1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Nghiên cứu chế tạo Sensor đo từ trường thấp dạng cầu Wheatstone dựa trên màng mỏng từ NiFe cấu trúc Nano

53 527 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 53
Dung lượng 2,79 MB

Nội dung

Ngày đăng: 25/03/2015, 11:54

Xem thêm

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1.4. Sơ đồ minh họa sự khác nhau giữa hiệu ứng Hall thường và hiệu ứng Hall phẳng - Nghiên cứu chế tạo Sensor đo từ trường thấp dạng cầu Wheatstone dựa trên màng mỏng từ NiFe cấu trúc Nano
Hình 1.4. Sơ đồ minh họa sự khác nhau giữa hiệu ứng Hall thường và hiệu ứng Hall phẳng (Trang 12)
Hình 1.3. Mô hình hiệu ứng Hall phẳng - Nghiên cứu chế tạo Sensor đo từ trường thấp dạng cầu Wheatstone dựa trên màng mỏng từ NiFe cấu trúc Nano
Hình 1.3. Mô hình hiệu ứng Hall phẳng (Trang 12)
Hình 1.5. Mô hình minh họa mối liên hệ giữa thế Hall phẳng và thế ARM - Nghiên cứu chế tạo Sensor đo từ trường thấp dạng cầu Wheatstone dựa trên màng mỏng từ NiFe cấu trúc Nano
Hình 1.5. Mô hình minh họa mối liên hệ giữa thế Hall phẳng và thế ARM (Trang 13)
Hình 1.4. Mô hình cảm biến Hall phẳng trong cấu trúc Spin valve - Nghiên cứu chế tạo Sensor đo từ trường thấp dạng cầu Wheatstone dựa trên màng mỏng từ NiFe cấu trúc Nano
Hình 1.4. Mô hình cảm biến Hall phẳng trong cấu trúc Spin valve (Trang 13)
Hình 1.7. Mạch điện trở dạng cầu Wheatstone - Nghiên cứu chế tạo Sensor đo từ trường thấp dạng cầu Wheatstone dựa trên màng mỏng từ NiFe cấu trúc Nano
Hình 1.7. Mạch điện trở dạng cầu Wheatstone (Trang 17)
Hình 2.1. Thiết bị quay phủ Suss MicroTec và bảng điều khiển - Nghiên cứu chế tạo Sensor đo từ trường thấp dạng cầu Wheatstone dựa trên màng mỏng từ NiFe cấu trúc Nano
Hình 2.1. Thiết bị quay phủ Suss MicroTec và bảng điều khiển (Trang 20)
Hình 2.3. Buồng xử lý mẫu - Nghiên cứu chế tạo Sensor đo từ trường thấp dạng cầu Wheatstone dựa trên màng mỏng từ NiFe cấu trúc Nano
Hình 2.3. Buồng xử lý mẫu (Trang 22)
Hình 2.4. Thiết bị phún xạ catot ATC-2000FC - Nghiên cứu chế tạo Sensor đo từ trường thấp dạng cầu Wheatstone dựa trên màng mỏng từ NiFe cấu trúc Nano
Hình 2.4. Thiết bị phún xạ catot ATC-2000FC (Trang 23)
Hình 2.6. Sơ đồ khối hệ đo từ kế mẫu rung - Nghiên cứu chế tạo Sensor đo từ trường thấp dạng cầu Wheatstone dựa trên màng mỏng từ NiFe cấu trúc Nano
Hình 2.6. Sơ đồ khối hệ đo từ kế mẫu rung (Trang 24)
Hình 2.5. Sơ đồ thí nghiệm đo hiệu ứng từ điện trở - Nghiên cứu chế tạo Sensor đo từ trường thấp dạng cầu Wheatstone dựa trên màng mỏng từ NiFe cấu trúc Nano
Hình 2.5. Sơ đồ thí nghiệm đo hiệu ứng từ điện trở (Trang 24)
Hình 3.1. Sơ đồ chung về quy trình chế tạo sensor - Nghiên cứu chế tạo Sensor đo từ trường thấp dạng cầu Wheatstone dựa trên màng mỏng từ NiFe cấu trúc Nano
Hình 3.1. Sơ đồ chung về quy trình chế tạo sensor (Trang 26)
Hình 3.2. Ảnh chụp mask điện trở mạch cầu Wheatstone - Nghiên cứu chế tạo Sensor đo từ trường thấp dạng cầu Wheatstone dựa trên màng mỏng từ NiFe cấu trúc Nano
Hình 3.2. Ảnh chụp mask điện trở mạch cầu Wheatstone (Trang 28)
Bảng 3.3. Các thông số phún điện cực - Nghiên cứu chế tạo Sensor đo từ trường thấp dạng cầu Wheatstone dựa trên màng mỏng từ NiFe cấu trúc Nano
Bảng 3.3. Các thông số phún điện cực (Trang 31)
Hình 3.6. Ảnh chụp sensor sau khi tráng rửa - Nghiên cứu chế tạo Sensor đo từ trường thấp dạng cầu Wheatstone dựa trên màng mỏng từ NiFe cấu trúc Nano
Hình 3.6. Ảnh chụp sensor sau khi tráng rửa (Trang 31)
Hình 3.7. Ảnh chụp sensor sau khi phún xạ và lift-off - Nghiên cứu chế tạo Sensor đo từ trường thấp dạng cầu Wheatstone dựa trên màng mỏng từ NiFe cấu trúc Nano
Hình 3.7. Ảnh chụp sensor sau khi phún xạ và lift-off (Trang 32)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TRÍCH ĐOẠN

Kết luận chương 2

Chế tạo các điện trở dạng cầu Wheatstone

Sự phụ thuộc thế ra của sensor vào dòng điện một chiều So sánh sensor có chiều dày màng của điện trở khác nhau So sánh sensor có kích thước điện trở khác nhau So sánh tính chất điện của sensor và màng Ni80Fe20 (1cm × 1cm)

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w