Ước lượng ựộ lợi của tắnh toán hạt song song

Một phần của tài liệu Đề Tài: Mô phỏng Plasma phóng điện khí Argon trong hệ phún xạ Magnetron DC bằng phương pháp MIC/MCC potx (Trang 51 - 52)

Tổng thời gian chạy chương trình mô phỏng ựược cho bởi [44] ,

tot init steps phys

t =t +N t (2.80)

ở ựây tinit là chi phắ thời gian ban ựầu trong việc thiết lập mô phỏng,

phys

t là thời gian ựể hoàn thành xong một vòng lặp vật lý của mô hình như mô tả ở hình 2.11, và

steps

N là số bước nhảy thời gian. Do Nsteps ≫1, nên

.

tot steps phys

tN t (2.81)

Thời gian ựể thực thi một vòng lặp vật lý có thể chia thành ba phần [44] ,

phys part field comm

t =t +t +t (2.82)

ở ựây

part

t là thời gian tắnh toán hạt (vắ dụ giải phương trình chuyển ựộng),

field

t là thời gian cần thiết giải trường và

comm

t là thời gian truyền tin giữa các xử lý.

part t tỉ lệ với số lượng hạt part N , trong khi field t tỉ lệ với số nút lưới g

N của hệ. Hơn nữa, do chúng tôi sử dụng sơ ựồ trao ựổi thông tin tập hợp giữa các xử lý, nên

comm t tỉ lệ với log2 proc N . Chúng ta có thể viết [44] 1 2 3log2 ,

phys part proc g proc

t =c N N +c N +c N (2.83)

ở ựây c1, c2 và c3 là các hệ số phụ thuộc vào kiến trúc và cấu hình của máy tắnh. Ta thấy rằng nếu số xử lý proc N tăng và field t cố ựịnh thì part t giảm và comm

t tăng. để thu ựược ựộ lợi từ tắnh toán hạt song song, chúng ta ựòi hỏi cả

field

t

comm

t phải nhỏ hơn nhiều so với

part

t . độ lợi Gain cho việc sử dụng n xử lý có thể ựược ước lượng bởi [44]

( ) ( )

Gain=tphys Nproc =1 tphys Nproc =n . (2.84) Chú ý rằng, nếu giữ cố ựịnh

g

N , với số lượng hạt lớn hơn, số hạng ựầu tiên của (2.83) sẽ trội hơn, vì thế ựộ lợi Gain sẽ trở nên tuyến tắnh hơn với

proc

Một phần của tài liệu Đề Tài: Mô phỏng Plasma phóng điện khí Argon trong hệ phún xạ Magnetron DC bằng phương pháp MIC/MCC potx (Trang 51 - 52)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(104 trang)