1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Chế tạo, nghiên cứu và ứng dụng vật liệu tổ hợp từ giảo - áp điện dạng tấm có cấu trúc nanô

63 1,7K 1

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 63
Dung lượng 2,3 MB

Nội dung

Ngày đăng: 25/03/2015, 11:57

Nguồn tham khảo

Tài liệu tham khảo Loại Chi tiết
2. A.E. Clark, in: Handbook of Ferromagnetic Materials, ed. E.P. Wohlfarth, Elsevier Science, North-Holland, Amsterdam, 1980, Vol. 1, p. 513 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Handbook of Ferromagnetic Materials
4. B. de Mayo, D.W. Forester, S. Spooner., (1970), J. Appl. Phys. 41, 1319 Sách, tạp chí
Tiêu đề: J. Appl. Phys
Tác giả: B. de Mayo, D.W. Forester, S. Spooner
Năm: 1970
5. C.E. Johnson, M.S. Ridout, T.E. Cranshaw., (1963), Proc. Phys. Soc. (London) 81, 1079 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Proc. Phys. Soc
Tác giả: C.E. Johnson, M.S. Ridout, T.E. Cranshaw
Năm: 1963
6. D. Landau and E. Lifshitz., (1960), Electrodynamics of Continuous Media, Perganon Press, Oxford, p. 119 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Electrodynamics of Continuous Media
Tác giả: D. Landau and E. Lifshitz
Năm: 1960
7. G. Song, P. Z. Qiao, W. K. Binienda, and G. P. Zou., (2002), “Active vibration damping of composite beam using smart sensors and actuators”.JOURNAL OF AEROSPACE ENGINEERING, 15(3):97–103, July Sách, tạp chí
Tiêu đề: Active vibration damping of composite beam using smart sensors and actuators”. JOURNAL OF AEROSPACE ENGINEERING
Tác giả: G. Song, P. Z. Qiao, W. K. Binienda, and G. P. Zou
Năm: 2002
8. G. Srinivasan et al., (2001), Phys. Rev B 64, 21440 Sách, tạp chí
Tiêu đề: et al"., (2001), "Phys. Rev B
Tác giả: G. Srinivasan et al
Năm: 2001
9. H.P.J. Wijn., (1991), Magnetic Properties of Metals: d-element, alloys and compounds, Berlinm, Heidelberg, New York: Springer, p. 26 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Magnetic Properties of Metals: d-element, alloys and compounds
Tác giả: H.P.J. Wijn
Năm: 1991
12. J.P. Joule., (1847), Philosophical Magazine, 30, 76 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Philosophical Magazine
15. N. Nersessian et al., (2004), IEEE Trans. Magn. 40, 2646 Sách, tạp chí
Tiêu đề: et al.", (2004), "IEEE Trans. Magn
Tác giả: N. Nersessian et al
Năm: 2004
17. N.H. Duc, in: K.H.J. Buschow (Ed.)., (2001), Handbook of Physics and Chemistry of the Rare Earths s,Vol.32, Elsevier Science, North-Holland, Amsterdam Sách, tạp chí
Tiêu đề: Handbook of Physics and Chemistry of the Rare Earths s
Tác giả: N.H. Duc, in: K.H.J. Buschow (Ed.)
Năm: 2001
19. N.H. Duc., (2002), J. Magn. Magn. Mater. 242-245, 1411 Sách, tạp chí
Tiêu đề: J. Magn. Magn. Mater
Tác giả: N.H. Duc
Năm: 2002
20. Nicola A. Spaldin and Manfred Fiebig., (2005), “MATERIALS SCIENCE: The Renaissance of Magnetoelectric Multiferroics” Science, 15 July, pp:391-392 Sách, tạp chí
Tiêu đề: MATERIALS SCIENCE: The Renaissance of Magnetoelectric Multiferroics
Tác giả: Nicola A. Spaldin and Manfred Fiebig
Năm: 2005
21. Philips., (1976), “Piezoelectric ceramic/Permanent magnet materials”. December, Componets and materials, Part 4b Sách, tạp chí
Tiêu đề: Piezoelectric ceramic/Permanent magnet materials
Tác giả: Philips
Năm: 1976
22. R.G. Ballas., (2007), “Piezoelectric Multilayer Beam Bending Actuators”, Springer-Verlag Berlin Heidelberg Sách, tạp chí
Tiêu đề: “Piezoelectric Multilayer Beam Bending Actuators”
Tác giả: R.G. Ballas
Năm: 2007
24. Y. Fetisov, A. Bush, K. Kamentsev, A. Ostashchenko, G. Srinivasan., (2004), Sensors, Proceedings of IEEE 3, 1106 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Sensors
Tác giả: Y. Fetisov, A. Bush, K. Kamentsev, A. Ostashchenko, G. Srinivasan
Năm: 2004
3. APC International Ltd datasheet: http://americanpiezo.com/piezo_theory/ Link
1. A.E. Clark and H.S. Belson., (1972), Phys. Rev. B5 3642 Khác
10. J. Ryu, S. Priya, K. Uchino, H. Kim and D. Viehland., (2002), J. Korean Ceramic Society 9, 813 Khác
11. J. Ryu, S. Priya, K. Uchino, H.-E. Kim., (2002), J. Electroceramics 8, 107 Khác
13. K. Uchino., (2000), Comprehensive Composite Materials Elsevier, Amsterdam, Vol. 5, Chap. 5.24, p. 523 Khác

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1.1. Hiệu ứng từ giảo của mẫu hình cầu: - Chế tạo, nghiên cứu và ứng dụng vật liệu tổ hợp từ giảo - áp điện dạng tấm có cấu trúc nanô
Hình 1.1. Hiệu ứng từ giảo của mẫu hình cầu: (Trang 11)
Hình 1.2. Hiện tượng từ giảo ứng với phân bố đám mây điện tử   dạng đối xứng cầu ( α J  = 0) [17] - Chế tạo, nghiên cứu và ứng dụng vật liệu tổ hợp từ giảo - áp điện dạng tấm có cấu trúc nanô
Hình 1.2. Hiện tượng từ giảo ứng với phân bố đám mây điện tử dạng đối xứng cầu ( α J = 0) [17] (Trang 12)
Hình 1.3. Hiện tượng từ giảo tương ứng với các trường hợp: - Chế tạo, nghiên cứu và ứng dụng vật liệu tổ hợp từ giảo - áp điện dạng tấm có cấu trúc nanô
Hình 1.3. Hiện tượng từ giảo tương ứng với các trường hợp: (Trang 13)
Hình 1.7. Ô đơn vị tinh thể PZT trong trạng thái Perovskite   lập phương (trái) và mặt thoi (phải) [22] - Chế tạo, nghiên cứu và ứng dụng vật liệu tổ hợp từ giảo - áp điện dạng tấm có cấu trúc nanô
Hình 1.7. Ô đơn vị tinh thể PZT trong trạng thái Perovskite lập phương (trái) và mặt thoi (phải) [22] (Trang 18)
Hình 1.10. Các vật liệu tổ hợp từ-điện: (a) dạng hạt, (b) dạng màng đa lớp và   (c) dạng tấm - Chế tạo, nghiên cứu và ứng dụng vật liệu tổ hợp từ giảo - áp điện dạng tấm có cấu trúc nanô
Hình 1.10. Các vật liệu tổ hợp từ-điện: (a) dạng hạt, (b) dạng màng đa lớp và (c) dạng tấm (Trang 21)
Hình 2.1. Quy trình chế tạo băng vô định hình bằng phương pháp nguội nhanh. - Chế tạo, nghiên cứu và ứng dụng vật liệu tổ hợp từ giảo - áp điện dạng tấm có cấu trúc nanô
Hình 2.1. Quy trình chế tạo băng vô định hình bằng phương pháp nguội nhanh (Trang 23)
Hình 2.2. Cấu trúc sandwich của vật liệu tổ hợp từ-điện   FeCoBSi/PZT/FeCoBS, và ảnh chụp sau khi chế tạo - Chế tạo, nghiên cứu và ứng dụng vật liệu tổ hợp từ giảo - áp điện dạng tấm có cấu trúc nanô
Hình 2.2. Cấu trúc sandwich của vật liệu tổ hợp từ-điện FeCoBSi/PZT/FeCoBS, và ảnh chụp sau khi chế tạo (Trang 24)
Hình 2.3. Cấu trúc mẫu băng từ dán trên tấm Si trong phép đo từ giảo bằng   phương pháp phản xạ quang học - Chế tạo, nghiên cứu và ứng dụng vật liệu tổ hợp từ giảo - áp điện dạng tấm có cấu trúc nanô
Hình 2.3. Cấu trúc mẫu băng từ dán trên tấm Si trong phép đo từ giảo bằng phương pháp phản xạ quang học (Trang 25)
Hình 2.4. Ảnh chụp (a) và sơ đồ minh họa (b) hệ đo từ giảo bằng phương pháp quang. - Chế tạo, nghiên cứu và ứng dụng vật liệu tổ hợp từ giảo - áp điện dạng tấm có cấu trúc nanô
Hình 2.4. Ảnh chụp (a) và sơ đồ minh họa (b) hệ đo từ giảo bằng phương pháp quang (Trang 26)
Hình 2.5. Sơ đồ minh họa hệ đo hiệu ứng từ-điện. - Chế tạo, nghiên cứu và ứng dụng vật liệu tổ hợp từ giảo - áp điện dạng tấm có cấu trúc nanô
Hình 2.5. Sơ đồ minh họa hệ đo hiệu ứng từ-điện (Trang 29)
Hình 3.1. Giản đồ nhiễu xạ tia X của mẫu ngay sau khi chế tạo và sau khi ủ   với các nhiệt độ T a  = 250 °C, 350 °C và 450 °C - Chế tạo, nghiên cứu và ứng dụng vật liệu tổ hợp từ giảo - áp điện dạng tấm có cấu trúc nanô
Hình 3.1. Giản đồ nhiễu xạ tia X của mẫu ngay sau khi chế tạo và sau khi ủ với các nhiệt độ T a = 250 °C, 350 °C và 450 °C (Trang 31)
Hình 3.2. Ảnh chụp FESEM các mẫu băng từ ttrước (a) và sau khi ủ nhiệt ở   T a  = 250 °C (b) và T a  = 450 °C (c) - Chế tạo, nghiên cứu và ứng dụng vật liệu tổ hợp từ giảo - áp điện dạng tấm có cấu trúc nanô
Hình 3.2. Ảnh chụp FESEM các mẫu băng từ ttrước (a) và sau khi ủ nhiệt ở T a = 250 °C (b) và T a = 450 °C (c) (Trang 32)
Hình 3.3. Đường cong từ trễ đo theo phương từ trường song song   và vuông góc với mặt phẳng băng - Chế tạo, nghiên cứu và ứng dụng vật liệu tổ hợp từ giảo - áp điện dạng tấm có cấu trúc nanô
Hình 3.3. Đường cong từ trễ đo theo phương từ trường song song và vuông góc với mặt phẳng băng (Trang 34)
Hình 3.5. Đường cong từ trễ theo phương song song với mặt phẳng băng sau khi   chế tạo và sau khi ủ nhiệt với các nhiệt độ T a  = 250 °C và T a  = 450 °C - Chế tạo, nghiên cứu và ứng dụng vật liệu tổ hợp từ giảo - áp điện dạng tấm có cấu trúc nanô
Hình 3.5. Đường cong từ trễ theo phương song song với mặt phẳng băng sau khi chế tạo và sau khi ủ nhiệt với các nhiệt độ T a = 250 °C và T a = 450 °C (Trang 35)
Hình 3.6. Đường cong từ trễ tỉ đối (M/M s ) đo trong mặt phẳng, theo hai phương từ  trường song song với chiều dài và chiều rộng của băng sau khi ủ ở T a  = 250 °C - Chế tạo, nghiên cứu và ứng dụng vật liệu tổ hợp từ giảo - áp điện dạng tấm có cấu trúc nanô
Hình 3.6. Đường cong từ trễ tỉ đối (M/M s ) đo trong mặt phẳng, theo hai phương từ trường song song với chiều dài và chiều rộng của băng sau khi ủ ở T a = 250 °C (Trang 36)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TRÍCH ĐOẠN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN