Mô phỏng transistor ống nano carbon đồng trục

ĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN  NGUYỄN THỊ LƯỠNG MÔ PHỎNG TRANSISTOR ỐNG NANÔ CARBON ĐỒNG TRỤC Chuyên ngành: Vật lý Vô tuyến và Điện tử Mã số: 62.44.03.01 TÓM TẮT LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ TP.HCM - 2010 - 1 - MỞ ĐẦU Ngành công nghiệp bán dẫn trên thế giới đang tiếp tục xu hướng thu nhỏ kích thước, giảm công suất tiêu thụ, giảm điện áp nguồn nuôi, giảm giá thành, tăng mật độ tích hợp, tăng khả năng đáp ứng tần số và mở rộng dải nhiệt độ làm việc của linh kiện. Tuy nhiên, việc giảm kích thước của MOSFET đến thang nanômét (nm) là có giới hạn vì những lý do sau: - Điện trường cao, do thế thiên áp đặt vào trên một khoảng cách rất ngắn có thể đánh thủng thác lũ tạo nên tràn dòng và hỏng linh kiện. Mặt khác, ở nhiệt độ môi trường luôn luôn có nhiễu do nhiệt độ gây ra vào khoảng 25 mV. Muốn transistor làm việc ổn định ở nhiệt độ phòng, điện áp tác dụng lên nó cần phải lớn hơn điện thế nhiễu ít nhất là bốn năm lần, tức cỡ trên 100mV. Khi thu nhỏ kích thước, các điện cực càng gần nhau hơn, điện thế cỡ 100 mV vẫn gây nên điện trường đủ lớn để đánh thủng chất bán dẫn. - Các transistor trong vi mạch phải cách điện với nhau. Điện tử từ transistor này không được rò rỉ qua các transistor khác. Tuy nhiên, khi các transistor quá gần nhau thì hiệu ứng đường hầm sẽ xảy ra, điện tử xuyên qua lớp cách điện ngoài ý muốn. - Mật độ linh kiện trong mạch càng cao thì khi làm việc nhiệt tỏa ra càng nhiều, nhiệt độ cao sẽ làm cho tuổi thọ của linh kiện càng suy giảm. Điện tử nanô sẽ khắc phục những hạn chế nêu trên và tạo ra những linh kiện yêu cầu nguồn nuôi thấp hơn, hoạt động ở dải nhiệt độ rộng hơn, bền vững trong môi trường áp suất cao hay chân không. Những nghiên cứu gần đây về linh kiện điện tử có kích thước dưới 100 nm có các ứng cử viên sáng giá để có thể thay thế linh kiện CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) trong tương lai gần, đó là: điôt đường hầm cộng hưởng (Resonant Tunneling Diode, RTD), transistor đường hầm cộng hưởng (Resonant Tunneling Transistor, RTT), transistor trường ống nanô carbon (Carbon Nanotube Field Effect Transistor, CNTFET), transistor đơn điện tử (Single Electron Transistor, SET), linh kiện phân tử (Molecular Devices, MD), transistor sắt từ (Ferromagnetic Transistor, FT), transistor spin (Spin transistor, ST). Những linh kiện mới này đã và đang được nghiên cứu trong các phòng thí nghiệm nổi tiếng trên thế giới qua các dự án R&D do - 2 - các hãng và các tổ chức đa quốc gia tài trợ như Intel, IBM, AMD, TSMC, Sony,Toshiba, NEC, NASA… Transistor trường ống nanô carbon là một trong các ứng cử viên đầy hứa hẹn có thể thay thế các transistor trường MOSFET trong tương lai vì những tính chất hấp dẫn của chúng như: tốc độ đáp ứng cao, kích thước nhỏ, công suất tiêu thụ thấp, nhiệt độ làm việc ổn định… Linh kiện sử dụng ống nanô carbon trong nhiều năm qua đã được nghiên cứu, mô phỏng và một số đã được chế tạo trên thế giới. CNTFET là một hướng nghiên cứu có nhiều triển vọng và thu hút được sự chú ý hiện nay vì khả năng chế tạo ra chúng nhờ các công nghệ chế tạo vi mạch hiện hành. Những vấn đề tán xạ của điện tử (tán xạ đàn hồi và tán xạ không đàn hồi) có liên quan đến các mức năng lượng Fermi, nhiệt độ, ảnh hưởng của rào thế do tiếp xúc kim loại-bán dẫn đang được các nhà khoa học tiến hành khảo sát và mô phỏng. Việc nghiên cứu CNTFET đồng trục theo hướng thực nghiệm chưa thể thực hiện được trong điều kiện hiện nay. Trong khi đó mô phỏng là phương pháp nghiên cứu cho ra kết quả đáng tin cậy và hoàn toàn thực hiện được. Kết quả mô phỏng sẽ định hướng cho chế tạo và thực nghiệm. Do đó, đây là phương pháp phù hợp để nghiên cứu CNTFET đồng trục. Cho nên tác giả đã chọn đề tài “Mô phỏng transistor ống nanô carbon đồng trục” để làm luận án tiến sĩ. Vì đề tài này có ý nghĩa thực tiễn rất cao trong tình hình hiện nay. Mục tiêu của luận án: - Xây dựng mô hình CNTFET cấu trúc đồng trục sử dụng ống nanô carbon đơn tường bán dẫn làm kênh dẫn thay cho kênh dẫn silic của MOSFET truyền thống. Sử dụng các kim loại quý : Au, Pt, Pd, Al làm điện cực nguồn và máng, lớp ôxít cách điện là những chất điện môi có hằng số điện môi cao như : SiO 2 , Al 2 O 3 , HfO 2, ZrO 2 , TiO 2 , ZrTiO 3 , Si 3 N 4 - Sử dụng phương pháp hàm Green không cân bằng (NEGF) kết hợp với Matlab để mô phỏng và biểu diễn trong không gian hai chiều, ba chiều họ đặc tính dòng thế của CNTFET đồng trục có xét đến tác động của nhiều yếu tố như : Vật liệu kim loại dùng làm điện cực nguồn – máng, chiều dài kênh dẫn, đường kính của CNT tường đơn, độ dày lớp ôxít cổng, nhiệt độ làm việc, điện áp cổng và điện áp nguồn. - Sử dụng phương pháp hàm Green không cân bằng (NEGF) kết hợp mô phỏng trên Matlab mô phỏng họ đặc tính dòng thế của CNTFET có xét - 3 - đến tán xạ điện tử - phonon khi chiều dài kênh dẫn giảm xuống dưới 20 nm. - Xây dựng và phát triển biểu thức quan hệ dòng thế cho CNTFET đồng trục. - Thiết kế và đề xuất qui trình chế tạo CNTFET phẳng, bao gồm CNTFET cổng sau riêng biệt và CNTFET cổng trên. Luận án có cấu trúc được sắp xếp theo trình tự như sau:  Mở đầu Chương 1: Tổng quan Chương 2: Transistor trường ống nanô carbon Chương 3: Thuật toán hàm Green không cân bằng (NEGF) trong mô phỏng các đặc trưng của CNTFET đồng trục Chương 4: Kết quả mô phỏng Chương 5: Đề xuất thực nghiệm  Kết luận  Tài liệu tham khảo CHƯƠNG 1 TỔNG QUAN 1.1. Xu hướng phát triển công nghệ chế tạo IC Hình 1. 1. Tiến trình giảm nhỏ kích thước của transistor Kích thước của transitor ngày càng thu nhỏ và nhanh chóng tiến đến giới hạn của chúng (10 nm). Những tính chất của bán dẫn khối sẽ không còn đúng khi kích thước của transistor đạt đến giá trị giới hạn. Do đó - 4 - LINH KI Ệ N ĐI Ệ N T Ử NANÔ Linh ki ệ n đi ệ n t ử nanô bán d ẫ n Linh ki ệ n đi ệ n t ử nanô hiệu ứng lượng tử Transitor ống nanô carbon (CNTFET) Linh ki ệ n đi ệ n t ử nanô hiệu ứng spin Linh ki ệ n đi ệ n t ử phân t ử Linh ki ệ n đi ệ n t ử nguyên t ử Ch ấ m lư ợ ng t ử (QD) Linh ki ệ n đư ờ ng h ầ m c ộ ng hư ở ng Đíôt đư ờ ng h ầ m c ộ ng hư ở ng (RTD) Transistor đư ờ ng h ầ m c ộ ng hư ở ng (RTT) Linh ki ệ n lai micro - nanô Transistor đơn đi ệ n t ử (SET) cần phải tìm những linh kiện thay thế cho MOSFET. Đó là các linh kiện điện tử nanô. 1.2. Phân loại linh kiện điện tử nanô Các nghiên cứu gần đây đã đưa ra nhiều mô hình linh kiện điện tử thang nanômét có khả năng thay thế cho linh kiện CMOS trong thiết kế vi mạch như: Điốt đường hầm cộng hưởng (Resonant Tunneling Diode, RTD), Transistor đường hầm cộng hưởng (Resonant Tunneling Transistor, RTT), Transistor trường ống Nanô Carbon (Carbon Nanotube Filed Effect Transistor, CNTFET), Transistor đơn điện tử (Single Electron Transistor, SET), Transistor đơn nguyên tử (Single Atom Transistor), Transistor spin (Spin Transistor, ST), Transistor sắt từ (Ferromagnetic Transistor, FT)… Hình 1.2 Phân loại linh kiện điện tử nanô 1.3. Nghiên cứu về transistor trường ống nanô carbon Năm 2003, Hoenlein đã đề xuất cấu trúc CNTFET đồng trục thẳng đứng như hình 3a. Cấu trúc này sử dụng ống CNT đơn tường có đường kính 1 nm, chiều dài 10 nm làm kênh dẫn kết nối giữa điện cực nguồn và điện cực máng bằng kim loại. Lớp oxit điện môi bao quanh ống CNT có độ dày 1 nm, điện cực cổng bao quanh lớp oxit cách điện này. Với cấu trúc này tác giả đề xuất cách kết nối các transistor trong chip như hình 3b, và dự báo tần số đáp ứng của CNTFET cỡ THz và mật độ tích hợp lên đến 10 12 transistor trên cm 2 . - 5 - Hình 1.3. Cấu trúc CNTFET thẳng đứng Năm 2006, Leonardo đã xây dựng mô hình CNTFET đồng trục, sử dụng phương trình Schrodinger để tính toán số lượng điện tử và lỗ trống chạy qua kênh dẫn, sau đó dùng phương trình Landauer để tính dòng điện chạy qua CNTFET đồng trục. Tác giả này đã tính toán mô phỏng được đặc trưng I-V của CNTFET khi thay đổi các giá trị điện áp cổng, dòng điện máng bão hòa tăng khi tăng giá trị điện áp cổng. Tuy nhiên các đường đặc trưng này có độ dốc rất thấp, điều này cho thấy độ dẫn của CNTFET trong cấu trúc này chưa cao. Hình 1.4. Mô hình và đặc trưng I-V của CNTFET đồng trục Năm 2007, Siyuranga O. Koswatta và các cộng sự đã tính toán mô phỏng đặc trưng của CNTFET đồng trục có xét đến ảnh hưởng của tán xạ phonon sử dụng phương pháp hàm Green không cân bằng (NEGF) [30]. Nhóm tác giả này đã sử dụng các ống nanô carbon đơn tường (16,0), (19,0), (22,0) làm kênh dẫn. Chiều dài kênh dẫn được khảo sát là 20 nm, sử dụng HfO 2 (k = 16) làm vật liệu điện môi và có bề dày lớp ôxit cổng 2 nm. Kết quả mô phỏng cho thấy với điện áp cổng V G = 0,6 V dòng điện bão hòa có xét đến tán xạ phonon quang (OP) thấp hơn khoảng 9% so với dòng chuyển dời đạn đạo (Ballistic) và dòng điện bão hòa có xét đến tán xạ phonon âm (AP) thấp hơn khoảng 7% so với dòng chuyển dời đạn đạo. - 6 - Hình 1.5. Cấu trúc và đặc trưng của CNTFET đồng trục có xét đến tán xạ Năm 2009, Rasmita Sahoo and R. R. Mishra cũng đã mô phỏng họ đặc trưng I-V của CNTEFT đồng trục khi thay đổi đường kính ống CNT. Nhóm tác giả này đã sử dụng phần mềm mô phỏng của NanoHub để vẽ đặc trưng I-V của CNTFET đồng trục với đường kính thay đổi từ 2 nm đến 5 nm. Kết quả mô phỏng cho thấy khi đường kính tăng dòng điện I d bão hòa cũng tăng theo. Nhóm tác giả này cũng đã tính toán và cho kết quả là độ dẫn của CNTFET cao hơn khoảng 4 lần so với Si-MOSFET và tần số đáp ứng cao gấp đôi so với Si-MOSFET. Hình 1.6. Khảo sát ảnh hưởng của đường kính ống CNT lên đặc trưng I-V của CNTFET đồng trục Năm 2010, Zoheir Kordrostami đã đưa ra mô hình tương đương tín hiệu nhỏ của CNTFET đồng trục và xây dựng biểu thức tính tần số cắt của linh kiện này như sau: ))(()( 1 )( 2 1 gdgsgDS m d gdgsg m gdDS T CCCRR g g CCC g CRR f   (1.1) - 7 - Hình 1.7. Mô hình CNTFET đồng trục và mô hình tương đương tín hiệu nhỏ Tần số cắt được tính gần đúng như sau: gdgsg m T CCC g f    2 1 (1.2) Thông thường các tụ ký sinh C gs và C gd có giá trị rất nhỏ so với C g nên có thể cho bằng không, khi đó tần số cắt sẽ là: g m T C g f  2 1  (1.3) 1.4. NHẬN XÉT Kích thước của linh kiện CMOS liên tục được thu nhỏ từ năm 2003 (90 nm), năm 2005 (65 nm), năm 2007 (45 nm), năm 2009 (32 nm) tuân theo định luật Moore tính từ năm 1972. Mật độ transistor trên chip tăng gấp đôi sau mười tám tháng đến hai năm. Theo tiên đoán của các nhà khoa học và công nghệ đến khoảng năm 2020, kích thước của transistor trên chip đạt tới giới hạn vật lý (10 nm) và số transitor trên chip khi đó đạt tới 10 12 trên một cm 2 . Việc tìm kiếm một linh kiện có tính chất bứt phá để vượt qua giới hạn này đang được các nhà nghiên cứu về khoa học và công nghệ rất quan tâm. Những công trình nghiên cứu chế tạo CNTFET phẳng gần đây, bao gồm CNTFET cổng sau và CNTFET cổng trên dựa trên công nghệ chế tạo IC tiên tiến hiện nay. Tuy nhiên công nghệ chế tạo CNTFET đồng trục vẫn là một thách thức lớn đối với các nhà nghiên cứu. Các công trình nghiên cứu về CNTFET đồng trục cho đến nay chỉ dừng lại ở khảo sát đặc tính I d -V ds trong kênh dẫn dài ( L ch > 20 nm) mà chưa xét đến đặc trưng của linh kiện này khi chiều dài kênh dẫn giảm xuống dưới 20 nm. Trong luận án này, tác giả sẽ việc khảo sát ảnh hưởng của nhiệt độ, vật liệu điện môi, kim loại dùng làm điện cực nguồn- máng, kích thước ống nanô carbon lên đặc trưng của CNTFET đồng trục có ý nghĩa rất quan trọng trong việc đánh giá khả năng đáp - 8 - ứng của CNTFET và định hướng cho công nghệ chế tạo CNTFET trong tương lai. CHƯƠNG 2 TRANSISTOR TRƯỜNG ỐNG NANÔ CARBON 2.1. Ống nanô carbon Ống nanô carbon hiện được coi là vật liệu mới, báo hiệu cho thời đại của ngành công nghệ nanô. Đây không chỉ là do những tính chất điện đầy hứa hẹn của ống nanô carbon mà còn bởi vì chúng được xem là vật liệu bền vững nhất về cơ học từng biết đến và rất ổn định về tính chất hóa học. Ống nanô carbon (CNT) là cấu trúc ổn định của carbon, chúng được cuộn lại thành ống đồng trục nối liền và rỗng có chiều dài trung bình khoảng 10 m  và đường kính khoảng từ 1 nm - 10 nm. Ống nanô carbon đơn tường (SWNT), đường kính từ 1 nm - 3 nm, chiều dài khoảng 50 nm - 10µm. Đường kính ống CNT được tính bởi: 22 0 mnmn aL d C   cc aa 3 0  Với a cc =1, 44A 0 là khoảng cách giữa hai nguyên tử C-C gần nhau trong ống nanô. Các nghiên cứu về lý thuyết cho thấy rằng một CNT đơn tường có thể là kim loại hoặc bán dẫn phụ thuộc vào cấu trúc mạng và đường kính. Ống nanô với n = m có dạng ghế bành (Armchair) hay C h = (n, n), khi đó ống thể hiện tính chất kim loại. Đối với n ≠ m và n – m ≠ 3l (l: số nguyên), ống nanô có dạng Zigzag ứng với m = 0 hay C h = (n, 0) và mang tính bán dẫn với độ rộng vùng cấm (band gap) tỉ lệ nghịch với đường kính ống. Số liệu thực nghiệm cho thấy rằng các ống nanô Zigzag có đường kính trong dải từ 1,2 nm – 1,8 nm là lọai bán dẫn. Hình 1.5. Phân loại ống nanô carbon - 9 - 2.2. Transistor trường ống nanô carbon Với sự vận chuyển của các điện tử và lỗ trống trong ống nanô carbon đơn tường có thể được điều chỉnh bằng điện áp và có đường đặc trưng V-I tương tự như MOSFET. Do đó, CNT đơn tường bán dẫn được tích hợp trong các linh kiện MOSFET có chức năng như là một kênh dẫn thay thế cho kênh dẫn Si được gọi là CNTFET. Nhưng ống nanô carbon có mật độ dòng rất cao nên khả năng đáp ứng các đường đặc trưng tốt hơn so với các linh kiện Si có cùng kích thước . 2.2.1. Cấu trúc a) CNTFET cổng sau (Back-gated CNTFET): Linh kiện CNTFET cổng sau có cấu trúc tương đối đơn giản, bao gồm một ống nanô carbon đơn tường hoạt động như một kênh dẫn, ống nanô này được đặt trên đỉnh của hai điện cực làm bằng kim loại quý (vàng hoặc platin), có chức năng như hai điện cực nguồn và máng. Chất nền Si được dùng như là điện cực cổng, được ngăn cách với ống nanô và hai điện cực kim loại bằng một lớp SiO 2 dày 100 nm – 200 nm. Đây là cấu trúc đầu tiên của CNTFET nên các đường đặc trưng của nó tương đối xấu như dòng điều khiển thấp, độ dẫn thấp (g = 10 -6 S) và điện trở tiếp xúc lớn (>1 MΩ). Hình 2.6. Hình ảnh minh họa cấu trúc và đặc trưng của một CNTFET cổng sau b) CNTFET cổng trên (Top-gated CNTFET): Cấu trúc này được chế tạo bằng cách gieo ống nanô carbon trên một chất nền Si đã ôxi hóa. Hình ảnh kính hiển vi lực nguyên tử được sử dụng để xác định ống nanô carbon đơn tường và sau đó cực nguồn và máng làm bằng Ti được chế tạo bên trên ống nanô. Một màng mỏng chất điện môi cổng dày từ 15 nm - 20 nm được đặt tại nhiệt độ 300 o C qua quá trình lắng động bay hơi hóa học (CVD). Cuối cùng, một điện cực cổng dày 50 nm được lấy mẫu bằng kỹ thuật in lithography. [...]... trường ống nanơ carbon (CNTFET) là một ứng cử viên đầy hứa hẹn có thể thay thế các transistor trường MOSFET trong tương -23- lai vì những tính chất hấp dẫn của chúng CNTFET bao gồm cấu trúc phẳng và cấu trúc đồng trục Trong luận án này, tác giả nghiên cứu mơ hình CNTFET đồng trục, dùng ống nanơ carbon đơn tường làm kênh dẫn CNTFET đồng trục có cực cổng hình trụ bao quanh ống CNT Để mơ phỏng đặc tính... Đinh Sỹ Hiền, Thi Trần Anh Tuấn, Nguyễn Thị Lưỡng (2010) , “Mơ phỏng một số đặc trưng của transistor dùng ống nanơ carbon , Tạp chí Phát triển khoa học và Cơng nghệ, Đại học quốc gia Tp.HCM, số 13, trang (1527) [7] Nguyễn Thị Lưỡng (2010), “Khảo sát ảnh hưởng kích thước ống nanơ carbon lên đặc trưng của Transistor ống nanơ carbon đồng trục , Tạp chí Khoa học Giáo dục Kỹ thuật, số 14, trang (26-31)... là Al2O3 (K = 3), HfO2 (K = 20) và ZrO2 (K = 25) -17- 4.1.3 Xét ảnh hưởng của đường kính ống CNT- độ rộng kênh dẫn Thơng số đường kính và độ rộng vùng cấm của ống nanơ carbon dùng trong mơ phỏng được cho trong bảng 4.3 Bảng 4.3 Thơng số một số ống nanơ carbon đơn tường được sử dụng mơ phỏng Loại CNT Đường kính ống (nm) Độ rộng vùng cấm Eg(eV) Zigzag (10,0) 0,8 1 Zigzag (13,0) 1 0,8 Zigzag (17,0) 1,4... được là do sự suy giảm spin xuống 2 và giảm vùng thung lũng xuống 2 trong dải năng lượng của CNT Một kênh CNT với chiều dài hàng chục nanơmét chứa vài nghìn ngun tử carbon Ta có thể tính hàm Green [G] bằng cách đảo trực tiếp ma trận Ginv = ( E  i 0  ) I  H   1   2   S (3.25) 3.3 Mơ hình tốn học sử dụng trong mơ phỏng CNTFET đồng trục Hình 3.16 Mơ hình CNTFET đồng trục (a) mơ hình vật lý, (b)... cho mơ phỏng đặc trưng của CNTFET kênh n, với điện áp Vgs biến thiên là điện áp dương Cửa sổ chính của chương trình như hình 4.1 Hình 4.1 Màn hình chính của chương trình mơ phỏng CNTFET đồng trục Từ màn hình chính ta có thể chọn các chế độ mơ phỏng CNTFET đồng trục nhờ một thanh cơng cụ bên trái màn hình Sau đó, màn hình nhanh chóng được chuyển sang chế độ riêng vừa chọn và những thơng số mơ phỏng được... từ 0.1 V đến 1 V Hình 3.20 mơ tả lưu đồ thuật giải cho tồn bộ chương trình mơ phỏng biểu diễn hai chiều và ba chiều đặc trưng I-V của CNTFET đồng trục sử dụng thuật tốn hàm Green khơng cân bằng -13- Hình 3.20 Sơ đồ thuật tốn mơ phỏng đặc trưng Id-Vds của CNTFET đồng trục trong chương trình MatLab -14- CHƯƠNG 4 KẾT QUẢ MƠ PHỎNG Tác giả sử dụng cơng cụ graphic user interface (GUI) trong Matlab để thiết... CNTFET cổng trên c) CNTFET đồng trục (Coaxial CNTFET): Sự phát triển gần đây nhất trong sự tiến triển của CNTFET có thể là sự bắt đầu của CNTFET thẳng đứng, và tiếp sau là các CNTFET đồng trục được giới thiệu rất chi tiết trong phần tổng quan 2.2.2 Ngun lý hoạt động của CNTFET: Dòng điện trong CNTFET xun hầm trực tiếp qua rào Schottky, tại tiếp xúc giữa kim loại và ống nanơ carbon bán dẫn Kim loại dùng... giả đã phát triển mơ hình CNTFET đồng trục sử dụng SWCNT bán dẫn làm kênh dẫn cho CNTFET thay cho kênh dẫn silic của MOSFET truyền thống và sử dụng các kim loại q : Au, Pt, Pd, Al làm điện cực nguồn và máng, lớp ơxít cách điện là những chất điện mơi có hằng số điện mơi cao như : SiO2, Al2O3, HfO2, TiO2, ZrO2, SrTiO3, Si3N4 2 Xây dựng phần mềm mơ phỏng cho CNTFET đồng trục sử dụng phương pháp hàm Green... 2500K đến 3500K, dòng điện có xu hướng tăng nhẹ khi tăng nhiệt độ Kết quả mơ phỏng cho thấy CNTFET đồng trục có dòng làm việc khá ổn định trong điều kiện nhiệt độ thơng thường (2500K đến 3500K), và có khả năng thay thế cho linh kiện MOSFET Hình 4.7 Ảnh hưởng của nhiệt độ lên đặc trưng dòng thế máng của CNTFET đồng trục trong mơ phỏng biểu diễn 3D 4.2.3 Xét ảnh hưởng của bề dày lớp ơxit cổng Kết quả cho... “Quantum Device Simulation- Emerging Nanodevices – NEMO-VN2”, Proceedings of International Symposium on Nano- Materials, technology and Applications, Hanoi, 14-16 October 2009, pp(55) [9] Đinh Sỹ Hiền, Nguyễn Thị Lưỡng, Lê Hồng Minh, Đinh Việt Nga, Lê Minh Tuấn (2010), “Phát triển phần mềm mơ phỏng linh kiện điện tử nanơ nổi bật: transistor đơn điện tử (SET), transistor ống nanơ (CNTFET), NEMOVN2", đề tài . quả mô phỏng sẽ định hướng cho chế tạo và thực nghiệm. Do đó, đây là phương pháp phù hợp để nghiên cứu CNTFET đồng trục. Cho nên tác giả đã chọn đề tài Mô phỏng transistor ống nanô carbon đồng. (Resonant Tunneling Transistor, RTT), Transistor trường ống Nanô Carbon (Carbon Nanotube Filed Effect Transistor, CNTFET), Transistor đơn điện tử (Single Electron Transistor, SET), Transistor đơn. quan Chương 2: Transistor trường ống nanô carbon Chương 3: Thuật toán hàm Green không cân bằng (NEGF) trong mô phỏng các đặc trưng của CNTFET đồng trục Chương 4: Kết quả mô phỏng Chương 5: