luận án tiến sĩ đánh giá ảnh hưởng của thiết kế implant trụ phục hình lên sự thay đổi sinh học mô quanh implant nha khoa

DANH MĂC BÀNG BÁng 1.1 Các nghiên cÿu cho thấy có sự khác biát vß mÿc tiêu mào x°¢ng quanh implant giāa implant CTP vßi implant CTCB .... 26 BÁng 1.2 Các nghiên cÿu cho thấy không có sự

Đ¾I HäC Y D¯ĀC THÀNH PHà Hâ CHÍ MINH

LÊ TRUNG CHÁNH

ĐÁNH GIÁ ÀNH H¯äNG CĄA THIÀT KÀ

MÔ QUANH IMPLANT NHA KHOA

LUÄN ÁN TIÀN S) Y HäC

TP.H â CHÍ MINH – Nm 2023

LÊ TRUNG CHÁNH

ĐÁNH GIÁ ÀNH H¯äNG CĄA THIÀT KÀ

MÔ QUANH IMPLANT NHA KHOA

L âI CAM ĐOAN

Tôi xin cam oan ây là công trình nghiên cÿu của riêng tôi, các kÁt quÁ nghiên cÿu

°ÿc trình bày trong luÁn án là trung thực, khách quan và ch°a tāng °ÿc công bß ã bất

kỳ n¢i nào

Tác giÁ luÅn án

Lê Trung Chánh

MĂC LĂC

LàICAMĐOAN

DANHMĀCCÁCTĀVIÀTTÂT3THUÀTNGĀANH-VIàT i

DANHMĀCBÀNG iii

DANHMĀCHÌNH v

DANHMĀCS¡Đà,BIàUĐà viii

Đ¾T V ÂN Đ 1

CH¯¡NG 1: T äNG QUAN TÀI LI ÞU 3

1.1 ThiÁt kÁ implant 3

1.2 Mô quanh implant 9

1.3 Bánh lý quanh implant 15

1.4 Đặc iám vi khuẩn quanh implant 16

1.5 Ph°¢ng pháp thu thÁp và ịnh l°ÿng vi khuẩn quanh implant 19

1.6 Các nghiên cÿu ánh giÁ Ánh h°ãng của thiÁt kÁ implant 3 trā phāc hình lên mô quanh implant 23

CH¯¡NG 2: ĐàI T¯ĀNG VÀ PH¯¡NG PHÁP NGHIÊN C ĆU 39

2.1 ThiÁt kÁ nghiên cÿu 39

2.2 Đßi t°ÿng nghiên cÿu 39

2.3 Thái gian và ịa iám tiÁn hành nghiên cÿu 40

2.4 Cỡ m¿u nghiên cÿu 40

2.5 Xác ịnh các biÁn trong nghiên cÿu 42

2.6 Ph°¢ng pháp và công cā o l°áng, thu tÁp sß liáu 43

2.7 Quy trình nghiên cÿu 58

2.8 Ph°¢ng pháp phân tích dā liáu 65

2.9 Đ¿o ÿc trong nghiên cÿu 67

CH¯¡NG 3: K ÀT QU À 69

3.1 Đặc iám m¿u nghiên cÿu 69

3.2 Đánh giá các chỉ sß nha chu và tình tr¿ng mô mßm giāa 2 nhóm 73

3.3 Đánh giá sự tiêu mào x°¢ng quanh implant giāa 2 nhóm và các yÁu tß Ánh h°ãng 80

3.4 Đánh giá ặc iám vi khuẩn trong mÁng bám quanh implant giāa 2 nhóm 87

CH¯¡NG 4: BÀN LU ÄN 94

4.1 Đặc iám chung nghiên cÿu &&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 94

4.2 Các chỉ sß nha chu và tình tr¿ng mô mßm quanh implant giāa 2 nhóm 101

4.3 Sự tiêu mào x°¢ng quanh implant giāa 2 nhóm và các yÁu tß Ánh h°ãng 111

4.4 So sánh ặc iám vi khuẩn trong mÁng bám quanh implant 126

K ÀT LU ÄN 133

KI ÀN NGH â 136 DANH M ĂC CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG B à LIÊN QUAN

TÀI LI ÞU THAM KH ÀO

PHĂ LĂC

PHĀ LUC 1: BÁng thông tin và phiÁu chấp thuÁn cho ng°ái tham gia nghiên cÿu PHĀ LĀC 2: PhiÁu áng ý tham gia nghiên cÿu

PHĀ LĀC 3: PhiÁu thu thÁp thông tin nghiên cÿu khoa học

PHĀ LĀC 4: PhiÁu khám nghiên cÿu t¿i thái iám T&(T0, T3, T6, T12)

PHĀ LĀC 5: PhiÁu khám nghiên cÿu tr°ßc và trong khi ặt implant

PHĀ LĀC 6: Định chuẩn ánh giá á kiên ịnh

PHĀ LĀC 7: Các trang thiÁt bị, vÁt liáu sÿ dāng trong nghiên cÿu

PHĀ LĀC 8: Giấy xác nhÁn danh sách ng°ái bánh tham gia nghên cÿu

PHĀ LĀC 9: Danh sách bánh nhân xét nghiám vi khuân t¿i công ty nam khoa

PHĀ LĀC 10: Các tr°áng hÿp lâm sàng minh họa trong nghiên cÿu

PHĀ LĀC 11: Các kÁt quÁ xét nghiám vi khuẩn minh ho¿

PHĀ LĀC 12: Chấp thuÁn (cho phép) của hái áng ¿o ÿc trong nghiên cÿu y sinh học Đ¿i học Y D°ÿc TP Há Chí Minh

DANH M ĂC CÁC TĈ VIÀT TÆT – THUÄT NGČ ANH -VIÞT

A.actinomycetemcomitans Aggregatibacter

actinomycetemcomitans

C.albicanas Candida albicans

C.gingivalis Captocytophaga gingivalis

E.corrodens Eikenella corrodens

F.nucleatum Fusobaterium nucleatum

PCR Polymerase Chain Reaction PhÁn ÿng chußi polymerase

P.gingivalis Porphyromonas gingivalis

ViÁt tÇt TiÁng Anh TiÁng Vißt

P.intermedia Prevotella intermedia

P.nigrescens Prevotella nigrescens

S.gordonii Streptococcus gordonii

T.denticola Treponema denticola

T.forsythensis Tannerella forsythensis

DANH M ĂC BÀNG

B Áng 1.1 Các nghiên cÿu cho thấy có sự khác biát vß mÿc tiêu mào x°¢ng quanh

implant giāa implant CTP vßi implant CTCB 26

B Áng 1.2 Các nghiên cÿu cho thấy không có sự khác biát vß mÿc tiêu mào x°¢ng quanh implant giāa implant CTP vßi implant CTCB 31

BÁng 2.1 Các b°ßc tung áng tißn lựa chọn vị trí ặt và nhóm can thiáp mßi bánh nhân &&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&.41 B Áng 2.2 Danh sách các biÁn sß trong nghiên cÿu 42

B Áng 2.3 Phân lo¿i mÁt á x°¢ng 47

B Áng 2.4 Trình tự các mái và o¿n dò sÿ dāng trong nghiên cÿu 55

BÁng 3.1 Các biÁn sß nßn (n=20)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 70

B Áng 3.2 Trung bình mÁt á x°¢ng 70

B Áng 3.3 Phân bß °áng kính và chißu dài implant trong nghiên cÿu giāa 2 nhóm 72

B Áng 3.4 Phân bß á dày mô mßm theo chißu dọc giāa 2 nhóm 73

B Áng 3.5 Chỉ sß mÁng bám (PI) giāa 2 nhóm t¿i các thái iám T3, T6, T12 74

B Áng 3.6 Chỉ sß n°ßu (GI) giāa 2 nhóm t¿i các thái iám T3, T6, T12 75

B Áng 3.7 Đá sâu thăm dò khe quanh implant (PD) giāa 2 nhóm t¿i các thái iám T3, T6, T12 76

B Áng 3.8 Chỉ sß chÁy máu khi thăm khám giāa 2 nhóm t¿i các thái iám T3, T6, T12 78 B Áng 3.9 Tình tr¿ng mô mßm quanh implant giāa 2 nhóm t¿i các thái iám T3, T6, T12 79

BÁng 3.10 So sánh chiều cao niêm mạc sừng hoá giữa 2 nhóm tại các thời điểm T 0 , T 12 80

B Áng 3.11 Tiêu mào x°¢ng giāa 2 nhóm t¿i các thái iám 81

B Áng 3.12 Ành h°ãng các yÁu tß lên sự thay ổi mào x°¢ng t¿i T12 82

B Áng 3.13 Ành h°ãng các yÁu tß lên sự thay ổi mào x°¢ng t¿i T 83

B Áng 3.14 Sự tiêu mào x°¢ng quanh implant giāa hai nhóm t¿i thái iám T12 so vßi T0

83

B Áng 3.15 Tiêu mào x°¢ng quanh implant theo phân lo¿i mô mßm Linkevicius (2009) 84

B Áng 3.16 Tiêu mào x°¢ng quanh implant giāa hai nhóm t¿i thái iám T12 so vßi T0 85 B Áng 3.17 Tiêu mào x°¢ng quanh implant giāa hai nhóm chißu cao niêm m¿c sāng hoá t¿i các thái iám so vßi T0 86

B Áng 3.18 Sß l°ÿng vi khuẩn giāa 2 nhóm t¿i các thái iám T6, T12 88

B Áng 4.1 So sánh chỉ sß PI giāa các nghiên cÿu 102

B Áng 4.2 So sánh chỉ sß GI giāa các nghiên cÿu 104

B Áng 4.3 So sánh chỉ sß PD (mm) giāa các nghiên cÿu 107

B Áng 4.4 So sánh chỉ sß BOP giāa các nghiên cÿu 109

B Áng 4.5 So sánh chißu cao niêm m¿c sāng hoá (mm) giāa các nghiên cÿu 111

B Áng 4.6 Các nghiên cÿu có kÁt quÁ t°¢ng áng 113

B Áng 4.7 Các nghiên cÿu có kÁt quÁ khác nghiên cÿu chúng tôi 114

B Áng 4.8 So sánh tiêu mào x°¢ng quanh implant giāa nhóm mô mỏng và mô dày 122

DANH M ĂC HÌNH

Hình 1.1 Thi ết kế implant 3

Hình 1.2 Thi ết kế implant 2 khối 4

Hình 1.3 K ết nối implant - trụ phục hình A) Kết nối trong, B) Kết nối ngoài 5

Hình 1.4 (a) Thi ết kế chuyển tiếp phẳng (b) Thiết kế chuyển tiếp chuyển bệ 6

Hình 1.5 (a) Vi k ẽ được đặt ngang xương (b) Vi chuyển động và nhiễm khuẩn sẽ tạo ra s ự xâm nhập của viêm nhiễm, dẫn đến tiêu mào xương 7

Hình 1.6 <Hiệu ứng bơm= đẩy vi khuẩn ra ngoài gây ra tiêu mào xương quanh implant 9

Hình 1.7 Mô m ềm quanh implant 10

Hình 1.8 Kho ảng sinh học quanh implant gồm hai lớp chính: Bám dính biểu mô và ph ần hàng rào mô liên kết bên dưới 11

Hình 1.9 Đo độ dày mô mềm theo chiều dọc 13

Hình 1.10 Đo độ dày mô mềm (a) Đo độ dày mô mềm theo chiều dọc (b) Đánh giá d ạng sinh học mô nướu (c) Đo độ dày mô mềm theo chiều ngang (d) Mô nướu dính hay mô s ừng hoá (mũi tên) 14

Hình 1.11 S ử dụng giấy thấm để thu thập dịch quanh implant 20

Hình 1.12 Phương pháp lấy mẫu mảng bám quanh implant 21

Hình 1.13 Độ dày mô mềm theo chiều dọc (a) mô mỏng; (b) Mô dày 34

Hình 2.1 Mất răng 36 và răng 46 ßi xÿng trên cung hàm 39

Hình 2.2 Bá mũi khoan ặt implant Nobel Biocare 43

Hình 2.3 ThiÁt kÁ implant (a) Implant NobelReplace Tapered; (b) Implant NobelReplace Conical Connection 44

Hình 2.4 KÁt nßi implant - trā phāc hình (a) NobelReplace Tapered d¿ng tam giác; (b) NobelReplace Conical Connection d¿ng lāc giác 44

Hình 2.5 Há thßng tách chiÁt Nucleic acid KingFisher Flex 45

Hình 2.6 ThiÁt bị real - time PCR CFX96 TOUCH Detection System (Biorad, Mỹ) 45

Hình 2.7 Đo mÁt á x°¢ng bằng phần mßm Simplant 47

Hình 2.8 Đo á dày mô mßm theo chißu dọc: a) Hình Ánh tr°ßc ph¿u thuÁt; b) Đo á dày sau khi lÁt v¿t mặt ngoài 48

Hình 2.9 a) Cây o khe quanh implant; (b và c) Đo khe quanh implant và ghi nhÁn tình tr¿ng chÁy máu khi thăm khám implant 49

Hình 2.10 (a) Đo chißu cao mô sāng hoá R36 (4 mm); (b) Chißu cao mô sāng hoá R46 (4 mm) trên cùng mát bánh nhân (Nguán: Nghiên cÿu này) 50

Hình 2.11 Giao dián phần mßm Digora và á phân giÁi á hiáu chỉnh kích th°ßc 51

Hình 2.12 Cách o mÿc mào x°¢ng quanh implant 51

Hình 2.13 (a và b) lấy m¿u vi sinh bằng côn giấy; (c) m¿u bánh phẩm 52

Hình 2.14 Há chuẩn và cách quy ổi ịnh l°ÿng vi khuẩn (DU/ml) 56

Hình 2.15 Đánh giá sß l°ÿng vi khuẩn F nucleatum (Cy5-màu tím) 56

Hình 2.16 Đánh giá sß l°ÿng vi khuẩn S.salivarius (Cy5-màu tím) và S moorei (Hex-màu xanh lá) 57

Hình 2.17 ThiÁt kÁ vị trí, chißu dài và °áng kính implant bằng phần mßm Simplant 58

Hình 2.18 (a,b,c) ThiÁt kÁ máng ph¿u thuÁt bằng phần mßm 3 Shape 59

Hình 2.19 a) Chāp hình trong miáng tr°ßc ph¿u thuÁt; (b và c) M¿u hàm nghiên cÿu 59

Hình 2.20 (a) Tr°ßc ph¿u thuÁt; (b) Thÿ máng h°ßng d¿n ph¿u thuÁt 60

Hình 2.21 Ph¿u thuÁt ặt implant chuyán tiÁp phẳng 61

Hình 2.22 Ph¿u thuÁt ặt implant chuyán tiÁp chuyán bá 62

Hình 2.23 Hình Ánh X quang kỹ thuÁt sß ngay sau ph¿u thuÁt 62

Hình 2.24 Bá dāng cā giā phim làm sẵn và khóa cÃn cá nhân 63

Hình 2.25 Quy trình lấy dấu phāc hình 64

Hình 2.26 Ch āp phim sau gÃn phāc hình và l°u trā 65

DANH M ĂC S¡ Đâ, BIÄU Đâ

S¢ đã 2.1 Tóm tÃt quy trình nghiên cÿu 68 BiÅu đã 3.1 Phân lo¿i mÁt á x°¢ng giāa 2 nhóm&&&&&&&&&&&&&&71

Bi Åu đã 3.2 Phân lo¿i á dày mô giāa 2 nhóm 73

Bi Åu đã 3.3 Tần suất xuất hián các vi khuẩn giāa 2 nhóm t¿i 2 thái iám 91

Đ¾T VÂN ĐÂ

Mÿc á tiêu mào x°¢ng xung quanh implant là mát trong các tiêu chí ánh giá sự thành công hay thất b¿i của implant nha khoa sau khi gÃn phāc hình1 Theo Albrektsson (1986) tiêu chuẩn thành công của implant nha khoa bao gám implant không di áng trên lâm sàng, không có hình Ánh thấu quang quanh implant trên phim X quang, không có các triáu chÿng au, nhißm khuẩn, tổn th°¢ng thần kinh, rßi lo¿n cÁm giác, tiêu mào x°¢ng theo chißu dọc ít h¢n 1,5 mm trong năm ầu tiên và tiêu ít h¢n 0,2 mm trong nhāng năm tiÁp theo1

Các nghiên cÿu cho thấy có nhißu yÁu tß Ánh h°ãng Án sự tiêu mào x°¢ng quanh implant trong năm ầu tiên sau tÁi lực nh°: tình tr¿ng sÿc khoẻ bánh nhân, giÁi ph¿u vùng mất răng (ặc iám mô mßm, mô x°¢ng), thiÁt kÁ implant, liên quan Án ph¿u thuÁt, phāc hình2,3.Trong các yÁu tß này, kÁt nßi giāa implant vßi trā phāc hình °ÿc xem là yÁu tß nguy c¢ chính Ánh h°ãng Án sự thay ổi mào x°¢ng quanh implant3,4.Hián nay có hai d¿ng kÁt nßi giāa implant vßi trā phāc hình ThiÁt kÁ thÿ nhất là implant chuyán tiÁp phẳng có °áng kính của trā phāc hình bằng vßi °áng kính bá implant ThiÁt kÁ thÿ hai là implant chuyán tiÁp chuyán bá có °áng kính trā phāc hình nhỏ h¢n so vßi °áng kính bá implant, giúp làm tăng khoÁng sinh học theo chißu ngang

và di chuyán vi k¿ ra xa phần tiÁp xúc x°¢ng theo chißu ÿng Vßi °u iám của thiÁt kÁ này, các nghiên cÿu lâm sàng cho thấy implant chuyán tiÁp chuyán bá có áp ÿng vßi

mô x°¢ng và mô mßm tßt h¢n so vßi implant chuyán tiÁp phẳng5,6,7,8 Tuy nhiên, nhißu nghiên cÿu khác l¿i cho thấy không có sự khác biát giāa hai lo¿i thiÁt kÁ 9,10,11 Ngoài ra,

mô mßm cũng là mát trong nhāng yÁu tß Ánh h°ãng Án sự tiêu mào x°¢ng quanh implant hián nay v¿n ch°a °ÿc nghiên cÿu nhißu và kÁt quÁ còn gây tranh cãi12,13,14 T¿i Viát Nam, cấy ghép implant nha khoa ã và ang °ÿc áp dāng ráng rãi trong

ißu trị phāc hái mất răng bán phần hay toàn bá Tuy nhiên, các nghiên cÿu vß implant v¿n còn h¿n chÁ và cho Án nay ch°a có nghiên cÿu thÿ nghiám lâm sàng nào ánh giá

Ánh h°ãng của thiÁt kÁ implant - trā phāc hình lên sự thay sinh học mô quanh implant trong ó ánh giá vai trò của chißu cao niêm m¿c sāng hoá và á dày mô mßm theo chißu dọc, ặc biát là yÁu tß vi sinh gây ra sự thay ổi sinh học quanh mô implant ã ng°ái

Viát Chính vì vÁy, á làm rõ h¢n vß vấn ß này, chúng tôi thực hián ß tài: <Đánh giá ảnh hưởng của thiết kế implant - trụ phục hình lên sự thay đổi sinh học mô quanh implant nha khoa = vßi các māc tiêu sau:

1 Đánh giá các chỉ sß nha chu (PI, GI, PD, BOP), tình tr¿ng mô mßm t¿i các thái

iám sau 3, 6, 12 tháng gÃn phāc hình ã mßi nhóm và giāa hai nhóm implant chuyán tiÁp phẳng và nhóm implant chuyán tiÁp chuyán bá ã bánh nhân mất răng cßi hàm d°ßi

2 Đánh giá sự tiêu mào x°¢ng quanh implant trên phim X quang quanh chóp t¿i các thái iám ngay sau gÃn phāc hình và sau 3, 6, 12 tháng ã mßi nhóm và giāa hai nhóm chuyán tiÁp phẳng và nhóm chuyán tiÁp chuyán bá và mát sß yÁu tß Ánh h°ãng

3 Đánh giá sß l°ÿng và tần suất của vi khuẩn Aggregatibacter actinomycetemcomitans, Treponema denticola, Fusobaterium nucleatum, Tannerella forsythia, Porphyromonas gingivalis, Streptococcus salivarius, Solobacterium moorei

trong mÁng bám quanh implant t¿i các thái iám 6, 12 tháng sau gÃn phāc hình giāa nhóm chuyán tiÁp phẳng và nhóm chuyán tiÁp chuyán bá

CH¯¡NG 1: TäNG QUAN TÀI LIÞU

1.1 Thi Át kÁ implant nha khoa

ThuÁt ngā <ThiÁt kÁ implant= dùng á chỉ vß cấu trúc ¿i thá và vi thá của há

thßng implant nh° hình d¿ng, kiáu kÁt nßi giāa implant và trā phāc hình, kiáu ren xoÃn

và bß mặt implant

1.1.1 Thi Át kÁ đ¿i thÅ cąa implant nha khoa

Hián nay, implant phổ biÁn trong nha khoa là implant trong x°¢ng d¿ng chân răng Implant trong x°¢ng d¿ng chân răng có hai lo¿i: mát khßi và implant hai khßi, trong ó implant hai khßi th°áng °ÿc sÿ dāng ráng rãi h¢n so vßi implant mát khßi (Hình 1.1)

Hình 1.1 Thi ết kế implant (Nguồn: Lê Đÿc Lánh 2014)15

Implant mát khßi có phần trā phāc hình gÃn lißn vßi implant và chỉ áp dāng quy trình cho mát lần ph¿u thuÁt có hay không có lÁt v¿t Implant mát giai o¿n °ÿc

bác lá ra khoang miáng ngay sau khi ặt implant

Implant hai khßi gám có hai phần: phần thân implant ặt trong x°¢ng và phần mang phāc hình (trā phāc hình) °ÿc nßi tā thân implant qua niêm m¿c á nâng ỡ và/hoặc giā phāc hình Implant hai khßi °ÿc che phủ bãi mô mßm ngay sau khi cấy ghép và cần phÁi thực hián ph¿u thuÁt thÿ hai á bác lá implant sau 4 Án 6 tháng15

Vßi thiÁt kÁ implant hai khßi, phần chuyán tiÁp giāa bá implant và trā phāc hình

có hai hình thÿc (Hình 1.2):

- Chuyán tiÁp phẳng (CTP) là khi °áng kính của trā phāc hình °ÿc kÁt nßi

vào implant có °áng kính bằng vßi °áng kính của bá implant

- Chuyán tiÁp chuyán bá (CTCB) là khi °áng kính của trā phāc hình °ÿc kÁt

nßi vào implant có °áng kính nhỏ h¢n so vßi °áng kính của bá implant

Hình 1.2 Thi ết kế implant 2 khối (Ngu ồn: Nobel Biocare Procedures Manual 2014)

Có hai hình d¿ng kÁt nßi trā phāc hình vào implant là kÁt nßi ngoài và kÁt nßi trong (Hình 1.3) Trong kÁt nßi ngoài, phần gÃn kÁt s¿ lái lên trên phần bá implant Tr°ßc ây, kÁt nßi ngoài là lo¿i kÁt nßi °ÿc sÿ dāng ráng rãi nhất Ngoài °u iám của thiÁt kÁ này là giúp implant vặn vào úng vị trí khi khoan x°¢ng, nó còn có c¢

chÁ chßng xoay, giúp trā phāc hình có thá ặt vào và lấy ra dß dàng, áng thái thích hÿp vßi nhißu há thßng implant khác16

Tuy nhiên, kÁt nßi lāc giác ngoài cũng có mát sß nh°ÿc iám nh° chißu cao của

phần lāc giác ngoài chỉ có 0,7 mm, °ÿc cho là quá thấp không ủ á kháng l¿i lực xoay và lực sang bên tác áng lên trā phāc hình16 KÁt quÁ có thá t¿o ra sự không khít sát khi trā phāc hình °ÿc vặn chặt vào implant vßi lực torque >30 Ncm và nÁu lực torque <30 Ncm s¿ t¿o ra vi dịch chuyán, k¿ hã ã vùng bá mép và lỏng vít Khi giao

dián giāa x°¢ng và implant bị bác lá, nguy c¢ tích tā vi khuẩn ã các vi k¿, sự không

ổn ịnh vß kÁt nßi có thá d¿n Án tiêu mào x°¢ng

Hình 1.3 K ết nối implant - trụ phục hình A) Kết nối trong, B) Kết nối ngoài

(Ngu ồn: Palacios-Garzón 2020)17

Đá khÃc phāc vấn ß trên, ng°ái ta thiÁt kÁ ra kÁt nßi nằm bên trong và lõm xußng

tā bá implant Có nhißu kiáu kÁt nßi trong nh° hình lāc giác, hình nón, bát giác, ba múi, rãnh trong hoặc kÁt hÿp So vßi kÁt nßi ngoài, kÁt nßi trong °ÿc cho là giúp tăng c°áng liên kÁt vßi trā phāc hình nhá tăng á ổn ịnh, khÁ năng ß kháng lực sang bên và phân phßi lực tßt h¢n Tuy nhiên, nhißu nghiên cÿu cho thấy cÁ 2 há thßng kÁt nßi trong và ngoài ßu có sự t°¢ng áng vß kiáu phân phßi lực theo chißu ÿng,vi k¿ và sự không khít sát hoàn toàn theo chißu ngang18

1.1.2 Implant chuy Ån tiÁp chuyÅn bß

Hián nay thiÁt kÁ implant CTCB °ÿc sÿ dāng phổ biÁn trên lâm sàng C¢ chÁ implant CTCB cho phép vi khuẩn di chuyán ra xa mô x°¢ng theo chißu ngang, h°ßng

vß phía implant (Hình 1.4) Tác dāng của nó t°¢ng tự nh° ß xuất viác ặt implant CTP trên mào x°¢ng khoÁng 1mm nhằm cô lÁp vi k¿ nh°ng trong tr°áng hÿp này thì vi k¿ ã

°ÿc cô lÁp theo chißu ngang

Khái niám implant CTCB liên quan Án mát trā phāc hình có °áng kính nhỏ h¢n so vßi °áng kính bá implant Cấu hình này t¿o nên mát vòng khÃc bao quanh implant, làm tăng khoÁng sinh học theo chißu ngang C¢ chÁ ho¿t áng của implant

CTCB là chuyán vị trí vi k¿ của kÁt nßi implant - trā phāc hình ra xa phần tiÁp xúc ÿng

giāa x°¢ng và implant So vßi quy trình phāc hái thông th°áng sÿ dāng thiÁt kÁ implant CTP, implant CTCB °ÿc cho là s¿ h¿n chÁ viác tiêu mào x°¢ng quanh implant và á

¿t hiáu quÁ thì á ráng của kÁt nßi implant - trā phāc hình ít nhất là 0,4 mm19,20

Hình 1.4 (a) Thi ết kế chuyển tiếp phẳng (b) Thiết kế chuyển tiếp chuyển bệ (c) Độ rộng của kết nối implant - trụ phục hình implant CTCB; để có hiệu quả đòi hỏi

ít nh ất là 0,4 mm

(Ngu ồn: Linkevicius 2019) 21

Nhißu nghiên cÿu lâm sàng ã báo cáo vß tác áng tích cực của c¢ chÁ CTCB lên sự ổn ịnh mào x°¢ng quanh implant Canullo và cáng sự (c.s) (2010) thực hián mát nghiên cÿu ánh giá sự tiêu mào x°¢ng quanh implant vßi các hình d¿ng kÁt nßi chuyán tiÁp khác nhau KÁt quÁ của nghiên cÿu này cho thấy sự chênh lách giāa bá

và trā phāc hình càng lßn thì sự tiêu mào x°¢ng quanh implant càng ít Đá ¿t hiáu quÁ thì chênh lách °áng kính giāa implant và trā phāc hình ít nhất là 0,4 mm19,20

1.1.3 Thi Át kÁ ph¿n cå implant

Phần cổ của implant bao gám kÁt nßi implant 3 trā phāc hình °ÿc xem là thành phần quan trọng của implant, giúp l°u giā phāc hình và t¿o vùng chuyán tiÁp truyßn tÁi

lực lên thân implant KÁt nßi implant - trā phāc hình không chỉ Ánh h°ãng Án implant

vß mặt c¢ học mà còn liên quan Án các áp ÿng sinh học của mô cÿng và mô mßm, n¢i

có sự hián dián của vi k¿ ThiÁt kÁ phần cổ implant th°áng có các d¿ng sau: nhẵn hoặc nhám, có ren hoặc không có ren

Implant cổ nhẵn là mát yÁu tß xác ịnh nguyên nhân của tiêu mào x°¢ng quanh implant sßm Tr°ßc ây, implant cổ nhẵn °ÿc sÁn xuất nhằm tránh viác tiêu mào x°¢ng

do sự tích tā mÁng bám trong tr°áng hÿp implant bị bác lá ra môi tr°áng miáng Tuy nhiên, phần cổ nhẵn này l¿i không thích hÿp ßi vßi sự phân bß lực nhai Nhißu nghiên

cÿu cho thấy tiêu mào x°¢ng xÁy ra tā phần cổ cho Án ren xoÃn ầu tiên của implant22,23

Nhißu nghiên cÿu cho thấy implant cổ nhám, có ren nhỏ ã phần cổ ít bị tiêu mào x°¢ng h¢n so vßi implant có cổ nhẵn Ngoài ra, ßi vßi implant cổ nhẵn, không nên ặt phần cổ nhẵn này d°ßi mào x°¢ng mà nên ặt ã ngang mào x°¢ng vì nÁu ặt sâu h¢n, x°¢ng s¿ tiêu Án °áng vißn giāa bß mặt nhẵn - nhám, bất ká á sâu của vị trí implant

là bao nhiêu24,25

1.1.4 Vi k ¿

Khi ặt mát implant hai khßi, giao dián giāa implant - trā phāc hình luôn tán t¿i

mát vi k¿ Vi k¿ là n¢i trú ngā và phát trián của các vi khuẩn gây viêm nhißm t¿i vùng tiÁp nßi này Nhißu nghiên cÿu ã chÿng minh rằng vi k¿ là mát trong nhāng nguyên nhân chính gây ra sự tiêu mào x°¢ng quanh implant26 Khi vi k¿ xuất hián, d°ßi tác áng

của lực nhai s¿ t¿o ra hiáu ÿng b¢m HÁu quÁ là các nái ác tß s¿ gây nên tình tr¿ng viêm

ã vị trí mô tiÁp xúc vßi implant X°¢ng s¿ phÁn ÿng bằng hián t°ÿng tiêu mào x°¢ng cho Án khi khoÁng sinh học °ÿc thiÁt lÁp (Hình 1.5)

Hình 1.5 (a) Vi k ẽ được đặt ngang xương (b) Vi chuyển động và nhiễm khuẩn sẽ tạo

ra s ự xâm nhập của viêm nhiễm, dẫn đến tiêu mào xương

ồn: Linkevicius và c.s 2019)

Tất cÁ các implant hián ¿i ßu có vi k¿, vì thiÁt kÁ implant hai khßi cho phép bác

sĩ phāc hình có thá chỉnh sÿa phāc hình bên trên do các sai sót trong quá trình ph¿u thuÁt

ặt implant, chẳng h¿n nh° vị trí hoặc góc của implant Do vÁy, kÁt nßi implant - trā phāc hình và vi k¿ là ặc tính cần thiÁt ßi vßi implant hián ¿i

Kích th°ßc của vi k¿ là mát yÁu tß quan trọng trong sự bÁo tán x°¢ng quanh implant Các nghiên cÿu trong phòng thí nghiám ã chÿng minh rằng kích th°ßc của vi k¿ có thá khác nhau giāa các há thßng implant và trā phāc hình Kano và c.s (2007) báo cáo rằng á chênh lách theo chißu ngang của giao dián implant - trā phāc hình có thá thay ổi tā 75 Án 103 μm, tuỳ thuác vào lo¿i trā phāc hình, trong khi chênh lách theo chißu dọc °ÿc ghi nhÁn là nhỏ h¢n, tā 0 Án 11 μm27 Dibart và c.s (2005) phát hián vi

k¿ chỉ có 0,5 μm trong há thßng implant hình nón khoá, °ÿc xem là kÁt nßi “không có

vi khuẩn= vì vi sinh vÁt có °áng kính lßn h¢n 0,5 μm28 Trong các nghiên cÿu in vitro cho thấy sự rò rỉ vi khuẩn t¿i giao dián implant - trā phāc hình gây nhißm khuẩn cho implant29 Do vÁy, vi k¿ có thá °ÿc xem là mát “cánh cổng= mà qua ó vi khuẩn có thá thoát ra ngoài

1.1.5 Vi chuy Ån đßng giča tră phăc hình vái implant

Mát yÁu tß hÁt sÿc quan trọng trong sự kÁt nßi giāa implant - trā phāc hình là

vi chuyán áng t¿o ra giāa hai thành phần này Nghiên cÿu của Hermann và c.s (2001)

kÁt luÁn rằng các vi chuyán áng giāa implant và trā phāc hình óng vai trò quan trọng trong viác gây tiêu mào x°¢ng quanh implant h¢n là kích th°ßc của vi k¿30

Mặc dù implant °ÿc sÁn xuất d°ßi dây chuyßn vô khuẩn, tuy nhiên vßi implant hai khßi không thá tránh khỏi viác nhißm khuẩn nái sinh Sự nhißm khuẩn này có thá xÁy ra trong giai o¿n ặt implant do mát l°ÿng nhỏ n°ßc bọt và máu chui vào trong implant và không thá làm s¿ch bằng các ph°¢ng thÿc thông th°áng Ngoài ra, do kÁt

nßi giāa implant và trā phāc hình không khít sát, t¿o ra k¿ hã cho vi khuẩn xâm nhÁp và phát trián D°ßi tác áng của lực nhai lên implant có kÁt nßi trā phāc hình không ổn

ịnh, mát hiáu ÿng b¢m s¿ ẩy vi khuẩn qua vi k¿ Án vùng mô xung quanh implant

HÁu quÁ là các nái ác tß s¿ gây nên tình tr¿ng viêm ã vị trí mô tiÁp xúc vßi implant (Hình 1.6)

Hình 1.6 <Hiệu ứng bơm= đẩy vi khuẩn ra ngoài gây ra tiêu mào xương quanh

implant (Ngu ồn: Linkevicius và c.s 2019) 21

Nguy c¢ viêm nhißm s¿ giÁm i nÁu không có k¿ hã vi thá và s¿ °ÿc lo¿i trā hoàn toàn nÁu há thßng implant không t¿o nên vi chuyán áng Vì nhāng lý do nói trên, trong các tr°áng hÿp lâm sàng khi thá tích x°¢ng không ủ hoặc mô n°ßu quá mỏng, cần lựa chọn há thßng implant có kÁt nßi implant - trā phāc hình thÁt khít sát KÁt nßi implant - trā phāc hình càng ít di chuyán thì vi khuẩn càng ít thoát ra ngoài implant và càng ít có phÁn ÿng viêm nhißm, x°¢ng quanh implant s¿ ít bị tiêu mào x°¢ng h¢n

1.1.6 V ã trí cąa vi k¿

Đá giÁm bßt Ánh h°ãng của vi kẻ lên sự tiêu mào x°¢ng quanh implant, tuỳ theo thiÁt kÁ implant, nhißu tác giÁ ß nghị ặt vi kẻ implant ã trên, ngang hoặc d°ßi mào x°¢ng tā 1- 2 mm, tuy nhiên kÁt quÁ nghiên cÿu v¿n còn là ß tài gây tranh cãi.29,31,32

1.2 Mô quanh implant

Mô quanh implant bao gám mô mßm và mô x°¢ng, trong ó mô mßm quanh implant có cấu t¿o và chÿc năng t°¢ng tự nh° mô nha chu Đá hiáu rõ tác áng của thiÁt

kÁ implant 3 trā phāc hình lên sự tiêu mào x°¢ng cần có cái nhìn tổng quát vß vai trò của mô mßm quanh và khoÁng sinh học quanh implant

1.2.1 Mô mÃm quanh implant

Mô mßm quanh implant °ÿc hình thành trong quá trình lành th°¢ng sau khi ặt implant Lành th°¢ng niêm m¿c d¿n Án sự hình thành bám dính mô mßm vào implant Bám dính này óng vai trò nh° mát nút chặn ngăn sự xâm nhÁp của vi khuẩn và các sÁn phẩm trong khoang miáng vào mô x°¢ng bên d°ßi, do ó t¿o thuÁn lÿi cho tích hÿp x°¢ng

Hình 1.7 Mô mßm quanh implant

bÁo vá chßng l¿i các tác nhân ngo¿i lai kém15

1.2.2 Kho Áng sinh håc quanh implant

Albrektsson và c.s (1986) cho rằng ph¿u thuÁt ặt implant 2 khßi theo quy trình hai giai o¿n, không tÁi, sau mát năm chịu lực °a Án mÿc mào x°¢ng tā 1,5 Án 2

mm vß phía chóp so vßi tiÁp nßi implant - trā phāc hình1.Phần kích th°ßc mô này °ÿc

ịnh nghĩa là khoÁng sinh học quanh implant Mát sß nghiên cÿu trên ng°ái và áng vÁt

ã khÁo sát và mô tÁ cấu t¿o giÁi ph¿u của khoÁng sinh học Listgatent và c.s (1991) cho rằng khoÁng sinh học quanh implant bao gám 3 vùng riêng biát gám: biáu mô khe quanh implant, biáu mô kÁt nßi và mô liên kÁt (Hình 1.8)34 Moon và c.s (1999) nghiên cÿu khoÁng sinh học quanh implant ã trên chó và là ng°ái ầu tiên liát kê các sß o chính xác của mô quanh implant gám: bám dính biáu mô (biáu mô khe quanh implant và biáu

mô kÁt nßi) là 2,14 mm và mô liên kÁt là 1,66 mm Cùng vßi nhau chúng t¿o nên khoÁng sinh học có á dày là 3,8 mm35

Gißng nh° răng tự nhiên, biáu mô khe quanh implant có cấu trúc không sāng hoá

gißng biáu mô lót miáng Nó kéo dài tā ỉnh của niêm m¿c quanh implant Án iám cao

nhất của biáu mô kÁt nßi vß phía thân răng34 Biáu mô khe quanh implant có thá °ÿc xem là hàng rào ầu tiên chßng l¿i sự xâm nhÁp của vi khuẩn vào mô sâu h¢n

Hình 1.8 Kho ảng sinh học quanh implant gồm hai lớp chính: Bám dính biểu mô và

ph ần hàng rào mô liên kết bên dưới (Ngu ồn: Listgarten và c.s 1991)34

Biáu mô kÁt nßi °ÿc bám dính trực tiÁp vào bß mặt trā phāc hình titan bằng thá

nßi bán liên kÁt, bÃt ầu ã áy của biáu mô khe quanh implant và kÁt thúc ã n¢i xuất

hián các sÿi ầu tiên của mô liên kÁt Biáu mô kÁt nßi bám vào bß mặt implant hoặc trā

phāc hình th°áng mỏng (á dày trung bình khoÁng 0,04 mm) và chỉ có mát vài hàng tÁ bào (tầng áy và tầng h¿t) ã ầu tÁn phần chóp Mô liên kÁt nằm ngay bên c¿nh biáu mô kÁt nßi có há thßng m¿ch máu nuôi d°ỡng Bám dính của biáu mô kÁt nßi vào implant

hoặc trā phāc hình có chÿc năng bÁo vá, hấp thu lực và ngăn không cho vi khuẩn trong khoang miáng xâm nhÁp vào mô x°¢ng bên d°ßi, do ó t¿o thuÁn lÿi cho tích hÿp x°¢ng cũng nh° bÁo vá x°¢ng xung quanh implant ã tích hÿp x°¢ng

Vùng mô liên kÁt nằm giāa phần chóp tÁn cùng của biáu mô kÁt nßi và x°¢ng ổ răng là phần bao bọc implant, ngăn chặn vi khuẩn xâm nhÁp Khác vßi răng, trên bß mặt implant không có xê măng, các sÿi mô liên kÁt của thành phần mô mßm d°ßi mào x°¢ng

ch¿y song song vßi bß mặt implant, không t¿o ra kÁt nßi hiáu quÁ vßi implant Do bám dính mô liên kÁt có tác dāng nâng ỡ biáu mô và ngăn không cho biáu mô di chuyán vß phía chóp, cho nên thiÁu bám dính mô liên kÁt quanh implant s¿ t¿o nên mát vùng yÁu trong c¢ chÁ bÁo vá quanh implant Làm rách giao dián mô liên kÁt - implant có thá gây

ra sự di chuyán của biáu mô kÁt nßi vß phía chóp do mô mßm không °ÿc cß ịnh Theo quan iám lâm sàng, ißu này có thá gây tāt mô mßm hay t¿o túi và tiêu mào x°¢ng quanh implant36

YÁu tß Ánh h°ãng Án sự hình thành khoÁng sinh học bao gám: Đá dày mô mßm theo chißu dọc37, chênh lách °áng kính giāa implant - trā phāc hình, vi khuẩn thâm nhißm vùng vi k¿38, vị trí vi k¿ so vßi mào x°¢ng39

1.2.3 Đß dày cąa mô mÃm theo chiÃu dåc

Trong nhißu năm, khi nói vß á dày mô mßm ng°ái ta th°áng chỉ quan tâm Án

á dày của mô mßm theo chißu ngang Đißu này cũng dß hiáu vì °áng vißn bên ngoài

là yÁu tß quan trọng Ánh h°ãng Án tính thẩm mỹ của phāc hình implant vßi mong mußn sao cho nó gißng nh° mát răng thÁt Gần ầy, Linkevicius và c.s (2009) ã thực hián nhißu nghiên cÿu chÿng minh Ánh h°ãng á dày của mô mßm theo chißu dọc lên sự ổn

ịnh của mào x°¢ng quanh implant31,37 Đá dày mô mßm theo chißu dọc cũng có thá

°ÿc gọi là <Độ dày mào mô mềm= hay <Độ dày mô mềm phía trên sống hàm= (Hình

1.9) Đá o á dày của mô mßm, r¿ch mát °áng r¿ch ngang trên ỉnh sßng hàm sau ó bóc tách v¿t mặt ngoài mà không cần bóc tách v¿t phía l°ỡi Sÿ dāng cây ó túi nha chu

ặt vào chính giāa iám dự ịnh ặt implant á Ám bÁo o trực tiÁp á dày của niêm

Linkevicius và c.s (2010) thực hián nghiên cÿu lâm sàng nhằm ánh giá Ánh h°ãng của á dày mô mßm mỏng (< 2 mm) lên sự ổn ịnh của mào x°¢ng quanh implant CTCB sau mát năm chịu lực KÁt quÁ nghiên cÿu cho thấy implant ã nhóm CTCB tiêu mào x°¢ng quanh implant trung bình là 1,81 ± 0,39 mm nhißu h¢n so vßi implant nhóm CTP là 1,76 ± 0,45 mm Tác giÁ kÁt luÁn rằng implant CTCB không bÁo tán x°¢ng tßt h¢n so vßi implant CTP nÁu ặt trong vùng có á dày mô theo chißu dọc mỏng40

Hình 1.10 Đo độ dày mô mềm (a) Đo độ dày mô mềm theo chiều dọc (b) Đánh giá

d ạng sinh học mô nướu (c) Đo độ dày mô mềm theo chiều ngang (d) Mô nướu dính

hay mô s ừng hoá (mũi tên)

(Ngu ồn: Linkevicius 2009)37

1.2.4 Chi Ãu cao niÃm m¿c sĉng hoá quanh implant

Chißu cao niêm m¿c sāng hoá °ÿc o tā chính giāa bá vißn mô mßm mặt ngoài cho Án tiÁp nßi n°ßu- niêm m¿c di áng là yÁu tß sinh học rất quan trọng trong viác duy trì sự ổn ịnh mào x°¢ng quanh implant Khi implant °ÿc ặt và phāc hái, mô

mßm s¿ bám vào phāc hình, bÁo vá implant ã tích hÿp x°¢ng bằng cách ngăn chặn vi khuẩn, mÁng bám xâm nhÁp vào khe quanh implant Khác vßi răng, implant không có

sự hián dián của dây chằng nha chu, xê măng và h°ßng của bó sÿi mô liên kÁt cũng khác nhau, không xÁy ra sự bám dính trực tiÁp của mô liên kÁt vào bß mặt implant cho nên

ặc tính c¢ học của sự bám dính này là thấp Do vÁy, á Ám bÁo mát implant lành m¿nh nhißu bác sĩ lâm sàng ß nghị niêm m¿c sāng hoá quanh implant ít nhất là 2 mm41,42

Adibrad và c.s (2009) hái cÿu 66 implant nâng ỡ hàm phủ Trong 66 imlant, 36 implant (nhóm A) có chißu cao mô sāng hóa g 2 mm; 30 implant (nhóm B) có chißu cao niêm m¿c sāng hóa < 2 mm KÁt quÁ nghiên cÿu cho thấy nhóm có chißu cao niêm m¿c sāng hóa < 2 mm cho tích tā mÁng bám, viêm niêm m¿c quanh implant, tāt mô mßm,

chÁy máu khi o túi nhißu h¢n so vßi nhóm A, sự khác biát có ý nghĩa thßng kê43

Bouri và c.s (2008) thực hián mát nghiên cÿu cÃt ngang nhằm xác ịnh mßi liên

há tán t¿i giāa chißu cao niêm m¿c sāng hóa và sÿc khỏe của mô nâng ỡ implant KÁt

quÁ nghiên cÿu cho thấy implant có chißu cao niêm m¿c sāng hóa < 2 mm có mÁng bám

và dấu hiáu viêm nhißm cao h¢n rõ rát h¢n so vßi implant vßi chißu cao mô sāng hóa g

2 mm41 Nghiên cÿu này ủng há quan iám cho rằng chißu cao niêm m¿c sāng hoá < 2

mm khÁ năng chịu lực tác áng ã t¿i giao dián implant-niêm m¿c kém và do vÁy, khi viêm nhißm xÁy ra, sự phát trián của viêm vß phía chóp ã implant có niêm m¿c sāng hóa < 2 mm xÁy ra nhanh h¢n so vßi implant có chißu cao mô sāng hóa g 2 mm nhá vào sự óng kín của biáu mô Ngoài ra, chißu cao niêm m¿c sāng hóa g 2 mm có thá ß kháng l¿i lực nhai và lực ma sát xÁy ra trong quá trình vá sinh răng miáng Vì vÁy, thiÁu niêm m¿c sāng hóa có thá t¿o ra môi tr°áng không thuÁn lÿi cho viác vá sinh làm s¿ch

và nh¿y cÁm h¢n vßi kích thích trong sinh ho¿t hằng ngày1 Tuy nhiên, nghiên cÿu của Wennström và Derks (2012) ã không tìm thấy mßi liên há nào giāa viác thiÁu niêm m¿c sāng hoá quanh implant vßi sự tăng tiêu mào x°¢ng hay giÁm tỉ lá thành công của implant44 Do ó, ng°ái ta ß nghị cần nhißu nghiên cÿu h¢n nāa á làm rõ vấn ß này

1.3 B ßnh lý quanh implant

Bánh lý quanh implant bao gám viêm niêm m¿c quanh implant và viêm quanh implant °ÿc ịnh nghĩa và ß cÁp ầu tiên t¿i hái thÁo Nha chu Châu Âu lần thÿ nhất năm 1993 ã Ittigen45 Theo ó, viêm niêm m¿c quanh implant là <quá trình viêm có thá hái phāc của mô mßm quanh implant= và viêm quanh implant °ÿc ịnh nghĩa là <phÁn ÿng viêm d¿n Án tiêu mào x°¢ng nâng ỡ= Sau ó, nhißu hái thÁo ã °a ra các ịnh nghĩa cũng nh° các dấu hiáu chẩn oán khác nhau T¿i hái thÁo thÁ gißi 2017, Hiáp hái Nha chu Hoa Kỳ và Liên oàn Nha chu châu Âu ã °a ra ịnh nghĩa vß viêm niêm m¿c quanh implant và viêm quanh implant Theo ó sự tích tā màng sinh học làm gián o¿n nái cân bằng ký chủ - vi sinh vÁt ã giao dián implant và niêm m¿c, gây ra sang th°¢ng viêm Tỉ lá viêm niêm m¿c quanh implant và viêm quanh implant xÁy ra vßi tỉ lá lần l°ÿt là 43% và 22%46

1.3.1 Viêm niêm m¿c quanh implant

Chẩn oán viêm niêm m¿c quanh implant dựa vào các dấu hiáu viêm trên lâm sàng Ngoài ra, nên ánh giá phim X quang á lo¿i trā sự tiêu mào x°¢ng quanh implant Theo Renvert và c.s (2018)47, á chẩn oán viêm niêm m¿c quanh implant cần thoÁ nhāng ißu kián sau: (1) Có dấu hiáu viêm nh° ỏ (thay vì háng), mô s°ng, mßm; (2)

Có chÁy máu và/hoặc mủ khi thăm dò; (3) Tăng á sâu thăm dò so vßi giá trị chuẩn; (4) Không tiêu mào x°¢ng quá mÿc mào x°¢ng quanh implant

1.3.2 Viêm quanh implant

Đá chẩn oán viêm quanh implant, hầu hÁt các tác giÁ ßu cho rằng cần có chÁy máu khi thăm khám và tiêu mào x°¢ng Mát sß nghiên cÿu cho rằng, sau lành th°¢ng ban ầu, sự mất x°¢ng thêm 0,5 mm Án 5 mm trên phim X quang là mát tiêu chuẩn cần thiÁt cho chẩn oán viêm quanh implant Theo Renvert và c.s (2018)47 chẩn oán viêm quanh implant cần thỏa nhāng ißu kián sau ây: (1) Khám lâm sàng thấy có sự hián

dián viêm ã mô mßm quanh implant kÁt hÿp vßi chÁy máu khi thăm khám và/hoặc mủ; (2) Tăng á sâu thăm dò so vßi giá trị o °ÿc lúc gÃn phāc hình trên implant; (3) Mất x°¢ng tiÁn trián so vßi mÿc x°¢ng trên phim X quang ã thái iám mát năm sau khi gÃn

phāc hình trên implant; tr°áng hÿp không có á sâu thăm dò và phim ban ầu, mÿc tiêu mào x°¢ng trên phim X quang g 3 mm và/hoặc á sâu thăm dòg 6 mm kÁt hÿp vßi chÁy máu thì có thá chẩn oán là viêm quanh implant

1.4 Đ¿c điÅm vi khuÁn quanh implant

1.4.1 Đ¿c điÅm vi khuÁn quanh implant lành m¿nh

Các nghiên cÿu gần ây xác ịnh khoang miáng chÿa khoÁng 700 loài vi khuẩn

Mßi quan há nguyên nhân-há quÁ giāa mÁng bám vi khuẩn và sự phát trián viêm niêm m¿c quanh implant trong miáng ã °ÿc công nhÁn48

Há vi khuẩn của implant vāa mßi °ÿc ặt cho thấy có sự tr°ãng thành theo trình

tự nh° nhāng gì quan sát °ÿc ã sự hình thành và phát trián mÁng bám trên răng tự nhiên hay răng °ÿc bọc mão t¿m sau khi chÁi răng, tuy nhiên chÁm h¢n Sß l°ÿng các

vi khuẩn trên implant xuất hián ít h¢n so vßi trên răng và thay ổi theo thái gian Các vi

khuẩn <phÿc hÿp cam= (P.intermediantermedia, P.micros, F nucleatum, C rectus) hián

dián vßi tỉ lá cao nhất quanh implant lành m¿nh Các vi khuẩn trong <phÿc hÿp ỏ= xuất

hián vßi sß l°ÿng ít h¢n trong implant lành m¿nh Trong khi ó vi khuẩn

A.actinomycetemcomitans hián dián vßi tỉ lá thấp Há vi khuẩn quanh implant lành m¿nh

a d¿ng h¢n so vßi há vi khuẩn quanh răng tự nhiên49-51

1.4.2 Đ¿c điÅm cąa vi khuÁn trong các bßnh lý implant

Viác xác ịnh ặc iám của vi khuẩn gây nhißm khuẩn trong miáng có ý nghĩa quan trọng trong viác em l¿i ißu trị thành công Các vi khuẩn <phÿc hÿp ỏ= (P.gingivalis, T.forsythensis và T.denticola), <phÿc hÿp cam= (P.intermedia, P.micros,

F nucleatum) và A.actinomycetemcomitans tā lâu °ÿc xem là nguyên nhân chính gây

viêm nha chu Khi ánh giá sự hián dián của các vi khuẩn này trong các tình tr¿ng nha chu khác nhau, các nghiên cÿu tr°ßc ây ã chÿng minh rằng các vi khuẩn P.intermedia,

P.gingivalis, T forsythia, T.denticola, A.actinomycetemcomitans xuất hián vßi tần suất cao h¢n ã bánh nhân viêm nha chu so vßi viêm n°ßu và ã bánh nhân viêm n°ßu cao h¢n so vßi bánh nhân có n°ßu lành m¿nh50

Mặc dù viêm quanh implant °ÿc xem là bÁn sao của viêm nha chu, viêm niêm

m¿c quanh implant t°¢ng tự nh° viêm n°ßu, tuy nhiên, các nghiên cÿu gần ây cho thấy bánh lý quanh implant d°áng nh° phÿc t¿p h¢n và có sự khác biát h¢n so vßi bánh lý nha chu 52 Sự phÿc t¿p này chủ yÁu do cấu trúc ặc biát của mô quanh implant và implant Mát vài nghiên cÿu chỉ ra rằng viác thiÁu các dây chằng nha chu và xê măng làm cho mô mßm quanh implant nh¿y cÁm h¢n vßi nhißm khuẩn hay chấn th°¢ng Đißu này làm cho tiÁn trình bánh dißn ra nhanh h¢n Ngoài ra, lßp oxit bß mặt của implant

°ÿc xÿ lý á duy trì sự ổn ịnh và t°¢ng hÿp sinh học cũng dß bị Ánh h°ãng bãi viêm nhißm do vi khuẩn yÁm khí gây ra và làm gia tăng sự tiêu mào x°¢ng52

1.4.1.1 Đ¿c điÅm vi khuÁn trong viêm niêm m¿c quanh implant

So vßi implant lành m¿nh, há vi khuẩn trong viêm niêm m¿c quanh implant a

d¿ng h¢n.50 Sự tiÁn trián của viêm niêm m¿c quanh implant liên quan Án sự rßi lo¿n há

sinh thái của vi sinh vÁt, th°áng vßi sự chiÁm °u thÁ của các vi sinh vÁt gây bánh Các

vi khuẩn xuất hián ã giai o¿n sßm th°áng là các dòng Streptococcus và Actinomyces,

sau ó là các dòng vi khuẩn gây bánh nh° P.gingivalis, T.forsythensis và T.denticola P.intermedia tăng rõ rát theo thái gian và là dấu ấn của viêm niêm m¿c quanh implant Khi so sánh tần suất xuất hián của há vi khuẩn trong viêm niêm m¿c quanh implant so vßi viêm n°ßu cho thấy vi khuẩn C rectus và T forsythia có tần suất thấp h¢n so vßi viêm n°ßu50 Trong nghiên cÿu của Ghensi và c.s (2020), ngoài sự gia tăng sß l°ÿng vi khuẩn T.denticola trong viêm niêm m¿c quanh implant còn có vi khuẩn F nucleatum,

E brachy, H parainfluenzae, Desulfobulbus spp oral taxon 041, A odontolyticus, T lecithinolyticum, S mutaris, S.gordonii và P loescheii Trong nhāng vi khuẩn này, F nucleatum subsp °ÿc xem là vi khuẩn óng khúm quan trọng nhất trong viêm niêm m¿c quanh implant so vßi implant lành m¿nh (p<0,05) Ng°ÿc l¿i vßi vi khuẩn F

nucleatum subsp, vi khu ẩn Polymorphum có sß l°ÿng lßn ã các implant lành m¿nh

Ngoài ra, nghiên cÿu cho thấy vi khuẩn mßi °ÿc khám phá là F nucleatum cluster 5

hián dián vßi sß l°ÿng lßn trong viêm niêm m¿c quanh implant so vßi implant lành

m¿nh (p<0,05)53 Nghiên cÿu khác cho thấy sự liên quan giāa vi khuẩn Selemonas, P.intermedia, S artemidis, E.corrodens, Ottowia sp HOT894 và N meningitidis vßi viêm niêm m¿c quanh implant54

1.4.1.2 Đ¿c điÅm vi khuÁn trong viêm quanh implant

Viêm quanh implant liên quan Án vi khuẩn gây bánh nha chu và các vi khuẩn khác là mát trong nhāng nguyên nhân chính gây thất b¿i implant Nhißu nghiên cÿu ã

so sánh sự hián dián của vi khuẩn ã nhāng implant bị viêm vßi implant lành m¿nh trên

cùng mát bánh nhân cũng nh° giāa các bánh nhân khác nhau Ram & Link thực hián

nghiên cÿu ầu tiên vß khÁo sát vi khuẩn trên implant bánh lý ã ng°ái bằng kính hián vi

ián tÿ55 KÁt quÁ nghiên cÿu cho thấy, m¿u vi khuẩn lấy ã các vị trí sâu nhất của implant

bị viêm có sß l°ÿng xoÃn khuẩn nhißu h¢n cầu khuẩn, trong khi m¿u vi khuẩn lấy ã

nhāng implant lành m¿nh vßi á sâu thăm dò không v°ÿt quá 5 mm l¿i chÿa chủ yÁu vi khuẩn cầu khuẩn

Các kÁt quÁ phân tích ặc iám vi khuẩn trong khe quanh implant lành m¿nh và implant bị viêm cho thấy ã nhóm viêm quanh implant có tổng sß l°ÿng 16 trên 23 vi

khuẩn gám: T forsythia, T.denticola, F nucleatum, P.intermedia, P micra, C rectus, E.corrodens, C albicans, P.nigrescens, C gracilis, C ochracea, C concisus, Streptococcus spp., A odontolyticus, V parvula, và E faecalis cao h¢n so vßi nhóm implant lành m¿nh KÁt quÁ cũng t°¢ng tự ã m¿u vi khuẩn lấy bên trong kÁt nßi implant

- trā phāc hình ã nhóm implant viêm quanh implant cho thấy tổng sß l°ÿng vi khuẩn T

forsythia, T.denticola, F nucleatum, P.intermedia, P micra, C rectus, E.corrodens, P.nigrescens, V.parvula và Enterocccus cao h¢n so vßi implant lành m¿nh Tổ hÿp vi khuẩn lấy ã khe quanh implant giá trị dự oán chính xác nhất á ánh giá tình tr¿ng viêm quanh implant49

Như vậy, cÁ tr°áng hÿp implant lành m¿nh và viêm quanh implant ßu °ÿc óng

khúm bãi các vi sinh vÁt gây bánh nha chu Nhißu nghiên cÿu vß ặc iám vi khuẩn trong viêm quanh implant cho nhāng kÁt quÁ khác nhau Tuy nhiên, so vßi viêm nha chu, tình tr¿ng này là mát nhißm khuẩn phÿc t¿p h¢n của nhāng vi khuẩn Gram (-), không thá nuôi cấy56 Các loài thuác <phÿc hÿp ỏ= và mát sß loài <phÿc hÿp cam= hián dián vßi sß l°ÿng và tần suất cao h¢n ã viêm quanh implant so vßi implant lành m¿nh

và có giá trị dự oán trong tiÁn trián của viêm quanh implant Trong viêm quanh implant

vi khuẩn P.gingivalis và A.actinomycetemcomitans xuất hián vßi tần suất t°¢ng tự trong viêm nha chu Tuy nhiên các vi khuẩn khác nh° T forsythia, Campylo bacterrectus, P.intermedia, T.denticola xuất hián vßi tần suất ít h¢n so vßi trong viêm nha chu57

1.5 P h°¢ng pháp thu thÅp và đãnh l°āng vi khuÁn quanh implant

Vß c¢ bÁn viác thu thÁp vi khuẩn quanh implant t°¢ng tự nh° thu thÁp vi khuẩn quanh răng Nhāng ph°¢ng pháp này gám:

1.5.1 Ph°¢ng pháp thu thÅp vi khuÁn quanh implant

1.5.1.1 Ph°¢ng pháp thu thÅp dãch quanh implant

Ph°¢ng pháp phổ biÁn nhất á thu thÁp dịch quanh implant là ặt giấy thấm vào khe quanh implant không quá 1-2 mm mát cách nhẹ nhàng cho Án khi cÁm thấy có lực kháng nhẹ l¿i (Hình 1.13) Thái gian ặt là trong khoÁng 30 giây NÁu ặt lâu quá có thá khiÁn giấy thấm trã nên °ßt ¿m ã nhāng vị trí viêm nặng và có dịch n°ßu nhißu Tuy nhiên, ã nhāng vị trí không viêm, có thá mất rất nhißu thái gian á có thá làm °ßt giấy thấm58 Ngoài ra, còn có các ph°¢ng pháp khác thu thÁp dịch quanh implant là rÿa dịch rãnh n°ßu, dùng ßng mao d¿n, côn giấy

Hình 1.11 S ử dụng giấy thấm để thu thập dịch quanh implant

(Nguồn: Kumar và c.s 2017)59

¯u iám của ph°¢ng pháp này là ¢n giÁn, dß thực hián, nhanh chóng, có thá lấy

cho mọi vị trí ã trong miáng, là ph°¢ng pháp ít gây tổn th°¢ng nhất nÁu thực hián úng

cách Tuy nhiên, h¿n chÁ là l°ÿng dịch thu thÁp °ÿc rất ít

1.5.1.2 Ph°¢ng pháp thu thÅp mÁng bám quanh implant

Ph°¢ng pháp phổ biÁn á thu thÁp mÁng bám quanh implant là sÿ dāng côn giấy

vô trùng M¿u mÁng bám d°ßi niêm m¿c °ÿc thu thÁp °ÿc sau ó s¿ cho vào ßng nhỏ

á xét nghiám60

Cách thÿc tiÁn hành: MÁng bám trên niêm m¿c °ÿc lo¿i bỏ cẩn thÁn bằng g¿c vô trùng, sau ó thổi khô phāc hình trên implant, cách ly vùng implant cần lấy m¿u bằng gòn cuán Đ°a côn giấy vô trùng vào vị trí khe quanh implant sâu nhất cho Án khi có

lực kháng và á yên t¿i chß trong vòng 10 giây Lấy côn giấy ra và cho vào ßng Eppendorf vô trùng có nÃp Áy á xét nghiám (Hình 1.14)

Hình 1.12 Phương pháp lấy mẫu mảng bám quanh implant

1.5.2 Ph°¢ng pháp đãnh l°āng vi khuÁn quanh implant

Có nhißu ph°¢ng pháp °ÿc sÿ dāng á phát hián vi khuẩn quanh implant nh° nuôi cấy, phân tích enzyme, phân tích o¿n dò DNA, phân tích mißn dịch huỳnh quang Trong ó, phÁn ÿng chußi polymerase (PCR) và phÁn ÿng chußi polymerase thái gian thực (real-time PCR) cho thấy có nhißu °u iám và °ÿc sÿ dāng phổ biÁn ráng rãi trong viác phát hián và ịnh l°ÿng vi khuẩn quanh implant

Phản ứng chuỗi polymerase (PCR) và phản ứng chuỗi polymerase thời gian thực (real time PCR)

Nguyên tÇc

PhÁn ÿng PCR dùng các cặp mái á tổng hÿp nhißu bÁn sao tā mát trình tự DNA dựa trên ho¿t áng của enzyme DNA polymerase Enzyme này cần nhāng mái, là nhāng

o¿n DNA ngÃn có khÁ năng bÃt cặp bổ sung vßi mát ầu của m¿ch khuôn Đo¿n mái này sau ó s¿ °ÿc enzyme DNA polymerase nßi dài á t¿o mát m¿ch mßi hoàn chỉnh

Mßi phÁn ÿng PCR là mát chußi nhißu chu kỳ nßi tiÁp nhau Mßi chu kỳ gám có

ba giai o¿n: giai o¿n biÁn tính, giai o¿n ủ bÃt cặp và giai o¿n kéo dài Giai o¿n biÁn tính là giai o¿n tách rái hai m¿ch DNA thành hai m¿ch ¢n ã nhiát á 940C396 0C Sau

ó là giai o¿n ủ bÃt cặp °ÿc thực hián ã nhiát á khoÁng 680C á cho phép các primer bÃt cặp vßi khuôn Giai o¿n cußi cùng là giai o¿n kéo dài vßi nhiát á 720C nhằm cho phép DNA polymerase tổng hÿp DNA vßi sự hián dián của các nucleotid Mßi chu kỳ s¿ °ÿc lặp l¿i nhißu lần và mßi lần làm tăng gấp ôi l°ÿng DNA m¿u của lần tr°ßc

PCR trong phát hißn vi khuÁn

Tā nhāng tiÁn bá của kỹ thuÁt PCR, nhißu xét nghiám vi sinh ã °ÿc phát trián

á phát hián A.actinomycetemcomitans, P.gingivalis, T.forsythensis bằng các ph°¢ng

pháp tách chiÁt DNA và các o¿n mái Eick và Pfister (2002) ã so sánh ph°¢ng pháp

PCR a māc tiêu sÿ dāng rRNA 16S cho A.actinomycetemcomitans, P.gingivalis, P.nigrescens, T.forsythensis và T.denticola vßi ph°¢ng pháp nuôi cấy chuẩn Xét nghiám PCR có thá phát hián P.gingivalis và T.forsythensis th°áng xuyên h¢n so vßi nuôi cấy A.actinomycetemcomitans °ÿc phát hián vßi sß l°ÿng gißng nhau trong cÁ hai kỹ thuÁt PCR và nuôi cấy Hầu hÁt các xét nghiám PCR °ÿc sÿ dāng á phát hián

A.actinomycetemcomitans, P.gingivalis hay T.forsythensis ßu dùng gene rRNA 16S làm

o¿n mái61,62 Chỉ mát sß ít xét nghiám PCR sÿ dāng oligonucleotide tā o¿n gen sao

chép m¿ch ¢n làm o¿n mái, chẳng h¿n nh° gen P.gingivalis collagenase prtC hoặc gen Fimbrillin fimA, gen lktA leukotoxin hoặc gen T.forsythensis protease prtH Mặc dù

rRNA 16S là o¿n mái rất ặc hiáu (hiÁm xÁy ra phÁn ÿng chéo), nh°ng l¿i không thích hÿp cho phân tích ịnh l°ÿng bãi vì trên mßi tÁ bào có sß l°ÿng nhāng phân tÿ này khác nhau nên không thá có kÁt quÁ ịnh l°ÿng gißng nhau nÁu lặp l¿i xét nghiám Nhāng xét nghiám PCR này chỉ cung cấp thông tin ịnh l°ÿng (tỷ lá) Do ó, viác ÿng dāng PCR cho māc ích chẩn oán và tiên l°ÿng trên lâm sàng là rất h¿n chÁ Hầu hÁt nhāng xét

nghiám chẩn oán này ßu °ÿc sÿ dāng trong nhāng nghiên cÿu sinh thái nhằm ánh giÁ tỷ lá của vi sinh vÁt ích trong nhāng dân sß khác nhau, trong tr°áng hÿp khỏe m¿nh

và bị bánh KÁt quÁ tā nhāng nghiên cÿu này rất khác nhau vß tỷ lá (biÁn thiên trong

khoÁng tā 2% Án 95% ßi vßi A.actinomycetemcomitans) của vi khuẩn ích trong

nhāng dân sß khác nhau trong tr°áng hÿp khỏe m¿nh và bị bánh Sự khác nhau này có thá cho thấy á nh¿y cao của kỹ thuÁt này có thá phát hián nhāng sß l°ÿng nhỏ của vi khuẩn có thá không liên quan Án sinh bánh học hoặc khÁ năng có nhāng kiáu huyÁt thanh khác nhau tā nhāng loài gißng nhau có tỷ lá cao ã mát sß dân sß mà không liên quan Án sinh bánh học

Tầm quan trọng của khÁo sát ịnh l°ÿng vi khuẩn ích ã °a Án sự phát trián của nhāng ph°¢ng pháp PCR ịnh l°ÿng Xét nghiám ầu tiên sÿ dāng PCR óng Tuy nhiên, kỹ thuÁt này thu nhÁn sÁn phẩm PCR ã pha bão hòa, mà không quan tâm Án pha log Do ó, l°ÿng sÁn phẩm PCR thu nhÁn °ÿc có mßi t°¢ng quan yÁu vßi sß l°ÿng DNA ban ầu Đá giÁi quyÁt vấn ß này, ng°ái ta ã phát trián kỹ thuÁt realtime PCR Vßi kỹ thuÁt này và sÿ dāng 1 o¿n copy của nhāng gen này của mßi tÁ bào, các nhà nghiên cÿu ã ¿t °ÿc mát mßi t°¢ng quan cao giāa tín hiáu huỳnh quang o °ÿc và

sß l°ÿng tÁ bào63,64, ã thÿ nghiám real-time PCR (dựa trên trình tự gen copy và SYBR

Green I) nhằm māc ích ịnh l°ÿng A.actinomycetemcomitans và P.gingivalis trong m¿u

mÁng bám d°ßi n°ßu Xét nghiám này có á ặc hiáu cao và kÁt quÁ khi lặp l¿i thí nghiám là gißng vßi kÁt quÁ ban ầu Đây cũng là mát ph°¢ng pháp nhất quán á ịnh l°ÿng vi khuẩn gây bánh Mặc dù real time PCR có á nh¿y và á ặc hiáu cao, nh°ng xét nghiám này l¿i cần nhāng vÁt dāng thí nghiám Ãt tißn, ißu này làm cho kỹ thuÁt real time PCR trã nên Ãt ỏ khi sÿ dāng cho māc tiêu chẩn oán vi sinh lâm sàng th°áng quy

1.6 Các nghiên c ću đánh giÁ Ánh h°ång cąa thiÁt kÁ implant – tră phăc hình lên

mô quanh implant

1.6.1 T ång quan các nghiên cću trên thÁ giái

Sự duy trì và ổn ịnh mÿc mào x°¢ng quanh implant °ÿc xem là yÁu tß quan trọng giúp bÁo tán mô mßm quanh implant bên trên cũng nh° ngăn ngāa sự tiêu mào x°¢ng quanh implant Tiêu mào x°¢ng quanh implant có thá gây ra nhāng Ánh h°ãng

có h¿i Án chÿc năng, thẩm mỹ và thÁm chí thất b¿i cấy ghép Hầu hÁt sự tiêu mào x°¢ng quanh implant ßu xÁy ra trong năm ầu tiên sau khi ặt implant do mát sß yÁu tß liên quan Án lâm sàng, c¢ và sinh học65

Mặc dù có nhißu báo cáo lâm sàng cho thấy thiÁt kÁ implant CTCB bÁo tán x°¢ng quanh implant tßt h¢n so vßi implant CTP Tuy nhiên, các báo cáo theo dõi dài h¿n, tổng quan há thßng gần ây cho thấy không có sự khác biát trong sự giÁm tiêu mào x°¢ng

quanh implant giāa hai há thßng và là ß tài v¿n còn gây tranh cãi

1.6 1.1 Các nghiên cću cho thÃy có sď khác bißt và mćc tiêu mào x°¢ng quanh implant giča implant chuyÅn tiÁp chuyÅn bß vái implant chuyÅn tiÁp phẳng

Rocha và c.s (2016) thực hián nghiên cÿu thÿ nghiám lâm sàng ng¿u nhiên có nhóm chÿng, a trung tâm nhằm ánh giá các chỉ sß lâm sàng và sự thay ổi mÿc mào x°¢ng quanh implant ã 2 nhóm implant CTCB và implant CTP theo dõi trong 3 năm5 Trong nghiên cÿu này, implant sÿ dāng có thiÁt kÁ ¿i thá, vi thá và phần cổ nhẵn gißng nhau nhằm giÁm yÁu tß gây nhißu (implant CAMLOG, Switzerland) Tổng cáng 63 bánh nhân mất ít nhất 2 răng sau hàm d°ßi °ÿc ặt 135 implant, trong ó 66 implant CTP và

69 implant CTCB ßu ặt ngang x°¢ng KÁt quÁ theo dõi sau 36 tháng cho thấy tiêu mào x°¢ng trung bình của nhóm implant CTCB là 0,28 ± 0,56 mm ít h¢n so vßi nhóm implant CTP là 0,68 ± 0,64 mm Sự khác biát có ý nghĩa thßng kê Nhóm implant CTCB cho thấy bÁo tán mào x°¢ng tßt h¢n nhóm implant CTP

Lago và c.s (2018) thực hián mát nghiên cÿu thÿ nghiám lâm sàng ng¿u nhiên có

nhóm chÿng nhằm so sánh sự thay ổi mÿc mào x°¢ng quanh implant giāa 100 implant CTP vßi 102 implant CTCB trong thái gian 12 tháng6 Trong nghiên cÿu này, implant

sÿ dāng cùng mát hãng (Straumann) vßi vßi thiÁt kÁ ren xoÃn và bß mặt implant gißng nhau, chỉ khác nhau ã phần cổ implant CTP là nhẵn và imlant CTCB là cổ nhám Tiêu

chuẩn chọn m¿u là chất l°ÿng x°¢ng vùng mất răng là lo¿i II và III theo phân lo¿i của Lekholm và Zard (1985); mô sāng hoá vùng mất răng g 4 mm; x°¢ng còn l¿i ủ á ặt implant mà không phÁi sÿ dāng thủ thuÁt ghép x°¢ng66

KÁt quÁ nghiên cÿu cho thấy, ã nhóm implant CTP, tiêu mào x°¢ng quanh implant trung bình tā lúc gÃn phāc hình Án 12 tháng là 0,26 ± 0,55 mm, theo dõi Án

60 tháng là 0,61 ± 0,73 mm; ã nhóm implant CTCB, ghi nhÁn có sự t¿o x°¢ng theo thái gian t¿i các thái iám ánh giá sau so vßi tr°ßc; sự thay ổi mào x°¢ng 12 tháng so vßi thái iám gÃn phāc hình trên implant là -0,03 ± 0,74 mm; 60 tháng sau gÃn phāc hình là -0,2 ± 0,75 mm Sự khác biát giāa hai nhóm t¿i thái iám gÃn phāc hình Án thái gian theo dõi 12 tháng và 60 tháng, có ý nghĩa thßng kê Implant CTCB có mô x°¢ng quanh implant ổn ịnh và ít tiêu mào x°¢ng h¢n so vßi implant CTP Ngoài ra, kÁt quÁ nghiên cÿu cho thấy, nhóm implant CTP có sự thay ổi mÿc mào x°¢ng có ý nghĩa ã 3 thái

iám ánh giá, trong khi nhóm implant CTCB không có sự thay ổi ã các thái iám ánh giá

Messias và c.s (2019) thực hián nghiên cÿu thÿ nghiám lâm sàng ng¿u nhiên có nhóm chÿng, a trung tâm nhằm ánh giá các chỉ sß lâm sàng và sự thay ổi mào x°¢ng quanh implant ã 2 nhóm implant CTCB và CTP7 Trong nghiên cÿu này, implant vßi thiÁt kÁ ¿i thá và vi thá nh° nhau °ÿc sÿ dāng á giÁm yÁu tß gây nhißu (implant CAMLOG, Switzerland)7 Tổng cáng 33 bánh nhân mất ít nhất 2 răng sau hàm d°ßi (phía gần còn răng) °ÿc ặt 72 implant CTCB và 35 bánh nhân °ÿc ặt 69 implant CTP KÁt quÁ theo dõi t¿i thái iám 5 năm so vßi thái iám tÁi lực, nhóm implant CTCB cho thấy có sự tăng chißu cao x°¢ng 0,19 ± 0,53 mm, trong khi nhóm CTP có sự tiêu mào x°¢ng 0,04 ± 0,58 mm Sự khác biát mÿc x°¢ng trung bình giāa 2 nhóm là 0,23

mm So vßi thái iám ph¿u thuÁt, sự khác biát mÿc mào x°¢ng giāa 2 nhóm là 0,34 mm

CÁ 2 sự khác biát ßu có ý nghĩa thßng kê

Mishra và c.s (2021) thực hián nghiên cÿu tổng quan há thßng và phân tích tổng

hÿp so sánh sự tiêu mào x°¢ng quanh implant và tỉ lá thất b¿i giāa implant CTCB so vßi

implant CTP tā các các nghiên cÿu thÿ nghiám lâm sàng ng¿u nhiên có nhóm chÿng vßi

thái gian theo dõi tßi thiáu là 3 năm8 Tổng cáng có 381 bài báo cáo nh°ng chỉ có 9 bài

là áp ÿng tiêu chí lựa chọn KÁt quÁ phân tích cho thấy, vßi thái gian theo dõi 3 năm

trong 426 implant CTCB tỉ lá implant sßng sót là 98,12% so vßi 411 implant CTP là

98,05%, không có sự khác biát có ý nghĩa thßng kê Tiêu mào x°¢ng quanh implant

nhóm implant CTCB trung bình là 0,33 ± 0,41 mm) ít h¢n so vßi nhóm implant CTP là

0,66 ± 0,42 mm) Ngoài ra, tổng quan cũng cho thấy chênh lách °áng kính giāa implant

và trā phāc hình càng lßn thì mÿc á tiêu mào x°¢ng quanh implant s¿ giÁm; chênh lách

g 0,4 mm cho áp ÿng x°¢ng tßt h¢n

BÁng 1.1 Các nghiên cÿu cho thấy có sự khác biát vß mÿc tiêu mào x°¢ng quanh

implant giāa implant CTP vßi implant CTCB

Thãi gian lành th°¢ng/tÁi lďc

Tång sá implant/Sá implant đánh giá mćc x°¢ng

Tră phăc hình/bß implant (mm)

Mćc x°¢n

g bß impla

nt

Implant thÃt b¿i

MÃt mào x°¢ng trung bình (TB±ĐLC,mm)

Tá lß thành công (%)

72CTP)/

135 (69 CTCB; 66 CTP)

3,8/5,5 CTCB;

5,5/5,5 CTP

Ngan

g mào x°¢n

g

2 CTCB;

1 CTP

0,28 ± 0,56 CTCB 0,68 ± 0,64 CTP

CTCB-97,3 CTP-97,1

22 (11 CTCB; 11 CTP)/ 19 (10 CTCB;9 CTP)

Không t°¢ng xÿng 0,35 30,4/43

5 CTCB;

Không ß cÁp/435 CTP

Ngan

g mào x°¢n

g

0 CTCB;

0 CTP

0,18 ± 0,14 CTCB 0,80 ± 0,40 CTP

CTCB-100 CTP-100

198 (100 CTCB; 98 CTP)

Không t°¢ng xÿng 0,2530,75/

3,334,8 CTCB;

Không ß cÁp/3,3-4,8 CTP

CTC B- Ngan

g mào x°¢n

g CTP- Trên mào x°¢n

g

1 CTCB;

0 CTP

30,20 ± 0,75 CTCB 0,61 ± 0,73 CTP

CTCB-99 CTP-100

56 CTP)

Không t°¢ng xÿng 0,3-0,35/3,8-

5 CTCB;

Không ß

Ngan

g mào x°¢n

g

2 CTCB;

3 CTP

30,19 ± 0,53 CTCB 30,04 ± 0,58 CTP

CTCB-96,6 CTP-96,6