(LUẬN án TIẾN sĩ) tính chất truyền dẫn quang từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp

ĐẠI HỌC HUẾ TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM TRẦN NGỌC BÍCH TÍNH CHẤT TRUYỀN DẪN QUANG-TỪ VÀ TÍNH CHẤT NHIỆT CỦA CÁC BÁN DẪN HỌ DICHALCOGENIDES KIM LOẠI CHUYỂN TIẾP LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ Huế, 2022 en si luan an tien si1 TIEU LUAN MOI download : skknchat123@gm ĐẠI HỌC HUẾ TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM TRẦN NGỌC BÍCH TÍNH CHẤT TRUYỀN DẪN QUANG-TỪ VÀ TÍNH CHẤT NHIỆT CỦA CÁC BÁN DẪN HỌ DICHALCOGENIDES KIM LOẠI CHUYỂN TIẾP Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết vật lý toán Mã số: 44 01 03 LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC PGS TS HUỲNH VĨNH PHÚC PGS TS LÊ ĐÌNH Huế, 2022 en si luan an tien si1 TIEU LUAN MOI download : skknchat123@gm LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan kết trình bày luận án cơng trình nghiên cứu hướng dẫn cán hướng dẫn Các số liệu, kết trình bày luận án hoàn toàn trung thực chưa cơng bố cơng trình trước Các liệu tham khảo trích dẫn đầy đủ Tác giả luận án Trần Ngọc Bích i en si luan an tien si1 TIEU LUAN MOI download : skknchat123@gm LỜI CẢM ƠN Tôi xin chân thành cảm ơn Ban giám hiệu, Phòng Đào tạo Sau Đại học, Ban lãnh đạo Khoa Vật lý, Trường Đại học Sư Phạm, Đại học Huế tạo điều kiện học tập nghiên cứu thuận lợi, giúp tơi hồn thành chương trình học tập nghiên cứu sinh hồn thành luận án Tơi xin gửi lời tri ân Thầy, Cô môn Vật lý lý thuyết, Khoa Vật lý Trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế giảng dạy, truyền đạt kiến thức kinh nghiệm quý báu học tập nghiên cứu khoa học, giúp tơi hồn thiện thân qua khóa học nghiên cứu sinh Đặc biệt, tơi xin bày tỏ kính trọng lòng biết ơn sâu sắc đến hai Thầy giáo hướng dẫn: PGS TS Lê Đình PGS TS Huỳnh Vĩnh Phúc Hai Thầy tận tình hướng dẫn, định hướng, dìu dắt tơi bước một, động viên, giúp đỡ, truyền đạt kiến thức kinh nghiệm quý báu cho tơi q trình nghiên cứu để tơi đạt kết luận án lớn trưởng thành nghiên cứu khoa học công việc sống Tôi xin trân trọng cảm ơn Tập đồn Vingroup Chương trình học bổng đào tạo thạc sĩ, tiến sĩ nước Quỹ Đổi sáng tạo Vingroup, Viện Nghiên cứu Dữ liệu lớn tài trợ học bổng cho hai năm 2020 2021 Tôi xin trân trọng cảm ơn Ban giám hiệu, Ban lãnh đạo Khoa Khoa học bản, Trường Đại học Quảng Bình nơi công tác, tạo điều kiện thuận lợi, động viên giúp đỡ tơi hồn thành khóa học nghiên cứu sinh Xin chân thành cảm ơn Thầy, Cơ, anh chị nhóm nghiên cứu hai Thầy giáo hướng dẫn, anh chị em đồng nghiệp Trường Đại học Quảng Bình, anh chị em nghiên cứu sinh khóa đồng hành, giúp đỡ, động viên tơi trình học tập nghiên cứu đề tài luận án ii en si luan an tien si1 TIEU LUAN MOI download : skknchat123@gm Cuối cùng, xin chân thành cảm ơn đại gia đình tơi ln bên cạnh, yêu thương, động viên, ủng hộ, đồng hành để tơi n tâm học tập, hồn thành khóa học nghiên cứu sinh hồn thành luận án Tơi xin bày tỏ biết ơn trân trọng Nghiên cứu sinh Trần Ngọc Bích tài trợ Tập đồn Vingroup hỗ trợ chương trình học bổng đào tạo thạc sĩ, tiến sĩ nước năm 2020 năm 2021 Quỹ Đổi sáng tạo Vingroup (VINIF), Viện Nghiên cứu Dữ liệu lớn (VinBigdata), mã số VINIF.2020.TS.72 VINIF.2021.TS.063 Tác giả luận án Trần Ngọc Bích iii en si luan an tien si1 TIEU LUAN MOI download : skknchat123@gm MỤC LỤC Lời cam đoan i Lời cảm ơn ii Mục lục vi Danh mục từ viết tắt vii Danh mục hình vẽ xii Danh mục bảng biểu xiii MỞ ĐẦU Chương TỔNG QUAN VỀ ĐỐI TƯỢNG VÀ PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU 1.1 10 Tổng quan bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp 10 1.1.1 Giới thiệu vật liệu bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp 10 1.1.2 Hàm sóng phổ lượng electron bán dẫn TMDC đơn lớp 12 1.1.3 Biểu thức Hamiltonian tương tác electron-phonon bán dẫn TMDC đơn lớp 21 1.1.4 1.2 Phonon bán dẫn TMDC đơn lớp 23 Tổng quan tính chất truyền dẫn quang-từ 26 1.2.1 Hệ số hấp thụ quang-từ ảnh hưởng tương tác electron-phonon 26 1.2.2 Độ rộng phổ hấp thụ Phương pháp profile 31 1.2.3 Hệ số hấp thụ quang-từ độ thay đổi chiết suất tuyến tính phi tuyến 33 1.3 Tổng quan tính chất nhiệt 44 iv en si luan an tien si1 TIEU LUAN MOI download : skknchat123@gm 1.4 1.3.1 Tốc độ mát lượng electron 44 1.3.2 Công suất nhiệt-từ gây hiệu ứng phonon-kéo 48 Kết luận chương 52 Chương TÍNH CHẤT HẤP THỤ QUANG-TỪ CỦA CÁC BÁN DẪN HỌ DICHALCOGENIDES KIM LOẠI CHUYỂN TIẾP ĐƠN LỚP DƯỚI ẢNH HƯỞNG CỦA TƯƠNG TÁC ELECTRON-PHONON 2.1 53 Biểu thức giải tích hệ số hấp thụ quang-từ ảnh hưởng tương tác electron-phonon quang 53 2.2 Biểu thức giải tích hệ số hấp thụ quang-từ ảnh hưởng tương tác electron-phonon âm 56 2.3 2.4 Kết tính số thảo luận 58 2.3.1 Phương pháp tính số 58 2.3.2 Khảo sát hệ số hấp thụ quang-từ 59 2.3.3 Khảo sát độ rộng phổ hấp thụ 63 Kết luận chương 66 Chương TÍNH CHẤT HẤP THỤ QUANG-TỪ TUYẾN TÍNH VÀ PHI TUYẾN CỦA CÁC BÁN DẪN HỌ DICHALCOGENIDES KIM LOẠI CHUYỂN TIẾP ĐƠN LỚP 3.1 67 Biểu thức giải tích hệ số hấp thụ quang-từ tuyến tính phi tuyến 67 3.2 Biểu thức giải tích độ thay đổi chiết suất tuyến tính phi tuyến 70 3.3 3.4 Kết tính số thảo luận 70 3.3.1 Hấp thụ quang-từ nội vùng 71 3.3.2 Hấp thụ quang-từ liên vùng 79 Kết luận chương 83 v en si luan an tien si1 TIEU LUAN MOI download : skknchat123@gm Chương TÍNH CHẤT NHIỆT CỦA CÁC BÁN DẪN HỌ DICHALCOGENIDES KIM LOẠI CHUYỂN TIẾP ĐƠN LỚP 4.1 84 Tốc độ mát lượng electron ảnh hưởng tương tác electron-phonon 84 4.1.1 Biểu thức giải tích tốc độ mát lượng electron 84 4.1.2 4.2 4.3 Kết tính số thảo luận 87 Công suất nhiệt-từ gây hiệu ứng phonon-kéo 98 4.2.1 Biểu thức giải tích công suất nhiệt-từ 98 4.2.2 Kết tính số thảo luận 100 Kết luận chương 108 KẾT LUẬN CHUNG 109 DANH MỤC CÁC CƠNG TRÌNH KHOA HỌC 111 TÀI LIỆU THAM KHẢO 113 PHỤ LỤC P1 vi en si luan an tien si1 TIEU LUAN MOI download : skknchat123@gm DANH MỤC CÁC TỪ VIẾT TẮT Viết tắt Tiếng Anh Tiếng Việt 2D Dimensions Hai chiều 2DEG 2-Dimensional Electron Gas Khí điện tử hai chiều AC Acoustic Âm học ADP Acoustic Deformation Potential Th bin dng õm hc BG Bloch-Gră uneisen Bloch-Gră uneisen DoS Density of States Mật độ trạng thái DP Deformation Potential Thế biến dạng ELR Energy-Loss Rate Tốc độ mát lượng FWHM Full-Width at Half-Maximum Độ rộng phổ toàn phần nửa cực đại HP HomoPolar Đơn cực LA Longitudinal Acoustic Âm dọc LO Longitudial Optical Quang dọc MOAC Magneto-Optical Absorption Coefficient Hệ số hấp thụ quang-từ OAC Optical Absorption Coefficient Hệ số hấp thụ quang ODP Optical Deformation Potential Thế biến dạng quang học OP Optical Quang học PE Piezo-Electric Áp điện RIC Refractive Index Change Độ thay đổi chiết suất TA Transverse Acoustic Âm ngang TMDC Transition-Metal Dichalcogenides Kim loại chuyển tiếp nhóm dichalcogenides TO Transverse Optical Quang ngang vii en si luan an tien si1 TIEU LUAN MOI download : skknchat123@gm (LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ Hình 1.1 Mơ hình MX2 đơn lớp 11 Hình 1.2 Sự phụ thuộc vào từ trường mức Landau TMDC đơn lớp, có điện trường eΔz = 37.75 meV/d đặt vào trường Zeeman spin vùng Các hình phía trên: (a), (c), (e), (g) hình phía dưới: (b), (d), (f), (h) tương ứng biểu diễn vùng dẫn vùng hóa trị vật liệu Kí hiệu K (K ) ↑ (↓) biểu thị trạng thái điện tử vùng K (K ) với spin hướng lên (hướng xuống) 20 Hình 1.3 Độ rộng vạch phổ tính từ đồ thị hệ số hấp thụ phụ thuộc vào lượng photon 32 Hình 2.1 Sự phụ thuộc vào lượng photon MOAC TMDC đơn lớp ảnh hưởng tương tác electron-phonon âm quang ứng với giá trị từ trường khác Kết tính T = K, eΔz = 37.75 meV/d, spin hướng lên Zs , Zv = Các kí hiệu "ac" "op" tương ứng tán xạ phonon âm quang 60 Hình 2.2 Sự phụ thuộc vào nhiệt độ giá trị đỉnh MOAC TMDC đơn lớp gây tán xạ phonon âm (kí hiệu "ac"), phonon quang (kí hiệu "op") tán xạ tạp chất (kí hiệu "im" với hệ số 104 ) Kết tính B = 10 T, eΔz = 37.75 meV/d, spin hướng lên Zs , Zv = 62 Hình 2.3 Sự phụ thuộc vào từ trường FWHM đỉnh cộng hưởng hình 2.1 63 viii en si luan an tien si1 TIEU LUAN MOI download : skknchat123@gm (LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep (LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep Chương TÍNH CHẤT NHIỆT CỦA CÁC BÁN DẪN HỌ DICHALCOGENIDES KIM LOẠI CHUYỂN TIẾP ĐƠN LỚP Trong chương này, chúng tơi trình bày kết tính giải tích tính số, vẽ đồ thị khảo sát ELR bán dẫn TMDC đơn lớp ảnh hưởng tương tác electron-phonon âm quang thông qua chế tương tác khác Kết thu hai miền nhiệt độ electron thấp cao, xét ảnh hưởng hiệu ứng chắn hiệu ứng phonon nóng Sau chúng tơi trình bày kết tính giải tích cơng suất nhiệt-từ gây hiệu ứng phonon-kéo bán dẫn TMDC đơn lớp kết tính số, vẽ đồ thị khảo sát công suất nhiệt-từ gây hiệu ứng phonon-kéo MoS2 đơn lớp 4.1 Tốc độ mát lượng electron ảnh hưởng tương tác electron-phonon 4.1.1 Biểu thức giải tích tốc độ mát lượng electron 4.1.1.1 ELR vùng nhiệt độ electron thấp Tại vùng nhiệt độ thấp, tương tác electron-phonon âm đóng góp chủ đạo vào ELR Thay biểu thức yếu tố ma trận liên kết electron-phonon tương tác biến dạng tương tác áp điện phương trình (1.63) vào (1.134), ta thu biểu thức ELR cho trường hợp tương tác phonon âm  ∞ ds dv (Dνλ )2  q 3+β Pν (T ) = dq|Jαα (u)|2 Nqν (T )Pαα (ωqν ), β 4πρne αc2 [q + q (B, q)] TF (4.1) α 84 en si luan an tien si1 TIEU LUAN MOI download : skknchat123@gm (LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep (LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep với β = (β = 2) ứng với khơng (có) tính đến hiệu ứng chắn Phương trình (4.1) khơng thể tính giải tích trường hợp tổng qt, nhiên tính hai trường hợp giới hạn: vùng nhit Bloch-Gră uneisen (BG) v vựng nhit cao (EP), vùng nhiệt độ phân tách với nhiệt độ BG, TBG , sau TBG =  v s kF , kB (4.2) kF vectơ sóng Fermi - Xét vùng nhiệt độ vô nhỏ so với nhiệt độ BG: Khi Te TBG ωqν EF (μ → EF ), sử dụng gần [124] f ( ) − f ( + ωqν ) ≈ ωqν δ( − EF ) (4.3) (q) ≈ qT F (B, q) q (4.4) Thay (4.3) (4.4) vào phương trình (4.1), thu PνBG (T ) = ds dv (Dνλ )2  4πρne αc2 qTβ F (B, q) α BG Iαα (β) = (vs )4+β  ∞ BG Iαα (β)δ(Eα − EF ), ν dεp ε3+β p Nq |Jαα (εp )| , (4.5) (4.6) ta kí hiệu εp = ωqν lượng phonon Tại nhiệt độ vô thấp, εp → |Jαα (εp )|2 → 1, thu biểu thức gần ELR sau PνBG (T ) = ds dv (Dνλ )2 (3 + β)!ζ(3 + β)(kB T )4+β  4πρne αc2 qTβ F (B, 0)(vs )4+β δ(Eα − EF ), (4.7) α với ζ(k) hàm zeta Riemann Phương trình (4.7) cho thấy vùng nhiệt độ vô thấp, tốc độ mát lượng tỉ lệ với Te4 liên kết không 85 en si luan an tien si1 TIEU LUAN MOI download : skknchat123@gm (LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep (LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep tính đến hiệu ứng chắn tỉ lệ với Te6 liên kết có tính đến hiệu ứng chắn Kết phù hợp với kết công bố graphene đơn lớp hai lớp khơng có từ trường [56],[124],[132], điều mà chứng minh thực nghiệm [125],[128], đồng thời phù hợp với kết thu MoS2 đơn lớp [60] silicene [59] - Xét vùng nhiệt độ cao EP: Trong giới hạn nhiệt độ cao EP, ta sử dụng gần Nνq ≈ kB T /ωqν Bên cạnh đó, lượng mức Landau lớn nhiều so với lượng phonon, áp dụng gần * f (Eα ) − f (Eα + ωqν ) ≈ ωqν + ∂f (Eα ) − ∂Eα (4.8) Với gần này, phương trình (4.1) trở thành PνEP (T ) * + ds dv (Dνλ )2 kB T  EP ∂f (Eα ) = Iαα (β) − , 4πρne αc2 vs ∂Eα (4.9) α EP Iαα (β)  ∞ = q 2+β |Jαα (u)|2 dq [q + qT F (B, q)]β (4.10) phần độc lập với T Phương trình (4.9) cho thấy tốc độ mát lượng tỉ lệ với nhiệt độ T , phù hợp với kết thu graphene [131],[132] MoS2 đơn lớp khơng có trường ngồi [60] 4.1.1.2 ELR vùng nhiệt độ electron cao Tại vùng nhiệt độ electron cao hơn, ngồi phonon âm, phonon quang cho đóng góp vào ELR Tốc độ tán xạ electron-phonon phương trình (1.139) trường hợp phonon quang thơng qua biến dạng uang 86 en si luan an tien si1 TIEU LUAN MOI download : skknchat123@gm (LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep (LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep học (optical deformation potential - ODP) bậc b viết lại sau Γb (q) = ds dv (Dνb )2  2b q |Jα α (u)|2 δ(Eα −Eα −ων0 )f (Eα )[1−f (Eα +ων0 )] (4.11) 2ραc2 ων0  α ,α Thay (4.11) vào phương trình (1.136), ta thu biểu thức ELR gây ODP bậc b sau PbODP = ds dv (Dνb )2  ODP Iα α (b)δ(Eα −Eα − ων0 )f (Eα )[1−f (Eα + ων0 )], (4.12) 4πne ραc2  ν,α ,α  IαODP  α (b) ∞ = q 1+2b dqΔNν0 |Jα α (u)|2 (4.13) Trong trường hợp tương tác Frăohlich, s ph thuc phc ca g LO (q) vào vectơ sóng theo phương trình (1.72) nên ta tính số kết tương tác phonon LO 4.1.2 Kết tính số thảo luận Trong phần chúng tơi tính số ELR gây tán xạ phonon âm quang Với tán xạ phonon âm chúng tơi có xét đến hiệu ứng chắn, cịn với tán xạ phonon quang chúng tơi xét đến hiệu ứng phonon nóng Tán xạ phonon âm khảo sát hai chế DP PE, cho nhánh âm dọc âm ngang Trong đó, tán xạ phonon quang khảo sát ba trường hợp: tương tác với phonon quang đơn cực (homopolar-HP) thông qua biến dạng bậc không (HP-ODP bậc không), tương tác với phonon quang ngang thông qua biến dạng bậc (TO-ODP bậc nhất), tương tác với phonon quang dc thụng qua c ch Frăohlich tớnh số, sử dụng thông số cho MoS2 đơn lớp liệt kê bảng 4.1 Các thông số để tính số ELR cho TMDC khác chúng tơi liệt kê bảng 4.2, ngồi cịn sử dụng thông số sau: ΞLA , vsLA 87 en si luan an tien si1 TIEU LUAN MOI download : skknchat123@gm (LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep (LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep (chính vs ), DHP (chính D0 ) bảng 1.2, ρ bảng 2.1 Mật độ electron lấy khoảng ne = (0.5 − 5)n0 với n0 = 1016 m−2 Hàm delta δ(x)  coi hàm Lorentzian với độ rộng γ = 0.5 B(T) meV Bảng 4.1: Bảng giá trị để tính số ELR cho MoS2 đơn lp Thụng s Giỏ tr Hng s liờn kt Frăohlich gFr [86] 98 meV Độ dày hiệu dụng h [86] ˚ 4.41 A Hằng số DP nhánh âm ngang ΞTA [86] 1.6 eV 4.2 ×103 m/s Vận tốc phonon âm ngang vsTA [86] 3.0 ×10−11 C/m Hằng số áp điện e11 [90] Thế tương tác áp điện DνPE [90] 2.4 eV Hằng số liên kết DP phonon quang ngang DTO [86] 4.0 eV/m Năng lượng phonon quang ngang ωTO,0 [88] 48.6 meV Năng lượng phonon quang dọc ωLO,0 [88] 48.9 meV Bảng 4.2: Bảng giá trị để tính số ELR cho TMDC đơn lớp ωHP,0 (meV) [87] κs [149] MoS2 50.9 9.9 WS2 51.8 9.3 MoSe2 30.3 11.2 WSe2 30.8 10.7 4.1.2.1 Khảo sát ELR miền nhiệt độ electron thấp Trên hình 4.1 biểu diễn phụ thuộc vào từ trường B ELR MoS2 đơn lớp Te = K T = K Kết thu xét chế tương tác electron-phonon khác nhau, giá trị nồng độ electron khác nhau, trạng thái điện tử khác Trong hai hình 4.1(b) 4.1(d), chọn giá trị điện trường dΔz = (λv −λc )/4 để khử số hạng liên kết spin-quỹ đạo 88 en si luan an tien si1 TIEU LUAN MOI download : skknchat123@gm (LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep (LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep 0.6 a P 109 eVs 0.5 Zs, Zv  0, d z  TADP LADP LAPE TAPE 0.4 0.3 0.2 Có chắn ne  n0 102 0.1 0.0 Có chắn ne  n0 0.1 1.2 c 1.0 P 109 eVs 0.6 b Zs, Zv  0, d z  ΛvΛc4 0.5 TADP 0.4 LADP LAPE 0.3 TAPE 102 0.2 Zs, Zv  0, d z  10 12 Không chắn TADP ne  0.5n0 ne  n0 ne  2n0 ne  3n0 0.8 0.6 0.4 0.0 1.5 d Zs, Zv  0, d z  ΛvΛc4 1.0 LADP LAPE TAPE TADP 10 12 Không chắn ne  n0 0.5 0.2 0.0 10 12 0.0 B T 10 12 B T Hình 4.1: Sự phụ thuộc vào từ trường ELR MoS2 đơn lớp chế tương tác electron-phonon âm khác (các hình (a), (b) (d)) với giá trị mật độ electron khác (hình (c)) Hình (a) (b) có tính đến hiệu ứng chắn, hình (c) (d) khơng tính đến hiệu ứng chắn Kết thu Te = K T = K trạng thái điện tử khác nhau: hình (a) (c): Zs , Zv , dΔz = 0; hình (b) (d): Zs , Zv = 0, dΔz = (λv − λc )/4 trạng thái K(↑) K  (↓) trình bày chương Kết cho thấy ELR thể dao động theo từ trường, độ cao đỉnh tăng từ trường tăng bốn hình thu Trong dao động đỉnh xảy 89 en si luan an tien si1 TIEU LUAN MOI download : skknchat123@gm (LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep (LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep hóa học μ vượt qua mức Landau, tăng cường độ đỉnh dao động theo từ trường giảm độ dài từ trường αc từ trường tăng Vì thế, dao động có nguồn gốc tương tự dao động Shubnikov Haas tìm thấy giếng lượng tử GaAs [65] Ngồi ra, chúng cịn giống với tính chất dao động cơng suất nhiệt gây hiệu ứng phonon-kéo graphene [77] Chúng ta biết hiệu ứng chắn tác dụng yếu lên phonon TA-DP, nói phonon TA-DP không bị chắn, ảnh hưởng đáng kể lên chế tương tác electron-phonon lại (LA-DP, TA-PE LA-PE) Điều giải thích kết thu hình 4.1(a) 4.1(b) đóng góp vào ELR phonon âm: phonon TA-DP khơng chắn cho đóng góp bật cả, phonon LA-DP, phonon TA-PE cho đóng góp yếu Kết ghi nhận nghiên cứu công bố trước ELR khơng có trường ngồi [60] độ linh động giới hạn phonon âm MoS2 đơn lớp Điều cho thấy hiệu ứng chắn làm giảm mạnh giá trị ELR tăng cường hàm điện môi hiệu ứng chắn xét đến So sánh hình 4.1(a) 4.1(b) chúng tơi nhận thấy, ảnh hưởng kết hợp điện trường trường Zeeman dường khơng làm thay đổi vị trí đỉnh tăng đáng kể cường độ đỉnh Ảnh hưởng mật độ electron lên ELR thể hình 4.1(c): mật độ electron tăng đỉnh dao động dịch chuyển phía vùng lượng cao giảm cường độ Sự dịch chuyển đến vùng lượng cao đỉnh dao động mật độ electron tăng hóa học đẩy lên cao Do địi hỏi giá trị lớn từ trường B để đạt đến hóa học cao nhằm tạo đỉnh dao động Sự giảm cường độ đỉnh dao động thu tương tự kết khảo sát ELR MoS2 đơn lớp khơng có trường ngồi [60] Từ hình 4.1(d) chúng tơi nhận thấy, khơng tính đến hiệu ứng chắn, ELR gây tất nhánh phonon gần bậc phonon LA-DP cho đóng 90 en si luan an tien si1 TIEU LUAN MOI download : skknchat123@gm (LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep (LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep góp trội Bên cạnh đó, phonon LA có vận tốc lớn nên đỉnh ELR gây phonon nằm bên phải đỉnh gây phonon TA P 109 eVs thể hình 4.1(a), (b) (d) 1.2 MoS2 1.0 MoSe2 0.8 WS2 0.6 WSe2 0.4 0.2 0.0 10 12 B T Hình 4.2: Sự phụ thuộc vào từ trường ELR TMDC đơn lớp gây tương tác electron với phonon LA-DP không tính đến hiệu ứng chắn Kết thu Te = K, T = K, Zs , Zv = 0, dΔz = (λv −λc )/4 ne = n0 Hình 4.2 biểu diễn phụ thuộc vào từ trường ELR vật liệu TMDC đơn lớp gây tương tác electron với phonon LA-DP khơng tính đến hiệu ứng chắn Kết cho thấy ELR lớn MoS2 , MoSe2 nhỏ WSe2 Điều độ lớn ELR vật liệu TMDC khác định tỉ số (Dλν )2 /ρvs Thứ tự khác so với phụ thuộc vào B FWHM (hình 2.3(a)) Lí phụ thuộc FWHM vào đặc tính vật liệu thể tỉ số (Dλν )2 /ρvs2 , khác so với ELR Bên cạnh đó, với vận tốc phonon âm lớn nhất, vị trí đỉnh ELR MoS2 ln xuất bên phải đỉnh vật liệu lại, đỉnh WSe2 ln nằm phía trái Sự phụ thuộc vào nhiệt độ electron Te ELR gây tương tác 91 en si luan an tien si1 TIEU LUAN MOI download : skknchat123@gm (LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep (LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep P eVs 108 a MoS2 ne n0 T K  106 P 108 4.2 10 ne0.5 n0 105 ne  n0 ne  2n0 ne  3n0 T K T 4.2 K 4.2 10 LADP LAPE TAPE T K T 4.2 K 4.2 10 109 d ne n0 T K LADP 108 106 0.1 10 100 100 0.1 107 10 TADP LAPE TAPE c MoS2 ADPsPEs b ne n0 MoS2 106 TADP LADP 100 0.1 P eVs  BG 10 108   107 100  MoS2 MoSe2 106 WS2 105 100 0.1 WSe2 4.2 10 Te K 100 Te K Hình 4.3: Sự phụ thuộc vào nhiệt độ electron Te ELR gây tương tác electron với phonon âm với chế tương tác khác (hình (a) (b)), với giá trị mật độ electron khác (hình (c)), với giá trị nhiệt độ mạng tinh thể khác (hình (b) (c)) vật liệu TMDC khác (hình (d)) Kết thu Zs , Zv = 0, dΔz = (λv − λc )/4 B = T Dấu (•) đánh dấu nhiệt độ BG tương ứng electron với phonon âm biểu diễn hình 4.3 Đặc điểm chung thu tất hình ELR tăng theo tăng nhiệt độ electron Te Điều tương tự kết công bố graphene khơng có trường ngồi [124], graphene hai lớp [57], MoS2 đơn lớp [60], bán kim loại Dirac Cd3 As2 [61] 92 en si luan an tien si1 TIEU LUAN MOI download : skknchat123@gm (LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep (LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep graphene hai lớp xoắn [62] Tại vùng nhiệt độ Te thấp, ELR gây phonon TA-DP không chắn cao nhiều so với ELR gây phonon khác (LA-DP, TA-PE LA-PE) Tuy nhiên, nhiệt độ electron tăng lên, ELR gây nhánh phonon có chắn LA-DP, TA-PE LA-PE tăng nhanh so với ELR gây phonon TA-DP khơng chắn Vì thế, ELR gây chế tương tác gần bậc so sánh với vùng nhiệt độ cao (Te  100 K) Từ hình 4.3(a) chúng tơi nhận thấy kết giới hạn P BG không thay đổi miền nhiệt độ tương ứng Điều có nghĩa ELR vẽ nên đường cong biểu diễn phụ thuộc vào nhiệt độ theo quy luật Pλac ∝ T δ với δ ≈ cho trường hợp phonon TA-DP không chắn δ ≈ chế tương tác khác vùng nhiệt độ BG Khi nhiệt độ tăng lên, Te > TBG , ELR cho thấy giảm số mũ δ từ (6) xuống tuyến tính Pλac ∝ T (δ = 1) vùng nhiệt độ EP Với giá trị nhiệt độ mạng hữu hạn T = 4.2 K, biểu diễn hình 4.3(b) 4.3(c), ELR giảm nhanh chóng nhiệt độ electron Te đạt đến nhiệt độ tinh thể T Khi Te  T , theo phương trình (1.133), ELR định Pν (Te ) so sánh với Pν (T ) Do ta nhận thấy đường gạch gạch tiệm cận sau hợp với đường liền nét tương ứng chúng Kết tương tự với kết thu MoS2 đơn lớp khơng có trường ngồi [60] Bên cạnh đó, độ lớn ELR B = T tìm thấy lớn nhiều so với kết tương tự thu MoS2 đơn lớp khơng có trường ngồi [60] Chẳng hạn, Te = 100 K, từ hình 4.3(a) ta thấy P ∼ 1.7 × 108 eV/s kết từ hình cơng bố Kaasjberg cộng cho thấy P ∼ × 107 eV/s [60] Như vậy, tăng từ trường làm tăng hiệu ứng giam giữ hệ dẫn đến tăng ELR Sự phụ thuộc vào mật độ electron ne ELR gây tương tác phonon âm P ac , bao gồm tương tác phonon âm thông qua biến dạng ADP áp điện PE, biểu diễn hình 4.3(c) Chúng tơi nhận thấy P ac giảm theo tăng ne Điều kết giảm ELR hình 4.1(c) 93 en si luan an tien si1 TIEU LUAN MOI download : skknchat123@gm (LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep (LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep Hình 4.3(d) mơ tả phụ thuộc vào nhiệt độ electron ELR gây phonon LA-DP không chắn vật liệu TMDC đơn lớp Quy luật phụ thuộc vào Te ELR vật liệu khác tương tự nhau, ELR MoS2 trội cả, tương tự kết thu hình 4.2 4.1.2.2 Khảo sát ELR miền nhiệt độ electron cao a q ps1 MoS2 ne  n0 Te  300 K Fröhlich b=0 b=1 Te  50 K Te  100 K Te  200 K Te  300 K 0 15 c q ps1 MoS2 ne  n0 b=0 b MoS2 b=0 Te  300 K 15 ne  n0 ne  3n0 WS2 MoSe2 WSe2 ne  n0 Te  300 K b=0 MoS2 10 ne  2n0 20 d ne  0.5n0 10 0 q 108 m1 q 108 m1 Hình 4.4: Sự phụ thuộc vào vectơ sóng phonon q tốc độ tán xạ electronphonon quang Γ(q) đối với: (a) tương tác khác nhau, (b) nhiệt độ electron khác nhau, (c) mật độ electron khác (d) vật liệu khác 94 en si luan an tien si1 TIEU LUAN MOI download : skknchat123@gm (LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep(LUAN.an.TIEN.si).tinh.chat.truyen.dan.quang.tu.va.tinh.chat.nhiet.cua.cac.ban.dan.ho.dichalcogenides.kim.loai.chuyen.tiep