1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

KHÁI QUÁT TÍNH CHẤT CỦA MỘT SỐ NGUỒN NHIỄU ĐIỆN, CÁC TÁC ĐỘNG LÀM ẢNH HƯỞNG TỚI CHẤT LƯỢNG CỦA HỆ THỐNG THÔNG TIN VÀ MỘT SỐ PHƯƠNG PHÁP HẠN CHẾ

71 1K 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 71
Dung lượng 2,59 MB

Nội dung

Đề tài : KHÁI QUÁT TÍNH CHẤT CỦA MỘT SỐ NGUỒN NHIỄU ĐIỆN, CÁC TÁC ĐỘNG LÀM ẢNH HƯỞNG TỚI CHẤT LƯỢNG CỦA HỆ THỐNG THÔNG TIN VÀ MỘT SỐ PHƯƠNG PHÁP HẠN CHẾ. Nội dung luận văn gồm có 4 chương: Chương 1 có tiêu đề “Khái quát về một số tính chất của các nguồn nhiễu điện chính” Chương 2 có tiêu đề “Ảnh hưởng của nhiễu điện trong hệ thống thông tin” Chương 3 với tiêu đề “Một số phương pháp giảm thiểu sự ảnh hưởng của nhiễu điện” Chương 4 với tiêu đề “Một số đặc thù địa hình và một vài biện pháp giảm nhiễu điện trên địa bàn tỉnh Hòa Bình”

Trang 1

MỞ ĐẦU

Chúng ta đang sống trong một thời đại mà sự trao đổi thông tin đã và đang trởthành nhu cầu thiết yếu đối với mọi người Thông tin cho phép con người liên lạcvới nhau từ những khoảng cách xa, như những con tầu ngoài đại dương, với vũ trụ,

vệ tinh hay với nhưng người lái xa trên đường, các nhà khí tượng thủy văn hay địachất có thể thực hiện phép đo từ xa… Với sự phát triển như vũ bão của hệ thốngthông tin truyền thông đã đáp ứng được những nhu cầu đó của con người Sự pháttriển của hệ thống thông tin từ kỹ thuật analog đến kỹ thuật số, từ tốc độ thấp lênđến tốc độ cao dựa trên nền tảng phát triển của các công nghệ như vi điện tử, côngnghệ truyền dẫn, chuyển mạch,…

Các hệ thống thông tin đều dùng tìn hiệu điện, quang với các tín hiệu khác nhau

Để truyền được thông tin đòi hỏi cần phải xử lý thông tin đó ví dụ như chuyển tínhiệu analog thành tín hiệu digital, điều chế, giải điều chế, phát tin, nhận tin…trongnhững quá trình xử lý tín hiệu trên toàn hệ thống luôn luôn xuất hiện nguồn nhiễutrong và nhiễu ngoài làm méo tín hiệu thông tin

Nhiễu là bản chất nội tại của quá trình và là bản chất tự nhiên Ta chỉ có thể hạnchế chứ không thể loại bỏ bằng các kỹ thuật khác nhau Việc xử lý giảm nhiễu vôcùng tốn kém và phức tạp, đây là một trong những nhiệm vụ gần như quan trọng khiphát triển các hệ thống thông tin Chính vì thế từ xưa việc nghiên cứu, khắc phụcnhiễu rất mạnh và đa dạng trong lĩnh vực như nhiễu nội, nhiễu ngoại

Nhiêu điện phản ánh khá đầy đủ tính chất bên trong của vật liệu linh kiện điện tửbán dẫn sensor, trước đây kích thước linh kiện điện tử bán dẫn, IC còn lớn cỡ từ mđến nm, độ lớn của tín hiệu thông tin cũng tương đối lớn cỡ trung bình từ A đến

mA thì nhiễu tuy có ảnh hưởng nhiều nhưng vẫn có độ lớn nhỏ hơn một hoặc haibậc độ lớn Thế nhưng từ những năm 1990 trở lại đây công nghệ nano phát triểnmạnh nhằm chế tạo ra các linh kiện có kích thước siêu nhỏ thì tín hiệu chứa thôngtin cũng giảm xuống rất nhỏ Đặc biệt trong công nghệ thông tin quang thì vấn đềnghiên cứu xử lý nhiễu trở thành vấn đề được quan tâm lớn

Trang 2

Ở Việt Nam ta việc nghiên cứu các đặc tính nhiễu, đo đạc chúng đã được quantâm xong chưa được mạnh mẽ, một phần do đây là một lĩnh vực khá khó và kinhphí để cho việc nghiên cứu cũng khá lớn Chính vì vậy tôi đã chọn luận văn này vớimục đích bước đầu nhằm hệ thống hóa các nguồn nhiễu nội, nhiễu ngoại, và cácphương pháp tham gia vào đo đạc, giảm thiểu nhiễu của linh kiện, thiết bị, các hệthống thông tin.

Nội dung luận văn gồm có 4 chương:

Chương 1 có tiêu đề “Khái quát về một số tính chất của các nguồn nhiễu điệnchính” nhằm đưa ra một số định nghĩa, phân loại nhiễu, các thông số dặc trưng củamột số nguồn nhiễu điện chính như nhiễu nhiệt, nhiễu nổ, nhiễu thác lũ và một sốnguồn nhiễu quan trọng trong Laser Đưa ra một số nguồn nhiễu sinh ra do các tácnhân bên ngoài như: nhiễu do đường dây điện lực, nhiễu do sấn sét gây ra…

Chương 2 có tiêu đề “Ảnh hưởng của nhiễu điện trong hệ thống thông tin” nhằmđưa ra các ảnh hưởng của nhiễu đến hệ thống thông tin Phần này nêu lên những đặcđiểm của hệ thống thông tin khi chịu tác động của nhiễu bên trong và bên ngoài nhưảnh hưởng của tán sắc trong hệ thống thông tin quang, ảnh hưởng của méo tín hiệu,ảnh hưởng của sấm sét, của đường dây điện lực và đặc biệt là ảnh hưởng của môitrường truyền sóng Trên thực tế ngày nay một số mạng thông tin di động sử dụngdải tần số gần nhau cũng ảnh hưởng lẫn nhau, chương 2 cũng nêu lên và nghiên cứumột số đặc điểm, nguyên nhân của ảnh hưởng này

Chương 3 với tiêu đề “Một số phương pháp giảm thiểu sự ảnh hưởng của nhiễuđiện” nêu lên một số phương pháp làm giảm nhiễu trong hệ thống thông tin Trongthực tế, nhiễu không thể hoàn toàn loại bỏ được mà chỉ có thể làm giảm bớt phầnnào bằng các biện pháp khác nhau như: cho hệ thống hoạt động đúng chế độ, thiết

kế mạch điện hay thiết bị tối ưu, nối đất cho thiết bị tốt, Đối với các nguồn nhiễunội ta sử dụng các kỹ thuật làm giảm chúng như trong các hệ thống DSL, trong các

bộ khuếch đại quang Đối với nhiễu bên ngoài như các biện pháp trống ảnh hưởngcủa đường dây điện lực và một số phương pháp khác nhằm giảm ảnh hưởng củanhiễu

Trang 3

Chương 4 với tiêu đề “Một số đặc thù địa hình và một vài biện pháp giảm nhiễuđiện trên địa bàn tỉnh Hòa Bình” đã nêu lên một số đặc thù của tỉnh Hòa Bình nhưđặc điểm về địa hình, đặc điểm của hệ thống thông tin và đặc biệt là ảnh hưởng củanhà máy thủy điện Hòa Bình, của đài truyền thanh… Đưa ra một số phương pháplàm giảm nhiễu tại địa phương và một số phép đo nhiễu nội, một vài kết quả đonhiễu cụ thể.

Những đề tài về nhiễu tương đối khó, do thời gian nghiên cứu hạn hẹp nên luận văn mới giải quyết được một vài nhiệm vụ ban đầu

Trang 4

CHƯƠNG 1

KHÁI QUÁT VỀ MỘT SỐ TÍNH CHẤT CỦA CÁC

NGUỒN NHIỄU ĐIỆN CHÍNH

1.1.NHIỄU NỘI , CÁC ĐẶC TRƯNG VÀ MỘT SỐ NGUỒN NHIỄU CHÍNH TRONG LINH KIỆN ĐIỆN TỬ

1.1.1.Định nghĩa, phân loại nhiễu

- Nhiễu nội là nhiễu trong các linh kiện điện tử- Bán dẫn – sensor nó bao hàmcác dao động ngẫu nhiên xẩy ra ở bên trong vật liệu và linh kiện Tất cả các đạilượng vật lý đặc trưng của mỗi loại vật liệu hoặc linh kiện đều dao động một cáchngẫu nhiên xung quanh giá trị trung bình và sự thăng giáng ngẫu nhiên đó được gọi

là nhiễu Như vậy sự thăng giáng ngẫu nhiên của các đại lượng nói trên xẩy ra donhiễu có các nguyên nhân khác nhau: có thể là do sự dao động trong lòng vật liệu

và linh kiện cũng có thể do tác động cơ – lí – hóa, điện từ trường ở bên ngoài tácđộng vào linh kiện và thiết bị

- Phân loại nhiễu: Để phân loại nhiễu ta có thể chia thành hai nhóm chính là:nhiễu điện từ ( electroneagnetic noise) và nhiễu trong (internal noise)

+ Nhiễu điện từ được sinh ra do các nguồn bức xạ điện từ bên ngoài hệ thốngthông tin( như: nhiễu do các trạm phát sóng, do các thiết bị trong công ngiệp, nhiễu

do sấp chớp, sét trong khí quyển và cũng có thể do bức xạ từ vũ trụ …) tuy nhiênđối với nhiễu điện từ này chúng ta có thể loại trừ được bằng các biện pháp kỹ thuậtkhác nhau

+ Nhiễu trong được gây nên bởi các hiện tượng thăng giáng của các quá trình vật

lý xẩy ra ở bên trong bản thân các linh kiện điện tử -bán dẫn – sensor Khi xuất hiệnloại nhiễu này ta không thể tránh được tuy nhiên ta có thể hạn chế được ảnh hưởngcủa nó nếu như ta biết được đặc tính của nhiễu và nguyên nhân gây ra nó Thôngthường nhiễu trong có giá trị rất nhỏ, tuy nhiên trong một số trường hợp ta khôngthể bỏ qua được nó, như khi đo đạc các đại lượng vật lý có giá trị bè hoặc khuếchđại các tín hiệu nhỏ … vì nhiễu trong quy định ngưỡng nhạy dưới của các dụng cụthu đo và xử lý tín hiệu Loại nhiễu này đã được rất nhiều người quan tâm nghiên

Trang 5

cứu, đặc biệt là trong các lĩnh vực như: chế tạo các vật liệu, linh kiện phục vụ cho

kỹ thuật thông tin, điều khiển Dựa vào nguồn gốc gây ra nhiễu, người ta đã tìm rađược trên 10 loại nhiễu trong khác nhau như là: nhiễu nhiệt, nhiễu nổ, nhiễu 1/f,nhiễu phát sinh tái hợp, nhiễu bập bùng, nhiễu thác lũ, …Tùy thuộc vào bản chấtcủa vật liệu, cấu trúc và nguyên lý hoạt động của linh kiện mà mỗi loại vật liệu vàlinh kiện thường chỉ có một số loại nhiễu tiêu biểu nhất định

1.1.2.Các thông số đặc trưng

a) Giá trị trung bình, phương sai và giá trị căn bậc hai bình phương (Root Mean

Square – RMS): một đại lượng x nào đó thăng giáng ngẫu nhiên xung quang mộtgiá trị trung bình theo thời gian , về mặt toán học có thể viết:

x x

x  

 (1.1) Theo lý thuyết thống kê thì:

Về ý nghĩa vật lý phương sai biểu thị công suất thăng giáng hay công suất nhiễu

S( )  (1.3)



0

) (f df S

Trang 6

trong đó: dp là công suất nhiễu ứng với các thành phần có tần số từ f đến f+df với df

là một biến thiên vô cùng nhỏ và P là công suất nhiễu toàn phần ứng với mọi tần số

c) Dải thông nhiễu

Dải thông nhiễu (kí hiệu là f) được định nghĩa là dải tần số thuộc đường cong

hệ số khuếch đại công suất tạo thành một hình chữ nhật có diện tích bằng diện tíchtạo bởi đường cong hệ số khuếch đại công suất thực tế với trục tần số

df f G G

f (1.5)trong đó G(f) là hệ số khuếch đại công suầt của hệ như một hàm của tần số, G0 là hệ

số khuếch đại công suất ứng với tần số nằm giữa dải

2

2 1

2 2 1

i        

 (1.7)trong đó: c là hệ số tương quan, được xác định bằng biểu thức:

2 2 2 1

2 1

i

i

i i c

2 2

2

2 1

i    

 (1.9)

e) Hàm tự tương quan và hàm hỗ tương quan

Hàm tự tương quan đặc trưng cho sự phụ thuộc vào nhau giữa hai giá trị bất kỳlấy ở hai thời điểm tương ứng là t và t +  trên cùng một thể hiện của quá trình ngẫunhiên x(t) được xác định bằng biểu thức:

Trang 7

T t

x t x R

0

) ( ) (

1 lim ) ( ) ( ) (    (1.10)

f) Tỷ số tín hiệu trên nhiễu S/N

Để so sánh nhiễu với tín hiệu người ta dùng tỷ số S/N Tỷ số tín hiệu trên nhiễuđược xác định theo biểu thức ở tại đầu vào hay đầu ra của linhkiện có thể viết :

N

S

P

P N

S

 (1.11)trong đó: PS là công suất tín hiệu, PN là công suất nhiễu.Trong biểu thức trên côngsuất có thể thay bằng trị bình phương của dòng hoặc điện áp

g) Hệ số nhiễu F (noise factor)

Hệ số nhiễu đặc trưng cho sự suy giảm của tỷ số tín hiệu trên nhiễu khi truyềnqua một tứ cực, được xác định bằng biểu thức :

o o

i i

N S

N S F

/

/

 (1.12)trong đó: Si /Ni là tỷ số công suất tín hiệu trên nhiễu ở đầu vào và So /No là côngsuất tín hiệu trên nhiễu ở đầu ra Trường hợp có nhiều tứ cực mắc nối tiếp với nhauthì hệ số nhiễu của cả hệ được xác định theo công thức Friis [21]:

1 2

1 2

1

3 1

2

1 1

F G

G

F G

F F

trong đó: F1 và G1 là hệ số nhiễu và hệ số khuếch đại công suất của tầng đầu tiên, F2

và G2 là của tầng thứ 2, , Fm và Gm là của tầng thứ m

h) Nhiệt độ nhiễu tương đương

Nhiệt độ nhiễu tương đương Tn của một lưỡng cực bất kì có trị bình phươngtrung bình điện áp nhiễu đo được trong dải tần f là u2 và R là điện trở tươngđương với lưỡng cực đó, được định nghiã là nhiệt độ cần có của điện trở R để tạo ranhiễu nhiệt có công suất nhiễu đúng bằng công suất nhiễu của lưỡng cực Nhiệt độnhiễu tương đương Tn được xác định bằng biểu thức như sau :

f kR

u

T n

4

2

(1.14)

Trang 8

ở đây đại lượng u t2 4kT n Rf là trị bình phương trung bình của điện áp nhiễu nhiệt

do điện trở R gây ra

ở đây Tn được gọi là nhiệt độ nhiễu của tứ cực được quy về đầu vào, T0 là nhiệt độchuẩn (T0 = 2900 K)

1.1.3.Một số nguồn nhiễu nội chính

1.1.3.1.Nhiễu nhiệt (Thermal noise)

Nhiễu nhiệt là sự chuyển động hỗn loạn của các hạt tải điện ở bên trong vật dẫn

Sự chuyển động này sinh ra một dòng điện thăng giáng ngẫu nhiên và dòng điệnthăng giáng gọi là dòng nhiễu nhiệt Lúc này ở hai đầu vật dẫn xuất hiện một nguồnđiện áp và nguồn điện áp đó biến đổi ngẫu nhiên, gọi là điện áp nhiễu ( hay còn gọi

là suất điện động nhiễu nhiệt) Nhiễu nhiệt được nghiên cứu bởi Johnson vào năm

1927, gọi là nhiễu Johnson

Khi không có điện trường ngoài đặt vào vật dẫn trong điều kiện nhiệt độ nhấtđịnh thì mật độ phổ của nguồn điện áp được xác định bởi công thức:[27]

SV(f) = 4kTR (1.16)Trong đó k = 1,38.10-23J0K-1 là hằng số Boltzman, T là nhiệt độ tuyệt đối, R là điện trở thuần của vật dẫn

Để chứng minh công thức (1.16) bằng lý thuyết của mình Nyquist chứng minhmật độ phổ nhiễu nhiệt không phụ thuộc vào tần số (các nhiễu có tính chất này đượcgọi là nhiễu trắng) Trị bình phương trung bình của điện áp nhiễu nhiệt trong dải tần

f được tính bằng công thức:[27]

u t2 S v(f) f  4kTRf (1.17)Nếu biểu diễn qua dòng nhiễu tương đương thì:

kTG f

S i( )4 (1.18)

f kTG

i t2 4  (1.19)

Trang 9

S v  (1.20)

)(4)( kTR

S t  (1.21)trong đó  = 2f là tần số góc, còn G() = R()/(R2()+X2())

Trị bình phương trung bình của điện áp nhiễu và dòng nhiễu trong dải tần số f

= f2 - f1 được tính bằng các biểu thức tương ứng như sau:

)

1 2

1

R kT df f S

)

1 2

1

G kT df f S

f i

t    (1.23)công thức Nyquist được thiết lập dựa trên mô hình lí thuyết cổ điển nên nó chỉ đúngvới điều kiện hf << KT hay f<<1013 Hg (h là hằng số Plăng)

Khi khảo sát nhiễu nhiệt ở vùng tần số cao thì mật độ phổ nhiễu nhiệt có dạngtổng quát:

1

4)(

KT hf V

e

hfR f

Trong thực tế thì nhiệt là nguồn nhiễu phổ biến của tất cả các linh kiện và thiết

bị điện tử Qua nghiên cứu và thực tế thấy rằng để hạn chế ảnh hưởng của nhiễunhiệt thì cần phải hạ thấp nhiệt độ khi linh kiện hoặc thiết bị hoạt động

1.1.3.2.Nhiễu nổ (shot noise)

Khi dòng điện chạy qua hàng rào thế năng nó sẽ sinh ra nhiễu nổ Nhiễu nổ gây

ra bởi sự thăng giáng dòng do sự phát xạ ngẫu nhiên các electron (hoặc các lỗ trống)qua hàng rào thế năng Nhiễu nổ là một nguồn nhiễu đặc thù của tất cả các linh kiện

có tồn tại một hàng rào thế ở bên trong, ví dụ như: các đèn điện tử, các dụng cụ bán

Trang 10

dẫn( điốt, transitor, photođiốt ) Nhiễu nổ gây ra trong các dụng cụ bán dẫn là do sựdịch chuyển ngẫu nhiên của các electron (hoặc các lỗ trống) qua lớp tiếp xúc P-N.Mỗi dụng cụ có cơ chế gây nhiễu riêng, tuỳ theo cấu trúc và nguyên lí hoạt động.Nguyên nhân chủ yếu gây ra nhiễu nổ trong các đèn điện tử là sự phát xạ ngẫunhiên các electron từ catốt Mật độ phổ của nhiễu nổ ở vùng tần số thấp được xácđịnh bằng công thức :

Si(f)=2eI (1.25)trong đó e là điện tích của electron, I là dòng một chiều trung bình

Công thức (1.25) chỉ rõ ở các tần số thấp mật độ phổ công suất nhiễu nổ là hằng

số và tỷ lệ với giá trị trung bình của dòng điện

Trong dải tần số f nhiễu nổ được xác định bằng biểu thức:

f eI

i Sh2 2 

(1.26)trong đó i2 Sk là giá trị bình phương trung bình của dòng nhiễu nổ trong dải tần số f.Công thức (1.26) chỉ đúng trong giới hạn tần số nhất định Khi tăng tần số lên vôhạn nghĩa là giảm thời gian khảo sát xuống vô cùng bé đến mức có thể so sánh vớithời gian dịch chuyển  của điện tử qua miền điện tích không gian thì các công thức(1.26) không còn đúng nữa Trong trường hợp này mật độ phổ nhiễu của nhiễu nổphụ thuộc vào tần số dưới dạng:

)

sin(2)

f

S i  (1.27) Khi f << 1 hay f << 1/ thì công thức (1.27) trở về công thức (1.25)

1.1.3.3.Nhiễu 1/f (1/f noise or Flicker noise)

Nhiều linh kiện điện tử và bán dẫn khi được thiên áp một chiều người ta thấytrong chúng xuất hiện một loại nhiễu ở tần số thấp có đặc tính là mật độ phổ nhiễu

có dạng:

f CI f

S i( )  1 (1.28)

Trang 11

trong đó C,  và  là các hằng số, I là dòng 1 chiều, f là tần số Trong nhiều trườnghợp thì giá trị   2 còn giá trị   1 Nhiễu mà mật độ phố của nó có dạng nhưtrên được gọi là nhiễu nhấp nháy (flicker noise) hay thường gọi là nhiễu 1/f

Nhiễu 1/f lần đầu tiên đã được phát hiện bởi Johnson ( năm 1925 ) khi nghiêncứu hiệu ứng Shottky trong các mạch tần số thấp và từ đó vấn đề này đã được nhiềutác giả quan tâm nghiên cứu Cho đến nay người ta phát hiện thấy nhiễu 1/f ở rấtnhiều vật liệu và linh kiện như: các đèn điện tử, các chất bán dẫn, các dụng cụ cóchuyển tiếp pn, các màng kim loại, các kim loại lỏng, các dung dịch điện phân vàcác chất siêu dẫn

1.1.3.4.Nhiễu phát sinh tái hợp G-R (gerenation - recombination noise)

Trong các vật liệu bán dẫn thường gặp một loại nhiễu liên quan trực tiếp đến cơchế phát sinh- tái hợp các hạt tải được gọi là nhiễu phát sing tái hợp ( viết tắt là G -

R noise) Sự thăng giáng số hạt tải N ở bên trong mẫu bán dẫn sẽ là N = N - N0,trong đó N0 là số hạt tải ở trạng thái cân bằng hay số hạt tải trung bình ở trong mẫu.Theo định lý Viner- Khinschin thì mật độ phổ của sự thăng giáng N có dạng:

2 2 2

14)(

0

2 2 2

0

2

14

)()

I f

S i N (1.30)Các đại lượng N2 và  trong biểu thức (1.30) phụ thuộc vào tốc độ phát sinh,tái hợp và chúng được xác định theo các công thức có tính tổng quát do Burgessđưa ra như sau:

)()(

)()

(

0

2 0 2

0 2

0

2

N g N r

N g N

N N

 (1.32)

Trang 12

ở đây g(N0 ) và r(N0) là tốc độ phát sinh và tốc độ tái hợp các hạt tải ở trạng tháicân bằng, còn g/(N0) và r/(No) là đạo hàm của tốc độ phát sinh và tốc độ tái hợp theo

N lấy tại gía trị N = N0

1.1.3.5.Nhiễu thác lũ (avalanche noise)

Nhiễu thác lũ xuất hiện trong các dụng cụ hoạt động ở chế độ thác lũ như: cácđiôt, transistor thác lũ, photodiode thác lũ và một số quá trình thác lũ khác.Nguyên nhân gây ra nhiễu thác lũ là do các hạt tải được tăng tốc ở trong điện trườngcao, gây nên sự ion hoá làm phát sinh ra các hạt tải khác Quá trình này xảy ra ngẫunhiên nên đã tạo ra nhiễu thác lũ Đối với các diode và photodiode bán dẫn thác lũkhi hệ số ion hoá của điện tử và lỗ trống ở trong miền điện tích không gian củachuyển tiếp pn bằng nhau thì mật độ phổ của dòng nhiễu thác lũ ở tần số thấp códạng :

0 3

2eM I eM I

S iM  (1.33)trong đó: I0 là dòng sơ cấp, IM = MI0 là dòng toàn phần, M là hệ số nhân thác lũ

a a

a a

L L

L L

)()(

(1.34)trong đó  là hệ số ion hoá trung bình trong vùng thác lũ có độ dài là La

1.1.3.6.Nhiễu bập bùng (burst or popcorn noise or radom Teleghap Signal -RTS)

Trong các dụng cụ bán dẫn có lớp chuyển tiếp pn như: các điôt, photođiôt,transitor và trong cả các điện trở cacbon đôi khi xảy ra một loại nhiễu điện đặc biệtgọi là nhiễu bập bùng (burst or popcorn noise) Nhiễu này thường gồm các xungngẫu nhiên có độ dài thay đổi và độ cao như nhau (hình 1.1)

Trang 13

Nguồn gốc của nhiễu bập bùng có thể là do sự đánh thủng địa phương, do sự bấtđồng đều của vật liệu hoặc do các khuyết tật của mạng tinh thể làm sai lệch mạng

và tạo nên các tâm bắt với mật độ lớn Dạng phổ có thể viết như sau:

2 0 2

0 2

2 1

1

.)(

4)(

1.1.3.7.Một số nguồn nhiễu quan trọng trong Laser

Laser có cấu trúc cơ bản là sử dụng tiếp giáp bán dẫn pn kết hợp với khoangcộng hưởng ánh sáng và có cấu trúc dị thể kép Nguyên tắc cấu trúc là chỉ khuếchđại các sóng ánh sáng chạy theo phương dọc của khoang cộng hưởng, các sóng ánhsáng không chạy theo phương dọc sẽ bị hấp thụ Quá trình phát xạ ánh sáng củaLaser theo nguyên lý sau:

- Qúa trình tạo ra đảo lộn mật độ: cấu tạo Laser theo cấu trúc dị thể kép, độchênh lệch mức năng lượng giữa lớp p - lớp hoạt chất - lớp n rất lớn, được gọi làhàng rào dị thể Đặt một điện thế phân cực có chiều dòng điện hướng từ lớp p sanglớp n Khi đó, các điện tử từ lớp n bị kéo về cực dương và chuyển dời vào vùng hoạtchất, tronh khi đó các lỗ trống ở lớp p bị kéo về cực âm và cùng chuyển dời vàovùng hoạt chất Các điện tử và lỗ trống chuyển dời vào vùng hoạt chất bị giam tronglớp hoạt chất này và do hàng rào dị thể Từ đó tạo nên đảo lộn mật độ

- Tái hợp và phát xạ tự phát: Các điện tử và lỗ trống bị giam trong lớp hoạt chất

với mật độ rất cao tái hợp tự nhiên với nhau và phát ra ánh sáng tự nhiên

- Hấp thụ photon, phát xạ kích thích và tạo ánh sáng kết hợp: Khi ánh sáng phát

ra trong quá trình trở về trạng thái E1 với năng lượng E2- E1 tiếp tục kích thích mộtđiện tử khác đang ở trạng thái kích thích Điện tử này hấp thụ năng lượng ánh sángtới và trong quá trình trở về trạng thái E1 nó sẽ giải phóng ra một năng lượng ánhsáng dưới dạng sóng điện từ với độ lớn lớn hơn nhiều độ lớn E2- E1 (năng lượngphát xạ tự phát)

Trang 14

- Phát xạ ánh sáng: cấu tạo Laser để các ánh sáng phát ra hướng về phía sợiquang.

Nhiễu trong Laser là nhiễu biến đổi ngẫu nhiên không mong muốn từ đầu ra của

một diode Laser xuất hiện thậm chí dòng vào không đổi Đây là đặc trưng liên quanđến các laser kém chất lượng Nhiễu Laser chỉ đạt đỉnh khi điều chế Diode tại tần sốcộng hưởng của nó ( điển hỉnh khoảng vài GHz) Vì thế, nhiễu Laser có ý nghĩa lớnđối với đường truyền tần số cao Diode laser được thiết kế tốt sẽ tạo ít nhiễu hơnvào hệ thống khi hoạt động tại miền cộng hưởng Với một vài Laser nhiễu sẽ đạtđỉnh tại mức ngưỡng dao động Khi dòng vào tăng trên mức ngưỡng, nhiễu Laservẫn ổn định trong khi công suất đầu ra tăng nhanh

a) Nhiễu độ lớn quan hệ trong Laser Diode (RIN- Relative Intensity Noise)

Nhiễu RIN là dao động biên độ tại đầu ra của diode Laser Nhiễu này chủ yếugây ra do sự phát ánh sáng tự phát Nếu ánh sáng đến bộ thu quang có công suất làPin + Pin, với Pin là nhiễu biên độ trung bình 0, RIN được định nghĩa là:[27]

RIN

in

rin in

in def

P

S BP

P E

2 2

2 ] 2 [

 ( 1.36)Với B là băng tần của tín hiệu và Srin là phân bố quang phổ công suất 2 vế của

Pin(t) Vì dòng quang tại đầu ra của bộ tiền thu quang tỷ lệ với công suất ánh sángđến, giá trị trung bình bình phương của dao động dòng quang là:

E[i2 rin] = RIN(Iph 2B] = [RIN(MapdPin)2B (1.37)RIN còn có thể gây ra bởi tính phi ổn về phương thức và sự phản xạ tại giao tiếpdiode – sợi quang Do đó, RIN sẽ gồm 2 thành phần: RIN nội, gây nên bởi sự phát

xạ tự phát và tính phi ổn mô hình nội tại và RIN ngoại, gây nên bởi phản xạ

- RIN nội: kết quả thực nghiệm chỉ ra rằng RIN nội tỷ lệ với:[27]

RIN ( 1 ) 3 ( )3

tx

th th

B

P

I I

I

 (1.38)Với IB là dòng thiên áp và Ith là mức ngưỡng của diode

Từ phương trình này, với một diode có dòng ngưỡng nhỏ sẽ có RIN nhỏ tại đầu

ra RIN nội cũng phụ thuộc vào tần số điều chế, RIN như là hàm của tần số điều

Trang 15

chế Ở dải tần điều chế thấp, RIN theo phương trình (1.38) Nếu tần số điều chế

tăng, sự phụ thuộc của RIN vào hệ số (  1 )

Fp= n c L

f

2 (1.39)với nf là chỉ số khúc xạ của sợi quang

b) Nhiễu pha từ diode Laser

Nhiễu pha gây nên bởi sự phát quang tự phát ngẫu nhiên trong diode Laser Nếukhông có sự tự phát này, phổ ánh sáng đầu ra gồm các hàm delta (mỗi hàm delta

[ - i] ứng với 1 mode dọc tại tần số I ) Nếu không có sự phát quang tự phátngẫu nhiên, phổ sẽ không còn là tổng của các hàm delta Thay vào đó, phổ được mởrộng và có băng tần khác 0 hữu hạn quanh mỗi i

Mở rộng chiều ngang đường dẫn do nhiễu pha, để xem xét ảnh hưởng của việc

mở rộng chiều ngang đường dẫn, xét đầu ra sóng ánh sáng liên tục của Laser đơnmode cho bởi:[27]

x(t) = ej[c(t) + (t)] (1.40)Với c là tần số trung tâm và (t) là nhiễu pha Nếu (t) = 0, x(t) tại tần số đơn

và PSD của nó là hàm delta Nếu có nhiễu pha thì PSD do nhiễu pha gây ra cho bởi:

Sx() = 1 2 ( / 2 ) 2

2

I R t

t

sp lw c coh

Trang 16

Với Rsp là tỷ số phát quang tự phát (1/sec), l là hệ số mở rộng chiều ngangđường dẫn, I là tổng số các photon trong khoang Laser (không thứ nguyên) và tcoh làthời gian kết hợp, thì:

tcoh = (14 2)

lw s

R

t   (1.43)Phương trình (1.42) chỉ ra rằng, tcoh tỷ lệ với I hay với công suất quang đầu ra

Do đó, với công suất quang càng lớn, thời gian kết hợp càng dài, phổ tần được chobởi phương trình (1.43) thường được xem như phổ lorentzian

c) Nhiễu chia mode (MPN- mode Partition Noise)

Nhiễu chia mode MPN gây ra bởi xung đột mode trong sợi Laser FP ( Fabry –Perot) đa mode Kết quả, dù cho công suất tổng không đổi, phân bố công suất chocác mode khác nhau là ngẫu nhiên Vì các mode khác nhau có trễ truyền dẫn khácnhau trong sợi quang nên phân bố công suất ngẫu nhiên dẫn đến biến đổi công suấtngẫu nhiên tại đầu thu Sự dao động công suất do tranh chấp mode được gọi làMPN Vì tranh chấp công suất giữa tất cả các mode dài chưa được hiểu biết đầy đủ,nên không thể mô tả chính xác PDF Tuy nhiên, giống như RIN, rõ ràng rằng, côngsuất nhiễu của MPN là tỷ lệ với công suất tín hiệu Kết quả là, nếu MPN trội hơn,

có thể đạt tới đáy nhiễu

Giả thiết, diode Laser đã cho có N mode dài và mỗi mode có công suất tươngứng là ai, i=1,…,N Theo định nghĩa, tổng của ai thỏa mãn:[27]

a1 ( ) (1.45)

Trang 17

Nếu tín hiệu lấy mẫu tại thời điểm t0,phương sai của tín hiệu lấy mẫu là:[27]

( )

, 0 2

j i j i j j

a t f t f

a a a a t f t f k

j i

j i j i

) (

) ( ) (

(1.48)

2

2 2

k N

D k x k x

Nếu MPN gây ra bởi suy hao thì MPN gây ra bởi sự phân chia mode ngẫu nhiên,

nó cũng có thể biểu thị bởi nhiều cơ chế khác nhau

Giả thiết:

if i or m i N

m i n if A

n i i mpn A a a

2

 (1.50)Phương trình này chỉ ra, công suất nhiễu tỷ lệ với công suất trung bình của modetruyền qua, nhân với công suất trung bình của mode không được truyền qua Quantrọng hơn, 2 tỷ lệ với A2, bình phương của công suất quang Do đó, nếu MPN vượttrội, SNR không thể được cải thiện bởi việc đơn giản là tăng công suất phát Vì cácmode dài từ một diode Laser FP theo tần số, chúng có cùng phân tán sợi Do đó,MPN suy hao sợi thực tế không quan trọng

1.1.3.8.Nhiễu nội tổng cộng ở đầu ra thiết bị (đầu thu quang)

Tổng ảnh hưởng của các loại nhiễu trên bộ thu quang Nhiễu tổng tại đầu ra bộthu quang và tại đầu vào bộ khuếch đại là:[27]

Ntot (t) = nmpn(t) + nrin(t) + nth(t) (1.51)

Trang 18

Với nmpn, nrin, napd và nth là nhiễu chia mode, nhiễu biên độ quan hệ, nhiễu APD

và nhiễu nhiệt Nếu diode PIN được dùng thay cho APD, napd(t) thay bởi nshot(t) Vìthông tin pha không trực tiếp thu được, nhiễu pha không xét đến trong ( 1.51)

Vì mỗi nhiễu đều có PDF khác nhau, PDF tổng của ntot(t) có thể khó sửa Sửdụng phép gần đúng Gaussian cho mỗi nguồn nhiễu có thể đơn giản hóa việc tínhtoán Theo lý thuyết giới hạn trung tâm, đây là phép gần đúng hợp lý Kết quả,nhiễu tổng có nhiễu trung bình zezo và phương sai bằng tổng của các phương saicủa mỗi nguồn nhiễu Tức là:

E[n2 tot] = E[n 2 mpn] + E[n 2 rin] + E[n 2 apd] + E[n 2 th] (1.52)

Từ các phương trình (1.51), (1.52) ta có:

E[n2 tot] = KmpnI 2 ph + RIN I 2 phB + 2q(IphMapd + IdM 2 apd)Fapd + 2kTG (1.53)Với Iph = MapdPin in Kmpn là hằng số tỷ lệ với MPN PSD tương ứng dưới phép gầnđúng nhiễu trắng là:[27]

Stot ()= KmpnI2 + RIN I ph q(I ph M apd I d M apd)F apd 2kTG

1.2.CÁC NGUỒN NHIỄU SINH RA DO CÁC TÁC NHÂN TỪ BÊN NGOÀI 1.2.1.Nhiễu do đường dây điện lực gây cho hệ thống thông tin

Nhiễu do đường dây điện lực gây ra cho đường dây viễn thông thường được biếtđến ở các trường hợp cụ thể sau:

- Các đường dây điện lực khi vận hành bình thường sẽ tạo ra trường tĩnh điện vàtrường điện từ Các trường điện từ này sẽ tạo ra sức điện động và dòng điện cảm

Trang 19

ứng trên các đường dây viễn thông đi gần, do đó nó làm ảnh hưởng đến hoạt độngcủa đường dây viễn thông

- Tại các khu vực như các trạm biến áp hoặc cột điện của các đường dây cao ápthường xảy ra hiện tượng tăng thế đất Khi hệ thống điện lực có sự cố, sẽ xuất hiệnmột dòng điện chảy vào đất thông qua hệ thống tiếp đất của điện lực Dòng điện này

sẽ làm tăng điện thế của hệ thống tiếp đất so với đất ở xa trong thời gian xảy ra sự

cố trên đường dây điện lực

1.2.1.1 Ghép điện dung

Hiện tượng ghép điện dung xảy ra khi đường dây điện lực và đường dây viễnthông đi song song có chiều dài tương đối lớn so với khoảng cách giữa hai đườngdây, đường kính của dây

Khi có hiện tượng này thì điện trường sinh ra do điện áp trên đường dây điện lực

có thể tạo ra điện áp trên đường dây viễn thông Hiện tượng ghép điện dung đượcbiểu diễn một cách đơn giản như hình 1.3

Hình 1.3: Ghép điện dung giữa đường dây điện lực và đường dây viễn thông

Theo cơ chế ghép này, điện dung CPT xuất hiện giữa hai đường dây sẽ có trị sốthay đổi theo khoảng cách giữa hai mạch (điện lực - mạch 1 và viễn thông - mạch 2)giá trị càng lớn nếu khoảng cách này ngắn và ngược lại Mức điện áp xuất hiện trênđường dây viễn thông phụ thuộc vào độ lớn của trị số điện dung này và phụ thuộcvào trở kháng giữa đường dây viễn thông và đường dây điện lực (ZPT), trở khánggiữa đường dây viễn thông và đất (Z0) Để hạn chế điện áp nhiễu do ghép điệndung, phải giảm nhỏ giá trị điện dung CPT và tăng các giá trị trở kháng ZPT, Z0 Đểgiảm giá trị điện dung CPT, có thể áp dụng các biện pháp che chắn cho cáp

1.2.1.2.Ghép điện dẫn (ghép Galvanic)

Trang 20

Hiện tượng ghép điện dẫn xảy ra khi hai mạch có một nhánh chung và được biểudiễn một cách đơn giản như hình 1.4 Ghép điện dẫn có thể chia làm 2 loại:

Tiếp xúc điện: Đây là trường hợp các thiết bị viễn thông tiếp xúc với các dây dẫnđiện lực Hiện tượng này thường xảy ra khi cáp, đường dây viễn thông treo chungcột điện lực và tại các vị trí hai đường dây giao chéo nhau

Tăng thế đất: Đối với hệ thống điện khi có sự cố ngắn mạch xuống đất thì dòngchạy trong đất có thể làm tăng thế đất, so với đất ở xa (đất chuẩn), tại các vị trí dòngđiện đi vào hoặc đi ra khỏi đất Trong các trường hợp này, các bộ phận của hệ thốngviễn thông nằm gần hệ thống đất này có thể có điện thế cao, do đó mặc dù điện trởcủa các thành phần viễn thông rất nhỏ vẫn xuất hiện sự chênh lệch điện thế

1.2.2.Nhiễu do sấm sét gây ra

Sét là một hiện tượng phóng điện với dòng và thế rất cao là hiện tượng thườngsẩy ra trong tự nhiên Nguyên nhân làm xuất hiện sét là do sự hình thành các điện

Trang 21

tích khối lớn Nguồn sét chính là các đám mây mưa dông mang điện tích dương và

âm ở các phần trên và dưới của đám mây, chúng tạo ra xung quanh đám mây nàymột điện trường có cường độ lớn

Sự hình thành các điện tích khối với các cực tính khác nhau trong đám mây (haycòn gọi là sự phân cực của đám mây) có liên quan đến sự ngưng tụ do làm lạnh hơinước của luồng không khí nóng đi lên, tạo ra các ion dương và âm và liên quan đến

cả sự phân chia các giọt nước mang điện trong đám mây dưới tác dụng mạnh củaluồng không khí nóng đi lên

Trong quá trình tích luỹ các điện tích có phân cực khác nhau, một điện trường cócường độ luôn được gia tăng hình thành xung quanh đám mây Khi Gradient điệnthế ở một điểm bất kỳ của đám mây đạt giá trị tới hạn về tính chất cách điện củakhông khí ở đó xảy ra sự đánh xuyên

Dòng sét chảy trên các dây dẫn làm nóng các dây dẫn gây ra tác dụng nhiệtnăng, đặc biệt là ở những chỗ tiếp xúc kém Nhiệt độ tăng cực đại của dây dẫn khi

có dòng sét chảy qua mà không phát năng lượng ra môi trường xung quanh đượcxác định bằng công thức (1.55) : [10]

0 0

2 S 0 4

m

dt ) t ( I R 10 4 , 2 T

R0 - Điện trở trên một đơn vị độ dài của dây dẫn, .m;

 - Thời gian dòng sét chảy trên dây dẫn, s;

 - Nhiệt dung của kim loại làm dây dẫn, Kcal / kg;

m0- Trọng lượng trên một đơn vị độ dài của dây dẫn, kg / m

Tích phân I2S(t)dt là tích phân sự tác động của dòng sét và có tính chất xác suất

CHƯƠNG 2

ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỄU ĐIỆN TRONG HỆ THỐNG THÔNG TIN

Trang 22

2.1.ĐẶC ĐIỂM CỦA HỆ THỐNG THÔNG TIN CHỊU TÁC ĐỘNG CỦA NHIỄU BÊN TRONG VÀ BÊN NGOÀI.

2.1.1.Nột số khái niệm

a) Thiết bị điện tử: là những thiết bị sử dụng rất nhiều các linh kiện điện tử, từ

những linh kiện đơn giàn như điện trở, tụ điện, cuộn dây, đến các linh kiện khôngthể thiếu được như điốt, tranzito và các linh kiện điện tử tổ hợp phức tạp Chúngđược đấu nối với nhau theo các sơ đồ mạch đã được thiết kế tính toán khoa học đểthực hiện chức năng của thiết bị thông thường như máy radiocassetts, tivi, máy tính,đến các thiết bị thông tin liên lạc như tổng đài, các trạm thu phát thông tin

b) Hệ thống điện tử: là một tập hợp các mạch điện tử đơn giản có các chức năng kỹ

thuật riêng thành một thiết bị điện tử có chức năng kỹ thuật nhất định hoặc một hệthống điện tử phức tạp có chức năng kỹ thuật riêng như máy thu hình, máy hiệnsóng, hệ thống phát thanh truyền hình, hệ thống tổng đài điện tử, trạm viba, hệthống thông tin quang…

c) Khái niệm về lỗi bit

Tỷ số lỗi bit BER: là số bit bị lỗi chia cho tổng số bit truyền

- PDH: BER ≤ 10-6 chất lượng đường truyền bình thường, 10-6 < BER < 10-3 chấtlượng đường truyền giảm sút, BER ≥ 10-3 chất lượng đường truyền rất xấu

- SDH: BER ≤ 10-9 chất lượng đường truyền bình thường, BER = 10-6 chất lượngđường truyền giảm sút, BER = 10-3 chất lượng đường truyền rất xấu

Ở truyền dẫn số người ta thường đo chất lượng của tín hiệu thu được bằng tỷ số lốibít (BER) Như vậy BER nói lên bao nhiêu bit trong tổng số bít thu được mắc lối

Tỷ số này càng nhỏ càng tốt, tuy nhiên do đường truyền dẫn luôn luôn thay đổi nên

ta không thể làm giảm hoàn toàn xuống không, nghĩa là phải cho phép một lượnglỗi nhất định Để có thể cải thiện BER người ta dùng các phương pháp mã hóa kênh,thông thường mã hóa kênh có thể phát hiện lỗi và chừng mực mào đó sửa được lỗi

d) Hệ thống thông tin: với sự phát triển không ngừng của công nghiệp điện tử, đặc

biệt là sự phát triển nhanh tróng của công nghệ vi điện tử, thì nghành công nghệthông tin đã có những bước tiến vượt bậc Các hệ thống thông tin ngày nay rất đa

Trang 23

dạng và phong phú, như thông tin vô tuyến, thoại, truyền hình, thông tin vệ tinh,thông tin di động, Đối với các hệ thống thông tin, ta có thể mô tả bằng một môhình chung nhất như hình 2.1.

Hình 2.1: sơ đồ khối của hệ thống Nguồn tin: là nơi tạp ra hoặc chứa các tin tức cần truyền đi từ nơi này đến nơi

khác Các tin tức này có thể là tiếng nói, hình ảnh âm thanh…Những tin tức nàyđược truyền đi dưới những dạng năng lượng khác nhau như sóng điện từ, sóng ánhsáng

Máy phát: Được đặt tại một điểm nào đó, có nhiệm vụ biến đổi các tin tức được

tạo bởi nguồn tin thành dạng tín hiệu thích hợp với kênh truyền

Kênh tin: Là môi trường truyền tin tức Kênh tin chính là nơi hình thành và

truyền tín hiệu mang tin, đồng thời ở đây sinh ra các nhiễu ảnh hưởng đến chấtlượng thông tin

Máy thu: Thu tin ở đầu ra của kênh tin, là dạng bị biến đổi của tín hiệu phát đi di

tác động của nhiễu Máy thu có nhiệm vụ cấu trúc tín hiệu này trở lại dạng ban đầucủa nó

Nhận tin: là nơi nhận và khôi phục lại tin tức ban đầu từ tín hiệu lấy ở đầu ra của

Cấu trúc cơ bản của hệ một thống thông tin quang bao gồm các phần tử chủ yếusau: bộ phát quang, bộ thu quang, sợi quang và các thiết bị lặp

Bộ thu quang

Trang 24

Hình 2.2: Hệ thống thông tin quang

Trong đó: ID (t): Tín hiệu vào (tín hiệu diện)

PP (t) : Công suất ánh sáng bức xạ của bộ phát quang

PT (t): Công suất án sáng truyền đến đầu vào bộ thu quang

ur (t): Tín hiệu ra bộ thu quang (tín hiệu điện)

+ Hệ thống thông tin vệ tinh: trong hệ thống thông tin vệ tinh, tín hiệu ở tần sốsiêu cao phát từ trạm mặt đất lên vệ tinh với cự ly khoảng 36000 – 42000 km, vệtinh thu tín hiệu qua xử lý rồi phát xuống trạm mặt đất thu

f) nhiễu: là những tín hiệu ngẫu nhiên không mong muốn hoặc do sự giao thoa

của một số tín hiệu trên mạng, chúng tác động vào các thiết bị thông tin gây ảnhhưởng đến chất lượng thông tin

- Một số nhiễu công nghiệp là do các thiết bị công nghiệp sinh ra như các loại

máy móc dùng trong công nghiệp, các hệ thống máy móc trong quá trình hoạt động

có đánh lửa như đường dây điện lực… Nhiễu công nghiệp này có thể tác động đến

hệ thống thiết bị thông tin theo hai cách là: theo đường cáp nguồn dưới dạng dòngcao tần và dưới dạng sóng điện từ thâm nhập vào các thiết bị thu, qua anten hoặccác tụ ký sinh…

-Nhiễu vô tuyến chủ yếu là các đài phát sóng, các thiết bị có phát xạ sóng vô

tuyến điện gây ra Nhiễu này thâm nhập vào các thiết bị thông tin dưới nhiều hìnhthức và ở nhiều dạng khác nhau như nhiễu kênh lân cận, nhiễu cùng kênh, nhiễu do

sự xuyên điều chế giữa các sóng mạng tần số vô tuyến điện Khi ở gần các đài phátsóng công suất lớn thì sóng vô tuyến điện cảm ứng vào đường dây thông tin chủ yếu

là hệ thống dây trần, cáp treo làm suy giảm chất lượng truyền tin

g) Pha đinh

- Pha đinh là sự biến đổi cường độ sóng vô tuyến thu được do sự thay đổi điềukiện môi trường truyền theo thời gian gây ra Chất lượng của các hệ thống thông

Trang 25

tinphụ thuộc vào kênh truyền, nơi mà tìn hiệu được truyền đi từ máy phát đến máythu Không giống như kênh truyền hữu tuyến là ổn định và có thể dự đoán được,kênh truyền vô tuyến là hoàn toàn ngẫu nhiên và không hề dễ dàng trong việc phântích Tín hiệu phát đi qua kênh truyền vô tuyến bị cản bới các tòa nhà, núi cao, câycối bị phản xạ, tán xạ, nhiễu xạ, thì các hiện tượng này gọi chung là fading Điềunày làm ảnh hưởng đến chất lượng hệ thống thông tin.

- Ảnh hưởng nhiễu của một linh kiện nó phụ thuộc vào công nghệ chế tạo, vậtliệu, cấu trúc, các lớp và người ta gọi là nhiễu nội Nhiễu nội tổng cộng bên trongcủa một hệ thống thể hiện ở lối ra của hệ thống Các nguồn nhiễu nổi trội ở đầu racủa thiết bị là nhiễu nhiệt và nhiễu lượng tử Ảnh hưởng nhiễu của một hệ thốnghay một mạch điện … là nhiễu tổng hòa của các linh kiện trong đó ( hay còn gọi lànhiễu tổng) thông thường thì nhiễu nhiệt nổi trội hơn Nếu thiết kế hệ thống tối ưu( thiết kế mạch, hệ thống, che chắn, vỏ , nguồn ) thì về bản chất nhiễu bên trongcủa một thiết bị trong thời gian hoạt động là tối ưu nhất

Hệ thống thông tin chịu tác động của nhiễu bên ngoài như: Môi trường sóngđiện từ, các môtơ, máy phát điện, động cơ mô tô, điện lưới cao thế, các nhà máythủy điện, sấm chớp… gây ra Các tác động sấu làm ảnh hưởng đến các thông sốchất lượng như: Các thiết bị hoạt động đã lâu năm là cho sai méo tín hiệu, điều kiệnmôi trường không đúng tiêu chuẩn, cung cấp nguồn không đảm bảo

2.1.2.Hệ thống thông tin chịu ảnh hưởng của nhiễu bên trong.

2.1.2.1.Ảnh hưởng của tán sắc trong hệ thống thông tin quang tốc độ cao

Các hệ thống thông tin quang tốc độ cao hoạt động ở bước sóng 1555 nm sửdụng khuếch đại EDFA thường có tốc độ bit cao và cự ly xa cho nên ở đầu thu côngsuất tín hiệu quang thu được thường rất nhỏ và giá trị tán sắc lớn luôn xuất hiệntrong hệ thống Vì vậy, ngoài tín hiệu truyền dẫn, méo dạng sóng và giao thoa giữacác ký tự ISI do tán sắc vận tốc nhóm gây ra cũng ảnh hưởng đến hệ thống Phươngpháp xác định ảnh hưởng của tán sắc đến hệ thống thông tin quang thông qua tínhtoán quỹ công suất hệ thống PB bằng việc thiết kế độ dài tuyến được thiết lập theocông thức (2.1):[5]

Trang 26

PB = Pt(t) – Ps(G,NF) – PM – PP – PD – ( NCIC + NSIS) (dB) ( 2.1)trong đó:

Pt(t) là công suất tín hiệu phát có tính cả ảnh hưởng chirp phi tuyến

G là độ khuếch đại của các bộ EDFS

PM là công suất dự phòng của hệ thống

IS và IC tương ứng là suy hao hàn nối và sự suy hao bộ nối quang

NS và NC tương ứng là số mối hàn và số bộ nối quang

Chất lượng truyền dẫn được xác định thông qua việc tính tỷ số lỗi bít BER = 10-12cho độ nhạy thu của thiết bị thu quang Trong hệ thống thông tin quang, ngoài suyhao quang, có nhiều tham số tương tác với tán sắc sợi gây ảnh hưởng tới hệ thống

và làm mất đi đáng kể lượng công suất tín hiệu, đó là các tham số: Cự ly truyền dẫn,tán sắc, tốc độ bít của hệ thống và phổ nguồn phát

2.1.2.2.Ảnh hưởng của xuyên nhiễu trong hệ thống DSL

Năng lượng điện truyền trên đôi cáp đồng sẽ gây ra sự phát xạ điện từ trườngqua các dây cáp cận kề khác trong sợi cáp, gọi là sự xuyên nhiễu Các đôi cáp điệnthoại được bó trong cùng nhóm, các đôi cáp này có sự truyền nhận thông tin vớicùng tần số tạo ra sự xuyên ân

Có hai loại xuyên âm là: xuyên âm đầu gần và xuyên âm đầu xa Xuyên âm làyếu tố chi phối mạnh đến hiệu suất của hệ thống Hiệu xuất của hệ thống DSL bịảnh hưởng bởi xuyên âm Việc thu phát phổ tần số trong cùng mạch vòng thuê baocũng tự tạo ra nhiễu giao thoa sóng

2.1.2.3.Ảnh hưởng của nhiễu và méo tín hiệu

Để hiểu được ảnh hưởng của nhiễu, hãy xem xét hệ thống truyền thông điểm điểm cơ bản như trong hình 2.3 sau:[27]

Trang 27

-Hình 2.3: Đường truyền Điểm – Điểm

Gọi tín hiệu truyền là s(t), đáp ứng xung của kênh là h(t), nhiễu kênh là n(t) thìtín hiệu nhận được r(t) sẽ xác định bởi biểu thức (2.2):

r(t) = s(t)  h(t) + n(t) q(t) + n(t) (2.2)với q(t)  s(t)  h(t)

Nếu kênh truyền là lý tưởng, trễ và suy hao là xác định, thì đáp ứng xung củamột kênh truyền dẫn lý tưởng được cho bởi:

h(t) = a(t-) (2.3)trong đó, a là hằng số diễn tả suy hao truyền dẫn (nếu a<1) và  là trễ truyền dẫn

a) Ảnh hưởng nhiễu trong truyền dẫn tín hiệu tương tự.

Trong truyền dẫn tín hiệu analog, chất lượng của tín hiệu nhận được sẽ được đặctrưng bởi tỷ số sau trong biểu thức (2.4):[27]

Q  [| ([)( )(])|2]

2

t r t s E

t s E

 (2.4)

với E(x) biểu thị kỳ vọng hay trung bình của tín hiệu x Do đó, E[s(t)2] là công suấttín hiệu trung bình và E[|s(t) – r(t)|2] là lỗi trung bình bình phương (MSE) so với tínhiệu gốc s(t)

Khi kênh dẫn là lý tưởng, Q sẽ giảm tời tỷ số tín hiệu trên nhiễu (SNR) và đượccho bởi biểu thức (2.5)

Q = SNR = [ ( ) ]

] ) ( [

2

2

t n E

t s E

(2.5)

b) Ảnh hưởng trong truyền dẫn số.

Bản tin

Nhiễu

Bản tin thu

Tín hiệu truyền

Tín hiệu thu

Trang 28

Sẽ có sự khác biệt chút ít trong truyền dẫn số Thay cho việc tối thiểu hóa MSE,mục đích ở đây là thu được các bít của tín hiệu gốc đã truyền với xác suất phát hiệnlỗi nhỏ nhất

Xem xét bộ điều chế biên độ xung PAM, tín hiệu truyền đi qua 1 kênh Tín hiệunhận được là [27]:

r(t) =   

k

k p t kT n t

A ( 0) ( ) (2.6)Với Ak là biên độ của xung thứ k, p(t) là xung nhận được và T0 là khoảng thờigian giữa 2 xung liên tiếp Để phát hiện biên độ xung truyền Ak , tín hiệu nhận đượcđầu tiên sẽ được lấy mẫu tại thời điểm (kT + ) với  trong khoảng (0,T0) Từphương trình (2.6) đầu ra lấy mẫu là:

k i k

i P n A A P n A ISI n

trong đó, pi  p(iT +  ) và nk= n(kT +  ) Phương trình (2.7) chỉ ra mẫu ở đầu ra

trên quan hệ với 3 yếu tố: tín hiệu (Ak), nhiễu (nk), và méo ( i k i

k i

là không giống nhau

2.1.3.Hệ thống thông tin chịu ảnh hưởng của nhiễu bên ngoài

2.1.3.1.Ảnh hưởng của đường dây điện lực sang đường dây thông tin

Ảnh hưởng nhiễu là ảnh hưởng xuất hiện khi điện áp và dòng điện cảm ứng trênđường dây viễn thông đạt tới giá trị có thể gây ra sự suy giảm chất lượng truyền dẫnthông tin hoặc các chức năng mạch ở mức không chấp nhận được Sự suy giảm nàyđược xét ở các yếu tố: tạp âm, lỗi tín hiệu, lỗi truyền dẫn tín hiệu và các sự cố mạchkhác Một số ảnh hưởng chủ yếu như:

- Làm ngắt mạch báo hiệu, phải thiết lập lại kênh thông tin

- Làm tăng thêm nhiễu trong các hệ thống truyền dẫn tương tự

- Gây lỗi trong các hệ thống truyền dẫn số

Trang 29

Nguyên nhân gây ra các ảnh hưởng nhiễu trên là do các sóng hài của tần số cơbản trong hệ thống điện lực khi vận hành ở điều kiện bình thường Các hài này cóthể cảm ứng vào cáp viễn thông đi gần và gây nhiễu cho hệ thống thông tin

Hài phát sinh do máy móc, thiết bị: Các máy đồng bộ (ví dụ máy phát hoặc mô tơ)

là nguyên nhân quan trọng gây ra hài trong hệ thống điện lực Tần số hài tạo ra phụthuộc vào số khe từ trong cuộn dây của máy Các mô tơ một chiều ít khi tạo ra hài

đủ lớn để gây nhiễu

2.1.3.2.Ảnh hưởng của sấm - sét tới hệ thống viễn thông

+ Tác động tĩnh điện: Tác động này có liên quan đến sự ảnh hưởng của trườngđiện ở giai đoạn trước lúc xảy ra sét, giai đoạn tiên đạo, giai đoạn sét chưa kết thúchoặc sét giữa các đám mây (bên trong đám mây)

+ Tác động điện từ: Tác động này có liên quan đến ảnh hưởng cảm ứng củadòng điện kênh sét lên các mạch của thiết bị viễn thông khi ở gần vùng ảnh hưởng,

ở khoảng cách tương ứng với chiều dài của kênh sét hoặc ảnh hưởng của các xungđiện từ dông sét ở các khoảng cách lớn

+ Tác động của dòng sét : Tác động của dòng sét có liên quan đến sét đánh trựctiếp các công trình viễn thông hoặc các bộ phận của công trình viễn thông và đồngthời có dòng điện lớn chảy qua nó

+ Tác động galvanic : Tác động galvanic có liên quan đến dòng sét chảy trongđất và đồng thời một bộ phận của dòng sét rẽ nhánh đi vào thiết bị viễn thông qua

hệ thống tiếp đất

+ Tác động thứ cấp: là tác động có liên quan đến ảnh hưởng của tạp âm điện từlên các mạch thứ cấp của thiết bị viễn thông mà nguồn tạp âm là từ các mạch sơ cấpchịu ảnh hưởng trực tiếp của một trong các dạng tác động đã nêu ở trên

a) Ảnh hưởng của sét lên cáp viễn thông treo

Các đường cáp treo, các đường dây trần thông tin không chịu ảnh hưởng tĩnhđiện của đám mây dông, chịu tác động của dòng sét khi sét đánh trúng trực tiếp vàođường dây, chịu ảnh hưởng điện từ do phóng điện khí quyển, chịu ảnh hưởng

Trang 30

galvanic của dòng sét chảy trong đất và ảnh hưởng thứ cấp do các đường dây dài kềbên bị sét đánh trúng trực tiếp

- Ảnh hưởng tĩnh điện: Các đường dây treo nổi ở một độ cao h song song vớimặt đất, ở trong trường điện của đám mây dông, được phân bố dọc một đường đẳngthế nào đó Nếu chiều dài của đường dây treo nổi lớn hơn kích thước của đám mâydông thì điện thế trung bình cảm ứng trên chiều dài l của dây là:[10]

2 0

)(

2

1)(

h

Ph h

Nh h

ph E

trong đó : - p, N, P là điện tích điểm các vùng tương đương của đám mây dông, C;

- hp, hN, hP là chiều cao của các vùng điện tích điểm này trên mặt đất, km

- Ảnh hưởng điện từ: Các đường dây treo nổi chịu ảnh hưởng cảm ứng của dòngđiện trong kênh sét khi ở gần nơi có dông sét, khi mà khoảng cách từ chỗ sét đánhđến nơi đặt đường dây tương ứng với chiều dài kênh sét và chịu ảnh hưởng bức xạcủa trường điện từ dông sét

b) Ảnh hưởng của dòng sét lên cáp ngầm

Sét đánh trúng cáp ngầm được quan sát thấy khi tuyến cáp đi qua vùng tia lửahoặc vùng tia phun, các vùng này xuất hiện do dòng sét chảy trong đất Khi sét đánhtrực tiếp vào tuyến cáp ngầm có vỏ kim loại sẽ làm xuất hiện điện áp giữa vỏ bảo vệ

và các sợi dây trong cáp, cũng như giữa các sợi dây trong lõi cáp

c) Ảnh hưởng của sét lên cáp và dây nối giữa các thiết bị

Cáp và dây nối giữa các thiết bị thường có chiều dài ngắn, về cơ bản nó bị ảnhhưởng do sét đánh trúng trực tiếp, bị ảnh hưởng điện từ, ảnh hưởng galvanic dodòng sét chảy trong đất và bị ảnh hưởng

d) Ảnh hưởng của sét lên mạch cung cấp nguồn cho thiết bị viễn thông

Trang 31

Các nguy hiểm xuất hiện trên các mạch cung cấp nguồn cho thiết bị viễn thông

có liên quan đến sự quá áp do tác động của sét lên các hệ thống cung cấp điện Sựquá áp trong các hệ thống cung cấp điện do các nguyên nhân như:

- Các nhiễu do dông sét gây ra trên mạch cung cấp nguồn cho thiết bị viễn thôngđược phân ra thành hai loại là nhiễu xung và nhiễu âm tần

- Quá áp dông sét : Khi sét đánh trực tiếp lên đường dây tải điện làm xuất hiệntrên đường dây này các xung quá áp có dạng giống như xung dòng sét Các xung sét1,2 / 50 s xuất hiện một cách đầy đủ khi sét đánh trực tiếp vào dây của đường dâytải điện nếu biên độ các xung này nhỏ hơn điện áp phóng điện xung của cách điệnđường dây

e) Ảnh hưởng của sét qua hệ thống tiếp đất và các điểm đấu chung

Tiếp đất là một trong các biện pháp cơ bản chống sét cho các thiết bị viễn thông,nhưng các hệ thống tiếp đất cũng có thể trở thành các nguồn tạp âm dông sét Điềunày thường xuất hiện trong những trường hợp khi mà thế tại các điểm tiếp đất hoặccác điểm nối với vỏ chung có điện thế khác với điện thế không của đất hoặc khácvới điện thế của các điểm nối Về cơ bản điều này có liên quan đến độ dẫn điện hữuhạn của đất hoặc của vật liệu làm vỏ và khi có dòng sét chảy trong đất hoặc chảytrong vỏ của phương tiện vô tuyến điện tử làm xuất hiện sự chênh lệch điện thế giữacác điểm này Điện thế chênh lệch này được xác định bằng công thức:

trong đó:

Z - tổng trở giữa hai điểm tiếp đất hoặc vỏ phương tiện vô tuyến điện tử, 

f) Ảnh hưởng của dòng sét qua hệ thống tiếp đất và các điểm đấu chung các thiết

bị viễn thông

+ Ảnh hưởng qua hệ thống tiếp đất: Đối với các thiết bị viễn thông có một vài điểmtiếp đất, chênh lệch điện thế giữa các điểm này sẽ xuất hiện khi có dòng sét chảyqua Nếu thiết bị viễn thông có một điểm tiếp đất, thì điện thế điểm này sẽ dâng lên

so với điểm điện thế không của đất

Dòng nhiễu dông sét do chênh lệch điện thế được xác định bằng công thức :

Trang 32

Inhiễu = Uab / Ztổng (2.11)trong đó : Ztổng - Tổng trở của các mạch tiếp đất và các tiếp đất, .

+ Ảnh hưởng qua các điểm đấu chung: Nếu các mạch hay hệ thống thiết bị viễnthông được nối chung vỏ, thì chênh lệch điện thế giữa các điểm nối sẽ xuất hiện dosụt áp trên trở kháng vỏ ZV Khi xét đến hiệu ứng bề mặt điện thế chênh lệch nàyđược xác định bằng công thức [10] :

ab n

t n n VO

iS(t) - Dòng sét chảy trên vỏ, A;

RV0 - Điện trở một chiều của vỏ thiết bị viễn thông,  / m;

thẩm thấu - Hằng số thời gian thẩm thấu của dòng sét vào vỏ thiết bị viễn thông, s;

thẩm thấu = vật liệu vỏ vật liệu vỏ d2 V ,

với : vật liệu vỏ - Độ thẩm từ của vật liệu làm vỏ, H / m;

vật liệu vỏ - Độ dẫn của vật liệu làm vỏ, S / m

g) Ảnh hưởng của sét qua vỏ che chắn của thiết bị viễn thông

Nhằm tăng độ bền của thiết bị viễn thông và để bảo vệ các hệ thống có tầm quantrọng đặc biệt cũng như các phần tử cơ bản khác khỏi bị ảnh hưởng của sét, người tađặt các thiết bị, hệ thống, phần tử này trong các vỏ che chắn Nhiệm vụ cơ bản củacác vỏ che chắn là giảm thiểu các ảnh hưởng bất lợi của dông sét đến mức là duy trì

và đảm bảo khả năng làm việc bình thường của thiết bị viễn thông Khi kết cấu vàchế tạo các vỏ che chắn cho thiết bị viễn thông người ta xét đến các đặc tính của vậtliệu làm vỏ (điện dẫn suất vật liệu và độ từ thẩm của vật liệu vật liệu) và cả các yếu tố

về hình học (chiều dầy, kích thước và dạng của vỏ che chắn)

Các hệ thống che chắn cho thiết bị viễn thông về cơ bản chịu ảnh hưởng tĩnhđiện trước lúc sấm-sét, chịu sự tác động của dòng sét chảy trên vỏ che chắn, ảnhhưởng điện từ trường bức xạ của sét và các ảnh hưởng thứ cấp nhiễu dông sét docác đường dây thông tin ở bên ngoài không được che chắn dẫn vào thiết bị

2.2.ẢNH HƯỞNG CỦA MÔI TRƯỜNG TRUYỀN SÓNG

Trang 33

2.2.1.Suy hao trường tự do

Sóng điện từ bị suy giảm mức khi truyền lan trong không gian tự do Sự suygiảm này phụ thuộc vào tần số công tác và chiều dài đường truyền Công suất tínhiệu PR tại điểm thu [1]:

P

R T T R

T T R

T T

L

G G P d

G G P d

A G

4 4

2.2.2.Ảnh hưởng của tầng khí quyển

Sóng điện từ không chỉ bị suy hao bởi trường tự do, mà nó còn bị sấu đi vềchất do ảnh hưởng của các hiện tượng ngẫu nhiên biến thiên theo thời gian vàkhông gian như: mây, mưa, tạp âm, pha đinh, tán xạ… Do ảnh hưởng của các hiệntượng trên sóng vô tuyến truyền trong tầng khí quyển bị hấp thụ năng lượng, biếndạng phân cực, thêm tạp âm, can nhiễu Suy hao và tạp âm làm cho tín hiệu truyềnqua bị giảm về mức và thêm tạp âm kết quả dẫn đến giảm chất lượng đường truyền

- Suy hao: sóng điện từ ở dải tần từ 1 GHz đến 10 GHz và trên nữa còn bị cácphân tử oxy, hơi nước trong tầng khí quyển, tầng ion hóa hấp thụ năng lượng gọi làsuy hao tầng khí quyển Suy hao tầng khí quyển phụ thuộc vào tần số công tác, kíchthước phân tử oxy, hơi nước, suy hao lớn nhất khi bước sóng bằng kích thước phân

tử oxy Ở tầng thấp khí quyển do áp suất tăng, mật độ oxy và hơi nước cao nên sóngđiện từ bị hấp thụ mạnh vì vậy suy hao càng lớn

- Tạp âm: các phần tử oxy và hơi nước trong tầng thấp khí quyển hoạt động nhưmột nguồn bức xạ tạp âm nhiệt ở dải tần vi ba làm gia tăng tạp âm nhiệt đườngtruyền dẫn đến giảm hệ số phẩm chất (G/T) trạm thu, kết quả là làm giảm chấtlượng thông tin Tạp âm tầng khí quyển còn được tạo ra bởi hiện tượng sét xẩy ratrong khí quyển, các bức xạ năng lượng này ở dải tần dưới 30 MHz

- Phản xạ tầng đối lưu: gây ra do tính không đồng nhất của khí quyển trong vùng

mà các giá trị n khác với chiết suất không khí một lượng n = 10-4  10-6, sự xáođộng tạo nên các lớp không khí không đồng nhất vào lúc chiều tối hoặc ban đêm

Trang 34

mùa hè Hình dạng và kích thước của các lớp này khác nhau, trong tầng đối lưu cóthể tồn tại nhiều lớp khác nhau vì vậy tại điểm thu có thể nhận được nhiều tia sóngvới biên độ và pha khác nhau, sự giao thoa các tia sóng này dẫn đến biến động mứccường độ trường tại điểm thu.

- Khúc xạ tầng đối lưu: do tính chất biến đổi chiết suất của lớp khí quyển theo độcao nên sinh ra hiện tượng khúc xạ sóng điện từ khi truyền qua các lớp khác nhau

2.2.3.Các ảnh hưởng của mưa

Mưa là hiện tượng tự nhiên mang nhiều đặc trưng của tiểu khí hậu, có cường độphân bố theo quy luật ngẫu nhiên và thay đổi theo thời gian, làm giảm chất lượngthông tin vô tuyến nói chung và thông tin vệ tinh nói riêng

- Suy hao do mưa: sóng điện từ ở dải tần 4 GHz đến 10 GHz bị hấp thụ, hiệntượng này được gọi là suy hao Suy hao mưa tính theo đơn vị chiều dài bị mưa củađường truyền sóng gọi là hệ số suy hao mưa và được biểu diễn như sau [1]:

343 ,

trong đó

n(ar) : Số hạt mưa có bán kính ar trong một đơn vị thể tích

Q(ar,) : Là tiết diện triệt tiêu sóng của hạt mưa cho sóng của điện từ có bướcsóng 

- Tạp âm mưa: các hạt mưa hấp thụ năng lượng sóng điện từ truyền qua nó,chúng hoạt động như một nguồn bức xạ tạp âm nhiệt, gọi là tạp âm mưa Mưa làmtăng nhiệt tạp âm hệ thống, do đó làm giảm hệ số phẩm chất G/T của trạm, sự giatăng nhiệt tạp âm hệ thống tính theo suy hao do mưa:[1]

m R

trong đó: R: Suy hao mưa tính theo hư số

Tm : Nhiệt độ trung bình hạt mưa [0K]

Tổng nhiệt tạp âm hệ thống trong khi mưa [3]:

Trang 35

2.2.4.Ảnh hưởng của bức xạ và từ trường trái đất , bão từ

Trái đất như một vật đen bức xạ tạp âm nhiệt, tạp âm này phụ thuộc vào nhiệt độtrái đất theo từng vùng khác nhau làm tăng thêm nhiệt độ tạp âm hệ thống Tạp âmnhiệt của trái đất được lấy trung bình gần đúng bằng 2900K

Bão từ là kết quả của quá trình hoạt động của mặt trời, ngoài photon(ánh sáng)mặt trời còn phát ra vô số hạt tích điện như proton, hạt nhân heli ( hạt a) và điện tửnhững hạt đó tạo thành gió mặt trời, chúng bay đến vùng lân cận của trái đất và tácdụng tương hỗ vào từ trường Trái đất tức là địa từ trường (ĐTT) Các hạt tích điệnbay từ mặt trời chịu ảnh hưởng của địa từ trường chạy xoay quanh đường sức của

nó theo hình xoắn ốc và tạo thành lớp bức xạ nằm phía trên tầng khí quyển Khi mặttrời tăng tần suất hoạt động thì các hạt tích điện tác dụng tương hỗ với ĐTT lới hơnbình thường, sự cân bằng của ĐTT bị phá vỡ và cường độ của từ trường tăng lên.Hiện tượng cường độ của ĐTT đạt giá trị cao và gây tác động kéo dài thì gọi là hiệntượng bão từ Tác hại của bão từ đối với các vệ tinh viễn thông là bão từ sẽ ảnhhưởng đến khả năng truyền thông tin liên lạc, làm mất tín hiệu đường truyền

2.3.ẢNH HƯỞNG GIỮA CÁC HỆ THỐNG THÔNG TIN DI ĐỘNG TRONG DẢI TẦN GẦN NHAU

Hiện nay, hệ thống thông tin vô tuyến, di động sử dụng công nghệ khác nhau đã

và đang được khai thác, triển khai Việc cùng tồn tại trong các dải tần số gần nhaulàm nảy sinh vấn đề nhiễu giữa các hệ thống Nói chung, nhiễu giữa các hệ thốngthường được gây ra bởi đường xuống của một hệ thống này sang đường lên của hệthống khác khi anten của hai hệ thống gần và có hướng đối nhau

2.3.1.Các loại nhiễu giữa các hệ thống thông tin di động

Hệ thống thông tin vô tuyến di động bất kì sẽ chia dải tần được cấp phát thànhhai nửa dải thành phần Nửa dải tần số cao hơn được trạm gốc (BTS) sử dụng đểphát tín hiệu đến máy di động (MS), nửa dải tần số thấp hơn được MS sử dụng đểphát tín hiệu đến BTS Đường tín hiệu từ BTS đến MS gọi là đường xuống (DL -

Ngày đăng: 20/06/2014, 09:42

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 3.1: Ảnh hưởng của nhiệt độ đến đặc tuyến của BJT - KHÁI QUÁT TÍNH CHẤT CỦA MỘT SỐ NGUỒN NHIỄU ĐIỆN, CÁC TÁC ĐỘNG LÀM ẢNH HƯỞNG TỚI CHẤT LƯỢNG CỦA HỆ THỐNG THÔNG TIN VÀ MỘT SỐ PHƯƠNG PHÁP HẠN CHẾ
Hình 3.1 Ảnh hưởng của nhiệt độ đến đặc tuyến của BJT (Trang 40)
Hình 3.2: Mắc theo kiểu cực nền chung - KHÁI QUÁT TÍNH CHẤT CỦA MỘT SỐ NGUỒN NHIỄU ĐIỆN, CÁC TÁC ĐỘNG LÀM ẢNH HƯỞNG TỚI CHẤT LƯỢNG CỦA HỆ THỐNG THÔNG TIN VÀ MỘT SỐ PHƯƠNG PHÁP HẠN CHẾ
Hình 3.2 Mắc theo kiểu cực nền chung (Trang 40)
Hình 3.3: Vùng hoạt động của transistor - KHÁI QUÁT TÍNH CHẤT CỦA MỘT SỐ NGUỒN NHIỄU ĐIỆN, CÁC TÁC ĐỘNG LÀM ẢNH HƯỞNG TỚI CHẤT LƯỢNG CỦA HỆ THỐNG THÔNG TIN VÀ MỘT SỐ PHƯƠNG PHÁP HẠN CHẾ
Hình 3.3 Vùng hoạt động của transistor (Trang 41)
Hình 3.4: Cấu trúc sàn nổi làm lưới chuẩn tín hiệu (SRG) - KHÁI QUÁT TÍNH CHẤT CỦA MỘT SỐ NGUỒN NHIỄU ĐIỆN, CÁC TÁC ĐỘNG LÀM ẢNH HƯỞNG TỚI CHẤT LƯỢNG CỦA HỆ THỐNG THÔNG TIN VÀ MỘT SỐ PHƯƠNG PHÁP HẠN CHẾ
Hình 3.4 Cấu trúc sàn nổi làm lưới chuẩn tín hiệu (SRG) (Trang 43)
Hình 3.5. Lưới chuẩn tín hiệu được làm sẵn từ các dải đồng - KHÁI QUÁT TÍNH CHẤT CỦA MỘT SỐ NGUỒN NHIỄU ĐIỆN, CÁC TÁC ĐỘNG LÀM ẢNH HƯỞNG TỚI CHẤT LƯỢNG CỦA HỆ THỐNG THÔNG TIN VÀ MỘT SỐ PHƯƠNG PHÁP HẠN CHẾ
Hình 3.5. Lưới chuẩn tín hiệu được làm sẵn từ các dải đồng (Trang 44)
Hình 4.1: Phổ nhiễu của nhà máy thủy điện - KHÁI QUÁT TÍNH CHẤT CỦA MỘT SỐ NGUỒN NHIỄU ĐIỆN, CÁC TÁC ĐỘNG LÀM ẢNH HƯỞNG TỚI CHẤT LƯỢNG CỦA HỆ THỐNG THÔNG TIN VÀ MỘT SỐ PHƯƠNG PHÁP HẠN CHẾ
Hình 4.1 Phổ nhiễu của nhà máy thủy điện (Trang 57)
Hình 4.2: Cáp truyền thanh đi trên cột viễn thông - KHÁI QUÁT TÍNH CHẤT CỦA MỘT SỐ NGUỒN NHIỄU ĐIỆN, CÁC TÁC ĐỘNG LÀM ẢNH HƯỞNG TỚI CHẤT LƯỢNG CỦA HỆ THỐNG THÔNG TIN VÀ MỘT SỐ PHƯƠNG PHÁP HẠN CHẾ
Hình 4.2 Cáp truyền thanh đi trên cột viễn thông (Trang 59)
Hình 4.3: Sơ đồ hệ đo nhiễu nội trong vật liệu linh kiện điện tử - KHÁI QUÁT TÍNH CHẤT CỦA MỘT SỐ NGUỒN NHIỄU ĐIỆN, CÁC TÁC ĐỘNG LÀM ẢNH HƯỞNG TỚI CHẤT LƯỢNG CỦA HỆ THỐNG THÔNG TIN VÀ MỘT SỐ PHƯƠNG PHÁP HẠN CHẾ
Hình 4.3 Sơ đồ hệ đo nhiễu nội trong vật liệu linh kiện điện tử (Trang 61)
Hình 4.4: Ảnh hưởng của độ ẩm đến phổ của sensor - KHÁI QUÁT TÍNH CHẤT CỦA MỘT SỐ NGUỒN NHIỄU ĐIỆN, CÁC TÁC ĐỘNG LÀM ẢNH HƯỞNG TỚI CHẤT LƯỢNG CỦA HỆ THỐNG THÔNG TIN VÀ MỘT SỐ PHƯƠNG PHÁP HẠN CHẾ
Hình 4.4 Ảnh hưởng của độ ẩm đến phổ của sensor (Trang 62)
Hình 4.7: Hệ thống tự động phát hiện,phân tích và hiển thị can nhiễu trong mạng  GSM - KHÁI QUÁT TÍNH CHẤT CỦA MỘT SỐ NGUỒN NHIỄU ĐIỆN, CÁC TÁC ĐỘNG LÀM ẢNH HƯỞNG TỚI CHẤT LƯỢNG CỦA HỆ THỐNG THÔNG TIN VÀ MỘT SỐ PHƯƠNG PHÁP HẠN CHẾ
Hình 4.7 Hệ thống tự động phát hiện,phân tích và hiển thị can nhiễu trong mạng GSM (Trang 64)
Hình 4.8: Các thành phần cần thiết để phân tích nhiễu trong mạng GSM - KHÁI QUÁT TÍNH CHẤT CỦA MỘT SỐ NGUỒN NHIỄU ĐIỆN, CÁC TÁC ĐỘNG LÀM ẢNH HƯỞNG TỚI CHẤT LƯỢNG CỦA HỆ THỐNG THÔNG TIN VÀ MỘT SỐ PHƯƠNG PHÁP HẠN CHẾ
Hình 4.8 Các thành phần cần thiết để phân tích nhiễu trong mạng GSM (Trang 65)
Hình 4.9: Các tín hiệu đồng kênh được phát hiện và hiển thị riêng biệt - KHÁI QUÁT TÍNH CHẤT CỦA MỘT SỐ NGUỒN NHIỄU ĐIỆN, CÁC TÁC ĐỘNG LÀM ẢNH HƯỞNG TỚI CHẤT LƯỢNG CỦA HỆ THỐNG THÔNG TIN VÀ MỘT SỐ PHƯƠNG PHÁP HẠN CHẾ
Hình 4.9 Các tín hiệu đồng kênh được phát hiện và hiển thị riêng biệt (Trang 66)
Hình 4.11:Thiết lập cấu hình kiểm tra bộ lọc RC - KHÁI QUÁT TÍNH CHẤT CỦA MỘT SỐ NGUỒN NHIỄU ĐIỆN, CÁC TÁC ĐỘNG LÀM ẢNH HƯỞNG TỚI CHẤT LƯỢNG CỦA HỆ THỐNG THÔNG TIN VÀ MỘT SỐ PHƯƠNG PHÁP HẠN CHẾ
Hình 4.11 Thiết lập cấu hình kiểm tra bộ lọc RC (Trang 68)
Hình 4.12: Thiết lập kiểm tra cho một số Modull công suất cao của Eicsson - KHÁI QUÁT TÍNH CHẤT CỦA MỘT SỐ NGUỒN NHIỄU ĐIỆN, CÁC TÁC ĐỘNG LÀM ẢNH HƯỞNG TỚI CHẤT LƯỢNG CỦA HỆ THỐNG THÔNG TIN VÀ MỘT SỐ PHƯƠNG PHÁP HẠN CHẾ
Hình 4.12 Thiết lập kiểm tra cho một số Modull công suất cao của Eicsson (Trang 69)
Hình 4.13: Kết quả đo nhiễu tổng - KHÁI QUÁT TÍNH CHẤT CỦA MỘT SỐ NGUỒN NHIỄU ĐIỆN, CÁC TÁC ĐỘNG LÀM ẢNH HƯỞNG TỚI CHẤT LƯỢNG CỦA HỆ THỐNG THÔNG TIN VÀ MỘT SỐ PHƯƠNG PHÁP HẠN CHẾ
Hình 4.13 Kết quả đo nhiễu tổng (Trang 70)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TRÍCH ĐOẠN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w