1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Đề Tài: Mô phỏng Plasma phóng điện khí Argon trong hệ phún xạ Magnetron DC bằng phương pháp MIC/MCC potx

104 543 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 104
Dung lượng 3,7 MB

Nội dung

ð I H C QU C GIA THÀNH PH H CHÍ MINH TRƯ NG ð I H C KHOA H C T NHIÊN VŨ HỒNG NAM MƠ PH NG PLASMA PHĨNG ðI N KHÍ ARGON TRONG H PHÚN X MAGNETRON DC B NG PHƯƠNG PHÁP PIC/MCC Chuyên ngành: V t Lý Vô Tuy n ði n T Mã s : 60 44 03 LU N VĂN TH C SĨ V T LÝ NGƯ I HƯ NG D N KHOA H C: PGS TS LÊ VĂN HI U Thành ph H Chí Minh – 2010 L i c m ơn Tơi bi t ơn sâu s c đ n th y Lê Văn Hi u, ngư i ñã t n tình d y hư ng d n tơi t tơi cịn m t sinh viên cho ñ n th c hi n lu n văn Tôi bi t ơn Th y, Cô B mơn V t lý ng d ng truy n ñ t ki n th c quý báu cho nh ng năm h c qua C m ơn b n Nguy n ð c H o giúp tơi có hi u bi t v h phún x magnetron th c th , n a, b n ñã ñ c ch nh s a lu n cho C m ơn b n h c viên cao h c khóa 17 hai l p Quang h c V t lý Vô n ði n t , ñã ñ ng hành su t ba năm h c v a qua Minh s nh nh ng l n h c nhóm ñi chơi xa b n C m ơn ñ n cô Phư ng, ch Trang, em Loan, Hưng An Khơng có nh ng chi c máy tính c a cơ, ch em đ tài khơng th th c hi n đư c i M cl c M ñ u Chương T NG QUAN 1.1 Plasma phóng n sáng DC h phún x magnetron 1.1.1 Khái ni m v plasma 1.1.2 Phóng n sáng DC 1.1.3 H phún x magnetron 1.2 Các bư c xây d ng h phún x magnetron o 1.2.1 T trư ng 1.2.2 Phóng n magnetron 1.2.3 Tương tác h t – bia 1.2.4 V n chuy n h t pha khí 10 1.2.5 Phát tri n màng t i ñ 10 1.3 Các mơ hình mơ ph ng phóng n magnetron 10 1.3.1 Mơ hình gi i tích 11 1.3.2 Mơ hình ch t lưu 11 1.3.3 Mơ hình h t 12 1.3.4 Mơ hình lai 14 Chương XÂY D NG MƠ HÌNH MƠ PH NG PHĨNG ðI N MAGNETRON KHÍ ARGON 15 2.1 T trư ng tĩnh c a h magnetron ph ng trịn đ i x ng tr c 15 2.2 Mô ph ng PIC/MCC áp d ng cho mơ ph ng phóng n magnetron 18 2.2.1 Mô ph ng PIC 18 2.2.1.1 Phân chia n tích c a siêu h t cho nút lư i 19 2.2.1.2 Gi i phương trình Poisson lư i 20 2.2.1.3 K t h p m ch n ngồi 22 2.2.1.4 N i suy trư ng lư i ñ n v trí siêu h t 26 2.2.1.5 Gi i phương trình Newton – Lorentz 26 2.2.1.6 K t h p tương tác plasma – b m t 29 2.2.1.7 ð n ñ nh xác c a PIC 30 2.2.2 Mô ph ng MCC 31 2.2.2.1 Phương pháp không va ch m 32 2.2.2.2 Các lo i va ch m mơ hình 34 2.2.2.3 V n t c sau va ch m 36 v 2.3 Các phương pháp làm tăng t c đ tính tốn 39 2.3.1 Các phương pháp tăng t c cho máy tính đơn x lý 40 2.3.1.1 S thay th chu kỳ 40 2.3.1.2 C i ti n khơng gian pha ban đ u 41 2.3.2 Phương pháp tính toán h t song song 41 2.3.2.1 Mơ t tính tốn h t song song 42 2.3.2.2 Thư vi n l p trình song song MPI 42 2.3.2.3 Ư c lư ng đ l i c a tính tốn h t song song 44 2.4 C u trúc c a chương trình mơ ph ng 45 2.4.1 Mã tu n t 46 2.4.2 Mã tính tốn h t song song 47 Chương K T QU VÀ BÀN LU N 49 3.1 S phân b t trư ng c a h magnetron 49 3.2 ð l i c a tính tốn h t song song 51 3.3 Tr ng thái d ng c a mô hình 54 3.4 B c tranh c a phóng n khí argon h magnetron 59 3.4.1 S phân b ñi n th ñi n trư ng 59 3.4.2 S phân b theo t a ñ c a electron ion 63 3.4.3 S phân b t c ñ va ch m 67 3.4.4 Hàm xác su t lư ng electron 72 3.4.5 S phân b c a ion argon t i b m t cathode 73 K t lu n 78 Danh m c cơng trình c a tác gi 80 Tài li u tham kh o 81 Ph l c A 88 Ph l c B 94 vi Danh m c hình v b ng Hình 1.1 Phân lo i plasma phịng thí nghi m khơng gian d a gi n ñ log n theo log Te Hình 1.2 Các đ i lư ng đ c trưng c a phóng n sáng DC .6 Hình 1.3 Magnetron ph ng (a) trịn (b) ch nh t Các đư ng cong b m t cathode ñư ng s c t .8 Hình 1.4 Các bư c xây d ng h phún x magnetron o máy tính .9 Hình 2.1 Sơ đ c u t o magnetron ph ng trịn đ i x ng tr c Hai nam châm vĩnh c u S N t o t trư ng có đư ng s c cong b m t cathode .15 Hình 2.2 Chu kì tính tốn c a mơ ph ng PIC m t bư c nh y th i gian ∆t 18 Hình 2.3 Phân chia ñi n tích theo th tích h t a ñ tr c a m t siêu h t t i t a ñ (rk, zk) cho nh ng nút lư i g n nh t A, B, C D Ví d n tích đư c phân chia cho m C b ng n tích qk nhân v i ph n th tích ñư c t o t ph n di n tích đư c bơi m quay xung quanh tr c z, chia cho th tích c a vịng v n khăn ABCD .19 Hình 2.4 ð nh lý Gauss h p bao quanh nút lư i (0, 0), (0, j) (0, Nr1) b m t cathode 23 Hình 2.5 Sơ đ c a phương pháp nh y cóc hi n V trí c a m t h t ñư c ñ y t th i ñi m t ñ n th i ñi m t + ∆t , v n t c ch bi t th i ñi m t + ∆t 27 Hình 2.6 Gi n đ gi i phương trình chuy n đ ng c a phương pháp Boris 27 Hình 2.7 Chu kỳ tính toán c a PIC/MCC m t bư c nh y th i gian ∆t 32 Hình 2.8 Ti t di n va ch m electron – nguyên t argon .35 Hình 2.9 Ti t di n va ch m ion argon – nguyên t argon 35 Hình 2.10 Sơ ñ truy n d li u t x lý có rank = đ n x lý nhóm (a) trao đ i thơng tin m – ñi m (b) trao ñ i thông tin t p h p 43 Hình 2.11 Sơ đ c u trúc vòng l p v t lý c a chương trình 45 Hình 3.1 S phân b thành ph n t trư ng theo hư ng bán kính, Br, c a magnetron 49 ii Hình 3.2 S phân b thành ph n t trư ng theo hư ng tr c z, Bz, c a magnetron 50 Hình 3.3 T trư ng Br t i hai v trí z = mm z = 12 mm ðư ng li n nét k t qu tính tốn c a đ tài này, đư ng đ t nét k t qu c a ph n m m FEMM 50 Hình 3.4 T trư ng Bz t i hai v trí r = 13.5 mm r = 25 mm ðư ng li n nét k t qu tính tốn c a ñ tài này, ñư ng ñ t nét k t qu c a ph n m m FEMM 51 Hình 3.5 S ph thu c c a th i gian ch y theo s x lý Nproc trư ng h p s siêu h t ban ñ u thay ñ i t 500,000 ñ n 2,000,000 h t 52 Hình 3.6 S ph thu c c a đ l i Gain theo s x lý Nproc trư ng h p s siêu h t ban ñ u thay ñ i t 500,000 ñ n 2,000,000 h t 53 Hình 3.7 S bi n thiên c a lư ng trung bình (KE) m t ñ h t su t th i gian mô ph ng Kho ng th i gian gi d ng c a mơ hình t − µ s 54 Hình 3.8 S thay ñ i c a t ng s siêu h t ion (ñư ng li n nét) electron (ñư ng ñ t nét) theo th i gian ba trư ng h p I, II III 57 Hình 3.9 S thay đ i lư ng trung bình c a t ng s siêu h t ion (ñư ng li n nét) electron (ñư ng ñ t nét) theo th i gian ba trư ng h p I, II III 58 Hình 3.10 S thay đ i th phóng n t i cathode theo th i gian ba trư ng h p I, II III .58 Hình 3.11 S phân b th (a) tồn vùng mơ ph ng (b) t i ba v trí r = 8.05 mm, 13.56 mm 19.25 mm .60 Hình 3.12 Các thành ph n c a n trư ng E (a) Ez theo hư ng tr c z (b) Er theo hư ng bán kính r 62 Hình 3.13 Khơng gian pha (r, z) c a (a) electron (b) ion 63 Hình 3.14 Khơng gian pha (z, uz) c a (a) electron (b) ion 64 Hình 3.15 S phân b m t ñ c a (a) electron (b) ion 65 Hình 3.16 S phân b m t ñ c a ion (ñư ng li n nét) c a electron (ñư ng ñ t nét) t i v trí r = 13.65 mm d c theo tr c z 66 Hình 3.17 M t đ n tích khơng gian .67 iii Hình 3.18 S phân b t c đ va ch m ñàn h i c a electron v i nguyên t argon 68 Hình 3.19 S phân b t c ñ va ch m kích thích c a electron v i nguyên t argon 68 Hình 3.20 S phân b t c đ va ch m ion hóa c a electron v i nguyên t argon 69 Hình 3.21 S phân b t c ñ va ch m kích thích (ñư ng li n nét) va ch m ion hóa (đư ng đ t nét) c a electron v i nguyên t argon t i v trí r = 13.65 mm d c theo tr c z .70 Hình 3.22 S phân b t c ñ va ch m ñàn h i c a ion argon v i nguyên t argon 71 Hình 3.23 S phân b t c đ va ch m chuy n n tích c a ion argon v i nguyên t argon 71 Hình 3.24 Hàm xác su t lư ng electron (EEPF) vùng 10 mm ≤ r ≤ 17 mm 15 mm ≤ z ≤ 20 mm M t d ng x p x c a EEPF phân b hai Maxwell v i hai nhi t ñ k BTc = 1.25 eV k BTh = 4.5 eV .72 Hình 3.25 S phân b ion argon theo lư ng t a ñ t i b m t cathode (a) tồn mi n, (b) t i ba v trí r = 12 mm , 14 mm 16 mm IDFC b chia thành hai vùng, vùng m t có 210eV < energy < 275eV , vùng hai có energy ≈ 200eV 74 Hình 3.26 S phân b ion argon theo lư ng góc t i b m t cathode (a) toàn mi n, (b) t i b n góc t i theta = 900, 88.50, 82.50 78.50 .75 Hình 3.27 K t qu tính tốn thơng lư ng ion argon đ n b m t bia 77 Hình A M t ph n t h u h n hình ch nh t 91 B ng B H s nhân c a bư c nh y th i gian gi .97 iv M ñ u Hơn n a th k qua, v t li u linh ki n màng m ng ñã ñư c ch t o nh m ng d ng th c ti n ngày đóng vai trò trung tâm nhi u lĩnh v c khoa h c, k thu t ñ i s ng Phương pháp phún x magnetron xu t hi n t r t s m thơng d ng đ l ng ñ ng lo i màng m ng kim lo i, bán d n ho c ñi n mơi ðây v t li u đư c s d ng nhi u thi t b vi ñi n t , quang – ñi n ð hi u ñi u n ñư c trình ph c t p x y trình t o màng bu ng phóng n magnetron, c n ph i có nh ng nghiên c u c v lý thuy t th c nghi m ñ i v i trình v t ch t x y mơi trư ng phóng n magnetron M t mơ hình gi i tích đơn gi n khó có th mơ t th a đáng mơi trư ng phóng n h magnetron ñi n trư ng t trư ng đa chi u khơng ñ ng nh t Các th c nghi m ch cho th y m t s ñ c trưng c a phóng n khơng cung c p m t b c tranh toàn di n v trình v t ch t h magnetron M t ví d phương pháp đo đ c b ng ñ u dò ñi n Langmuir Phương pháp cung c p thơng tin v đ c trưng ñi n ñ ng c a plasma m t ñ nhi t ñ c a electron th tích plasma Tuy nhiên, đ u dị có th gây nh hư ng tr l i môi trư ng plasma Hơn n a, đ u dị khơng th đo đ c vùng sát b m t cathode, mà t i h u h t q trình quan tr ng phún x x y Thêm vào đó, th c nghi m thư ng r t ph c t p t n Ngư c l i, mơ hình s đư c xây d ng máy tính, khơng nh ng khơng nh hư ng mà cung c p cho ta m t b c tranh tồn di n v q trình x y bu ng phóng n magnetron Ngày nay, v i s ti n b vư t b c c a ngành khoa h c máy tính phương pháp mơ ph ng q trình v t ch t plasma b ng máy tính, vi c xây d ng thành công m t công c thí nghi m o máy tính cho h phún x magnetron ngày hi n th c Trong lu n văn này, th c hi n hai module mô ph ng t trư ng mơ ph ng plasma phóng n khí argon h phún x magnetron ph ng tròn DC Module t trư ng ñư c th c hi n b ng phương pháp ph n t h u h n đư c vi t b ng ngơn ng l p trình MATLAB Module phóng n magnetron đư c th c hi n b ng phương pháp mô ph ng particle-in-cell/Monte Carlo collisions (PIC/MCC) ñư c vi t b ng ngơn ng l p trình FORTRAN dư i d ng mã tu n t mã tính tốn h t song song Mã tính tốn h t song song ñư c th c hi n b i thư vi n l p trình song song MPI (message passing interface) M t h th ng cluster ñư c thi t l p ñ ñánh giá ñ l i song song c a mơ hình Sau xác đ nh tr ng thái d ng c a mơ hình, chúng tơi thu đư c m t b c tranh tồn n c a phóng n magnetron khí argon, g m có: s phân b n th ñi n trư ng, hàm xác su t lư ng c a electron vùng th tích plasma, s phân b c a ion argon t i b m t cathode Chương T NG QUAN 1.1 Plasma phóng n sáng DC h phún x magnetron 1.1.1 Khái ni m v plasma T “plasma” ñư c gi i thi u l n ñ u tiên b i Langmuir vào năm 1928 Ngoài ba tr ng thái r n, l ng khí, plasma tr ng thái th tư c a v t ch t, chi m 99% lư ng v t ch t vũ tr , môi trư ng d n ñi n g m h t mang ñi n h t trung hịa Nhìn chung có hai q trình b n x y mơi trư ng plasma q trình khơng t p h p trình t p h p [1] Quá trình khơng t p h p liên quan t i tương tác g n gi a h t v i (g i va ch m c p - binary collision) tương tác gi a h t v i thành bình Quá trình t p h p liên quan t i tương tác xa gi a h t mang ñi n v i nhau, gi a h t mang ñi n v i trư ng chúng sinh (g i trư ng t h p) v i ñi n trư ng t trư ng ngồi Khi h t mang n chuy n đ ng, gây s tích t c c b n tích âm ho c dương, mà làm thay ñ i ñi n trư ng bao quanh Thêm vào đó, chuy n đ ng thành dịng, h t mang n sinh t trư ng Các trư ng nh hư ng lên s chuy n đ ng c a tồn b h t mang ñi n h M t ñ i lư ng ñ c trưng cho q trình t p h p bán kính Debye λDe ,i [1, 21] 12 λDe ,i ε k T    =  B e ,i  ,  qe,i ne ,i    (1.1) ñây, ε h ng s n mơi chân không, k B h ng s Boltzmann, ni ne tương ng m t ñ h t mang ñi n dương (ion) âm (electron), Te Ti tương ng nhi t ñ electron ion, q n tích Bán kính Debye c a h t cho bi t h t tác d ng [32] http://sites.google.com/site/kalypsosimulation/Home [33] http://software.intel.com/en-us/articles/non-commercial-software-evelopment/ [34] http://www.femm.info/wiki/HomePage [35] http://www.fzd.de/db/Cms?pOid=21578&pNid=0&pLang=de [36] http://www.infolytica.com/en/products/trial/magnet.aspx [37] http://www.mcs.anl.gov/mpi/mpi-report-1.1/mpi-report.html [38] http://www.mcs.anl.gov/research/projects/mpi/mpich1/download.html [39] http://www.mpi-forum.org/docs/mpi-11-html/mpi-report.html [40] http://www.srim.org/ [41] http://www.txcorp.com/downloads/index.php [42] Ido S and Nakamura K (1996), “Computational simulations on electron orbits in the magnetron sputtering plasmas”, Vacuum., 47(6-8), pp 1035-1038 [43] Jin J (2002), The Finite Element Method in Electromagnetics, Second edition, Wiley-IEEE Press [44] Kawamura E, Birdsall C K and Vahedi V (2000), “Physical and numerical methods of speeding up particle codes and paralleling as applied to rf discharges”, Plasma Sources Sci Technol., 9(3), pp 413-428 [45] Kolev I (2007), Particle-in-cell-Monte-Carlo collisions simulations for a direct current planar magnetron discharge Ph.D thesis, University of Antwerp, Belgium [46] Kolev I and Bogaerts A (2006), “Detailed numerical investigation of a DC sputter magnetron”, IEEE Trans Plasma Science., 34, pp 886-894 [47] Kolev I and Bogaerts A (2006), “PIC-MCC numerical simulation of a DC planar magnetron”, Plasma Process Polym., 3, pp.127-134 [48] Kolev I and Bogaerts A (2009), “Numerical study of the sputtering in a dc magnetron”, J Vac Sci Technol., A, 27, pp 20-28 84 [49] Kolev I, Bogaerts A and Gijbels R (2005), “Influence of electron recapture by the cathode upon the discharge characteristics in dc planar magnetrons”, Phys Rev E., 72, 056402 [50] Kondo S and Nanbu K (1999), “A self-consistent numerical analysis of a planar dc magnetron discharge by the particle-in-cell/Monte Carlo method”, J Phys D: Appl Phys., 32, pp.1142-1152 [51] Kusumoto Y and Iwata K (2004), “Numerical study of the characteristics of erosion in magnetron sputtering”, Vacuum., 74(3-4), pp 359-365 [52] Kwon U H, Choi S H, Park Y H and Lee W J (2005), “Multi-scale simulation of plasma generation and film deposition in a circular type DC magnetron sputtering system”, Thin Solid Films., 475, pp 17–23 [53] Kwon Y W and Bang H (1996), The Finite Element Method Using MATLAB, Second edition, CRC-Press [54] Lieberman M A and Lichtenberg A J (2005), Principles of Plasma Discharges and Materials Processing, Second edition , John Wiley & Sons Inc [55] Makabe T and Petrovic Z (2006), Plasma Electronics: Applications in Microelectronic Device Fabrication, Taylor & Francis Group [56] Miranda J E, Goeckner M J, Goree J and Sheridan T E (1990), “Monte Carlo simulation of ionization in a magnetron plasma”, J Vac Sci Technol., A8, pp 1627-1631 [57] Nanbu K (2000), “Probability theory of electron-molecule, ion-molecule, molecule-molecule, and Coulomb collisions for particle modeling of materials processing plasmas and gases”, IEEE Trans on Plasma Science., 28(3), pp 971990 [58] Nanbu K and Kondo S (1997), “Analysis of 3-D DC magnetron discharge by the particle-in-cell/Monte Carlo method”, Jpn J Appl Phys., 36(7B), pp 4808– 4814 85 [59] Nanbu K, Segawa S and Kondo S (1996), “Self-consistent particle simulation of three-dimensional dc magnetron discharge”, Vacuum., 47(6-8), pp 1013-1016 [60] Nastasi M, Hirvonen J K, and Mayer J W (1996), Ion-Solid Interactions: Fundamentals and Applications, Cambridge University Press [61] Raizer Y R (1991), Gas Discharge Physics, Springer-Verlag, Berlin Heidelberg [62] Seo S H, In J H and Chang H Y (2005), “Time evolution of electron energy distribution function and plasma parameters in pulsed and unbalanced magnetron argon discharge”, J Appl Phys., 98, 043301(1-7) [63] Seo S H, In J H and Chang H Y (2004), “Effects of substrate bias on electron energy distribution in magnetron sputtering system”, Phys Plasmas., 11, pp 4796-4800 [64] Sheridan T E, Goeckner M J and Goree J (1990), “Electron and ion transport in magnetron plasmas”, J Vac Sci Technol., A8, pp 1623-1626 [65] Sheridan T E, Goeckner M J and Goree J (1991), “Observation of twotemperature electrons in a sputtering magnetron plasma”, J Vac Sci Technol., A9, pp 688-690 [66] Shidoji E and Makabe T (2003), “Magnetron plasma structure with strong magnetic field”, Thin Solid Films., 442, p 27–31 [67] Shidoji E, Ness K and Makabe T (2001), ”Influence of gas pressure and magnetic field upon dc magnetron discharge”, Vacuum., 60, pp 299-306 [68] Shon C H, Lee J K, Lee H J, Yang Y and Chung T H (1998), “Velocity distributions in magnetron sputter”, IEEE Trans Plasma Science, 26(6), pp 1635-1644 [69] Shon C H, Park J S, Kang B K and Lee J K (1999), “Kinetic and steady-state properties of magnetron sputter with three-dimensional magnetic field” , Jpn J Appl Phys 38, pp 4440-4449 86 [70] Sigurjonsson P and Gudmundsson J T (2008), “Plasma parameters in a planar dc magnetron sputtering discharge of argon and krypton”, Journal of Physics: Conference Series.,100, 062018 [71] Spolaore M, Antoni V, Bagatin M, Buffa A, Cavazzana R, Desideri D, Martines E, Pomaro N, Serianni G and Tramontin L (1999), “Automatic Langmuir probe measurement in a magnetron sputtering system”, Surf Coat Technol., 116–119, pp 1083–1088 [72] Swarztrauber P N (1974), “ A direct method for the discrete solution of separable elliptic equations”, SIAM Journal on Numerical Analysis., 11, pp 1136-1150 [73] Vahedi V and DiPeso G (1997), “Simultaneous potential and circuit solution for two-dimensional bounded plasma simulation codes”, Journal of Computational Physics., 131, pp.149-163 [74] Vahedi V and Surendra M (1995), “A Monte Carlo collision model for the particle-in-cell method: applications to argon and oxygen discharges”, Comput Phys Commun., 87, pp 179-198 [75] Verboncoeur J P, Alves M V, Vahedi V and Birdsall C K (1993), “Simultaneous potential and circuit solution for 1d bounded plasma particle simulation codes”, Journal of Computational Physics., 104, pp 321-328 [76] Yonemura S and Nanbu K (2003), “Self-consistent particle-in-cell/Monte Carlo simulation of RF magnetron discharges of oxygen/argon mixture: effects of partial pressure ratio”, IEEE Trans Plasma Science., 31(4), pp 479-487 87 Ph l c A Phân tích t trư ng tĩnh đ i x ng tr c b ng phương pháp ph n t h u h n N u ta ñ t ψ ' = rAϕ , phương trình (2.5) đư c vi t l i f (ψ ') = ∂  ∂ψ '  ∂  ∂ψ '  +  + jmϕ = ∂z  µ r ∂z  ∂r  µ r ∂r    (A.1) N u ta g i ψ x p x c a ψ ' f (ψ ) = R ≠ , R ñư c g i giá tr th ng dư B i ψ l ch kh i l i gi i xác ψ ' , nên th ng dư R không đư c b tồn mi n khơng gian c a tốn ð thu đư c l i gi i t t nh t, ph i nh n đư c tích phân c a R tồn mi n S c a tốn nh nh t 2π ∫∫S Rrdrdz → (A.2) N u ta ch n ñư c m t hàm tr ng s (hàm ki m tra) w cho giá tr trung bình tồn mi n c a tốn b ng khơng, ∫∫ S wRrdrdz = (A.3) Hàm tr ng s w ñư c ch n hàm n i suy N Thay hàm n i suy N giá tr th ng dư R vào (A.3), ta thu ñư c ∫∫ S  ∂  ∂ψ  ∂  ∂ψ   Nr   +    drdz + ∫∫S Njmϕ rdrdz =  ∂z  µ r ∂z  ∂r  µ r ∂r   (A.4) S d ng tích phân t ng ph n cho s h ng th nh t  ∂  ∂ψ   ∂  ∂ψ  ∂ψ ∂ ( Nr ) Nr   drdz − ∫∫S drdz , (A.5)  drdz = ∫∫S  Nr  ∫∫S ∂z  µ r ∂z  ∂z  µ r ∂z  µ r ∂z ∂z    s h ng th hai  ∂  ∂ψ   ∂  ∂ψ  ∂ψ ∂ ( Nr ) Nr     drdz = ∫∫S ∂r  Nr µ r ∂r  drdz − ∫∫S µ r ∂r ∂r drdz (A.6) S    ∂r  µ r ∂r   ∫∫ 88 C ng hai s h ng v i nhau, ñư c ∫∫ S  ∂  N ∂ψ  ∂  N ∂ψ     +    drdz  ∂z  µ ∂z  ∂r  µ ∂r    ∂ψ ∂ ( Nr ) ∂ψ ∂ ( Nr )  − ∫∫S  + drdz µ r ∂r ∂r   µ r ∂z ∂z  (A.7) Chúng ta ñ t Gr = − N ∂ψ N ∂ψ , Gz = , µ ∂z µ ∂r (A.8) áp d ng ñ nh lý Green m t ph ng, hai s h ng đ u c a (A.7)  ∂Gz ∂Gr  −  drdz = ∫ L ( Gz dr + Gr dz ) S ∂r ∂z  ,  ∂ψ dr ∂ψ dz  = ∫L N  − ds µ r ∂r ds µ r ∂z ds   ∫∫   (A.9) v i L ñư ng cong kín n m d c theo biên c a m t S, ds ñơn v ñ dài c a L G i n pháp vector hư ng ngồi c a L, n = ( dr , −dz ) ds = ( nr , nz ) Cơng th c (A.9) đư c vi t l i  ∂Gz ∂Gr − S ∂r ∂z  ∫∫   ∂ψ  ∂ψ   drdz = ∫ L N  µ r ∂r nr + µ r ∂z nz ds    (A.10) S d ng ñi u ki n biên t nhiên (2.9) v i vi c ñ t ψ = rAϕ , bi u th c (A.10) b ng khơng, phương trình (A.4) đư c gi n lư c thành  ∂ψ ∂N ∂ψ ∂N ∂ψ +r +N S ∂r ∂r ∂r µ r  ∂z ∂z  ∫∫   drdz = ∫∫S Njmϕ rdrdz  (A.11) M t đ dịng jmϕ vector t hóa M m có m i quan h jmϕ = ( ∇ × M m )ϕ Thay phương trình (A.12) vào v ph i c a (A.11), ta nh n ñư c 89 (A.12)  ∂M r ∂M z Njmϕ rdrdz = ∫∫S Nr ( ∇ × M m )ϕ drdz = ∫∫S Nr  − S ∂r  ∂z ∫∫   drdz  (A.13) S d ng phương trình ∂M ∂ ( NrM r ) = M r r ∂N + Nr ∂z r , ∂z ∂z (A.14) ∂M ∂ ( NrM z ) = M z r ∂N + M z N + Nr ∂r z ∂r ∂r (A.15) Thay hai phương trình vào (A.13) ∫∫ S ∂ ∂  Njmϕ rdrdz = ∫∫S  ( NrM r ) − ( NrM z ) drdz ∂r  ∂z  ∂N ∂N   + ∫∫S M z Ndrdz − ∫∫S  M r r − M zr drdz ∂z ∂r    (A.16) Áp d ng l i ñ nh lý Green lên hai s h ng ñ u bên v ph i c a phương trình trên, sau ∂ ∂   ∂z ( NrM r ) − ∂r ( NrM z ) drdz = ∫ L Nr ( M r dr + M z dz )   (A.17) dr dz   = ∫ L Nr  M r + M z ds = ∫ L Nr ( M r nr − M z nz )ds = ∫ L Nr ( M × n ) ds ϕ ds ds   ∫∫ S Ta bi t r ng v i v t li u t đ ng hư ng, vector t hóa M cư ng đ t trư ng H có m i quan h M = χH (A.18) v i χ ñ t c m Nên tương t H, M th a ñi u ki n biên t nhiên, có nghĩa M ×n = 0, (A.19) nên phương trình (A.16) đư c gi n lư c hai s h ng ñ u bên v ph i T phương trình (A.13) đư c rút g n thành 90  ∂ψ ∂N ∂ψ ∂N ∂ψ  ∂z ∂z + r ∂r ∂r + N ∂r µr    drdz  ∂N ∂N   drdz = ∫∫S M z Ndrdz − ∫∫S  M r r − M zr ∂z ∂r    ∫∫ S (A.20) ð k t qu c a toán d dàng ñư c s d ng cho phương pháp PIC, th c hi n r i r c hóa mi n khơng gian c a tốn thành ph n t h u h n hình ch nh t đ ng nh t, có đ dài c nh 2a 2b th y hình A Hàm ψ ( e ) c a m t ph n t h u h n ch nh t th e ñư c n i suy qua giá tr c a t i b n nút lư i ( ( ψ 1( e ) (r1 , z1 ), ψ 2e ) ( r2 , z2 ), ψ 3( e ) (r3 , z3 ) ψ 4e ) (r4 , z4 ) , b ng hàm n i suy N ψ ( e ) = ∑ N iψ i( e ) ( ri , zi ) , (A.21) 1 ( a − r )( b − z ) , N = ( a + r )( b − z ) , 4ab 4ab 1 N3 = ( a + r )( b + z ) , N = ( a − r )( b + z ) 4ab 4ab (A.22) i =1 v i N1 = z ψ (r4 , z4 ) ( e) ψ 3( e) (r3 , z3 ) b a -a r ψ 1( e ) (r1 , z1 ) -b ψ 2( e) (r2 , z2 ) Hình A M t ph n t h u h n hình ch nh t 91 Khi đó, phương trình (A.20) đư c vi t cho m t ph n t h u h n th e rc( e )  ∂N i ( e )   ∂N j ψ  ∑  ∑ µ ( e )  i =1 ∂z i   j =1 ∂z  ∫∫ S(e)  ( e )  ∂N i ( e )   ∂N j  ψ i  ∑  + rc  ∑  i =1 ∂r    j =1 ∂r       ∂N +  ∑ N j   ∑ i ψ i( e )   drdz  j =1  i =1 ∂r  = ∫∫S M z (e) (e) (A.23)  ( e )  ∂N j   ∂N j     (e) (e)  ∑ N j  drdz − rc ∫∫S  M r  ∑ ∂z  − M z  ∑ ∂z  drdz ,  j =1    j =1   j =1    (e) v i rc( e ) S ( e ) tương ng t a ñ tâm mi n c a ph n t th e, µ ( e ) M r(,ez) tương ng đ t th m đ t hóa c a ph n t th e Ho c vi t dư i d ng ma tr n, ví d cho s h ng ñ u bên v trái c a phương trình (A.23) rc( e ) ∫∫ S(e)    =  (e)  rc    ∂N i ( e )   ∂N j ψ  ∑  ∑ µ ( e )  i =1 ∂z i   j =1 ∂z    ∂N1  a b  ∂N ∫ ∫ ( e)  ∂N − a −b µ    ∂N  ∂z   ∂z   ∂N1  ∂z   ∂z   ∂z    drdz   ∂N ∂z ∂N ∂z  ψ 1( e )     (e)   ∂N    ψ   drdz  ψ ( e )  ∂z      ψ ( e )      (A.24) Ta làm tương t v y cho s h ng l i Sau c ng s h ng ñư c vi t dư i d ng ma tr n hai v c a (A.23), ta nh n ñư c m t phương trình ma tr n có d ng  k11 k  21  k31   k41 k12 k22 k32 k13 k23 k33 k42 k43 k14  ψ 1( e )   f1( e )   (    k24  ψ 2e )   f 2( e )   = k34  ψ 3( e )   f 3( e )     ( k44  ψ 4e )   f 4( e )      (A.25) đư c g i phương trình ma tr n ñ a phương c a ph n t th e ð thu đư c phương trình ma tr n h th ng c a toàn mi n S, ta s d ng ñi u ki n biên (2.10) – (2.12) l p ráp phương trình ma tr n đ a phương 92 v i [53] Chú ý r ng, v i s t v t li u t phi n h phương trình (A.25) s h ng ngu n f i ( e ) ph thu c vào ψ i( e ) qua ñ t th m µ ( Fe ) c a s t, nên h phương trình ma tr n h th ng phi n Ta th c hi n vi c n tính hóa h phương trình gi i l p chúng cho ñ n k t qu ñư c h i t Sau m i bư c gi i l p h phương trình h th ng, thành ph n c a c m ng t trư ng B ( e ) c a ph n t e đư c tính t phương trình (2.6) Bz( e ) ( ∂Aϕe ) ∂ (e)   ∑ N iψ i  (e) ∂z rc ∂z  i =1  ∂ ∂   ( = ( e ) ( rAϕe ) ) = ( e )  ∑ N iψ i( e )  rc ∂r rc ∂r  i =1  Br = − (e) =− (A.26) cư ng ñ t trư ng H ñư c xác ñ nh H (e) = B(e) µ0 µ r( e ) , (A.27) v i µr( e ) ñ t th m t ñ i c a ph n t th e T ñư ng cong t tr c a s t, ta n i suy c m ng t trư ng B ( Fe ) s t, xác ñ nh l i ñ t th m t đ i s t µ ( Fe ) r ( Fe ) B = µ0 H ( Fe ) (A.28) Sau cùng, t phương trình (A.18), ta có vector t hóa s t M ( Fe ) = χ ( Fe ) H ( Fe ) = ( µr( Fe ) − 1) H ( Fe ) (A.29) Thay vector t hóa vào phương trình (A.23) đ th c hi n bư c gi i l p ti p theo, cho ñ n l i gi i ñư c h i t 93 Ph l c B Phương pháp luân hư ng n (ADI) Phương pháp luân hư ng n (alternating direction implicit – ADI) [3, 29] phương pháp tách ñư c s d ng ñ gi i tốn truy n nhi t khơng d ng hai chi u Phương pháp có l i th bi n tốn ma tr n thưa kích thư c l n thành tốn ma tr n ba đư ng chéo Các phương trình Laplace ho c Poisson có th đư c gi i b ng phương pháp ADI b ng cách thêm vào phương trình m t đ o hàm theo th i gian gi t o Phương trình (2.23) đư c vi t l i ∂VP = ∇ ( ε 0VP ) + ρ ∂t ( (B.1) ) Tốn t Laplace ∇ ε 0V p đư c vi t l i t hai phương trình (2.21) (2.22) ( ) ∇ ε 0V p = az ;iVP ;i −1, j + bz ;iVP ;i , j + cz ;iVP ;i +1, j + ar ; jVP ;i , j −1 + br ; jVP ;i , j + cr ; jVP ;i , j +1 , (B.2) S d ng lư i có kích thư c đ ng nh t theo hai hư ng z r tương ng ∆z ∆r h s bi u th c az ;i = ( ∆z ) ; bz ;i = −2az ;i ; cz ;i = az ;i ; 2ε ε    ; cr ; j =  +  ; 1 −  ; br ; j = − ( ∆r )  j  ( ∆r ) ( ∆r )  j  4ε ; cr ;0 = −br ;0 = 0; br ;0 = − ∆r ) ( ar ; j = ar ;0 ε0 ε0  (B.3) Thay (B.2) vào (B.1) th c hi n sai phân h u h n lên s h ng ph thu c th i gian, ta nh n ñư c 94 VPk;+,1j − VPk;i , j i ∆t = az ;iVP ;i −1, j + bz ;iVP ;i , j + cz ;iVP ;i +1, j (B.4) + ar ; jVP ;i , j −1 + br ; jVP ;i , j + cr ; jVP ;i , j +1 + ρi , j ∆t kích thư c bư c nh y th i gian gi , VPk;i , j VPk;+,1j tương ng th t i i th i ñi m t t + ∆t N u bi t trư c giá tr th VPk;i , j t i t t c nút lư i, phương pháp ADI th c hi n hai bư c qt đ gi i phương trình (B.4) là: Bư c 1: quét theo hư ng z v i ch m t n a bư c nh y th i gian ∆t VPk;+,1j − VPk;i , j i ∆t 1 = az ;iVPk;+−1,2j + bz ;iVPk;+,1j + cz ;iVPk;++1,2j i i i + ar ; jV k P ;i , j −1 Gom s h ng + br ; jV k P ;i , j + cr ; jV k P ;i , j +1 (B.5) + ρi , j m t th i ñi m v hai v c a phương trình trên, ta có ( ) 1 0.5∆taz ;iVPk;+−1,2j + 0.5∆tbz ;i − VPk;+,1j + 0.5∆tcz ;iVPk;++1,2j i i i ( ) = −0.5∆t ar ; jVPk;i , j −1 + br ; jVPk;i , j + cr ; jVPk;i , j +1 + ρi , j − VPk;i , j (B.6) Phương trình (B.6) m t h phương trình ba đư ng chéo cho m i c t th j c a nút lư i Do đư c gi i b ng thu t tốn ba đư ng chéo Thomas [29] Bư c 2: quét theo hư ng r v i m t n a bư c nh y th i gian ∆t l i VPk;+,1j − VPk;+,1j i i ∆t 1 = az ;iVPk;+−1,2j + bz ;iVPk;+,1j + cz ;iVPk;++1,2j i i i , (B.7) + ar ; jVPk;+,1j −1 + br ; jVPk;+,1j + cr ; jVPk;+,1j +1 + ρi , j i i i ho c vi t dư i d ng ( ) 0.5∆tar ; jVPk;+,1j −1 + 0.5∆tbr ; j − VPk;+,1j + 0.5∆tcr ; jVPk;+,1j +1 i i i ( ) = −0.5∆t az ;iVP ;i −1, j + bz ;iVP ;i , j + cz ;iVP ;i +1, j + ρi , j − VP ;i , j k +1 k +1 95 k +1 k +1 , (B.8) H m t h phương trình ba đư ng chéo cho m i dòng th i c a nút lư i, đư c gi i b ng thu t tốn ba đư ng chéo Thomas [29] Hai bư c bư c quét m t l n gi i l p c a phương pháp ADI Các bư c l p ti p theo ñư c l p l i cho ñ n l i gi i ti n t i tr ng thái d ng Phương pháp luân hư ng n ñ ng l c (DADI) Phương pháp luân hư ng n ñ ng l c (dynamic alternating direction implicit – DADI) [22, 28] s m r ng c a phương pháp ADI, v i kích thư c bư c nh y th i gian ñư c ñi u ch nh t l n l p ñ n l n l p khác ñ tăng t c ñ h i t c a l i gi i l n l p ñ u tiên, bư c nh y th i gian gi t o ñư c ch n [22] 2 ∆t = 0.1 ( ∆z ) + ( ∆r )  ε   (B.9) Các bư c l p c a DADI ñư c cho sau: Ch s l p k đư c đ t b ng khơng Hai l n gi i l p ADI ñư c th c hi n v i kích thư c bư c nh y th i gian gi ∆t k , ñ thu ñư c l i gi i t VPk thành VPk +1 ð ki m tra tr ng thái d ng c a l i gi i, m t giá tr th ng dư r k ñư c xác ñ nh N z −1 rk = N r −1 i =1 j =0 ∑ ∑ ( ) (ρ ) ∇ ε V k +1 + ρ  P ;i , j i, j   N z −1 N r −1 i =1 j =0 ∑ ∑ 2 , (B.10) i, j v i N z N r tương ng s nút lư i theo hư ng z r ð i v i phương trình Laplace, m u s c a (B.10) ñư c ñ t b ng Giá tr th ng dư ñư c so sánh v i m t giá tr sai s , tol, ñư c n ñ nh trư c b i ngư i dùng N u r k ≤ tol l i gi i h i t , ngư c l i, th c hi n ti p bư c ti p theo c a DADI 96 N u l i gi i chưa h i t , m t bư c l p ADI ñư c th c hi n v i kích thư c bư c nh y th i gian gi ñư c tăng lên g p đơi, 2∆t k , đ thu đư c l i gi i t VPk thành V k +1 P Sau đó, kích thư c bư c nh y th i gian gi ñư c ñi u ch nh sau Hai chu n Ldiff Lerror ñư c xác ñ nh b i Ldiff = VPk;+,1j − V i k +1 P ;i , j , (B.11) Lerror = VPk;+,1j − VPk;i , j i (B.12) B ng B H s nhân c a bư c nh y th i gian gi TP fω < 0.02 8.0 0.02 – 0.05 4.0 0.05 – 0.1 2.0 0.1 – 0.3 0.80 0.3 – 0.4 0.50 0.4 – 0.6 0.25 > 0.6 0.125 M t tham s ki m tra đư c tính tốn t hai chu n TP = Ldiff Lerror (B.13) Tham s TP ñư c s d ng đ tìm h s nhân fω v i ∆t k B ng B cho th y giá th h s nhân cho tham s ki m tra khác Sau đó, kích thư c bư c nh y th i gian m i ñư c ñi u ch nh 97 ∆t k +1 = fω ∆t k , (B.14) mà đư c dùng cho l n l p ti p theo N u TP > 0.6 kích thư c bư c nh y th i gian ñư c gi m ñi l n l i gi i thu ñư c l n l p hi n t i, VPk;i , j , ñư c thay b ng VP0;i , j giá tr th i ñi m b t ñ u l p Ch s l p ñư c tăng lên m t, k = k + l p l i bư c ñ n bư c cho ñ n l i gi ñư c h i t mong mu n Cho vi c g i l i gi i phương trình Poisson ti p theo, kích thư c bư c nh y th i gian gi ñư c gi m ñi 16 l n so v i bư c nh y th i gian c a l n g i trư c 98 ... 1.1 Plasma phóng n sáng DC h phún x magnetron 1.1.1 Khái ni m v plasma 1.1.2 Phóng n sáng DC 1.1.3 H phún x magnetron 1.2 Các bư c xây d ng h phún x magnetron. .. m o máy tính cho h phún x magnetron ngày hi n th c Trong lu n văn này, th c hi n hai module mô ph ng t trư ng mô ph ng plasma phóng n khí argon h phún x magnetron ph ng trịn DC Module t trư ng... H phún x magnetron Trong phương pháp ch t o màng m ng b ng phún x cathode, lư ng v t ch t t bia ñ n ñư c ñ ph thu c vào m t đ dịng ion b n phá lên b m t cathode áp su t khí Các phương pháp phún

Ngày đăng: 28/06/2014, 16:20

Nguồn tham khảo

Tài liệu tham khảo Loại Chi tiết
[1] Nguyễn Hữu Chí (1998), Vật lý Plasma (Khí Ion Hóa), Tủ sách Trường ðHKHTN Tp. Hồ Chí Minh Sách, tạp chí
Tiêu đề: Vật lý Plasma (Khí Ion Hóa
Tác giả: Nguyễn Hữu Chí
Năm: 1998
[3] ðặng Văn Liệt (2006), Vật lý Tính toán, Nxb ðHQG Tp. Hồ Chí Minh. Tiếng Anh Sách, tạp chí
Tiêu đề: Vật lý Tính toán
Tác giả: ðặng Văn Liệt
Nhà XB: Nxb ðHQG Tp. Hồ Chí Minh. Tiếng Anh
Năm: 2006
[4] Akarsu E, Dincer K, Haupt T and Fox G C (1996), “Particle-in-cell simulation codes in high performance Fortran”, Conference on High Performance Networking and Computing Proceedings of the 1996 ACM/IEEE conference on Supercomputing Sách, tạp chí
Tiêu đề: Particle-in-cell simulation codes in high performance Fortran”
Tác giả: Akarsu E, Dincer K, Haupt T and Fox G C
Năm: 1996
[5] Bastos J P A and Sadowski N (2003), Electromagnetic Modeling by Finite Element Methods, Marcel Dekker, New York Sách, tạp chí
Tiêu đề: Electromagnetic Modeling by Finite Element Methods
Tác giả: Bastos J P A and Sadowski N
Năm: 2003
[6] Behrisch R and Eckstein W eds (2007), Sputtering by Particle Bombardment: Experiments and Computer Calculations from Threshold to MeV Energies, Springer-Verlag, Berlin Heidelberg Sách, tạp chí
Tiêu đề: Sputtering by Particle Bombardment: "Experiments and Computer Calculations from Threshold to MeV Energies
Tác giả: Behrisch R and Eckstein W eds
Năm: 2007
[7] Behrisch R ed (1981), Sputtering by Particle Bombardment I: Physical Sputtering of Single Element Solids, Springer-Verlag, Berlin Heidelberg Sách, tạp chí
Tiêu đề: Sputtering by Particle Bombardment I: Physical Sputtering of Single Element Solids
Tác giả: Behrisch R ed
Năm: 1981
[8] Bird G A (1994), Molecular Gas Dynamics and the Direct Simulation of Gas Flows, Clarendon Press – Oxford Sách, tạp chí
Tiêu đề: Molecular Gas Dynamics and the Direct Simulation of Gas Flows
Tác giả: Bird G A
Năm: 1994
[9] Birdsall C K (1991), "Particle-in-cell charged-particle simulations, plus Monte Carlo collisions with neutral atoms, PIC-MCC," IEEE Trans. Plasma Science., 19(2), pp. 65-85 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Particle-in-cell charged-particle simulations, plus Monte Carlo collisions with neutral atoms, PIC-MCC
Tác giả: Birdsall C K
Năm: 1991
[10] Birdsall C K and Langdon A B (1991), Plasma Physics via Computer Simulations, Bristol: IOP publishing Sách, tạp chí
Tiêu đề: Plasma Physics via Computer Simulations
Tác giả: Birdsall C K and Langdon A B
Năm: 1991
[11] Bowers K J (2001), “Accelerating a particle-in-cell simulation using a hybrid counting sort”, Journal of Computational Physics., 173(2), pp. 393-411 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Accelerating a particle-in-cell simulation using a hybrid counting sort”, "Journal of Computational Physics
Tác giả: Bowers K J
Năm: 2001
[12] Bultinck E (2009), Numerical simulation of a magnetron discharge utilized for the reactive sputter deposition of titanium nitride and oxide layers, Ph.D. thesis, University of Antwerp, Belgium Sách, tạp chí
Tiêu đề: Numerical simulation of a magnetron discharge utilized for the reactive sputter deposition of titanium nitride and oxide layers
Tác giả: Bultinck E
Năm: 2009
[13] Bultinck E and Bogaerts A (2009), “Particle-in-cell/Monte Carlo collisions treatment of an Ar/O 2 magnetron discharge used for the reactive sputter deposition of TiO x films”, New J. Phys., 11, 103010 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Particle-in-cell/Monte Carlo collisions treatment of an Ar/O2 magnetron discharge used for the reactive sputter deposition of TiOx films”, "New J. Phys
Tác giả: Bultinck E and Bogaerts A
Năm: 2009
[14] Bultinck E, Kolev I, Bogaerts A and Depla D (2008), ”The importance of an external circuit in a particle-in-cell/Monte Carlo collisions model for a direct current planar magnetron”, J. Appl. Phys., 103, 013309 Sách, tạp chí
Tiêu đề: J. Appl. Phys
Tác giả: Bultinck E, Kolev I, Bogaerts A and Depla D
Năm: 2008
[15] Bultinck E, Mahieu S, Depla D and Bogaerts A (2009), “Reactive sputter deposition of TiN x films, simulated with a particle-in-cell/Monte Carlo collisions model”, New J. Phys., 11, 023039 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Reactive sputter deposition of TiNx films, simulated with a particle-in-cell/Monte Carlo collisions model”, "New J. Phys
Tác giả: Bultinck E, Mahieu S, Depla D and Bogaerts A
Năm: 2009
[16] Buyle G, De Bosscher W, Depla D, Eufinger K, Haemers J and De Gryse R (2003), “Recapture of secondary electrons by the target in a DC planar magnetron discharge”, Vacuum., 70, pp. 29–35 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Recapture of secondary electrons by the target in a DC planar magnetron discharge”, "Vacuum
Tác giả: Buyle G, De Bosscher W, Depla D, Eufinger K, Haemers J and De Gryse R
Năm: 2003
[17] Buyle G, Depla D, Eufinger K, Haemers J, De Bosscher W and De Gryse G (2004), “Simplied model for the dc planar magnetron discharge”, Vacuum., 74, pp. 353-358 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Simplied model for the dc planar magnetron discharge”, "Vacuum
Tác giả: Buyle G, Depla D, Eufinger K, Haemers J, De Bosscher W and De Gryse G
Năm: 2004
[18] Clarke G C B, Kelly P J and Bradley J W (2005), “Cathode current distributions in an unbalanced magnetron”, Surf. Coat. Technol., 200, pp. 1341–1345 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Cathode current distributions in an unbalanced magnetron”, "Surf. Coat. Technol
Tác giả: Clarke G C B, Kelly P J and Bradley J W
Năm: 2005
[19] Depla D and Mahieu S eds (2008), Reactive Sputter Deposition, Springer-Verlag, Berlin Heidelberg Sách, tạp chí
Tiêu đề: Reactive Sputter Deposition
Tác giả: Depla D and Mahieu S eds
Năm: 2008
[20] Depla D, Buyle G, Haemers J and De Gryse R (2006), “Discharge voltage measurements during magnetron sputtering”. Surf. Coat. Technol., 200, pp. 4329- 4338 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Discharge voltage measurements during magnetron sputtering”. "Surf. Coat. Technol
Tác giả: Depla D, Buyle G, Haemers J and De Gryse R
Năm: 2006
[21] Dinklage A, Klinger T, Marx G, and Schweikhard L eds (2005), Plasma Physics Confinement, Transport and Collective Effects, Springer, Berlin Heidelberg Sách, tạp chí
Tiêu đề: Plasma Physics Confinement, Transport and Collective Effects
Tác giả: Dinklage A, Klinger T, Marx G, and Schweikhard L eds
Năm: 2005

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1.1. Phân loại plasma trong phòng thí nghiệm và trong không gian dựa trên giản  ủồ  log n  theo  log T e  [54] - Đề Tài: Mô phỏng Plasma phóng điện khí Argon trong hệ phún xạ Magnetron DC bằng phương pháp MIC/MCC potx
Hình 1.1. Phân loại plasma trong phòng thí nghiệm và trong không gian dựa trên giản ủồ log n theo log T e [54] (Trang 11)
Hỡnh 1.2. Cỏc ủại lượng ủặc trưng của phúng ủiện sỏng DC [54]. - Đề Tài: Mô phỏng Plasma phóng điện khí Argon trong hệ phún xạ Magnetron DC bằng phương pháp MIC/MCC potx
nh 1.2. Cỏc ủại lượng ủặc trưng của phúng ủiện sỏng DC [54] (Trang 13)
Hỡnh 1.3. Magnetron phẳng (a) trũn và (b) chữ nhật. Cỏc ủường cong trờn bề mặt  cathode là cỏc ủường sức từ - Đề Tài: Mô phỏng Plasma phóng điện khí Argon trong hệ phún xạ Magnetron DC bằng phương pháp MIC/MCC potx
nh 1.3. Magnetron phẳng (a) trũn và (b) chữ nhật. Cỏc ủường cong trờn bề mặt cathode là cỏc ủường sức từ (Trang 15)
Hình 1.4. Các bước xây dựng hệ phún xạ magnetron ảo trên máy tính [19]. - Đề Tài: Mô phỏng Plasma phóng điện khí Argon trong hệ phún xạ Magnetron DC bằng phương pháp MIC/MCC potx
Hình 1.4. Các bước xây dựng hệ phún xạ magnetron ảo trên máy tính [19] (Trang 16)
Hình 2.2. Chu kì tính toán của mô phỏng PIC trong một bước nhảy thời gian  ∆ t [9, 10] - Đề Tài: Mô phỏng Plasma phóng điện khí Argon trong hệ phún xạ Magnetron DC bằng phương pháp MIC/MCC potx
Hình 2.2. Chu kì tính toán của mô phỏng PIC trong một bước nhảy thời gian ∆ t [9, 10] (Trang 25)
Hình 2.7. Chu kỳ tính toán của PIC/MCC trong một bước nhảy thời gian  ∆ t [9, 74]. - Đề Tài: Mô phỏng Plasma phóng điện khí Argon trong hệ phún xạ Magnetron DC bằng phương pháp MIC/MCC potx
Hình 2.7. Chu kỳ tính toán của PIC/MCC trong một bước nhảy thời gian ∆ t [9, 74] (Trang 39)
Hình 2.8. Tiết diện va chạm electron – nguyên tử argon [31]. - Đề Tài: Mô phỏng Plasma phóng điện khí Argon trong hệ phún xạ Magnetron DC bằng phương pháp MIC/MCC potx
Hình 2.8. Tiết diện va chạm electron – nguyên tử argon [31] (Trang 42)
Hình 2.9. Tiết diện va chạm ion argon – nguyên tử argon [31]. - Đề Tài: Mô phỏng Plasma phóng điện khí Argon trong hệ phún xạ Magnetron DC bằng phương pháp MIC/MCC potx
Hình 2.9. Tiết diện va chạm ion argon – nguyên tử argon [31] (Trang 42)
Hỡnh 2.11. Sơ ủồ cấu trỳc và vũng lặp vật lý của chương trỡnh. - Đề Tài: Mô phỏng Plasma phóng điện khí Argon trong hệ phún xạ Magnetron DC bằng phương pháp MIC/MCC potx
nh 2.11. Sơ ủồ cấu trỳc và vũng lặp vật lý của chương trỡnh (Trang 52)
Hình 3.1. Sự phân bố thành phần từ trường theo hướng bán kính, B r , của magnetron. - Đề Tài: Mô phỏng Plasma phóng điện khí Argon trong hệ phún xạ Magnetron DC bằng phương pháp MIC/MCC potx
Hình 3.1. Sự phân bố thành phần từ trường theo hướng bán kính, B r , của magnetron (Trang 56)
Hình 3.2. Sự phân bố thành phần từ trường theo hướng trục z, B z , của magnetron. - Đề Tài: Mô phỏng Plasma phóng điện khí Argon trong hệ phún xạ Magnetron DC bằng phương pháp MIC/MCC potx
Hình 3.2. Sự phân bố thành phần từ trường theo hướng trục z, B z , của magnetron (Trang 57)
Hình 3.4. Từ trường B z  tại hai vị trí r = 13.5 mm và r = 25 mm. ðường liền nét là kết  quả tớnh toỏn của ủề tài này, ủường ủứt nột là kết quả của phần mềm FEMM - Đề Tài: Mô phỏng Plasma phóng điện khí Argon trong hệ phún xạ Magnetron DC bằng phương pháp MIC/MCC potx
Hình 3.4. Từ trường B z tại hai vị trí r = 13.5 mm và r = 25 mm. ðường liền nét là kết quả tớnh toỏn của ủề tài này, ủường ủứt nột là kết quả của phần mềm FEMM (Trang 58)
Hình 3.5. Sự phụ thuộc của thời gian chạy theo số xử lý N proc  trong các trường hợp số  siờu hạt ban ủầu thay ủổi từ 500,000 ủến 2,000,000 hạt - Đề Tài: Mô phỏng Plasma phóng điện khí Argon trong hệ phún xạ Magnetron DC bằng phương pháp MIC/MCC potx
Hình 3.5. Sự phụ thuộc của thời gian chạy theo số xử lý N proc trong các trường hợp số siờu hạt ban ủầu thay ủổi từ 500,000 ủến 2,000,000 hạt (Trang 59)
Hỡnh 3.6. Sự phụ thuộc của ủộ lợi theo số xử lý N proc  trong cỏc trường hợp số siờu hạt  ban ủầu thay ủổi từ 500,000 ủến 2,000,000 hạt - Đề Tài: Mô phỏng Plasma phóng điện khí Argon trong hệ phún xạ Magnetron DC bằng phương pháp MIC/MCC potx
nh 3.6. Sự phụ thuộc của ủộ lợi theo số xử lý N proc trong cỏc trường hợp số siờu hạt ban ủầu thay ủổi từ 500,000 ủến 2,000,000 hạt (Trang 60)
Hỡnh 3.10. Sự thay ủổi thế phúng ủiện tại cathode theo thời gian trong ba trường hợp I, - Đề Tài: Mô phỏng Plasma phóng điện khí Argon trong hệ phún xạ Magnetron DC bằng phương pháp MIC/MCC potx
nh 3.10. Sự thay ủổi thế phúng ủiện tại cathode theo thời gian trong ba trường hợp I, (Trang 65)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TRÍCH ĐOẠN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w