DSpace at VNU: Nghiên cứu chế tạo sensor đo từ trường thấp dạng cầu Wheatstone dựa trên màng mỏng từ NiFe cấu trúc nano

Nghiên cứu chế tạo sensor đo từ trường thấp dạng cầu Wheatstone dựa màng mỏng từ NiFe cấu trúc nano Nguyễn Thị Thúy Trường Đại học Công nghệ Luận văn Thạc sĩ ngành: Vật liệu linh kiện nano Người hướng dẫn: TS Trần Mậu Danh Năm bảo vệ: 2012 Abstract: Chương Tổng quan chế tạo Sensor đo từ trường thấp dạng cầu Wheatstone: hiệu ứng từ điện trở; nhiễu sensor; mạch cầu điện trở Wheatstone Chương Trình bày phương pháp thực nghiệm: thiết bị sử dụng luận văn (thiết bị quay phủ, hệ quang khắc, kính hiển vi quang học, buồng xử lý mẫu, thiết bị phún xạ); phương pháp khảo sát tính chất sensor (khảo sát tính chất điện sensor, khảo sát tính chất từ sensor) Chương Tiến hành thực nghiệm đánh giá kết quả: quy trình chế tạo sensor; kết thực nghiệm Keywords: Vật liệu nano; Hiệu ứng từ; Chế tạo sensor; Cấu trúc Nano; Điện trở Content Mở đầu Trên giới có nhiều loại sensor khác ứng dụng để đo phát từ trường, chủ yếu sensor dựa hiệu ứng quang từ cảm biến SQUID (giao thoa lượng tử siêu dẫn), sợi quang, bơm quang học, biến đổi hạt nhân, cảm biến dựa từ điện trở dị hướng, Flux-Gate…được liệt kê bảng Ưu điểm sensor quang đáp ứng nhanh, độ xác cao cơng nghệ chế tạo phức tạp, dễ bị hỏng bị ảnh hưởng mơi trường thời tiết Sensor từ có nhiều ưu điểm độ nhạy độ xác cao, điều kiện làm việc bị ảnh hưởng từ mơi trường bên ngồi Nổi trội sensor từ sensor dựa hiệu ứng Hall phẳng, hiệu ứng cảm ứng điện từ hiệu ứng từ điện trở dị hướng (AMR), sensor dựa hiệu ứng Hall phẳng hiệu ứng từ điện trở chế tạo phòng thí nghiệm micro-nano trường Đại học Công nghệ- ĐHQGHN Mục tiêu luận văn nghiên cứu chế tạo sensor từ đo từ trường thấp, đặc biệt từ trường trái đất Để đạt mục tiêu này, lựa chọn NiFe, vât liệu từ mềm có HC cỡ 10Oe, làm vật liệu chế tạo sensor Sensor chế tạo dựa dạng cầu Wheatstone, gồm có bốn điện trở có kích thước giống 550μm  250m, khác phương từ hóa dễ Việc giảm kích thước từ màng fulfilm có kích thước lớn (1cm1cm) tới sensor có kích thước nhỏ giảm ảnh hưởng tác động mơi trường bên ngồi, tăng độ nhạy giảm nhiễu nhiệt cấu trúc cầu Wheatstone có khả tự triệt tiêu nhiễu Vì đặc tính này, ngồi khả đo từ trường Trái đất, hi vọng sensor chế tạo có độ nhạy siêu cao S = 200 m/Oe (độ nhạy lớn nhiều so với độ nhạy cảm biến chế tạo thành công S = 16 m /Oe Chương Tổng quan 1.1 Hiệu ứng từ điện trở 1.1.1 Hiệu ứng từ trở dị hướng AMR Trong thực tế, cảm biến từ trở dị hướng thường chế tạo dạng màng mỏng Trên màng có hướng dễ từ hóa hướng khó từ hóa trực giao với Hướng dễ từ hố hướng mà từ hoá đạt đến trạng thái bão dàng Hướng mà khó đạt đến trạng thái bão hoà (chỉ bão hoà từ trường cao) Một thông số quan trọng cảm biến AMR độ thay đổi điện trở tương đối, ∆ρ/ρ Điện trở R xác định thơng qua góc  , góc vector cường độ dòng điện vector từ độ 1.1.2 Hiệu ứng Hall phẳng Hiệu ứng hall phẳng (planar hall effect) giống hiệu ứng AMR Hiệu ứng hall phẳng phụ thuộc vào góc từ độ dòng qua cảm biến Vì đóng góp vào từ điện trở (MR) chiều từ độ lớp Theo định luật Ohm điện áp Hall phẳng sinh cấu trúc đơn domain theo hướng y là: Vy = Jxw Rsinθ.cosθ (1.1) Điện áp Hall phẳng viết lại sau: Vy  H d IR sin 2  IR H K  H ex (() (1.2) Với góc θ nhỏ cos 2θ ~ Độ nhạy vật liệu: S Vy IH  R H K  H ex (1.3) Ở ta cần ý đến khác hiệu ứng Hall thường, hiệu ứng Hall dị hướng hiệu ứng Hall phẳng Nếu hai hiệu ứng Hall thường dị thường từ trường ngồi vng góc với mặt phẳng mẫu hiệu ứng Hall phẳng từ trường phải đặt song song với mặt phẳng mẫu (hình 1.5) 1.2 Sensor dạng cầu Wheatstone Hình 1.6 Mạch điện trở dạng cầu Wheatstone Cấu trúc mạch cầu Wheatstone gồm có bốn điện trở R 1, R2, R3, R4 Một điện kế G nhạy đo mạch Khi cung cấp hiệu điện khác không vào mạch, R1/R2 = R4/R3 (R1R3=R2R4) số điện kế G 0, mạch cầu cân Nếu điện trở bốn điện trở thay đổi R1/R2  R4/R3 (R1R3R2R4) số điện kế G khác 0, mạch cầu không cân Trong thiết kế sensor dạng cầu Wheatstone, chọn giá trị bốn điện trở R1 = R2 = R3 =R4 Vật liệu chế tạo điện trở NiFe, vật liệu từ mềm có H C cỡ 10Oe Các điện trở tạo công nghệ quang khắc phún xạ Bằng công nghệ quang khắc, chúng tơi tạo hình dạng điện trở, cơng nghệ phún xạ chúng tơi tạo tính chất điện trở 1.3 Nhiễu sensor 1.3.1 Nhiễu nhiệt Nhiễu nhiệt thành phần nhiễu sinh thành phần điện trở dải tần số Δf 1.3.2 Dải tần nhiễu tương đương Dải thông tiếng ồn dải thông voltage-gain-squared hệ thống hay mạch Đối với hàm chuyển đổi mạng nào, A(f), có dải tần nhiễu tương đương với biên độ truyền không đổi A0 dải tần: (1.4) 1.3.3 Nhiễu lượng tử Nhiễu lượng tử kết hợp với dòng chạy qua hàng rào Vì thăng gián dòng qua giá trị trung bình gây biến thiên điện tử lỗ trống phát 1.3.4 Nhiễu 1/f Nhiễu 1/f gây dao động độ dẫn tiếp xúc khơng hồn hảo vật liệu 1.3.5 Nhiễu Barkhausen Nhiễu Barkhausen tượng điện tích biến đổi khơng liên tục mật độ từ thông vật liệu sắt từ từ trường H thay đổi liên tục Gần biết đến hiệu ứng phụ thuộc vào điện bên vách domain từ chúng di chuyển qua vật liệu [8] 1.4 Kết luận chương Trong chương 1, chúng tơi trình bày hiệu ứng từ điện trở, hiệu ứng Hall phẳng sensor dạng cầu Wheatstone Qua đó, chúng tơi nhận thấy cảm biến dạng cầu Wheatstone dựa hiệu ứng từ điện trở có ưu điểm vượt trội độ nhạy cao, tỷ số tín hiệu nhiễu lớn Chính vậy, chúng tơi nghiên cứu tìm cách chế tạo, khảo sát hiệu ứng Hall phẳng cảm biến Chương Các phương pháp thực nghiệm chế tạo khảo sát tính chất sensor dạng cầu Wheatstone 2.1 Các thiết bị máy móc hóa chất 2.1.1 Máy quay phủ (Spin Coating) Khi thực q trình quay phủ photoresist, chúng tơi sử dụng máy quay phủ Suss MicroTec 2.1.2 Hệ quang khắc Khi chế tạo sensor sử dụng máy quang khắc MJB4 (SUSS microtech) 2.1.3 Kính hiển vi quang học Trong khóa luận chúng tơi dùng kính hiển vi quang học M1 (carl Zeiss) với độ phóng đại tối đa 1000 lần đặt phòng phòng thí nghiệm công nghệ micro & nano, trường Đại học Công nghệ 2.1.4 Buồng xử lý mẫu Các thao tác làm sạch, sấy khô, tráng rửa mẫu thực buồng xử lý mẫu Buồng xử lý mẫu bao gồm bếp nung, súng xì khơ, hóa chất tẩy rửa cồn, aceton, nước DI, dung dịch developer Yêu cầu bếp nung trình nung mẫu nhiệt độ luôn phải giữ ổn định cho phép sai số ± 0C trình nung mẫu phủ màng cản quang [4] 2.1.5 Máy phún xạ Quy trình phún xạ màng thực máy phún xạ catot ATC-2000FC 2.2 Các phương pháp khảo sát tính chất sensor 2.2.1 Khảo sát tính chất điện sensor Để khảo sát tính chất điện sensor, tiến hành đo hiệu ứng từ điện trở sensor (cảm biến) 2.2.2 Khảo sát tính chất từ sensor Mục đích việc đo từ kế mẫu rung (VSM) khảo sát phụ thuộc từ độ mẫu vào từ trường (M phụ thuộc vào H), xác định đường cong từ trễ, phụ thuộc từ độ vào nhiệt độ, nhiệt chuyển pha sắt từ - thuận từ TC, nhiệt chuyển pha sắt từ-siêu thuận từ (nhiệt độ Blocking TB) 2.3 Kết luận chương Trong chương 2, chúng tơi trình bày thiết bị dùng trình quang khắc q trình phún xạ Chúng tơi trình bày phương pháp khảo sát tính chất điện sensor sau chế tạo xong dùng phương pháp đo hiệu ứng Hall phẳng Chương Thực nghiệm kết 3.1 Quy trình chế tạo sensor 3.1.1 Chế tạo điện trở dạng cầu Wheatstone 3.1.1.1 Quá trình quang khắc Làm bề mặt mẫu Quay phủ mẫu với chất cảm quang AZ5214E Chất cảm quang sử dụng chất cảm quang AZ5214-E Quá trình quay phủ gồm bước Với tốc độ quay phủ khảo sát chiều dày chất cảm quang sau nung khoảng 3,62µm Sấy sơ (soft bake hay pre-bake) Các mẫu sấy 800C khoảng 15s Mục đích sấy sơ để loại bỏ dung mơi photoresist sau quay phủ lên đế Chiếu tia UV lần (có mask) Cơng suất chiếu sáng 251W, cường độ chiếu sáng 12,8mW/cm2 Các mẫu sau sấy chiếu tia UV khoảng 3s với mask sử dụng mask dành cho chế tạo điện trở dạng cầu Wheatstone Sấy lần (hard baking) Mẫu vừa chiếu tia UV cho lên hotplate nung 1000 C 60 giây Chiếu tia UV lần (không Mask) Sau sấy mẫu lần 2, ta đem mẫu chiếu không mask khoảng 35s Tráng rửa Cho mẫu vào dung dịch developer AZ300MIF để tẩy rửa Lắc mẫu khoảng phút đến phần cảm quang phủ điện trở cần tạo hình bị rửa trơi hết 3.1.1.2 Q trình phún xạ Lấy mẫu sau tráng rửa gắn vào holder có từ trường bias 600Oe, ta phún màng có cấu trúc dạng: Ta/Ni80Fe20 Khi phún xong, tiến hành lift-off 3.1.2 Chế tạo điện cực Sau chế tạo điện trở, tiến hành chế tạo điện cực đồng để nối điện trở với Quy trình chế tạo điện cực bao gồm bước giống hệt quy trình chế tạo điện trở, khác quang khắc dùng mask chế tạo điện cực 3.1 Kết thảo luận 3.1.1 Kết khảo sát tính chất điện sensor Để khảo sát tính chất điện sensor, chúng tơi chọn sensor có kớch thc in tr (50àmì250 àm), cu trỳc mng Ta(3nm)/NiFe(5nm) Cấp dòng chiều 5mA vào hai điện cực đối diện, hai điện cực đối diện lại dùng để lấy Khi H=0, biến đổi điện trở bốn điện trở triệt tiêu nên mạch cầu cân bằng, tín hiệu sensor đạt giá trị nhỏ Khi từ trường khác 0, bốn điện trở mạch cầu có phương từ hóa dễ khác nên biến đổi điện trở không giống nhau, mạch cầu khơng cân nữa, nên xuất tín hiệu sensor Thế sensor đạt giá trị lớn 36mV giá trị từ trường 100Oe, có tăng giá trị từ trường ngồi khơng tăng, với H=100Oe đủ lớn để từ hóa hoàn toàn moment từ mạch cầu theo phương từ trường Đường đường sensor khơng trùng khít tượng trễ từ - tính chất đặc trưng vật liệu NiFe Trên thực tế, từ trường 0, tín hiệu sensor khơng 0, kích thước bốn điện trở khơng cách tuyệt đối vị trí tương đối phương từ hóa sensor từ trường ngồi khơng xác định xác Gọi θ góc phương từ hóa dễ sensor phương dòng điện Quay θ theo góc khác Ta thấy sensor hàm phụ thuộc vào góc phương dòng điện phương từ hóa dễ sensor hay góc phương dòng điện phương từ trường (vì sensor đặt từ trường, moment từ quay theo chiều từ trường tác dụng) Thế lớn cos(2θ)=1 (θ =00), nhỏ cos(2θ)= -1 (θ =900) hay sensor lớn phương dòng điện song song với phương từ trường ngoài, nhỏ phương dòng điện vng góc với phương từ từ trường ngồi Kết tính tốn lý thuyết phù hợp với kết thực nghiệm Từ đồ thị, dòng điện vng góc với từ trường ngồi tín hiệu sensor nhỏ 5mV, dòng điện song song với từ trường ngồi tín hiệu sensor lớn 36mV, dòng điện hợp với phương từ trường ngồi 450 tín hiệu sensor 26mV, nhỏ tín hiệu sensor dòng điện song song với từ trường lớn dòng điện vng góc với từ trường Trong dải từ trường nhỏ, đáp ứng sensor đường thẳng tuyến tính theo từ trường Kết độ nhạy sensor khoảng 3.49mV/Oe Ta thấy đường cong tín hiệu hai điện trở dạng, tín hiệu hai điện trở lớn 18mV Tuy nhiên đường cong điện trở R mở rộng ban đầu phương từ hóa dễ moment từ R2 vng góc với từ trường ngồi nên q trình đảo từ xảy chậm so với moment từ điện trở R Tín hiệu mạch cầu hai lần tín hiệu điện trở (36mV=18mV*2), có hai điện trở mạch cầu đóng góp vào tín hiệu sensor, hai điện trở có phương từ hóa dễ vng góc với từ trường ngồi 3.1.2 So sánh tính chất điện sensor có chiều dày khác Chúng tơi tiến hành khảo sát tính chất điện sensor có chiều dày màng NiFe khác nhau: 5nm, 10nm, 15nm, 20nm, 25nm Kết khảo sát cho thấy chiều dày màng NiFe tăng lên tín hiệu sensor giảm đi, độ nhạy lại tăng lên 3.1.3 So sánh tính chất sensor có kích thước điện trở khác Khi cấp dòng 3mA, tín hiệu sensor nhỏ khoảng 30mV, tương đương điện trở tăng 10Ω, dạng đường tín hiệu sensor nhỏ tương tự dạng đường sensor lớn Thế offset sensor loại nhỏ lớn loại sensor lớn mạch cầu sensor loại nhỏ có nhiều điện trở mạch cầu sensor loại lớn nên sai khác kích thước bốn điện trở mạch cầu lớn Khi cấp dòng điện I=1mA, tín hiệu sensor lớn 7.2mV (tương ứng điện trở tăng 7.2Ω), tín hiệu sensor loại nhỏ 10mV (tương ứng điện trở tăng 10Ω) Độ nhạy hai loại sensor xác định vùng từ trường mà đáp ứng đường tuyến tính Với cách khảo sát vậy, xác định độ nhạy sensor loại nhỏ S=794m Ω/Oe, độ nhạy sensor loại lớn S=740mΩ/Oe Như sensor loại nhỏ có tín hiệu độ nhạy lớn sensor loại nhỏ Hiện tượng giải thích kích thước điện trở sensor loại nhỏ nhỏ kích thước điện trở sensor loại lớn nên moment từ sensor loại nhỏ quay nhanh so với sensor loại lớn 3.1.4 So sánh tính chất điện sensor màng (0.5cm×0.5cm) Chúng tiến hành khảo sát hiệu ứng AMR mẫu Ni80Fe20 với chiều dày màng thay đổi: t=5nm, 10nm, 15nm, 20nm, 25nm Kết cho thấy với màng có chiều dày t=5nm tín hiệu lớn 0.24mV, t=25nm tín hiệu nhỏ 0.020mV, điều có nghĩa màng dày tín hiệu nhỏ Từ đồ thị cho thấy, dạng tín hiệu sensor màng fulfilm giống hệt nhau, hiệu điện sensor lớn nhiều lần so với màng Hiệu điện sensor khoảng 17mV, hiệu điện màng khoảng 1mV, hiệu điện sensor lớn gấp 17 lần màng Điều chứng tỏ giảm xuống kích thước nhỏ, vật liệu bị nhiễu kích thước lớn 3.1.5 Khảo sát đo góc với từ trường Trái đất Cấp dòng cố định 5mA cho sensor Khảo sát sensor từ trường Trái đất (H˂1Oe) Hình 3.16 kết quay sensor theo góc khác mặt phẳng (trục sensor nằm mặt phẳng quay) Kết cho thấy tín hiệu đường đường sensor trùng khít nhau, khơng bị trễ góc Điều đảm bảo đo góc, tính trùng lặp kết đo cao Tín hiệu sensor lớn khoảng 0.924mV Kết cho thấy tín hiệu sensor thay đổi tuần hoàn theo hàm cos, chu kì 2 Từ kết này, ta thấy sensor đo cường độ từ trường Trái đất định hướng với cực bắc nam Trái đất Độ nhạy góc trường hợp khoảng 0.005133mV/độ Hình 3.17 kết khảo sát tín hiệu sensor theo góc từ trường trái đất với trục sensor trường hợp trục sensor từ trường Trái đất không nằm mặt phẳng Kết khảo sát cho thấy tín hiệu sensor có dạng hình cos, chu kì 2, tín hiệu sensor khoảng 1mV, lớn tín hiệu quay mặt phẳng 3.2 Kết khảo sát tính chất từ sensor Chúng tơi khảo sát tính chất từ mẫu màng NiFe kích thước (0.5cm*0.5cm) Kết đo VSM cho thấy chiều dày màng tăng lên moment từ bão MS lực kháng từ HC tăng lên Nguyên nhân tượng chiều dày màng tăng lên, tổng số moment từ toàn mẫu tăng lên nên MS tăng lên, đồng thời trường dị hướng tổng cộng moment từ mẫu tăng lên dẫn đến H C lớn 3.3 Kết luận chương Trong chương 3, chúng tơi trình bày chi tiết quy trình thực nghiệm chế tạo sensor, sơ đồ khảo sát tính chất điện từ sensor Chúng tơi chế tạo thành cơng sensor dạng cầu Wheatstone có kích thước điện trở khác nhau: sensor lớn sensor nhỏ Thơng qua q trình khảo sát tính chất điện từ sensor, chúng tơi thấy sensor nhỏ có tín hiệu độ nhạy lớn sensor lớn offset lớn sensor lớn Tín hiệu sensor lớn nhiều lần so với màng NiFe kích thước (0.5cm*0.5cm) có chiều dày, điều chứng tỏ ưu điểm trội sensor mạch cầu Wheatstone giảm nhiễu nhiệt tăng độ nhạy Kết luận Luận văn đạt kết sau: Đã nghiên cứu tính chất hiệu ứng từ điện trở hiệu ứng Hall phẳng Từ để chế tạo sensor đo từ trường thấp với độ nhạy cao bị ảnh hưởng nhiễu nhiệt, chọn mạch cầu Wheatstone làm cấu hình sensor, Ni80Fe20 làm vật liệu chế tạo điện trở mạch cầu Chúng xây dựng thành cơng quy trình thực nghiệm chế tạo sensor phòng thí nghiệm micro-nano trường đại học Cơng nghệ: kết hợp q trình quang khắc q trình phún xạ Bằng cơng nghệ quang khắc, chúng tơi tạo cấu hình điện trở dạng mạch cầu Wheatstone, công nghệ phún xạ, lựa chọn NiFe Cu làm vật liệu chế tạo điện trở mạch cầu điện cực nối điện trở với Kết chế tạo sensor cho thấy, điện trở mạch cầu điện cực có hình dạng rõ ràng, kích thước đồng đều, đường biên sắc nét Chúng tiến hành khảo sát tính chất điện từ sensor Kết khảo sát tính chất điện năm sensor có chiều dày màng NiFe khác nhau: 5nm, 10nm, 15nm, 20nm, 25nm cho thấy chiều dày màng dày tín hiệu nhỏ, kết phù hợp với kết đo hiệu ứng AMR năm màng NiFe (0.5cm*0.5cm) có chiều dày tương ứng Tín hiệu sensor lớn khoảng 36mV, độ nhạy 740mΩ/Oe Kết khảo sát tính chất điện sensor màng NiFe (0.5cm*0.5cm) cho thấy tín hiệu sensor lớn màng NiFe nhiều lần, độ nhạy cao nhiều lần Điều khẳng định lựa chọn cấu hình mạch cầu Wheatstone làm sensor giảm nhiễu nhiệt tăng độ nhạy Khi so sánh tính chất điện sensor nhỏ có kích thước điện trở (10μm  250m) sensor lớn có kích thước điện trở (50μm  250m), tín hiệu độ nhạy sensor nhỏ lớn sensor lớn Điều có ý nghĩa lớn tối ưu hóa kích thước điện trở sensor để chế tạo sensor có tín hiệu lớn độ nhạy cao ứng dụng đo từ trường thấp Khi khảo sát góc với từ trường Trái đất, tín hiệu sensor tuần hồn theo hàm cos, chu kì 2: Vra=0.462*cos(α) (mV) References Tiếng Việt Nguyễn Hữu Đức (2008), Vật liệu từ cấu trúc nano điện tử học spin, NXB DHQG Hà Nội Nguyễn Phú Thùy (2003), Vật lý tượng từ, NXB DHQG Hà Nội Tiếng Anh 10 Bui Dinh Tu, Le Viet Cuong, Tran Quang Hung, Do Thi Huong Giang, Tran Mau Danh, Nguyen Huu Duc, and CheolGiKim, Optimization of spin-valve structure NiFe/Cu/NiFe/IrMn for planar Hall effect based biochips Http://en.wikipedia.org/wiki/Bridge_circuit// Http://groups.mrl.uiuc.edu/dvh/pdf/AZ5214E.pdf// Http://tailieu.vn/xem-tai-lieu/do-luc-va-ung-suat-chuong-2.375058.html// Http://www.play-hookey.com/dc_theory/wheatstone_bridge.html// Kawamura et al United States Petent, No 598217, (1999), Geomagnetic Direction Sensor, Nov.9 K.M Chui, A.O Adeyeye, Mo- Huang Li (2009), Detection of a single magnetic dot using a Planar Hall sensor 10 K.T.Y Kung, L.K Louie (1991), J Appl Phys 69, 5634 11 L Ejsing, M F Hansen, A K Menon, H A Ferreira, D L Graham, and P P Freitas (2005), Appl.Phys Lett 293, 677 12 Michael J Caruso, Tamara Bratland, A New Perspective on Magnetic Field Sensing, Honeywell, SSEC, 12001 State Highway 55, Plymouth, MN 55441 13 Michael J Haji-Sheikh (2005), Accurate model of saturated AMR Wheatstone bridge sensor against a 48 pole pair ring – magnet,1st Interational conference on sensing technology, November 21-23 Palmerston North, New Zealand 14 Richard J Gambino, Muthuvel Manivel Raja, Sanjay Sampath, and Robert Greenlaw (2004), plasma-sprayed thick-film anisotropic magnetoresistive (AMR) sensors, IEEE sensors journal, vol 4, no 15 Second Editon, D Jiles (1998), Introduction to Magnetism and Magnetic Materials, Ames Laboratory, US Department of Energy, Great Britain by St Edumundsbury Press, Suffolk UK 16 U Gradmann, J Magn Magn (1986), Mater 54, 733 17 W O Henry (1998), Noise reduction techniques in electronic systems, Second edition, John Wiley & Sons, New York, Inc 18 Y W Lee, C G Kim, C O Kim, Y.T.Park (2002), 242,1175 11 ... nghiên cứu chế tạo sensor từ đo từ trường thấp, đặc biệt từ trường trái đất Để đạt mục tiêu này, lựa chọn NiFe, vât liệu từ mềm có HC cỡ 10Oe, làm vật liệu chế tạo sensor Sensor chế tạo dựa dạng. .. sau: Đã nghiên cứu tính chất hiệu ứng từ điện trở hiệu ứng Hall phẳng Từ để chế tạo sensor đo từ trường thấp với độ nhạy cao bị ảnh hưởng nhiễu nhiệt, chọn mạch cầu Wheatstone làm cấu hình sensor, ... khảo sát tính chất điện sensor sau chế tạo xong dùng phương pháp đo hiệu ứng Hall phẳng Chương Thực nghiệm kết 3.1 Quy trình chế tạo sensor 3.1.1 Chế tạo điện trở dạng cầu Wheatstone 3.1.1.1 Quá