Báo cáo thực hành điện tử công suất (1)

TRƯỜNG ĐẠI HỌC HÀNG HẢI VIỆT NAM KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ BỘ MÔN ĐIỆN TỰ ĐỘNG CÔNG NGHIỆP ==========o0o========== BÁO CÁO THỰC HÀNH ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT Mã: 13350H Học kỳ: – Năm học: 2022 – 2023 Họ tên: Trịnh Hoàng Tùng Dương Mã SV: 90216 Lớp: ĐTĐ62CLC Nhóm: N03-TH1 (2 buổi) Giảng viên hướng dẫn: Bộ mơn: Khoa: Nhóm TH: TS Đặng Hồng Hải Điện tử công suất Điện – Điện tử N03.TH1 MỤC LỤC BÀI 1: VAN BÁN DẪN 4.1 Nội dung lý thuyết 4.2 Kết thực hành, kết luận 4.3 Nhìn vào datasheet ta thấy .13 BÀI 2: CHỈNH LƯU 14 4.1 Mạch chỉnh lưu hình tia pha .14 4.2 Mạch chỉnh lưu hình tia pha 15 4.3 Sơ đồ mạch lực chỉnh lưu tia pha có tải tải trở 16 4.4 Chỉnh lưu cầu pha 18 4.5 Sơ đồ mạch lực chỉnh lưu cầu pha có tải tải trở 19 BÀI 3: BĂM XUNG MỘT CHIỀU 21 BÀI 4: NGHỊCH LƯU VÀ BIẾN TẦN 29 4.2 Biến tần 31 I Tìm hiểu biến tần Micromater Eco .32 Các đặc tín Micromaster 33 Các đầu nối nguồn cho động .33 Sử dụng hình điều khiển 37 Cảnh báo mã lỗi 38 Thông số kĩ thuật 39 BÀI 1: CÁC PHẦN TỬ BÁN DẪN CÔNG SUẤT CƠ BẢN Mục tiêu: _ Chứng minh giảng phần tử bán dẫn môn học điện tử công suất Công tác chuẩn bị sinh viên _ Chuẩn bị trước nội dung thực hành yêu cầu giáo viên hướng dẫn cho thí nghiệm só Trang thiét bị cần thiết _ Các van bán dẫn cơng suất phịng thí nghiệm Các nội dung, quy trình _ Tìm hiểu dáng kích thước đặc trưng phần tử bán dẫn công suất _ Đo đạc thử nghiệm phần tử bán dẫn công suất _ Ghi chép số liệu đưa nhận xét 4.1 Nội dung lý thuyết a) Điôt Điôt công suất mặt ghép p-n ghép thành, diện tích mặt ghép tỉ lệ với dịng điện cho phép qua điơt.Trung bình mật độ dịng cỡ 10A/mm2 hình 1.1 cấu trúc điơt Đặc tính vơn-ampe: hình 1.2 đường đặc tính vơn ampe Nhánh thuận: điện áp UAK >0 ĐIOT phân cực thuận, đường đặc tính có dạng mũ Nhánh ngược: điện áp UAKU2 dong điện tăng đột ngột phá hủy điôt b) Tiristor Tiristor phần tử bán dẫn cấu tạo từ bốn lớp bán dẫn p-n-p-n tạo thành Cấu trúc kí hiệu trình bày hình.Tiristor có lớp tiếp giáp J1, J2, J3 hình thành cực anot A, katot K, cực điều khiển G Hình 1.3 cấu tạo chung c)Transistor Trasitor phần tử bán dẫn có cấu trúc gồm lớp bán dẫn p-n-p lên từ tiếp giáp p-n transistor có cực hình vẽ: n-p-n tạo Hình 1.4 Cấu tạo Transistor d)Mosfet Hình 1.5 Cấu tạo MOSFET Kí hiệu Mosfet e) IGBT Hình 1.6 Cấu tạo IGBT Ký hiệu IGBT f) TRIAC Triac phần tử bán dẫn gồm cực tạo lên từ lớp bán dẫn tạo lên cấu trúc p-n-p-n tiristor theo chiều cực T1 T2 nguyên tắc coi triac tiristo song song đấu ngược Hình 1.7 Cấu tạo cấu trúc tương đương TRIAC TRIAC điều khiển dẫn dịng xung dương (dòng vào cực điều khiển ) xung âm (dòng khỏi cực điều khiển) nhiên dịng điều khiển âm có độ nhạy hơn, nghĩa dòng điều khiển phải lớn 4.2 Kết thực hành, kết luận a) Đo van điôt Diot RAK RKA Nhận xét Bán dẫn 100A Bán dẫn 10A 40 50 ∞ ∞ Tốt Tốt b) Đo van Transistor Tên Transistor H1061 R12 GT40T101 4*10−3 3,1*10−3 R13 R23 R21 R31 R32 5,1 ∞ ∞ ∞ ∞ Nhận xét Tốt ∞ ∞ ∞ ∞ ∞ Hỏng R13 R23 R21 R32 Nhận xét ¿ 10−3 c) Đo van tiristor Tên Tiristor R12 R31 K9202H 120 Dẫn dòng 20 200A ∞ ∞ ∞ ∞ 260 20 ∞ ∞ ∞ ∞ Tốt R13 R23 R21 R31 R32 ∞ ∞ ∞ ∞ 260 20 ∞ ∞ ∞ ∞ Nhận xét Hỏng d) Đo van Mosfet Tên Mosfet R12 SPW20m6055 120 Dẫn dòng 20 200A e) Đo van IGBT Tên IGBT R12 R13 R23 R21 R31 R32 SKM300GB ∞ 30 ∞ ∞ 30 ∞ Nhận xét Hỏng Số liệu data sheet 10