Yêu cầu hiệu năng và kiến trúc máy thu phát vô tuyến di động 3G UMTS

Đồ án này trình bày 4 chương, gồm có : Chương 1 : Các yêu cầu hiệu năng cho phần vô tuyến và các yêu cầu chung khi thiết kế máy thu phát vô tuyến 3G UMTS Chương 2 :Xử lý tín hiệu lớp vật lý và kiến trúc UE Chương 3:Quy định kênh vô tuyến và các yêu cầu vô tuyến của 3G UMTS Chương 4:Các vấn đề thiết kế máy phát và máy thu 3G UMTS

Đồ án tốt nghiệp Mục lục MỤC LỤC BẢNG TRA CỨU VIẾT TẮT BẢNG TRA CỨU VIẾT TẮT vi vi Từ viết tắt Từ viết tắt vii vii Nghĩa tiếng anh Nghĩa tiếng anh vii vii Nghĩa tiếng việt Nghĩa tiếng việt vii vii AGC AGC vii vii Automatic Gain Control Automatic Gain Control vii vii ACLR ACLR vii vii AMR AMR vii vii ADC ADC vii vii AGR AGR vii vii ACS ACS vii vii ARIB ARIB vii vii BB BB vii vii BTS BTS vii vii DS-CDMA DS-CDMA vii vii DL DL vii vii BPF BPF vii vii DCS DCS vii vii DCA DCA vii vii EAC EAC vii vii EVM EVM vii vii ETSI ETSI vii vii HPF HPF vii vii IF IF vii vii IMP IMP vii vii LNA LNA vii vii PA PA vii vii LPF LPF vii vii LO LO vii vii MCP MCP vii vii OOB OOB viii viii OVSF OVSF viii viii UL UL viii viii UE UE viii viii RRC RRC viii viii 3GPP 3GPP viii viii Sv: Cao Quang Kiên Lớp: D08VT1 Page i Đồ án tốt nghiệp Mục lục RRC RRC viii viii SEM SEM viii viii PCS PCS viii viii Chương 4:Các vấn đề thiết kế máy phát và máy thu 3G UMTS 1 2.2. Xử lý tín hiệu lớp vật lý trong thiết bị thu phát song công của UE 11 2.2.1 Sơ đồ khối 11 2.2.2. Bộ lọc song công: kết nối máy phát và máy thu vào một anten 13 2.2.3. Kiến trúc máy phát 14 2.2.4 Kiến trúc máy thu 15 Kết luận chương : 20 3.1 Quy định các kênh vô tuyến và các băng tần số 21 3.2 Các yêu cầu vô tuyến của WCDMA 24 3.2.1 Mở đầu 24 3.2.2 Các yêu cầu hiệu năng máy thu 25 3.2.3 Các yêu cầu hiệu năng máy phát 26 Tổng kết chương: 26 4.1 Các vấn đề liên quan đến thiết kế máy phát 27 4.1.1 Cân đối giữa tỷ lệ rò kênh lân cận và tiêu thụ công suất 27 4.1.2 Công suất ra cực đại và cân đối ACLR 29 4.1.3 Cân đối giữa ACLR và thời gian đàm thoại 30 4.1.4 Tính chất pha không liên tục 31 4.2 Các vấn đề liên quan đến thiết kế máy thu 32 4.2.1 Các yêu cầu máy thu chung 32 4.2.2 Các yêu cầu về mức đầu vào cực đại 32 4.2.4 Ảnh hưởng của rò tạp âm TX vào băng tần thu 38 4.2.5 Các yêu cầu về độ chọn lọc kênh lân cận, ACS 40 4.2.6 Các đặc tính nhiễu chặn 42 4.2.6.1 Nhiễu chặn trong băng 42 4.2.7 Đáp ứng giả 44 4.2.8 Đánh giá méo điều chế giao thoa bậc hai do rò từ máy phát và nhiễu chặn trong băng máy thu DCR 44 4.2.9 Đánh giá méo điều chế giao bậc ba (IMD3) theo yêu cầu điều chế giao thoa cho máy thu của 3GUMTS UE 54 4.2.10 Tạp âm pha 58 4.2.11 Phát xạ giả 59 Tổng kết chương : 61 KẾT LUẬN KẾT LUẬN 62 62 Sv: Cao Quang Kiên Lớp: D08VT1 Page ii Đồ án tốt nghiệp Danh mục hình vẽ DANH MỤC HÌNH VẼ Hình 1.1. Trình bày hình học khái niệm EVM Hình 1.1. Trình bày hình học khái niệm EVM 8 8 Hình 2.2. Mô hình OSI bẩy lớp cho UE Hình 2.2. Mô hình OSI bẩy lớp cho UE 10 10 Hình 2.3. Xử lý tín hiệu tại các lớp của UE Hình 2.3. Xử lý tín hiệu tại các lớp của UE 10 10 Bảng 2.1. Các thông số lớp vật lý W-CDMA Bảng 2.1. Các thông số lớp vật lý W-CDMA 11 11 Hình 2.4. Sơ đồ khối xử lý lớp vật lý trong thiết bị thu phát WCDMA FDD Hình 2.4. Sơ đồ khối xử lý lớp vật lý trong thiết bị thu phát WCDMA FDD 12 12 Hình 2.5. Máy phát đổi tần Hình 2.5. Máy phát đổi tần 15 15 Hình 2.6. Phổ đầu ra bộ trộn (sau lọc tần số cao) Hình 2.6. Phổ đầu ra bộ trộn (sau lọc tần số cao) 16 16 Hình 2.7. Sơ đồ khối đơn giản của một máy thu biến đổi trực tiếp Hình 2.7. Sơ đồ khối đơn giản của một máy thu biến đổi trực tiếp 17 17 Hình 2.8. Méo hài chẵn Hình 2.8. Méo hài chẵn 18 18 Hình 2.9. Các mạch điện bù trừ và điều khiển của máy thu Hình 2.9. Các mạch điện bù trừ và điều khiển của máy thu 20 20 Hình 3.1. Phân bố tần số cho WCDMA Hình 3.1. Phân bố tần số cho WCDMA 21 21 a) Các băng có thể dùng cho WCDMA FDD toàn cầu; b) Băng tần IMT-2000. a) Các băng có thể dùng cho WCDMA FDD toàn cầu; b) Băng tần IMT-2000. 21 21 Hình 3.2 Cấp phát băng tần FDD Hình 3.2 Cấp phát băng tần FDD 22 22 Bảng 3.1. Cấp phát tần số 3G tại Việt Nam Bảng 3.1. Cấp phát tần số 3G tại Việt Nam 22 22 Bảng 3.2. Định nghĩa UARFCN cho băng I (IMT-200) với phân cách tần số đường xuống và Bảng 3.2. Định nghĩa UARFCN cho băng I (IMT-200) với phân cách tần số đường xuống và đường lên bằng 190MHz đường lên bằng 190MHz 22 22 24 24 Hình 3.3. Ấn định tần số ba băng GSM, TDMA bắc Mỹ và WCDMA FDD Hình 3.3. Ấn định tần số ba băng GSM, TDMA bắc Mỹ và WCDMA FDD 24 24 Hình 3.4. Ký hiệu của 3GPP cho các công suất khác nhau Hình 3.4. Ký hiệu của 3GPP cho các công suất khác nhau 24 24 Bảng 3.4. Các đặc tả quan trọng cho phần vô tuyến máy phát Bảng 3.4. Các đặc tả quan trọng cho phần vô tuyến máy phát 26 26 Hình 4.1. Thí dụ về ACLR trong WCDMA Hình 4.1. Thí dụ về ACLR trong WCDMA 27 27 Hình 4.2. Vùng tuyến tính (I), bão hòa (II), nén (III) trong các bộ khuếch đại công suất Hình 4.2. Vùng tuyến tính (I), bão hòa (II), nén (III) trong các bộ khuếch đại công suất 28 28 (a) AM-AM, khuếch đại và công suất ra phụ thuộc vào công suất vào. (b) AM-PM. (a) AM-AM, khuếch đại và công suất ra phụ thuộc vào công suất vào. (b) AM-PM. 28 28 Hình 4.3. Thí dụ về ACLR do AM-AM trong bộ khuếch đại được lập mô hình với Vra Hình 4.3. Thí dụ về ACLR do AM-AM trong bộ khuếch đại được lập mô hình với Vra (t)=12Vin (t)-4Vin3(t).((a) Ảnh hưởng của kích thích hai tần số. (b) Phân tích thông kê kênh (t)=12Vin (t)-4Vin3(t).((a) Ảnh hưởng của kích thích hai tần số. (b) Phân tích thông kê kênh tham khảo R3 12,2 kbps (βc=βd) theo khuếch đại, công suất vào và PAE.) tham khảo R3 12,2 kbps (βc=βd) theo khuếch đại, công suất vào và PAE.) 29 29 Hình 4.4. (a) Hàm mật độ xác suất công suất phát và tiêu thụ dòng điện của PA(bộ khuếch Hình 4.4. (a) Hàm mật độ xác suất công suất phát và tiêu thụ dòng điện của PA(bộ khuếch đại công suất). (b) Phân bố tiêu thụ công suất phần vô tuyến và băng gốc tại công suất phát đại công suất). (b) Phân bố tiêu thụ công suất phần vô tuyến và băng gốc tại công suất phát bằng -10dBm và 24 dBm. bằng -10dBm và 24 dBm. 31 31 Hình 4.5. Thí dụ về nhảy pha và khuếch đại của PA phụ thuộc vào công suất phát và khe thời Hình 4.5. Thí dụ về nhảy pha và khuếch đại của PA phụ thuộc vào công suất phát và khe thời gian gian 31 31 Hình 4.6. Các điểm đo kiểm tham chuẩn nhìn từ UE Hình 4.6. Các điểm đo kiểm tham chuẩn nhìn từ UE 33 33 Bảng 4.2. Các yêu cầu về mức công suất của độ nhạy máy thu. Bảng 4.2. Các yêu cầu về mức công suất của độ nhạy máy thu. 35 35 Hình 4.7. Kịch bản trường hợp đo kiểm độ nhạy tham chuẩn băng I Hình 4.7. Kịch bản trường hợp đo kiểm độ nhạy tham chuẩn băng I 37 37 Hình 4.8. Thí dụ về ba khả năng thực hiện tầng đầu vô tuyến và các tổn hao chèn của đầu Hình 4.8. Thí dụ về ba khả năng thực hiện tầng đầu vô tuyến và các tổn hao chèn của đầu cuối hai chế độ băng I. cuối hai chế độ băng I. 38 38 LNA: bộ khuếch đại tạp âm thấp LNA: bộ khuếch đại tạp âm thấp 38 38 Hình 4.10. Các đường cong mô tả ảnh hưởng tạp âm bộ điều chế máy phát WCDMA Hình 4.10. Các đường cong mô tả ảnh hưởng tạp âm bộ điều chế máy phát WCDMA 40 40 Sv: Cao Quang Kiên Lớp: D08VT1 Page iii Đồ án tốt nghiệp Danh mục hình vẽ Bảng 4.3. Các thông số cho ACS Bảng 4.3. Các thông số cho ACS 40 40 Hình 4.11. Mức tín hiệu cho đo kiểm ACS Hình 4.11. Mức tín hiệu cho đo kiểm ACS 42 42 Bảng 4.4. Các thông số cho nhiễu chặn trong băng trong băng khai thác I Bảng 4.4. Các thông số cho nhiễu chặn trong băng trong băng khai thác I 42 42 Bảng 4.5. Các thông số cho nhiễu chặn ngoài băng băng khai thác I Bảng 4.5. Các thông số cho nhiễu chặn ngoài băng băng khai thác I 42 42 Hình 4.12. Mặt nạ các mức công suất nhiễu chặn trong đo kiểm WCDMA Hình 4.12. Mặt nạ các mức công suất nhiễu chặn trong đo kiểm WCDMA 43 43 Bảng 4.6. Các thông số cho nhiễu băng hẹp Bảng 4.6. Các thông số cho nhiễu băng hẹp 44 44 Bảng 4.7. Các thông số đáp ứng giả Bảng 4.7. Các thông số đáp ứng giả 44 44 Hình 4.13. Đo kiểm nhiễu chặn trong băng và IMD2 Hình 4.13. Đo kiểm nhiễu chặn trong băng và IMD2 46 46 (a) Phổ tín hiệu mong muốn và nhiễu chặn dịch tần, (b) phổ băng gốc của các tín hiệu mong (a) Phổ tín hiệu mong muốn và nhiễu chặn dịch tần, (b) phổ băng gốc của các tín hiệu mong muốn và nhiễu. muốn và nhiễu. 46 46 Hình 4.14. Méo điều chế giao thoa bậc hai do nhiễu hai tần số trong máy thu DRC. Hình 4.14. Méo điều chế giao thoa bậc hai do nhiễu hai tần số trong máy thu DRC. 47 47 Hình 4.16. Xác định IIP2 Hình 4.16. Xác định IIP2 48 48 Hình 4.17. CCDF kênh chuẩn đường lên và nhiễu chặn 16 kênh DL Hình 4.17. CCDF kênh chuẩn đường lên và nhiễu chặn 16 kênh DL 49 49 Hình 4.18. Phổ biên độ của các sản phẩm IMD2 do nhiễu UL TX rò vào máy thu được mô Hình 4.18. Phổ biên độ của các sản phẩm IMD2 do nhiễu UL TX rò vào máy thu được mô phỏng sau lọc RRC tại đầu ra của DCR. phỏng sau lọc RRC tại đầu ra của DCR. 50 50 51 51 Hình 4.19. Phổ biên độ của các sản phẩm IMD2 do nhiễu chặn 16 kênh DL được mô phỏng Hình 4.19. Phổ biên độ của các sản phẩm IMD2 do nhiễu chặn 16 kênh DL được mô phỏng sau lọc RRC tại đầu ra của DCR. sau lọc RRC tại đầu ra của DCR. 51 51 Hình 4.20. Tự trộn trong DCR Hình 4.20. Tự trộn trong DCR 52 52 Bảng 4.8. Các thông số đối với IMD3 Bảng 4.8. Các thông số đối với IMD3 55 55 Hình 4.21. Đo kiểm IMD3 Hình 4.21. Đo kiểm IMD3 56 56 Hình 4.23. Mặt nạ phổ và kịch bản đo kiểm IIP3 cho nhiễu ngoài băng. Hình 4.23. Mặt nạ phổ và kịch bản đo kiểm IIP3 cho nhiễu ngoài băng. 58 58 Hình 4.24. Phổ của bộ dao động nội lý tưởng (a) và thực tế (b). Hình 4.24. Phổ của bộ dao động nội lý tưởng (a) và thực tế (b). 58 58 Hình 4.25. Trộn tương hỗ của tín hiệu gần với bộ dao động nội không lý tưởng. Hình 4.25. Trộn tương hỗ của tín hiệu gần với bộ dao động nội không lý tưởng. 59 59 Bảng 4.9. Yêu cầu phát xạ giả của máy thu Bảng 4.9. Yêu cầu phát xạ giả của máy thu 59 59 Bảng 4.10. Tổng kết các yêu cầu cho máy thu DCR theo các tính toán ở các phần trên. Bảng 4.10. Tổng kết các yêu cầu cho máy thu DCR theo các tính toán ở các phần trên. 59 59 Bảng 4.11. Tính toán tạp âm cho tầng vô tuyến của máy thu điển hình Bảng 4.11. Tính toán tạp âm cho tầng vô tuyến của máy thu điển hình 60 60 Sv: Cao Quang Kiên Lớp: D08VT1 Page iv Đồ án tốt nghiệp Danh mục bảng biểu DANH MỤC BẢNG BIỂU Bảng 2.1. Các thông số lớp vật lý W-CDMA Er ror: Reference source not found Bảng 2.1. Các yêu cầu của bộ lọc song công Error: Reference source not found Hình 3.2 Cấp phát băng tần FDD Error: Reference source not found Bảng 3.1. Cấp phát tần số 3G tại Việt Nam Error: Reference source not found Bảng 3.2. Định nghĩa UARFCN cho băng I (IMT-200) với phân cách tần số đường xuống và đường lên bằng 190MHz Error: Reference source not found Bảng 3.4. Các dặc tả quan trọng cho phần vô tuyến máy phát Error: Reference source not found Bảng 4.2. Các yêu cầu về mức công suất của độ nhạy máy thu. Error: Reference source not found Bảng 4.3. Các thông số cho ACS Error: Reference source not found Bảng 4.4. Các thông số cho nhiễu chặn trong băng trong băng khai thác I Error: Reference source not found Bảng 4.5. Các thông số cho nhiễu chặn ngoài băng băng khai thác I Error: Reference source not found Bảng 4.7. Các thông số đáp ứng giả Error: Reference source not found Bảng 4.6. Các thông số cho nhiễu băng hẹp Error: Reference source not found Bảng 4.8. Các thông số đối với IMD3 Error: Reference source not found Bảng 4.9. Yêu cầu phát xạ giả của máy thu Error: Reference source not found Bảng 4.10. Tổng kết các yêu cầu cho máy thu DCR theo các tính toán ở các phần trên. . Error: Reference source not found Bảng 4.11. Tính toán tạp âm cho tầng vô tuyến của máy thu điển hìnhError: Reference source not found Sv: Cao Quang Kiên Lớp: D08VT1 Page v Đồ án tốt nghiệp Bảng tra cứu viết tắt BẢNG TRA CỨU VIẾT TẮT BẢNG TRA CỨU VIẾT TẮT Sv: Cao Quang Kiên Lớp: D08VT1 Page vi Đồ án tốt nghiệp Bảng tra cứu viết tắt Từ viết tắt Từ viết tắt Nghĩa tiếng anh Nghĩa tiếng anh Nghĩa tiếng việt Nghĩa tiếng việt AGC Automatic Gain Control Vòng tự điều khiển ACLR Adjacent Channal Leakage Ratio Tỷ số rò kênh lân cận AMR Adaptive Multi Rate Đa tốc độ thích ứng ADC Analogue to Digital Converter Bộ biến đổi tương tự thành số AGR Automatic Gain Control Tự điều khuếch ACS Adjacent Channel Selectivity Độ chọn lọc kênh lân cận ARIB Association of Radio Industries and Business Liên hiệp công nghiệp và kinh doanh vô tu BB Base Band Tín hiệu băng gốc BTS Base Transceiver Station Trạm thu phát gốc DS-CDMA Đa truy nhập phân chia theo mã trải phổ trực tiếp DL Downlink Đường xuống BPF Band Pass Filter Bộ lọc băng thông DCS Hệ thống thông tin tổ ong (GSM 1800) DCA Direct Conversion Architecture Kiến trúc biến đổi trực tiếp EAC Equipment Antenna Connector EVM Error Vector Magnitude Biên độ vectơ lỗi ETSI European Telecommunications Standards Institute Viện tiêu chuẩn viễn thông Châu Âu HPF High Pass Filter Bộ lọc thông cao IF Intermediate Frequency Trung tần IMP Inter-Modulation Product Sản phẩm điều chế giao thoa LNA Low Noise Amplifier Bộ khuếch đại tạp âm nhỏ PA Power Amplifier Bộ khuếch đại công suất LPF Bộ lọc thông thấp LO Local Oscillater Bộ dao động nội MCP Minimum Coupling Loss Tổn hao ghép tối thiểu Sv: Cao Quang Kiên Lớp: D08VT1 Page vii Đồ án tốt nghiệp Bảng tra cứu viết tắt OOB Out of Band phát xạ ngoài băng OVSF Orthogonal Variable Spreading Factor Hệ số trải phổ trực giao khả biến UL Uplink Đường lên UE User Equipement Thiết bị người sử dụng RRC Radio Network Controller Bộ điều khiển mạng vô tuyến 3GPP Third Generation Parnership Project Đề án của các đối tác thế hệ ba RRC Root Raised Cosin Bộ lọc cosin tăng căn hai SEM Spectrum Emission Mask Mặt nạ phá xạ phổ PCS Hệ thống thông tin cá nhân Sv: Cao Quang Kiên Lớp: D08VT1 Page viii Đồ án tốt nghiệp Lời mở đầu LỜI MỞ ĐẦU LỜI MỞ ĐẦU Thông tin di động số đang ngày càng phát triển mạnh mẽ trên thế giới với những ứng dụng rộng rãi trong các lĩnh vực thông tin, trong dịch vụ và trong cuộc sống hằng ngày. Các kĩ thuật không ngừng được hoàn thiện đáp ứng nhu cầu của người tiêu dùng. Công nghệ điện thoại di động phổ biến nhất thế giới GSM đang gặp nhiều cản trở và sẽ sớm bị thay thế bằng những công nghệ tiên tiến hơn, hỗ trợ tối đa các dịch vụ như Internet, truyền hình Hệ thống viễn thông di động thế hệ hai là GSM và IS 95. Những công nghệ này ban đầu được thiết kế để truyền tải giọng nói và nhắn tin. Để tận dụng được tính năng của hệ thống 2G khi chuyển hướng sang 3G cần thiết có một giải pháp trung chuyển. Các nhà khai thác mạng GSM có thể bắt đầu chuyển từ GSM sang 3G bằng cách nâng cấp hệ thống mạng lên GPRS (Dịch vụ vô tuyến chuyển mạch gói), tiếp theo là EDGE (tiêu chuẩn 3G trên băng tần GSM và hỗ trợ dữ liệu lên tới 384kbit) và UMTS (công nghệ băng thông hẹp GSM sử dụng truyền dẫn CDMA), và WCDMA. 3G là một bước đột phá của ngành di động, bởi vì nó cung cấp băng thông rộng hơn cho người sử dụng. Điều đó có nghĩa sẽ có các dịch vụ mới và nhiều thuận tiện hơn trong dịch vụ thoại và sử dụng các ứng dụng dữ liệu như truyền thông hữu ích như điện thoại truyền hình, định vị và tìm kiếm thông tin, truy cập Internet, truyền tải dữ liệu dung lượng lớn, nghe nhạc và xem video chất lượng cao,… Truyền thông di động ngày nay đã và đang đóng một vai trò quan trọng trong cuộc sống. Việc vẫn có thể giữ liên lạc với mọi người trong khi di chuyển đã làm thay đổi cuộc sống riêng tư và công việc của chúng ta. Ngay từ đầu những năm 90 của thế kỷ 20, Hiệp hội Tiêu chuẩn Viễn thông châu Âu (ETSI) đã bắt đầu trưng cầu phương án kỹ thuật của tiêu chuẩn3G và “vội vàng” gọi chung kỹ thuật 3G là UMTS (Universal Mobile Telecommunications Systems) có nghĩa là các hệ thống thông tin di động đa năng. CDMA băng rộng (WCDMA) chỉ là một trong các phương án được khuyến nghị (băng rộng lên tới 5 MHz) Xuất phát từ ý tưởng muốn tìm hiểu hiệu năng và kiến trúc máy thu phát vô tuyến của công nghệ 3G UMTS em đã thực hiện đồ án: “Yêu cầu hiệu năng và kiến trúc máy thu phát vô tuyến di động 3G UMTS”. Đồ án này em trình bày 4 chương, gồm có : Chương 1 : Các yêu cầu hiệu năng cho phần vô tuyến và các yêu cầu chung khi thiết kế máy thu phát vô tuyến 3G UMTS Chương 2 :Xử lý tín hiệu lớp vật lý và kiến trúc UE Chương 3:Quy định kênh vô tuyến và các yêu cầu vô tuyến của 3G UMTS Chương 4:Các vấn đề thiết kế máy phát và máy thu 3G UMTS Sv: Cao Quang Kiên Lớp: D08VT1 Page 1 Đồ án tốt nghiệp Lời mở đầu Trong quá trình làm đồ án khó tránh khỏi sai sót, em rất mong sự chỉ dẫn của các thầy cô giáo và sự góp ý của các bạn để đồ án được hoàn thiện hơn. Em xin chân thành cảm ơn thầy Nguyễn Phạm Anh Dũng và các thầy cô giáo đã giúp em hoàn thành đồ án này !. Hà Nội, ngày 10 tháng 12 năm 2012 Người thực hiện Cao Quang Kiên Sv: Cao Quang Kiên Lớp: D08VT1 Page 2 [...]... chung khi thiết kế máy thu, phát và các yêu cầu hiêu năng cho phần vô tuyến CHƯƠNG 1 CÁC VẤN ĐỀ CHUNG VỀ THIẾT KẾ MÁY THU, PHÁT VÔ TUYẾN DI ĐỘNG 3G UMTS VÀ CÁC YÊU CẦU HIỆU NĂNG CHO PHẦN VÔ TUYẾN CỦA MÁY DI ĐỘNG 1.1 Các vấn đề chung về thiết kế máy thu, phát vô tuyến di động 3G UMTS Trình bày các vấn đề chung liên quan đến thiết kế phần vô tuyến trong đó tập trung lên máy cầm tay 3G WCDMA UMTS dựa trên... các phần tử vô tuyến của máy di động cũng như các vấn đề chung về thiết kế máy thu phát vô tuyến di động 3G UMTS Sv: Cao Quang Kiên Lớp: D08VT1 Page 8 Đồ án tốt nghiệp Chương 2: Xử lý tín hiệu lớp vật lý và kiến trúc UE CHƯƠNG 2 XỬ LÝ TÍN HIỆU LỚP VẬT LÝ VÀ KIẾN TRÚC CỦA UE Máy di động trong hệ thống 3G WCDMA UMTS được gọi là UE (User Equipement: thiết bị người sử dụng) Trước khi xét kiến trúc UE ta... truyền tín hiệu phát Một điểm thiết kế khác cần lưu ý là rò công suất phát vô tuyến tác động vào băng thu do tính phi tuyến của máy thu. Bảng 2.1 cho thấy các yêu cầu điển hình của bộ lọc song công Bảng 2.2 Các yêu cầu của bộ lọc song công Thông số Yêu cầu tính theo dB Suy hao từ phần vô tuyến phát đến anten . 5 MHz) Xuất phát từ ý tưởng muốn tìm hiểu hiệu năng và kiến trúc máy thu phát vô tuyến của công nghệ 3G UMTS em đã thực hiện đồ án: Yêu cầu hiệu năng và kiến trúc máy thu phát vô tuyến di động 3G UMTS . Đồ. máy thu, phát và các yêu cầu hiêu năng cho phần vô tuyến CHƯƠNG 1 CÁC VẤN ĐỀ CHUNG VỀ THIẾT KẾ MÁY THU, PHÁT VÔ TUYẾN DI ĐỘNG 3G UMTS VÀ CÁC YÊU CẦU HIỆU NĂNG CHO PHẦN VÔ TUYẾN CỦA MÁY DI ĐỘNG . Các yêu cầu hiệu năng cho phần vô tuyến và các yêu cầu chung khi thiết kế máy thu phát vô tuyến 3G UMTS Chương 2 :Xử lý tín hiệu lớp vật lý và kiến trúc UE Chương 3:Quy định kênh vô tuyến và các