1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng-ten cho thẻ RFID

64 379 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 64
Dung lượng 1,62 MB

Nội dung

Ngày đăng: 25/03/2015, 11:56

Nguồn tham khảo

Tài liệu tham khảo Loại Chi tiết
[3]. W. T. Tseng, C. H. Lo, and S. C. Lee, J. Electrochem. Soc., 148 (2001) 327-332 [4]. M. Matsuoka, J. Murai, and C. Iwakura, J. Electrochem. Soc., 139 (1992) 2466- 2470 Sách, tạp chí
Tiêu đề: J. Electrochem. Soc., "148 (2001) 327-332 [4]. M. Matsuoka, J. Murai, and C. Iwakura, "J. Electrochem. Soc
[5]. S. Nakahara, Y. Okinaka, and H. Straschil, J. Electrochem. Soc., 136 (1989) 1120-1124 Sách, tạp chí
Tiêu đề: J. Electrochem. Soc
[6]. A. Hung and K. M. Chen, J. Electrochem. Soc., 136 (1989) 72-75 Sách, tạp chí
Tiêu đề: J. Electrochem. Soc
[7]. L. D. Burke, G. M. Bruton, and J. A. Collins, Electrochim. Acta, 44 (1998) 1467- 1479 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Electrochim. Acta
[8]. A. Hung, Plat. Surf. Finish. 75 (1988) 62-65 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Plat. Surf. Finish
[10]. J. Li and P. A. Kohl, J. Electrochem. Soc., 149 (2002) 631-636 [11]. J. Li, P.A. Kohl, J. Electrochem. Soc. 150 (2003) 558-562 Sách, tạp chí
Tiêu đề: J. Electrochem. Soc., "149 (2002) 631-636 [11]. J. Li, P.A. Kohl, "J. Electrochem. Soc
[13]. Li J, Hayden H, Kohl PA, Electrochim Acta 49 (2004) 1789-1795 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Electrochim Acta
[1] Mai Thanh Tùng, Mạ hóa học Ni-P trong dung dịch hypophosphite, ảnh hưởng của các thông số đến tốc độ mạ”. Tạp chí hóa học và ứng dụng, 4, 32-35, 2005 Khác
[2] Trần Minh Hoàng, Công nghệ mạ điện, nhà xuất bản khoa học và kỹ thuật, Hà nội, 1998 Khác
[9]. Xueping Gan, Yating Wu, Lei Liu, Wenbin Hu, J.Appl. Electrochem, 37 (2007) 899-904 Khác

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1.1. Đồ thị điện cực thế hỗn hợp - Nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng-ten cho thẻ RFID
Hình 1.1. Đồ thị điện cực thế hỗn hợp (Trang 13)
Hình 1.3 cho thấy cấu hình của hệ phún xạ này được cải tiến bằng cách đặt thêm một  đĩa nam châm ở đằng sau bia - Nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng-ten cho thẻ RFID
Hình 1.3 cho thấy cấu hình của hệ phún xạ này được cải tiến bằng cách đặt thêm một đĩa nam châm ở đằng sau bia (Trang 25)
Sơ đồ quy trình: - Nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng-ten cho thẻ RFID
Sơ đồ quy trình: (Trang 27)
Hình 2.2. Thiết bị ăn mòn ion phản ứng Plasmalab80+/Oxford Instrument - Nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng-ten cho thẻ RFID
Hình 2.2. Thiết bị ăn mòn ion phản ứng Plasmalab80+/Oxford Instrument (Trang 28)
Hình 2.3. Thiết bị phún xạ Leybold Univex 350 (trái) và hình ảnh bên trong buồng  phún xạ (phải) - Nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng-ten cho thẻ RFID
Hình 2.3. Thiết bị phún xạ Leybold Univex 350 (trái) và hình ảnh bên trong buồng phún xạ (phải) (Trang 29)
Hình 2.4. Mẫu đế đồng được phún xạ lên PET - Nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng-ten cho thẻ RFID
Hình 2.4. Mẫu đế đồng được phún xạ lên PET (Trang 29)
Hình 2.6. Nguyên lý cơ bản của kính hiển vi điện tử quét - Nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng-ten cho thẻ RFID
Hình 2.6. Nguyên lý cơ bản của kính hiển vi điện tử quét (Trang 32)
Hình 2.7.Sơ đồ nguyên lý cấu tạo máy XRD  1-Nguồn tia Rownghen;  2- Mẫu nghiên cứu - Nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng-ten cho thẻ RFID
Hình 2.7. Sơ đồ nguyên lý cấu tạo máy XRD 1-Nguồn tia Rownghen; 2- Mẫu nghiên cứu (Trang 34)
Hình 2.8. Cấu trúc của máy đo bề dày bằng phương pháp cơ - Nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng-ten cho thẻ RFID
Hình 2.8. Cấu trúc của máy đo bề dày bằng phương pháp cơ (Trang 35)
Hình 2.9. Sơ đồ đơn giản hướng chuyển động của đầu dò - Nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng-ten cho thẻ RFID
Hình 2.9. Sơ đồ đơn giản hướng chuyển động của đầu dò (Trang 35)
Hình 2.10. Máy Dentak 6M của Veeco - Nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng-ten cho thẻ RFID
Hình 2.10. Máy Dentak 6M của Veeco (Trang 36)
Hình 2.12. Hệ thống đo điện trở bề mặt 4 điểm Pro4-440N – Lucas Labs Division. - Nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng-ten cho thẻ RFID
Hình 2.12. Hệ thống đo điện trở bề mặt 4 điểm Pro4-440N – Lucas Labs Division (Trang 37)
Bảng 3.1.Bảng số liệu khảo sát tốc độ mạ theo sự biến thiên pH - Nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng-ten cho thẻ RFID
Bảng 3.1. Bảng số liệu khảo sát tốc độ mạ theo sự biến thiên pH (Trang 38)
Hình 3.1.Ảnh chụp bề mặt mẫu sau khi mạ - Nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng-ten cho thẻ RFID
Hình 3.1. Ảnh chụp bề mặt mẫu sau khi mạ (Trang 39)
Hình 3.2. Ảnh SEM thể hiện ảnh hưởng của pH đến cấu trúc lớp mạ. Trong đó  pH=4 (hình bên trái), pH=9 (hình bên phải) - Nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng-ten cho thẻ RFID
Hình 3.2. Ảnh SEM thể hiện ảnh hưởng của pH đến cấu trúc lớp mạ. Trong đó pH=4 (hình bên trái), pH=9 (hình bên phải) (Trang 39)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TRÍCH ĐOẠN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w