Hình 1.1.
Sơ đồ nguyên lý của khuếch đại quang bán dẫn (Trang 8)
Hình 1.2.
Các quá trình cưỡng bức và tự phát trong hệ hai (Trang 9)
Hình 1.3
Khuếch đại quang với tín hiệu bơm vào hội tụ tại khoảng giữa miền tích cực (Trang 12)
Hình 1.4.
Phổ khuếch đại tín hiệu nhỏ trên lý thuyết (1) và (Trang 16)
Hình 1.5.
Sự phụ thuộc của hệ số khuếch đại vào công suất tín hiệu (Trang 18)
nh
1.6. Giản đồ năng lượng của các cấu trúc đơn giếng lượng tử(a), đơn giếng lượng (Trang 19)
nh
1.8. Đường cong g m và g' m cho giếng lượng tử InGaAsP- InGaAsP-InGaAs độ dày 6 nm (Trang 24)
nh
1.9. Mặt cắt vùng năng lượng của các giếng lượng tử biến dạng: nén, (Trang 26)
nh
1.10. Dạng hàm mật độ trạng thái cho bán dẫn khối và (Trang 27)
Hình 1.11.
Cấu trúc của một SOA miền tích cực nghiêng góc có phủ (Trang 28)
Hình 1.13.
Mô hình hai chiều của màng chống phản xạ đa lớp trên (Trang 31)
Hình 1.15.
Cấu trúc của một module khuếch đại quang bán dẫn nghiêng góc (Trang 33)
Hình 1.16.
Ghép nối sợi quang với miền tích cực (Trang 34)
Hình 1.18.
SOA được sử dụng làm bộ tiền khuếch đại (Trang 36)
Hình 2.1.
Chip SOA sau khi đã được hàn gắn lên đế toả nhiệt có sensor nhiệt (Trang 40)