1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Nghiên cứu chế tạo khuyếch đại quang bán dẫn trên cơ sở vật liệu bán dẫn cấu trúc cấu trúc NaNô

78 1,3K 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 78
Dung lượng 3,13 MB

Nội dung

Ngày đăng: 25/03/2015, 11:54

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1.1.  Sơ đồ nguyên lý của khuếch đại quang bán dẫn - Nghiên cứu chế tạo khuyếch đại quang bán dẫn trên cơ sở vật liệu bán dẫn cấu trúc cấu trúc NaNô
Hình 1.1. Sơ đồ nguyên lý của khuếch đại quang bán dẫn (Trang 8)
Hình 1.2.  Các quá trình cưỡng bức và tự phát trong hệ hai - Nghiên cứu chế tạo khuyếch đại quang bán dẫn trên cơ sở vật liệu bán dẫn cấu trúc cấu trúc NaNô
Hình 1.2. Các quá trình cưỡng bức và tự phát trong hệ hai (Trang 9)
Hình 1.3   Khuếch đại quang với tín hiệu bơm vào hội tụ tại khoảng giữa miền tích cực - Nghiên cứu chế tạo khuyếch đại quang bán dẫn trên cơ sở vật liệu bán dẫn cấu trúc cấu trúc NaNô
Hình 1.3 Khuếch đại quang với tín hiệu bơm vào hội tụ tại khoảng giữa miền tích cực (Trang 12)
Hình 1.4.  Phổ khuếch đại tín hiệu nhỏ trên lý thuyết (1) và - Nghiên cứu chế tạo khuyếch đại quang bán dẫn trên cơ sở vật liệu bán dẫn cấu trúc cấu trúc NaNô
Hình 1.4. Phổ khuếch đại tín hiệu nhỏ trên lý thuyết (1) và (Trang 16)
Hình 1.5.  Sự phụ thuộc của hệ số khuếch đại vào công suất tín hiệu - Nghiên cứu chế tạo khuyếch đại quang bán dẫn trên cơ sở vật liệu bán dẫn cấu trúc cấu trúc NaNô
Hình 1.5. Sự phụ thuộc của hệ số khuếch đại vào công suất tín hiệu (Trang 18)
Hỡnh 1.6. Giản đồ năng lượng của các  cấu trúc đơn giếng lượng tử(a), đơn giếng lượng - Nghiên cứu chế tạo khuyếch đại quang bán dẫn trên cơ sở vật liệu bán dẫn cấu trúc cấu trúc NaNô
nh 1.6. Giản đồ năng lượng của các cấu trúc đơn giếng lượng tử(a), đơn giếng lượng (Trang 19)
Hỡnh 1.8.   Đường cong g m  và g' m  cho giếng  lượng tử InGaAsP- InGaAsP-InGaAs độ dày 6 nm - Nghiên cứu chế tạo khuyếch đại quang bán dẫn trên cơ sở vật liệu bán dẫn cấu trúc cấu trúc NaNô
nh 1.8. Đường cong g m và g' m cho giếng lượng tử InGaAsP- InGaAsP-InGaAs độ dày 6 nm (Trang 24)
Hỡnh 1.9.  Mặt cắt vùng năng lượng của các giếng lượng tử biến dạng: nén, - Nghiên cứu chế tạo khuyếch đại quang bán dẫn trên cơ sở vật liệu bán dẫn cấu trúc cấu trúc NaNô
nh 1.9. Mặt cắt vùng năng lượng của các giếng lượng tử biến dạng: nén, (Trang 26)
Hỡnh 1.10.  Dạng hàm mật độ trạng thái cho bán dẫn khối và - Nghiên cứu chế tạo khuyếch đại quang bán dẫn trên cơ sở vật liệu bán dẫn cấu trúc cấu trúc NaNô
nh 1.10. Dạng hàm mật độ trạng thái cho bán dẫn khối và (Trang 27)
Hình 1.11.  Cấu trúc của một SOA miền tích cực nghiêng góc có phủ - Nghiên cứu chế tạo khuyếch đại quang bán dẫn trên cơ sở vật liệu bán dẫn cấu trúc cấu trúc NaNô
Hình 1.11. Cấu trúc của một SOA miền tích cực nghiêng góc có phủ (Trang 28)
Hình 1.13.  Mô hình hai chiều của màng chống phản xạ đa lớp trên - Nghiên cứu chế tạo khuyếch đại quang bán dẫn trên cơ sở vật liệu bán dẫn cấu trúc cấu trúc NaNô
Hình 1.13. Mô hình hai chiều của màng chống phản xạ đa lớp trên (Trang 31)
Hình 1.15.  Cấu trúc của một module khuếch đại quang bán dẫn nghiêng góc - Nghiên cứu chế tạo khuyếch đại quang bán dẫn trên cơ sở vật liệu bán dẫn cấu trúc cấu trúc NaNô
Hình 1.15. Cấu trúc của một module khuếch đại quang bán dẫn nghiêng góc (Trang 33)
Hình 1.16.  Ghép nối sợi quang với miền tích cực - Nghiên cứu chế tạo khuyếch đại quang bán dẫn trên cơ sở vật liệu bán dẫn cấu trúc cấu trúc NaNô
Hình 1.16. Ghép nối sợi quang với miền tích cực (Trang 34)
Hình 1.18.  SOA được sử dụng làm bộ tiền khuếch đại - Nghiên cứu chế tạo khuyếch đại quang bán dẫn trên cơ sở vật liệu bán dẫn cấu trúc cấu trúc NaNô
Hình 1.18. SOA được sử dụng làm bộ tiền khuếch đại (Trang 36)
Hình 2.1.  Chip SOA sau khi đã được hàn gắn lên đế toả nhiệt có sensor nhiệt - Nghiên cứu chế tạo khuyếch đại quang bán dẫn trên cơ sở vật liệu bán dẫn cấu trúc cấu trúc NaNô
Hình 2.1. Chip SOA sau khi đã được hàn gắn lên đế toả nhiệt có sensor nhiệt (Trang 40)

TRÍCH ĐOẠN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN