Báo cáo thực hành điện tử công suất bài 1 van bán dẫn

TRƯỜNG ĐẠI HỌC HÀNG HẢI VIỆT NAM KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ BỘ MÔN ĐIỆN TỰ ĐỘNG CÔNG NGHIỆP ==========o0o========== BÁO CÁO THỰC HÀNH ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT Mã: 13350 Học kỳ: – Năm học: 2020 – 2021 Họ tên: Trịnh Hoàng Tùng Dương Mã SV: 90216 Lớp: ĐTD62CL Nhóm: N04-TH2(2 buổi) Ngành Kỹ thuật điều khiển tự động hóa Chuyên ngành Tự Động Hóa Hệ Thống Điện Giảng viên hướng dẫn: Bộ mơn: Khoa: Nhóm TH: TS Đặng Hồng Hải Điện tự động công nghiệp Điện – Điện tử N04.TH1 HẢI PHÒNG - 5/2023 MỤC LỤC BÀI 1: VAN BÁN DẪN 4.1 Nội dung lý thuyết .3 4.2 Kết thực hành, kết luận 4.3 Nhìn vào datasheet ta thấy: 13 BÀI 2: CHỈNH LƯU 14 4.1 Mạch chỉnh lưu hình tia pha 14 4.2 Mạch chỉnh lưu hình tia pha 15 4.3.Sơ đồ mạch lực chỉnh lưu tia pha có tải tải trở: 16 4.4 Chỉnh lưu cầu pha 18 4.5 Sơ đồ mạch lực chỉnh lưu cầu pha có tải tải trở: 19 BÀI 3: BĂM XUNG MỘT CHIỀU .21 BÀI 4: NGHỊCH LƯU VÀ BIẾN TẦN 29 4.2 Biến tần 31 I Tìm hiểu biến tần Micromater Eco 32 Các đặc tín Micromaster 33 Các đầu nối nguồn cho động 33 Sử dụng hình điều khiển 37 Cảnh báo mã lỗi 38 II Hình ảnh thực tế 39 39 39 _ Thông số động 39 BÀI 1: VAN BÁN DẪN Mục tiêu: 1.1 Tìm hiểu datasheet van bán dẫn (thyristor, GTO, Triac, Mosfet, BJT, IGBT) thỏa mãn (Iv > 50A, Uv > 300V) 1.2 Phân tích datasheet van bán dẫn tìm Công tác chuẩn bị sinh viên 2.1 Đọc kỹ tài liệu hướng dẫn thực hành, đối chiếu với thiết bị phịng thí nghiệm 2.2.Tìm hiểu van bán dẫn có liên quan Trang thiét bị cần thiết 3.1.Van bán dẫn (thyristor, GTO, Triac, Mosfet, BJT, IGBT) 3.2 Datasheet van bán dẫn tìm Các nội dung, quy trình 4.1 Nội dung lý thuyết a) Điôt Điôt công suất mặt ghép p-n ghép thành, diện tích mặt ghép tỉ lệ với dịng điện cho phép qua điơt.Trung bình mật độ dịng cỡ 10A/mm2 hình 1.1 cấu trúc điơt Đặc tính vơn-ampe: hình 1.2 đường đặc tính vơn ampe Nhánh thuận: điện áp UAK >0 ĐIOT phân cực thuận, đường đặc tính có dạng mũ Nhánh ngược: điện áp UAKU2 dong điện tăng đột ngột phá hủy điôt b) Tiristor Tiristor phần tử bán dẫn cấu tạo từ bốn lớp bán dẫn p-n-p-n tạo thành Cấu trúc kí hiệu trình bày hình.Tiristor có lớp tiếp giáp J1, J2, J3 hình thành cực anot A, katot K, cực điều khiển G Hình 1.3 cấu tạo chung c)Transistor Trasitor phần tử bán dẫn có cấu trúc gồm lớp bán dẫn p-n-p lên từ tiếp giáp p-n transistor có cực hình vẽ: n-p-n tạo Hình 1.4 Cấu tạo Transistor d)Mosfet Hình 1.5 Cấu tạo MOSFET Kí hiệu Mosfet e) IGBT Hình 1.6 Cấu tạo IGBT Ký hiệu IGBT f) TRIAC Triac phần tử bán dẫn gồm cực tạo lên từ lớp bán dẫn tạo lên cấu trúc p-n-p-n tiristor theo chiều cực T1 T2 nguyên tắc coi triac tiristo song song đấu ngược Hình 1.7 Cấu tạo cấu trúc tương đương TRIAC TRIAC điều khiển dẫn dịng xung dương (dòng vào cực điều khiển ) xung âm (dòng khỏi cực điều khiển) nhiên dịng điều khiển âm có độ nhạy hơn, nghĩa dòng điều khiển phải lớn 4.2 Kết thực hành, kết luận a) Đo van điôt Diot RAK RKA Nhận xét Bán dẫn 100A Bán dẫn 10A 40 50 ∞ ∞ Tốt Tốt b) Đo van Transistor Tên Transistor H1061 R12 R13 3,1*10−3 5,1 GT40T101 4*10 −3 R23 R21 R31 R32 ∞ ∞ ∞ ∞ Nhận xét Tốt ∞ ∞ ∞ ∞ ∞ Hỏng R13 R23 R21 R32 Nhận xét −3 ¿ 10 c) Đo van tiristor Tên Tiristor R12 R31 K9202H 120 Dẫn dòng 20 200A ∞ ∞ ∞ ∞ 260 20 ∞ ∞ ∞ ∞ Tốt R13 R23 R21 R31 R32 ∞ ∞ ∞ ∞ 260 20 ∞ ∞ ∞ ∞ Nhận xét Hỏng d) Đo van Mosfet Tên Mosfet R12 SPW20m6055 120 Dẫn dòng 20 200A e) Đo van IGBT Tên IGBT R12 R13 R23 R21 R31 R32 SKM300GB ∞ 30 ∞ ∞ 30 ∞ Nhận xét Hỏng Số liệu datasheet : 10