Chương 9 môn học điện tử 2

BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ II – Chương 9 Đại học Thủy Lợi – Khoa Năng Lượng – Bộ môn Kỹ Thuật Điện Giảng viên : Ths. Bùi Văn Đại Email : buidai68@gmail.com Chương 9 : 9.1 : KĐ CMOS 2 tầng–CMOS cascode gấp 9.2 : KĐTT 741 9.3 : Phân tích một chiều 741 9.4 : Phân tích tín hiệu nhỏ 741 9.7 :Mạch A/D, D/A 9.6 : Mạch biến đổi dữ liệu 9.5 : Hệ số KĐ – đáp ứng tần, tỷ lệ xoay 9.1 : KĐ CMOS 2 tầng Mạch cơ bản Hệ số KĐ Dải điện áp SS OV6 O DD OV7 v V V V V A v = A 1 . A 2 = G m1 R 1 G m2 R 2 = g m1 (r o2 // r o4 )g m6 ( r o6 // r o7 ) 9.1 : KĐ CMOS 2 tầng Đáp ứng tần số C 1 = C gd2 + C db2 + C gd4 +C db4 + C gs6 C 2 = C db6 + C db7 + C gd7 + C L G m1 < G m2 9.1 : KĐ CMOS 2 tầng Đáp ứng tần số Độ dự trữ pha 9.1 : KĐ CMOS 2 tầng Mức xoay SR = 2 f t V OV 9.1 : KĐ CMOS Cascode gấp Mức xoay Hệ số KĐ Dải điện áp v O min = - V SS + V OV7 + V OV5 + V tn SR = 2 f t V OV1 R o = R o4 // R o6 9.1 : KĐ CMOS Cascode gấp Cascode gấp 9.1 : KĐ CMOS Cascode gấp Cascode gấp – đáp ứng tần 9.1 : KĐ CMOS Cascode gấp Sự tăng phạm vi đầu vào kiểu chung [...].. .9. 1 : KĐ CMOS Cascode gấp Sự tăng phạm vi áp đầu ra 9. 2 : KĐTT 741 9. 2 : KĐTT 741 Tầng đầu vào 9. 2 : KĐTT 741 Tầng thứ 2 9. 2 : KĐTT 741 Tầng đầu ra 9. 2 : KĐTT 741 Tầng ra loại AB 9. 2 : KĐTT 741 Thông số linh kiện npn : IS = 10-14A, β = 20 0 , VA = 125 V pnp : IS = 10-14A, β = 50 , VA = 50V Q13 ISA = 0 .25 10-14 A, ISB = 0.75 Q14, Q20 10-14 A 9. 3 : Phân tích 1 chiều 741... (VA = 50V ,I = 9. 5µA (vậy ro = 5 .26 MΩ)) :Ro4 = 10.5 MΩ RE = R2, vậy Ro6 ≈ 18 .2 MΩ Ro1 = 6.7 MΩ 9. 4 : Phân tích tín hiệu nhỏ 741 Tầng thứ 2 Ro2 = (Ro13B // Ro17 ) Ro13B = ro13B = 90 .9 kΩ Ro2 = 81 kΩ 9. 4 : Phân tích tín hiệu nhỏ 741 Tầng đầu ra vOmax = VCC –VCEsat – VBE14 vOmin = -VEE + VCEsat + VEB23 + VEB20 9. 4 : Phân tích tín hiệu nhỏ 741 Tầng đầu ra vo2 = - Gm2Ro2vi2 Rin3 ≈ 23 74 kΩ Ro (741)... µA và I C17 ≈ 550µA IC16 = 16 .2 µA 9. 3 : Phân tích 1 chiều 741 Phân cực tầng ra IC23 ≈ IE23 ≈ 0 .25 IREF = 180µA VBE18 ≈ 0.6V, dòng qua R10 :15µA IE18 = 180 – 15 = 165µA IC18 ≈ IE18 = 165 µA IB18 =165 /20 0 = 0.8µA IC 19 ≈ IE 19 = 15.8 µA ; VBB = VBE18 + VBE 19 = 588 + 530 = 1.118 V IC14 = IC20 = 154 µA 9. 4 : Phân tích tín hiệu nhỏ 741 Tầng vào io = 2 αie Gm1 = 1/5 .26 mA/V 9. 4 : Phân tích tín hiệu nhỏ 741... – VBE10 = IC10 R4 IC1 = IC2 IE3 = IE4 ≈ I 2I ≈ IC10 IC1= IC2 ≈ IC3 = IC4 = 9. 5 µA 9. 3 : Phân tích 1 chiều 741 Tầng đầu vào IC6 ≈ I ; IC5 ≈ I IS = 10-14A và I = 9. 5A VBE6 = 517mV, IC7 = 10.5µA 9. 3 : Phân tích 1 chiều 741 Phân cực đầu vào và các dòng bù Điện áp bù đầu vào Do bất đối xứng (Q1, Q2); (Q3,Q4); (Q5,Q6), (R1, R2) 9. 3 : Phân tích 1 chiều 741 Phân cực tầng thứ 2 IC13B ≈ 0.75 IREF IC13B =... 75 Ω 9. 4 : Phân tích tín hiệu nhỏ 741 Mạch bảo vệ ngắn mạch 9. 5 : Hệ số KĐ, tỷ lệ xoay 741 HSKĐ tín hiệu nhỏ G m1 R o1 / / R i2 G m2 R o2 RL G vo3 R L R out 9. 5 : Hệ số KĐ, tỷ lệ xoay 741  Đáp ứng tần số Cin = CC(1+ │A2│) Rt = (Ro1// Ri2) 9. 5 : Hệ số KĐ, tỷ lệ xoay 741 Mô hình đơn giản Mức xoay 9. 6 : Mạch biến đổi dữ liệu Mẫu của các tín hiệu tương tự 9. 6 : Mạch biến đổi dữ liệu Lượng tử hóa... đổi dữ liệu Mẫu của các tín hiệu tương tự 9. 6 : Mạch biến đổi dữ liệu Lượng tử hóa tín hiệu 0 : 0000, 2/ 3V : 0001, 6V : 1001,và 10V : 1111 A/D ; D/A 9. 6 : Mạch D/A Mạch D/A vO = - iORf = - VREFD 9. 6 : Mạch D/A Mạch R-2R I1 = 2I2 = 4I3 = … = 2N-1IN 9. 6 : Mạch D/A Mạch thực tế I1 = 2I2 = 4I3 = ….= 2N-1IN I1 = IREF . BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ II – Chương 9 Đại học Thủy Lợi – Khoa Năng Lượng – Bộ môn Kỹ Thuật Điện Giảng viên : Ths. Bùi Văn Đại Email : buidai68@gmail.com Chương 9 : 9. 1 : KĐ CMOS 2 tầng–CMOS. vi áp đầu ra 9. 2 : KĐTT 741 9. 2 : KĐTT 741 Tầng đầu vào 9. 2 : KĐTT 741 Tầng thứ 2 9. 2 : KĐTT 741 Tầng đầu ra 9. 2 : KĐTT 741 Tầng ra loại AB 9. 2 : KĐTT 741 Thông số linh. 9. 2 : KĐTT 741 9. 3 : Phân tích một chiều 741 9. 4 : Phân tích tín hiệu nhỏ 741 9. 7 :Mạch A/D, D/A 9. 6 : Mạch biến đổi dữ liệu 9. 5 : Hệ số KĐ – đáp ứng tần, tỷ lệ xoay 9. 1 : KĐ CMOS 2