τn tụ xả hết sau 3τx Nguyên lý làm việc mạch ghim điện áp dựa việc ứng dụng tượng thiên áp, cách làm cho số thời gian phóng nạp tụ mạch khác hẳn nhau. Ths. Nguyễn Trọng Hải Trang 73 Bài giảng Kỹ thuật Xung Chương II. MẠCH KẸP DÙNG DIODE LÝ TƯỞNG Loại mạch kẹp đơn giản sử dụng Diode kết hợp với mạch RC. Tụ C đóng vai trò phần tử tích - phóng lượng điện trường, Diode D đóng vai trò khóa điện tử , nguồn DC tạo mức chuẩn. Các giá trò R C phải chọn thích hợp, để số thời gian τ = RC đủ lớn nhằm làm sụt áp qua tụ C không lớn tụ C không xả điện nhanh. Tụ nạp đầy phóng điện hết thời gian 3τ đến 5τ, Diode xem lý tưởng. 1. Mạch Ghim Đỉnh Trên Của Tín Hiệu Ở Mức Không Dạng mạch Xét tín hiệu vào chuỗi xung có biên độ max ±Vm C Vv Vra D R Hình 5.1 Đây mạch kẹp đỉnh tín hiệu mức điện áp 0v. Điện trở R có giá trò lớn, với nhiệm vụ nhằm khắc phục nhược điểm: Khi biên độ tín hiệu vào giảm khả ghim đỉnh tín hiệu vào mức không. Giải thích nguyên lý hoạt động Ths. Nguyễn Trọng Hải Trang 74 Bài giảng Kỹ thuật Xung Chương Thời điểm từ đến t1, thời điểm tồn xung dương đầu tiên, vv = Vm , Diode D dẫn, tụ C nạp điện qua Diode (không qua R, điện trở thuận D nhỏ), cực âm tụ điểm A, tụ nạp với số thời gian là: τ n = CRd = ⇒ VC = +Vm (tụ nạp đầy tức thời) lúc Vr = Vv - Vc = Thời điểm từ t1 đến t2, thời điểm mà ngõ vào tồn xung âm, VV = -Vm, Diode bò phân cực nghòch, D ngưng dẫn, lúc tụ C phóng điện qua R, có dạng mạch tương đương hình vẽ. Vc = V V V R Vra V R Vra Thời phóng điện τf = CR , thời gian lớn so với khoảng thời gian từ t1 đến t2 , tụ C chưa kòp xả mà tích lại lượng điện áp Vc = Vm. Do vậy, vr = vv - vc = -Vm -Vm = - 2Vm . 2. Mạch Ghim Đỉnh Trên Của Tín Hiệu Ở Mức Điện p Bất Kỳ Dạng mạch C Vv D Vdc Ths. Nguyễn Trọng Hải R Vra Hình 5.3 Trang 75 Bài giảng Kỹ thuật Xung Chương Tín hiệu vào dạng xung có tần số f = Hz biên độ max ±Vm. Giả sử cho C = 0,1 µ F, VDC = 5v, R = 1000 k Ω , Vm = 10(v) Ta có f = 1KHz ⇒ T = = 1(ms) f Bán kỳ có thời gian T = 0.5(ms) Giải thích nguyên lý hoạt động: Thời điểm từ đến t1, ngõ vào tồn xung dương Vv = Vm =10v >VDC, Diode D dẫn điện, tụ C nạp điện qua Diode D với số thời gian τ = rd.C ≈ Tacó VDC + Vγ + VC = VV giá trò điện áp mà tụ nạp đầy là: Vc = Vv - Vγ - VDC = 10 – = 5(v) Do Vra = VDC - Vγ = 5(v) Thời điểm từ t1 đến t2 ngõ vào tồn xung âm, Vv = -Vm = -10v, Diode D ngưng dẫn, tụ C phóng điện qua R, với thời phóng điện τf = CR = 0,1.10-6 .106 = 0,1(s ) = 10 (ms). Vậy sau 5τ tụ phóng hết, tức sau 5.10 = 50 (ms), thời gian lớn gấp 20 lần thời gian từ t1 đến t2 (0,5ms), vc giữ mức điện áp 5v Vr = Vv - Vc = -10 - = -15v . Nếu đảo cực tính nguồn VDC đỉnh ghim mức điện áp -5(v). 3. Mạch Ghim Đỉnh Dưới Của Tín Hiệu Ở Mức Không Dạng mạch C Vv D Hình 5.4a Ths. Nguyễn Trọng Hải Trang 76 R Vra Bài giảng Kỹ thuật Xung Chương Hình 5.4b Mạch có chức cố đònh đỉnh tín hiệu mức 0(v). Giải thích nguyên lý hoạt động Thời điểm từ đến t1, tồn xung dương, Vv = + Vm, Diode ngưng dẫn, tụ C nạp qua R với số thời gian τn = RC, R lớn nên τn lớn, đóτn >> so với khoảng thời gian từ đến t1. Do tụ C gần không nạp vc = 0, Vra = Vv = + Vm. Thời điểm t1 đến t2, ngõ vào tồn xung âm, Vv = -Vm , Diode dẫn điện, tụ C nạp qua Diode, thời nạp τn = rd. C ≈ 0, vc = Vm (tụ nạp đầy tức thời), lúc Vra = Vv + Vc = -Vm +Vm = 0. Thời điểm từ t2 đến t3, ngõ vào tồn xung dương Vv = +Vm, Diode ngưng dẫn, tụ C xả qua R với số thời gian τf = C.R. τf lớn so với bán kỳ từ t2 đến t3, tụ C giữ nguyên mức điện áp Vm . Mạch tương đương trường hợp sau: Vc=Vm V R Hình 5.5 Ths. Nguyễn Trọng Hải Trang 77 Vra Bài giảng Kỹ thuật Xung Chương Ta có Vra = VV + VC = Vm + Vm = 2Vm Nhận xét Thời điểm từ đến t1 dạng sóng có xung dương không ổn đònh so với chuỗi xung ra. Do vậy, xung không xét đến mà xét xung ổn đònh từ thời điểm t1 trở đi. 4. Mạch Ghim Đỉnh Dưới Của Tín Hiệu Ở Mức Điện áp Bất Kỳ Dạng mạch C Vv D Vdc R Vra Hình 5.6 Nguồn VDC tạo mức ghim tín hiệu vào,VDC = 1/2 Vm Giải thích nguyên lý hoạt động Thời điểm từ đến t1, ngõ vào tồn xung dương, Vv = +Vm , VDC < Vm, Diode D ngưng dẫn, tụ C nạp qua R với số thời gian τn = RC, τn lớn so với khoảng thời gian từ đến t1 , nên tụ C gần không nạp, vc = 0, Vra = VV = + Vm . Thời điểm từ t1 đến t2 ngõ vào tồn xung âm, Vv = -Vm , D dẫn, tụ C nạp qua D, cực dương tụ điểm A, thời nạp τn = rd. C ≈ 0, tụ C nạp đầy tức thời Ta có Vc + Vv = VDC - Vγ tụ nạp đầy đến giá trò vc = VDC - vv = VDC + Vm Ths. Nguyễn Trọng Hải Trang 78 Bài giảng Kỹ thuật Xung Chương Do Vra = VDC + Vγ = VDC Thời điểm từ t2 đến t3 ngõ vào tồn xung dương tiếp theo, Vv = + Vm, Diode ngưng dẫn, tụ C phóng điện qua R với số thời gian τf = CR. τf lớn so với bán kỳ từ t2 đến t3 tụ C cố đònh mức điện áp vc = VDC + Vm khoảng thời gian này. Mạch tương đương trường hợp là: Vc=Vm + Vdc V R Vra Hình 5.7 Ta có vr = vv + vc = Vm + VDC + Vm = Vm + VDC Thời điểm từ đến t1 ta không xét (cách giải thích phần II .3) Dạng mạch C D1 R Vv Vra D2 Hình 5.8 Vz2 = 1/2Vm Vγ1= 1/10 Vm Vz2 + Vγ = (1/2 + 1/10)Vm = 3/5Vm Ths. Nguyễn Trọng Hải Trang 79 Bài giảng Kỹ thuật Xung Chương Giải thích nguyên lý hoạt động Thời điểm từ đến t1, ngõ vào tồn xung dương Vv = +Vm , Cả D1 D2 ngưng dẫn, tụ C nạp qua R với số thời gian τ n = RC , τn lớn so với khoảng thời gian từ đến t1, nên tụ C gần không nạp Vc = 0, Vra = Vv = + Vm Thời điểm từ t1 đến t2 ngõ vào tồn xung âm, Vv = - Vm , lúc D1 hoạt động Diode thường, D2 hoạt động Diode Zenner. Tụ C nạp qua D1 D2 , thời nạp τn = rd. C ≈ 0, tụ C nạp đầy tức thời, giá trò lớn mà tụ nạp là: Vc = -Vv + VZ2 + Vγ = Vm + 3/5Vm = 8/5 Vm Do Vra = -(VZ2 + Vγ ) = - 3/5Vm Thời điểm từ t2 đến t3 ngõ vào tồn xung dương tiếp theo, Vv = + Vm, Diode ngưng dẫn, tụ C phóng điện qua R với số thời gian τ f = CR. Do τf lớn so với bán kỳ từ t2 đến t3, tụ C cố đònh mức điện áp Vc = 8/5 Vm Ta có Vra = Vv + Vc = Vm+ 8/5 Vm = 13/5 Vm III. MẠCH KẸP DIODE KHI KỂ ĐẾN ĐIỆN TRỞ THUẬN VÀ ĐIỆN TRỞ NGUỒN 1. Phân tích mạch Xét dạng mạch hình sau, bỏ qua ảnh hưởng Vγ ( Vγ = 0) C Rng D R Vra Vng Hình 5.9 Ths. Nguyễn Trọng Hải Trang 80 Bài giảng Kỹ thuật Xung Chương Trước đạt trạng thái xác lập, mạch có giai đoạn độ. Biên độ nguồn vào, Vng , phải đủ lớn để làm tắt hay mở Diode (Diode phân cực thuận xem điện trở nguồn vào có nội trở bên trong, cần nguồn vào đủ lớn để sau bỏ qua sụt áp điện trở tắt mở Diode). Tín hiệu nguồn vào có dạng xung, biên độ max ±Vm . Giải thích nguyên lý hoạt động Thời điểm từ đến t1, ngõ vào tồn xung dương Vv = + Vm , Diode dẫn, tụ C nạp qua Rng rd với thời nạp tụ τn = C.(Rng + rd) Giả sử Rng R >> rd Tụ nạp theo quy luật hàm mũ với giá trò điện áp nạp Vc = Vm (1-e-t /τ n) giá trò tăng dần, điện áp lấy điện trở rd giảm dần theo quy luật hàm mũ. Mạch tương đương trường hợp sau: A C Rng Vng Rd Hình 5.10 Vra B Ta có VAB = Vm e-t/τ n v = v AB rd rd = .Vm .e −t / τ n rd + Rng rd + Rng Biên độ max rd .Vm < Vm rd + Rng Tại t = ⇒ vr = Vm rd rd + Rng Thời điểm từ t1 đến t2 ngõ vào không tồn xung, Vng = 0, Diode ngưng dẫn (do điện áp tụ C phân cực ngược). Tụ C phóng điện qua Rng R với Ths. Nguyễn Trọng Hải Trang 81 Bài giảng Kỹ thuật Xung Chương số thời gian τf = C(R+Rng). Giá trò điện áp tụ xả theo quy luật hàm mũ. Khi đó, điện áp tụ giảm dần điện áp ngõ tăng dần. Mạch tương đương trường hợp A C Rng Vng R Vra B Hình 5.11 vc(t) đóng vai trò nguồn cung cấp cho mạch. Điện áp tụ trình có dạng sau:vc(t) = Vm e-t/τ f VAB = Vm (1 – e-t/ τ f) Do v = −R R −t / τ Vm .(1 − e f ) , t = 0, vr = v AB = Rng + R Rng + R Biên độ max Vm . R < Vm Rng + R Nhận xét Thời phóng τf > τn, thời gian phóng điện hết tụ chậm. Do bán kỳ âm điện áp tụ giảm chậm, điện áp ngõ điện trở R tăng chậm ( gần giữ cố đònh mức điện áp max R Vm ). Rng + R Ở bán kỳ dương, ngõ có biên độ điện áp max giảm dần bán kỳ dương tiếp sau. Giải thích: bán kỳ dương, ngõ có biên độ max vm . rd , mà ta biết rd điện trở động, thay đổi phụ thuộc vào nhiệt độ, Rng + rd biên độ max bán kỳ dương sau giảm dần. 2. Đònh Lý Mạch Kẹp Khi truyền tín hiệu điện áp có chu kỳ qua tụ phân cách, tụ giữ lại thành phần chiều tín hiệu, nghóa chế độ xác lập tụ điện nạp điện đến mức mà làm cho điện áp tụ thành phần chiều tín hiệu vào. Do điện áp đầu vào đối xứng, tức có Ths. Nguyễn Trọng Hải Trang 82 Bài giảng Kỹ thuật Xung Chương thành phần chiều 0, sau chu kỳ tín hiệu vào điện áp tụ 0. Khi Diode dẫn, tụ C nạp điện với số thời gian τn = C(rd + Rng) Khi Diode tắt, tụ C phóng điện với số thời gian τf = C(R + Rng) R >> rd , τf >> τn, trình nạp tụ C nhanh trình xả. Do vậy, điện áp tụ C tăng lên. Khi đến trạng thái xác lập, điện áp tụ C không tăng nữa. Lúc lượng điện tích nạp lượng điện tích phóng. Trong thời gian nạp điện, qua tụ C có dòng nạp in = vr , điện tích rd tụ tăng lên lượng ∆Qn là. t2 t s ∆Qn = ∫ in dt = ∫ v r dt = rd t1 rd t1 Trong thời gian phóng điện, qua tụ C có dòng i f = tụ giảm lượng ∆Qf là: t3 t3 t vr s ∆Q f = ∫ i f dt = ∫ dt = ∫ v r dt = R R t2 R t2 t2 S1, S2 phần điện tích vẽ hình sau S1 Hình 5.12 Ths. Nguyễn Trọng Hải Trang 83 vr , điện tích R Bài giảng Kỹ thuật Xung Chương Khi đạt đến trạng thái xác lập, ta có điều kiện cân điện tích là: ∆Qn = ∆Q f ⇔ s1 s = rd R Ở không sâu vào phần phân tích đònh lượng mà giới thiệu ảnh hưởng rd Rng việc làm méo dạng sóng Việc tính toán chi tiết nên tham khảo sách: Pulse, digital and switching waveform, tác giả: Jacob Millman Herbert Taub IV. MẠCH KẸP CỰC NỀN CỦA BJT Xét mạch Vcc Rng C Rb Rc Vc Vng Hình 5.13 Nếu biên độ tín hiệu đủ lớn để làm tắt mở diode BE, ta có mạch kẹp cực nền. Khi có tín hiệu vào ta có mạch tương đương Rng Vng C Vb Vng Rb Dbe Ở chế độ xác lập ta có VB C(rd + Rng) C(RB + Rng) VC Hình 5.14 Ths. Nguyễn Trọng Hải Trang 84 Bão hòa VCEbh Bài giảng Kỹ thuật Xung Chương Bài tập chương Cho mạch Hình 1A Hình 1B. Biết Vγ = 0,7 V , VZ = 3,6V , giá trò RC thỏa mãn điều kiện mạch kẹp +10V Vin(t) C Vin(t) -10V VoutA(t) R t Vin(t) C VoutB(t) R 1,5V Hình 3B Hình 3A Vẽ dạng sóng ngõ a. rD = b. rD = 20 Ω , tín hiệu ngõ vào có f=5khz, q=50% 2. Cho mạch Hình 03A Hình 3B. Biết Vγ = 0,6 V , VZ = 5V , giá trò RC thỏa mãn điều kiện mạch kẹp Vin(t) +10V -10V Vin(t) t C VoutA(t) R 3V Hình 3A Vin(t) C VoutB(t) R 2V Hình 3B Vẽ dạng sóng ngõ a. rD = b. rD = 20 Ω , tín hiệu ngõ vào có f=5khz, q=50% 3. Xét mạch sau, với C điện dung ngõ vào tầng kế, nối song song Rt Giải thích hoạt động vẽ dạng sóng vB(t) VRA(t), giả sử BJT hoạt động chế độ chuyển mạch Ths. Nguyễn Trọng Hải Trang 85 Bài giảng Kỹ thuật Xung Chương Vcc Vm -Vm Rc Rb Vin(t) t C Vv Vra = Vce 4. Nếu nối ngõ với mạch xén sau, giải thích hoạt động mạch vẽ dạng sóng ngõ Vcc Vra C V2 V1 Khi a. rD = b. rD ≠ 5. Xét mạch sau, với C điện dung ngõ vào tầng kế, nối song song Rt Giải thích hoạt động vẽ dạng sóng vB(t) VRA(t), giả sử BJT hoạt động chế độ chuyển mạch Vcc Vin(t) Vm -Vm Rb Vra t Vv Ths. Nguyễn Trọng Hải Trang 86 Re C Bài giảng Kỹ thuật Xung Chương 6. Xét mạch sau, với C điện dung ngõ vào tầng kế, nối song song Rt Giải thích hoạt động vẽ dạng sóng vB(t) VRA(t), giả sử BJT hoạt động chế độ chuyển mạch Vcc Vin(t) Vm -Vm Rb T1 t Vra T2 Vv Rt C 7. Xét mạch sau, với L điện cảm ngõ vào tầng kế (relay), nối song song Rt Giải thích hoạt động vẽ dạng sóng vB(t) VRA(t), giả sử BJT hoạt động chế độ chuyển mạch Vcc Vm -Vm L Vin(t) Rb Trang 87 Vra Rc t Vv Ths. Nguyễn Trọng Hải R [...]... ngõ v o có f=5khz, q=50% 3 Xét mạch sau, v i C là điện dung ngõ v o của tầng kế, nối song song Rt Giải thích hoạt động v v dạng sóng vB(t) v VRA(t), giả sử BJT hoạt động ở chế độ chuyển mạch Ths Nguyễn Trọng Hải Trang 85 Bài giảng Kỹ thuật Xung Chương 5 Vcc Vm -Vm Rc Rb Vin(t) 0 t C Vv Vra = Vce 4 Nếu nối ngõ ra của bài 3 v i mạch xén như sau, giải thích hoạt động của mạch v v dạng sóng ngõ ra Vcc... Vra C V2 V1 Khi a rD = 0 b rD ≠ 0 5 Xét mạch sau, v i C là điện dung ngõ v o của tầng kế, nối song song Rt Giải thích hoạt động v v dạng sóng vB(t) v VRA(t), giả sử BJT hoạt động ở chế độ chuyển mạch Vcc Vin(t) Vm -Vm 0 Rb Vra t Vv Ths Nguyễn Trọng Hải Trang 86 Re C Bài giảng Kỹ thuật Xung Chương 5 6 Xét mạch sau, v i C là điện dung ngõ v o của tầng kế, nối song song Rt Giải thích hoạt động v v ... mãn điều kiện mạch kẹp +1 0V Vin(t) C Vin(t) 0 -1 0V VoutA(t) R t Vin(t) C VoutB(t) R 1, 5V Hình 3B Hình 3A V dạng sóng ngõ ra khi a rD = 0 b rD = 20 Ω , tín hiệu ngõ v o có f=5khz, q=50% 2 Cho mạch như Hình 03A v Hình 3B Biết V = 0,6 V , VZ = 5V , các giá trò RC thỏa mãn điều kiện mạch kẹp Vin(t) +1 0V 0 -1 0V Vin(t) t C VoutA(t) R 3V Hình 3A Vin(t) C VoutB(t) R 2V Hình 3B V dạng sóng ngõ ra khi a... Rt Giải thích hoạt động v v dạng sóng vB(t) v VRA(t), giả sử BJT hoạt động ở chế độ chuyển mạch Vcc Vin(t) Vm -Vm 0 Rb T1 t Vra T2 Vv Rt C 7 Xét mạch sau, v i L là điện cảm ngõ v o của tầng kế (relay), nối song song Rt Giải thích hoạt động v v dạng sóng vB(t) v VRA(t), giả sử BJT hoạt động ở chế độ chuyển mạch Vcc Vm -Vm L Vin(t) 0 Rb Trang 87 Vra Rc t Vv Ths Nguyễn Trọng Hải R ... Rng C Rb Rc Vc Vng Hình 5.13 Nếu biên độ tín hiệu đủ lớn để làm tắt mở diode BE, ta có mạch kẹp ở cực nền Khi có tín hiệu v o ta có mạch tương đương Rng Vng C Vb Vng Rb Dbe Ở chế độ xác lập ta có VB C(rd + Rng) C(RB + Rng) VC Hình 5.14 Ths Nguyễn Trọng Hải Trang 84 Bão hòa VCEbh Bài giảng Kỹ thuật Xung Chương 5 Bài tập chương 4 1 Cho mạch như Hình 1A v Hình 1B Biết V = 0,7 V , VZ = 3, 6V , các giá... vr , do đó điện tích rd trên tụ tăng lên một lượng ∆Qn là t2 t s 1 2 ∆Qn = ∫ in dt = ∫ v r dt = 1 rd t1 rd t1 Trong thời gian phóng điện, qua tụ C sẽ có dòng i f = tụ sẽ giảm một lượng ∆Qf là: t3 t3 t vr s 1 3 ∆Q f = ∫ i f dt = ∫ dt = ∫ v r dt = 2 R R t2 R t2 t2 S1, S2 là phần điện tích được v trên hình sau S1 Hình 5.12 Ths Nguyễn Trọng Hải Trang 83 vr , do đó điện tích trên R Bài giảng Kỹ thuật Xung. . .Bài giảng Kỹ thuật Xung Chương 5 thành phần một chiều bằng 0, thì sau một chu kỳ tín hiệu v o điện áp trên tụ cũng bằng 0 Khi Diode dẫn, tụ C sẽ nạp điện v i hằng số thời gian là τn = C(rd + Rng) Khi Diode tắt, tụ C sẽ phóng điện v i hằng số thời gian là τf = C(R + Rng) v R >> rd , do đó τf >> τn, quá trình nạp của tụ C nhanh hơn quá trình xả Do v y, điện áp trên tụ C dần... Xung Chương 5 Khi đạt đến trạng thái xác lập, ta có điều kiện cân bằng điện tích là: ∆Qn = ∆Q f ⇔ s1 s 2 = rd R Ở đây không đi sâu quá v o phần phân tích đònh lượng mà chỉ giới thiệu ảnh hưởng của rd v Rng trong việc làm méo dạng sóng ra Việc tính toán chi tiết nên tham khảo sách: Pulse, digital and switching waveform, tác giả: Jacob Millman v Herbert Taub IV MẠCH KẸP CỰC NỀN CỦA BJT Xét mạch Vcc . là V c = V m . Do v y, v r = v v - v c = -V m -V m = - 2V m . 2. Mạch Ghim Đỉnh Trên Của Tín Hiệu Ở Mức Điện p Bất Kỳ Dạng mạch Hình 5.3 Vc = V VraR R V VV Vra Vdc D Vv Vra R C Bài. tụ nạp đầy là: V c = V v - V γ - V DC = 10 – 5 = 5 (v) Do đó V ra = V DC - V γ = 5 (v) Thời điểm từ t 1 đến t 2 thì ngõ v o tồn tại xung âm, V v = -V m = -1 0 v , Diode D ngưng. Rb C Vcc Vra = Vce Rc Vv V m -V m t Vin(t) 0 Vra V2 V1 C Vcc V m -V m t Vin(t) 0 Vra Re Rb C Vcc Vv Bài giảng Kỹ thuật Xung Chương 5 Ths. Nguyễn Trọng Hải Trang 87 6. Xét mạch sau, v i C là điện