Nghiên cứu mô phỏng động lực phân tử các cấu trúc và các vật liệu nano bán dẫn thấp chiều

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI Lê Th Hng Liên NGHIÊN CỨU MÔ PHỎNG ĐỘNG LỰC PHÂN TỬ CÁC CẤU TRÚC VÀ CÁC VẬT LIỆU NANO BÁN DẪN THẤP CHIỀU LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT L Hà Nội – 2015 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI Lê Th Hng Liên NGHIÊN CỨU MÔ PHỎNG ĐỘNG LỰC PHÂN TỬ CÁC CẤU TRÚC VÀ CÁC VẬT LIỆU NANO BÁN DẪN THẤP CHIỀU Chuyên ngành: Vt l l thuyt và vt l ton Mã số: 62440103 LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT L NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: PGS.TS. V Ngc Tưc Hà Nội – 2015 1 DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT x, y, z: phương x, y, z của trục tọa độ Descartes S: diện tích, định thức Slater V: thể tích T: nhiệt độ (r): mật độ hạt : Năng lượng M: mômen từ   : khối lượng hiệu dụng   : hằng số Boltzman : động năng  : số lượng tử  : mật độ trạng thái  : hàm Delta : hàm sóng : hàm sóng điện tử χ : hàm sóng hạt nhân σ: độ dẫn điện ρ: điện trở suất : tọa độ hạt nhân r: tọa độ điện tử t: thời gian M n: khối lượng của hạt nhân thứ n Z n : điện tích của hạt nhân thứ n   : năng lượng điện tử   : thế ngoài   : mật độ hạt ở trạng thái cơ bản   : năng lượng ứng với tương tác điện tử-điện tử   : năng lượng trao đổi tương quan   : Hamiltonian : hệ số nhân Lagrange   : thế trao đổi tương quan   : thế Kohn-Sham   : hàm sóng giả   : thế hiệu dụng  : trị riêng của hàm năng lượng   : bán kính phân chia        : hàm Hohenberg-Kohn HK: Hohenberg-Kohn KS: Kohn-Sham KH &CN: Khoa học và công nghệ KH: khoa học CN: công nghệ 2 CMS: khoa học vật liệu tính toán (computational materials science) WZ: Wurtzite ZB: Zincblende NW: dây nano không thụ động hóa (unpassivated nanowire) NWP: dây nano được thụ động hóa (passivated nanowire) 0D: không chiều (0 dimension) 1D: một chiều (1 dimention) 2D: hai chiều (2 dimension) 3D: ba chiều (3 dimension) DFT: phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ (Density Functional Theory) DFTB: phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ kết hợp với gần đúng liên kết chặt (Density Functional based Tight-Binding) VASP: The Vienna Ab initio simulation package SCC-DFTB: phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ kết hợp gần đúng liên kết chặt t tương thích điện (Self Consistent Charge Density Functional based Tight- Binding SCF: trường t tương thích (the self- consistent field) SIESTA: Phương pháp Sáng kiến Tây Ban Nha về việc mô phỏng điện tử với hàng ngàn nguyên tử (Spanish Initiative for Electronic Simulations with Thousands of Atoms) LDA: gần đúng mật độ địa phương GGA: gần đúng gradient suy rộng GEA: các gần đúng khai triển gradient TD: thí dụ QD: chấm lượng tử (quantum dot) NL: năng lượng LED: điốt phát quang FCC: lập phương tâm diện (face-centered cubic) VLS : pha khí-lỏng-rắn (vapor-liquid-solid) DSSC: tế bào quang điện dùng chất nhạy quang DMS: chất bán dẫn từ loãng LT: lượng tử TB: tight-binding PAW: phương án sóng bổ sung (projected augmented wave) 3 FM: tính chất sắt từ (ferromagneticsm) VF: không khuyết tật (vacancy-free) DOS: mật độ trạng thái (Densities of States) HOMO: trạng thái phân tử lấp đầy cao nhất LUMO: trạng thái phân tử không lấp đầy thấp nhất CBM: đáy vùng dẫn VBM: đỉnh vùng hóa trị PDOS: mật độ trạng thái được chiếu lên (Projected Densities of States) 4 DANH MỤC CÁC BẢNG Bảng 2.1: Tham số chi tiết của các hạt nano ZnO……………………………………… 62 Bảng 3.1: Các tham số của dãy dây nano 3 vng NW-3………………………………….83 Bảng 3.2: Các tham số của dãy dây nano 4 vng NW-4………………………………….83 Bảng 3.3: Các tham số của dãy dây nano 5 vng NW-5………………………………….83 Bảng 3.4: Các tham số của dãy dây nano 6 vng NW-6………………………………….83 Bảng 3.5: So sánh hằng số mạng thu được từ việc tối ưu hóa tập cơ sở của Siesta. Các kết quả từ các trích dẫn (trong ngoặc vuông)………………………………………………….86 Bảng 3.6: Thông số chuỗi cấu trúc của các dây nano siêu mạng trong nghiên cứu này: dây nano siêu mạng ký hiệu là A, B, C và các dây siêu mạng được thụ động hóa của chúng AH, BH, CH… 102 Bảng 4.1: Mômen từ M( B ) được tính bằng SIESTA và VASP và được lọc ra từ một số tài liệu tham khảo khác của các cấu trúc ZnO. Các kết quả từ các trích dẫn (trong ngoặc vuông)…………………………………………………………………………………….119 Bảng 4.2: Mômen từ M( B ) cuả các dây nano với các kết hợp khác nhau của V Zn và/hoặc Li Zn. . Ký hiệu VF là trường hợp dây nano không có khuyết tật…………………………………………………………………………………………119 5 DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ Hình 1.1: Giản đồ liên hệ kích cỡ không – thời gian mô phỏng vật liệu đa kích cỡ [trích từ tài liệu tham khảo 137] (trái) và giản đồ các phương pháp mô hình hóa và mô phỏng vật liệu đa kích cỡ [trích từ tài liệu tham khảo 91] (phải) 18 Hình 1.2 : Cấu trúc năng lượng theo vùng khi chuyển từ nguyên tử đơn lẻ sang vật rắn tuần hoàn………………………………………………………………………………… 20 Hình 1.3 : Cấu trúc thấp chiều có giam hãm theo một chiều (giếng lượng tử), 2 chiều (dây lượng tử) và 3 chiều (chấm lượng tử)…………………………………………………… 21 Hình 1.4 : Mật độ trạng thái năng lượng của cấu trúc khối và các cấu trúc thấp chiều có giam hãm theo 1 chiều (giếng lượng tử), 2 chiều (dây lượng tử) và 3 chiều (chấm lượng tử)………………………………………………………………………………………….22 Hình 1.5: Giếng lượng tử tam giác và giam hãm điện tử tại mặt tiếp giáp dị chất……… 23 Hình 1.6 : Hình thành giếng lượng tử tại mặt tiếp xúc dị chất……………………………24 Hình 1.7 : Quy tắc Anderson cho liên kết hai vùng năng lượng tại mặt tiếp xúc dị chất……………………………………………………………………………………… 25 Hình 1.8 : Phân loại liên kết vùng năng lượng tại tiếp xúc dị chất……………………….26 Hình 1.9: Thang đặc trưng của việc phân loại vật liệu: điện môi, bán dẫn và dẫn điện…26 Hình 1.10: Phụ thuộc vào nhiệt độ của điện trở suất của (a) kim loại (b) bán dẫn và phụ thuộc hấp thụ quang theo năng lượng của phôton của (c) kim loại (d) bán dẫn [theo tài liệu tham khảo 129]…………………………………………………………………………….27 Hình 1.11: Đồ thị cấu trúc vùng/ vùng cấm vs hằng số mạng [theo tài liệu tham khảo 94] 29 Hình 1.12: Cấu trúc vùng tinh thể - ô đơn vị của kim cương (trái) và Zincblende (phải) 29 Hình 1.13 : Cấu trúc tinh thể của wurtzite (trái) và ô đơn vị (phải)………………………30 Hình 1.14: Cấu trúc vùng Brillouin của tinh thể FCC (trái) và cấu trúc vùng của Ge (FCC) và GaAs (FCC Zincblende) (phải) [trích từ tài liệu tham khảo 41]……………………….30 Hình 1.15: Cấu trúc vùng năng lượng của wurtzite GaN (trái) và cấu trúc vùng Brillouin và ô đơn vị của wurtzite [ trích từ tài liệu tham khảo 94]…………………………………….31 Hình 1.16: Lịch sử phát triển của công nghệ chế tạo bán dẫn [trích từ tài liệu tham khảo 71]………………………………………………………………………………………….31 Hình 1.17: Lịch sử phát triển của các linh kiện bán dẫn [trích từ tài liệu tham khảo 115] 32 6 Hình 1.18: Nuôi VLS qua xúc tác dây nano [trích từ tài liệu tham khảo 67]…………… 33 Hình 1.19: Sơ đồ cảm biến khí da trên màng mỏng ZnO (trái) và trên dây nano ZnO phải [trích từ tài liệu tham khảo 118]………………………………………………………… 34 Hình 1.20: Sơ đồ của tế bào quang điện da trên NW lõi/vỏ [83]……………………… 35 Hnh 1.21: Sơ đồ giải t tương thích phương trình Schrodinger………………………….51 Hnh 2.1: Ảnh SEM của các hạt nano ZnO đã được tổng hợp theo quy trình mô tả trong [98]. Hình dưới cùng bên phải là ảnh HRTEM của một hạt nano theo hướng [0001]…….61 Hnh 2.2: Hình ảnh hai chuỗi hạt nano dạng lăng trụ theo hướng [0001] với các cấu trúc tối ưu hoàn toàn theo chiều ngang…………………………………………………………….63 Hnh 2.3: Bản phác họa của hình dạng các hạt nano đã được phục hồi của hạt nano ZnO dạng lăng trụ hình lục giác đã nghiên cứu…………………………………………………64 Hnh 2.4: So sánh tiết diện ngang cấu trúc khối (3D) ZnO (cột trái), hạt nano (0D) (cột gia) và dây nano (1D) (cột phải ) [141]. Trục màu đỏ tía (góc phải dưới) biểu thị trục z song song với trục c của cấu trúc tinh thể hcp…………………………………………… 65 Hnh 2.5: Cột trái: mật độ trạng thái (DOS) của chuỗi các NP A. Cột phải: vạch phổ tại điểm Gamma của các NP………………………………………………………………….66 Hnh 2.6: Các mức HOMO, LUMO (mức Fermi đã chuẩn hóa về 0) và năng lượng vùng cấm của chuỗi các hạt nano nghiên cứu………………………………………………… 67 Hnh 2.7: Cấu trúc phục hồi của NP dạng lăng trụ mặt lục giác dây nano ZnS theo hướng [0001] …………………………………………………………………………………… 71 Hnh 2.8: S phụ thuộc vào đường kính của năng lượng liên kết riêng đối với các dây nano ZnS hình dạng khác nhau………………………………………………………………….72 Hnh 2.9: Hằng số mạng giải tỏa biến dạng c relaxed của các dây (dọc theo chiều của dây). Hình biểu đồ con biểu din năng lượng biến dạng trên đầu một nguyên tử phụ thuộc vào biến dạng hằng số mạng dây. Đường đứt nt là đường cong bậc hai làm khớp cho s thử nghiệm ko dãn, từ đó ứng suất Young được xác định……………………………………74 Hnh 2.10: Cấu trúc vùng năng lượng cho một số dây nano đại diện…………………… 75 Hnh 2.11: Cấu trúc vùng năng lượng tại điểm Gamma của một số dây nano lục giác đã giải tỏa biến dạng. …………………………………………………………………… 76 Hnh 2.12: Độ rộng vùng cấm theo đường kính dây …………………………………… 77 Hnh 3.1. Mặt cắt vuông góc với trục dây các chuỗi dây nano lõi/vỏ GaN/AlN…………82 Hnh 3.2. Phân bố chiều dài các liên kết Al-N trên vùng bề mặt của các dây nano NW-3.0, NW-4.0, NW-5.0, NW-6.0 được thụ động hóa. Đường nt đứt chỉ chiều dài liên kết 1.935Å của vật liệu khối……………………………………………………………………………87 7 Hnh 3.3: Phân bố chiều dài của các liên kết Al-N trong vùng bề mặt của dây NW-5.3 không được thụ động hóa (đường liền) và dây nano NW-5.3 được thụ động hóa (đường chấm chấm)……………………………………………………………………………… 88 Hnh 3.4: Hằng số mạng đã tối ưu hóa năng lượng biến dạng c của các dây nano như một hàm của           cho các dây nano GaN…………………………… 89 Hnh 3.5:Cấu trúc vùng năng lượng của dây nano NW-5.3 được thụ động hóa (hình trái) và không được thụ động hóa (hình phải). Đường thng chấm chấm nằm ngang biểu thị các mức Fermi của các dây nano. Các hình ch nhật đứt nt trên hình phải là chỉ các trạng thái bề mặt gây ra………………………………………………………………………………91 Hnh 3.6: Độ rộng vùng cấm   của dãy NW-3, NW-4, NW-5, và NW-6 như một hàm của x của GaN, chỉ ra tương ứng bởi các hình tam giác, hình trn, hình thoi và hình vuông. Ký hiệu rỗng/kín tương ứng với các dây được thụ động hóa/không được thụ động hóa. Đường thng/cong trên hình là để dẫn dắt các xu hướng, cần cho các thảo luận trong bài viết. Các dây nano được chỉ thị bởi phần số của ký hiệu dây, ví dụ 5.3 cho NW-5.3. các vng trn gắn km chỉ thị “AlN bulk” và “GaN bulk” chỉ giá trị độ rộng vùng cấm của AlN khối     và GaN khối    ………………………………………………92 Hnh 3.7: Độ rộng vùng cấm   của vài dãy của các dây nano có cùng số vng lõi C như một hàm của đường kính D của dây. Phần số của các ký hiệu của dây được cho ở đầu và cuối mỗi dây trên mỗi dãy, ví dụ 3.1 và 6.1 là đối với NW-3.1 và NW-6.1, ở đầu và cuối các dây nano của dãy của các dây nano có 1 vng lõi. Ký hiệu rỗng/đặc là đối với các dây nano được thụ động hóa/không được thụ động hóa. Các đường cong trong hình được làm khớp với d liệu dùng biểu thức (3.1). Các giá trị với số m  được ghi gần dãy tương ứng…………………………………………………………………………………………94 Hnh 3.8: PDOS của dây nano NW-5.3 được thụ động hóa (hình a) và không được thụ động hóa (hình b). Các chú thích cho (a) và (b) được ghi ở hình (b), biểu thị các đóng góp chính của các qu đạo riêng biệt lên VBM và CBM. PDOS trên các vị trí nguyên tử trong lõi, giao diện và khu vc bề mặt của dây nano NW-5.3 được thụ động hóa (hình c) và không được thụ động hóa (hình d). Các chú thích cho hình a và hình d được ghi ở hình d, dùng các ch trên “c”, “i”, “s” chỉ các khu vc lõi, giao diện và bề mặt. Phần hình nhỏ lồng ở gia cung cấp một cái nhìn rõ hơn cho các mức năng lượng nhỏ nhất của vùng dẫn. Các mi tên trong hình b và hình d chỉ các trạng thái bề mặt gây ra giới thiệu lân cận CBM. Các mức Fermi được chuẩn hóa về 0………………………………………………………….96 8 Hnh 3.9: Phân bố không gian của một vài trạng thái lân cận VBM và CBM của dây NW- 5.3 không được thụ động hóa (hàng trên) và dây NW-5.3 được thụ động hóa (hàng dưới). Trong mỗi hàng, HOMO và LUMO được chỉ ra cùng với HOMO – 1, trạng thái ngay dưới của HOMO, và LUMO +1, LUMO +2, hai trạng thái ngay trên LUMO. Trong hình này, Aluminum, Nitrigen và Gallium được chỉ trong hình tương ứng với màu xanh lam tối, màu xanh lá cây đạm và màu đỏ đậm………………………………………………………… 98 Hình 3.10: Từ trái sang phải tương ứng là: giản đồ nguyên tử của lớp nền WZ GaN đã hồi phục 1 ; Lớp nền ZB; SL một siêu mạng thc dạng WZ-ZB và một dây nano SL được thụ động hóa với các nguyên tử giả Hydro. Hình cầu màu be là nguyên tử Ga, màu xanh dương và xanh ngọc tương ứng với các nguyên tử Nitride trong miền WZ và ZB, màu trắng là giả Hydro điện tích 3/4e và xanh sáng là giả Hydro điện tích 5/4e để thụ động hóa các liên kết treo……………………………………………………………………………………… 102 Hình 3.11: Dây nano siêu mạng chưa thụ động hóa đã hồi phục A và B được trình bày dọc theo chiều rộng. Màu của các nguyên tử như được chú thích trong hình 3.10………… 102 Hình 3.12: Cấu trúc vùng năng lượng của dây nano GaN-WZ chưa thụ động hóa (a) và đã thụ động hóa (b). Các đường đứt nt màu đen thể hiện các mức Fermi của các dây nano………………………………………………………………………………………105 Hình 3.13: (a) DOS tổng cộng của mẫu A (đường thng xanh đậm) và mẫu được thụ động hóa của nó AH (đường đỏ đậm). (b) DOS thành phần của một mẫu A (chưa thụ động hóa) và AH (đã được thụ động hóa). Các mức Fermi được chuẩn hóa về 0. Hình con bên trong cửa sổ bên dưới biểu thị hình ảnh phóng to của các biên CBM………………………….107 Hình 3.14: Phân bố không gian của các trạng thái HOMO và LUMO của dây nano mẫu A chưa được thụ động hóa (hàng thứ nhất) và mẫu AH đã được thụ động hóa (hàng thứ hai). Trong hình này các nguyên tử Ga và N được biểu din tương ứng bằng màu be và màu xanh đậm…………………………………………………………………………………107 Hình 4.1: Dây nano ZnO chưa thụ động, đã thụ động và các vị trí khảo sát ( biểu din bởi các hình cầu màu xanh lá) của Li Zn , V Zn , ký hiệu bởi n. Có 3 vị trí trên bề mặt (n=1,2,3) và 3 vị trí bên trong (n=4, 5, 6). Các nguyên tử Zn và O được biểu din bởi các quả cầu màu vàng đậm và đỏ. Các nguyên tử giả Hydro điện tích 1.5e và 0.5e được biểu din bởi quả cầu nhỏ hơn màu xanh dương nhạt và màu xám 112 1 Hồi phục tức là giải tỏa biến dạng trên bề mặt hay đã tái thiết lại bề mặt và được cc tiểu hóa năng lượng theo hằng số mạng dọc trục. [...]... tiêu nghiên cứu của luận án là nghiên cứu lý thuyết dựa trên Mô hình hóa và mô phỏng các đặc tính vật lý của các cấu trúc và các vật liệu nano bán dẫn thấp chiều hướng tới các ứng dụng trong điện tử học nano (nanoelectronics), quang tử nano (photonics), spin tử nano (spintronics) cũng như là các ứng dụng trong nano năng lượng (nano- energy) và năng lượng bền vững Đối tượng và phạm vi nghiên cứu của... thiệu về vật liệu bán dẫn khối (ba chiều - 3D) là vật liệu nền cho việc tạo thành các cấu trúc và vật liệu thấp chiều sẽ đề cập đến của luận án Các đặc trưng vĩ mô và vi mô của nó, các phân loại và các cấu trúc tinh thể chính (wurtzite và zincblende) sẽ được sử dụng ở các chương tiếp theo Giới thiệu sơ lược về các cấu trúc nano bán dẫn thấp chiều được quan tâm chính của luận án - các dây nano (NW),... tính toán và thời gian NC các nghiên cứu của chúng tôi trong luận án này sẽ chỉ giới hạn trong hai cấu trúc nano bán dẫn thấp chiều mà chủ yếu là cấu trúc giả một chiều (1D) dây nano (nano wire - NW) và một phần là cấu trúc giả không chiều (0D) – các hạt nano (nano particle – NP) Nội dung nghiên cứu chính của luận án là nghiên cứu các thuộc tính quang, cơ, từ của các cấu trúc nano bán dẫn thấp chiều Cụ... hệ vật liệu và linh kiện với những tính chất mong muốn, không chỉ bằng cách thay đổi thành phần hóa học của các cấu tử, mà còn bởi sự điều chỉnh kích thước và hình dạng của nó Các cấu trúc vật liệu quan tâm của luận án là các cấu trúc Nano bán dẫn thấp chiều chẳng hạn như các cấu trúc chuẩn một chiều (quasi 1D) như dây nano, thanh nano, dải nano, băng nano; các cấu trúc chuẩn không chiều (các hạt nano) ... mặt đáy lục giác và cấu trúc tinh thể wurtzite (ii) dây nano (1D) bán dẫn nền vật liệu wurtzite ZnS Mục tiêu là tập trung vào xem xét các cơ chế tái cấu trúc lại bề mặt ngoài (hay giải tỏa các biến dạng) do các liên kết treo gây ra và ảnh hưởng của nó lên các đặc tính điện tử và cấu trúc của các hệ thấp chiều xem xét Chương ba là phần nội dung nghiên cứu các cấu trúc bán dẫn thấp chiều bằng phương... hai - Mô phỏng đông lực học phân tử từ các nguyên lý ban đầu (ab-initio MD) Ý nghĩa khoa học và thực tiễn của đề tài nghiên cứu của luận án là ở chỗ: luận án nghiên cứu các cấu trúc nano bán dẫn thấp chiều bằng phương pháp mô hình hóa và mô phỏng trên máy tính Về thực chất là các “thí nghiệm ảo” được tiến hành nhằm kiểm định, giải thích và thậm chí là cả dự đoán về các cấu trúc và các vật liệu mới... tạp và khuyết tật và ảnh hưởng của tái cấu trúc bề mặt/giao diện lên tính chất sắt từ này 17 CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ CÁC VẬT LIỆU VÀ CÁC CẤU TRÚC NANO BÁN DẪN THẤP CHIỀU 1.1 Các cấu trúc quan tâm của luận án - cấu trúc thấp chiều Trong một thập kỷ gần đây, thế giới đang trải qua giai đoạn phát triển vũ bão và gắn kết chặt chẽ của KH&CN Nano Các tiến bộ trong KH & CN Nano cũng thúc đẩy mạnh mẽ các. .. Kết cấu của luận án: Luận án được trình bày trong bốn chương chính Trong chương một là phần chúng tôi giới thiệu tổng quan về các vật liệu và các cấu trúc quan tâm nghiên cứu của luận án Trong đó khái niệm sơ lược về cấu trúc thấp chiều, đưa ra các luận giải cho việc tại sao các quy luật lượng tử chi phối các đặc tính vật lý của hệ thấp chiều Các cấu trúc dị chất lớp mỏng, các đặc điểm hình thành và các. .. quan tâm của luận án – Vật liệu bán dẫn Các vật liệu quan tâm của luận án là các vật liệu mới lạ thuộc nhóm bán dẫn II-VI như ôxit kẽm ZnO, nhóm III-V nền nitride như AlN, AlGaN 1.2.1 Sơ lược về chất bán dẫn Vật liệu bán dẫn nói chung được phân loại theo thang điện trở suất ρ và nghịch đảo của nó là độ dẫn điện σ (xem hình dưới) Điện trở suất ρ(Ω.cm) Bán dẫn Điện môi Vật dẫn Độ dẫn điện σ (S/cm) Hình... chế tạo bán dẫn [trích từ tài liệu tham khảo 71] 31 Hình 1.17: Lịch sử phát triển của các linh kiện bán dẫn [trích từ tài liệu tham khảo 115] 1.2.2 Cấu trúc nano bán dẫn thấp chiều được nghiên cứu chính trong luận án – dây nano (Nanowire – NW) 1.2.2.1 Công nghệ chế tạo các dây nano Hiện nay [93] có nhiều phương pháp khác nhau để chế tạo các dây nano và các mảng (aray) dày đặc và đồng đều các dây nano . da trên Mô hình hóa và mô phỏng các đặc tính vật lý của các cấu trúc và các vật liệu nano bán dẫn thấp chiều hướng tới các ứng dụng trong điện tử học nano (nanoelectronics), quang tử nano (photonics),. BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI Lê Th Hng Liên NGHIÊN CỨU MÔ PHỎNG ĐỘNG LỰC PHÂN TỬ CÁC CẤU TRÚC VÀ CÁC VẬT LIỆU NANO BÁN DẪN THẤP CHIỀU . là vật liệu nền cho việc tạo thành các cấu trúc và vật liệu thấp chiều sẽ đề cập đến của luận án. Các đặc trưng vĩ mô và vi mô của nó, các phân loại và các cấu trúc tinh thể chính (wurtzite và