Trong luận văn này chỳng tụi sử dụng loại chip khuếch đại quang bỏn dẫn do viện kỹ thuật viễn thụng Heindrich-Hertz (HHI), CHLB Đức chế tạo. Chip khuếch đại quang bỏn dẫn này cú cấu trỳc giếng lượng tử trờn cơ sở hệ vật liệu InGaAsP/InP. Dải khuếch đại tại vựng bước súng = 1550 nm, thuộc của số thứ hai trong hệ thống thụng tin cỏp quang [5]. Hai mặt miền tớch cực của chip được chế tạo nghiờng gúc 70 và được phủ hệ màng chống phản xạ TiO2/SiO2. Với cấu trỳc như vậy, hệ số phản xạ tại hai mặt miền tớch cực của chip cú thể đạt đến dưới 10-4, rất phự hợp cho sự khuếch đại quang súng chạy. Kớch thước của chip khuếch đại này cú chiều rộng w 300 m, chiều dày d = 100 m và chiều dài L = 1mm. Chiều dài miền tớch cực của chip lờn đến cỡ mm nờn cú thể cho cụng suất bức xạ tự phỏt rất lớn (xấp xỉ 2mW) dẫn đến hệ số khuếch đại cú thể đạt được khỏ lớn.
Để cú thể chế tạo module khuếch đại, chỳng tụi tiến hành đo đạc để lựa chọn chip cú huỳnh quang khuếch đại phỏt ở hai mặt của miền tớch cực tương đối giống nhau. Mặt dưới của chớp khuếch đại (cực õm) mạ vàng mỏng được gắn trực tiếp lờn
36
một đế đồng đỏ cú khả năng tản nhiệt rất tốt. Chip SOA được hàn gắn với đế đồng bởi lớp thiếc nhiệt độ thấp cực mỏng (thực hiện tại nhiệt độ núng chảy của thiếc 80 - 900C) hoặc bởi lớp epoxy dẫn điện, dẫn nhiệt. Như vậy, sự tiếp xỳc nhiệt giữa chip SOA và đế là rất tốt. Đồng thời, ảnh hưởng do dón nở vỡ nhiệt cũng cú thể giảm được tối đa. Điện cực dương của SOA được nối bằng dõy vàng =25 m hàn trực tiếp lờn mặt trờn tại vựng mạ vàng của chip bằng epoxy dẫn điện. Trờn đế đồng cũn được hàn sensor nhiệt NTC để cú thể kiểm soỏt nhiệt độ của chip khuếch đại. Loại sensor nhiệt sử dụng cú điện trở 25 k ở 250
C
Toàn bộ đế đồng và chip laser được hàn lờn trờn PIN Peltier để cú thể điều khiển nhiệt độ làm việc của chip khuếch đại. Như vậy ta cú thể ổn định được nhiệt độ tối ưu cho hoạt động của SOA [12].