Công suất phá xạ giả là công suất được tạo ra hay được khuếch đại trong một máy thu và xuất hiện tại 59onnect anten. Công suất phát xạ giả băng hẹp cũng như CW không đựơc vượt quá mức cực đại được đặc tả trong bảng 4.9.
Bảng 4.9. Yêu cầu phát xạ giả của máy thu
Băng tần Độ rộng băng đo Mức
10MHz≤f <1GHz 100kHz -57dBm
1GHz≤ f≤ 14,75GHz 1MHz -47dBm
4.2.12 Tổng kết các yêu cầu đối với máy thu UE
Từ các tính toán trên ta có thể thổng kết các yêu cầu cho máy thu DCR của UE trong bảng 4.15.
Bảng 4.10. Tổng kết các yêu cầu cho máy thu DCR theo các tính toán ở các phần trên.
Độ nhạy tham chuẩn -117dBm
Mức tín hiệu cực đại -25dBm
Mức tín hiệu cực tiểu -105dBm
Dải động (AGC) 82dB
Băng thông kênh 3,84MHz
NF ≤9dB ≤5DB
IIP2 ≥48dBm ≥50dBm
IIP3 trong băng ≥-17dBm ≥-19dBm
IIP3 ngoài băng xét cho rò từ máy phát
≥-7,25dBm
Nhiễu tạp âm LO ≤ -129dBc/Hz
Bảng 4.11 cho thấy thí dụ tính toán tạp âm máy thu. Đây là tính toán đơn giản với bỏ qua các yếu tổ gây giảm cấp máy thu khác như nhiễu giữa các chip và mất cân bằng biên và pha. Bảng 4.17 tính toán tổng tạp âm tương đương tại đầu vào máy thu và giá trị -97,7 dBm là giá trị mà tại đó đạt được BER=10-3 theo yêu cầu kênh đo thử cần lưu ý rằng trong trường hợp sản xuất hành loạt cần đưa thêm một lượng dự trữ và các con số trong bảng 4.11. Từ tổng giá trị tạp âm nay ta có thể rút ra hệ số tạp âm cho phép cực đại của máy thu UE NFmax=10,3dB
Bảng 4.11. Tính toán tạp âm cho tầng vô tuyến của máy thu điển hình
Thông số máy thu Giá trị
Tổn hao từ anten đến đầu vào máy thu 2,5dB
Hệ số tạp âm tại đầu vào LNA 3dB
Công suất phát 24dBm
Các ly từ máy phát đến đầu vào LNA 50dB
Tạp âm pha máy thu tại khoảng dịch song công
-85dBc trong băng thông 3,84MHz Tạp âm từ máy phát tại khoảng dịch
song công
-80dBc trong băng thông 3,84MHz Tạp âm nhiệt trong băn thông
3,84MHz
-108dBm ( tại 50 ôm) Tạp âm nhiệt( bao gồm cả NF) tại
anten
-102,5dBm
Nhiễu do méo IMD2 Rò tại LNA=-26dBm
Nhiễu WCDMA IMD2 tại LNA=- 105,63 dBm
Nhiễu WCDMA IMD2 tham chiều tại anten =-103dBm
Tạp âm băng rộng từ Tx Rò phat tại LNA=-26dBm
Tạp âm tại LNA=-106dBm
Tạp âm tham chiếu tại anten=- 103,5dBm
Nhiễu tạp âm pha của RxLO Rò phát tại LNA=-26dBm
Nhiễu tạp âm pha tại LNA=-111dBm Nhiễu tạp âm pha tham chiếu tại LNA=-106,5dBm
Tổng tạp âm cộng nhiễu tham chiếu tại conector anten
10lg(10-10,25 + 10-10,31 + 10-10,35 +10-10,85 ) =-97,85dBm
*dBc là khoảng dịch công suất tương đối so với công suất sóng mang phát chuẩn rò vào máy thu (trong trường hợp này là -26dBm).
Tổng kết chương :
Trong chương này em đã trình bày chi tiết về các vấn đề liên quan đến thiết kế máy phát và máy thu. Mục đích nắm được quá trình thiết kế máy phát và máy thu 3G UMTS nắm được những vấn đề gặp phải khi thiết kế..
KẾT LUẬN
Trong đồ án của mình em đã trình bày các vấn đề liên quan đến các yêu cầu hiệu năng và kiến trúc vô tuyến của máy thu và máy phát hệ thống cầm tay 3G WCDMA. Đồ án đã chỉ ra rõ các yêu cầu chung về hiệu năng cho các phần tử vô tuyến của máy di động cũng như các vấn đề chung khi thiết kế máy thu phát vô tuyến di động, tiếp theo nói lên được cấu trúc của hệ thống thiết bị người sử dụng và quá trình xử lý tín hiệu ở lớp vật lý.
Một phần rất quan trọng nữa được trình bày đó là các vấn đề liên quan đến thiết kế máy phát và máy thu trong 3G UMTS như việc cân đối giữa tỷ lệ rò kênh lân cận và tiêu thụ công suất, công suất ra cực đại và cân đối ACLR, cân đối ACLR và thời gian đàm thoại hay như tính chất pha….
Các việc làm này là cần thiết trong giai đoạn ngày nay khi công nghệ ngày càng phát triển và nhu cầu 3G đang tăng cao đòi hỏi phải hiểu rõ các vấn đề về hệ thống 3G UMTS và yêu cầu về hiệu năng và kiến trúc vô tuyến của hệ thống 3G và một phần trong đó cần phải nắm rõ. Qua đó giúp công nghệ ngày càng phát triển hơn và cải tiến hơn..
TÀI LIỆU THAM KHẢO
TÀI LIỆU THAM KHẢO
[1] Nguyễn Phạm Anh Dũng “Các phương pháp thu phát trong WCDMA”năm
2012
[2] Nguyễn Phạm Anh Dũng, “Công nghệ 3G UTMS,” năm 2009
[3] Nguyễn Phạm Anh Dũng, “Giáo trình cơ sở truyền dẫn viba số,” năm 2001
[4] Nguyễn Phạm Anh Dũng, “Lý thuyết trải phổ và đa truy nhập vô tuyến” năm
2009
[5] “W-CDMA for UMTS–HSPA evolution and LTE” Jonh Wiley & Son, Ltd..năm 2007
[6] “3G handset and network design” Geoff Varrall Roger Belcher năm 2003.. [7] 3gpp.org, www.wikipedia.com; google.com..