Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng chia công suất

Bộ KH & CN Bộ quốc phòng Trung tâm KhKt - CnQs Viện Rađa Đề tài độc lập cấp Nhà nớc: Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải. báo cáo tổng kết chuyên đề Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/chia công suất M số: ĐTĐL- 2005/28G Chủ nhiệm đề tài: TS Nguyễn Thị Ngọc Minh 6715-2 11/01/2007 Hà Nội - 2007 Bản quyền 2007 thuộc Viện Rađa Đơn xin sao chép toàn bộ hoặc từng phần tài liệu này phải gửi đến Viện trởng Viện Rađa trừ trờng hợp sử dụng với mục đích nghiên cứu. Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/chia công suất 1 mục lục Lời nói đầu 3 Chơng I: Tổng quan về các bộ cộng / chia công suất 4 1.1. Khái quát chung 4 1.2. Các bộ cộng hốc cộng hởng 5 1.2.1. Bộ cộng hốc cộng hởng ống dẫn sóng HCN 7 1.2.2. Bộ cộng hốc cộng hởng hình trụ 13 1.3. Các bộ cộng lai và ghép chuỗi (Bộ cộng tổng hợp) 14 1.3.1. Bộ cộng lai (Bộ cộng Hybrid) 14 1.3.2. Bộ cộng ghép chuỗi 19 1.4. Các bộ cộng không cộng hởng-N đờng 20 1.4.1. Bộ cộng Wilkinson và đờng tia 20 1.4.2. Bộ cộng ống dẫn sóng hình nón 21 1.4.3. Bộ cộng Rucker 23 1.5. Các bộ cộng mức chip 24 1.6. Các bộ cộng trong không gian 25 1.7. Bộ cộng đa mức 27 1.8. Các kỹ thuật cộng khác 28 1.8.1. Bộ cộng ống sóng dẫn điện môi 28 1.8.2. Bộ cộng đẩy-kéo 29 1.8.3. Bộ cộng mạch cộng hởng CAP - mũ 30 1.8.4. Bộ cộng ống dẫn sóng planar 31 1.8.5. Bộ cộng phân bố 31 1.8.6. Cộng công suất hài 32 1.9. Kết luận 32 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/chia công suất 2 Chơng II: Một số giải pháp cộng / chia công suất ở dải sóng cm thờng sử dụng trong thực tế 34 2.1. Thiết kế bộ cộng công suất bốn điốt băng X dùng điốt Gunn 34 2.1.1. Bộ cộng công suất và các đặc trng 36 2.1.2. Những kết luận rút ra qua đỉều chỉnh thực nghiệm 37 2.2. Cấu trúc bộ cộng/chia công suất kiểu ống sóng nhiều cổng 39 2.2.1. Thiết kế bộ cộng/chia công suất tối u 40 2.2.2. Phân tích đặc tính kỹ thuật của bộ chia 43 2.2.3. Phân tích đặc tính kỹ thuật của bộ cộng 47 2.3. Bộ cộng công suất trong không gian 20 W trên ống sóng 51 2.3.1. Khái niệm 51 2.3.2. Hiệu năng công suất đợc cộng 52 2.3.3. Các kết quả đo 54 2.3.4. Thiết kế bộ cộng công suất 56 2.4. Thiết kế bộ cộng/chia công suất kiểu Wilkinson trên mạch dải 57 2.5. Thiết kế bộ cộng chia công suất 3 GHz cho ra đa 37 57 2.5.1. Giới thiệu chung về đài ra đa 37 57 2.5.2. Tham số kỹ thuật chính của ra đa 37 58 2.5.3. Các chỉ tiêu kỹ thuật của bộ cộng/chia công suất 58 2.5.4. Lựa chọn kiểu loại vật liệu mạch in 58 Kết luận 61 Tài liệu tham khảo 62 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/chia công suất 3 Lời nói đầu Ngày nay khoa học kỹ thuật nói chung và kỹ thuật vô tuyến điện nói riêng phát triển rất mạnh mẽ. Các thiết bị vô tuyến làm việc ở dải sóng siêu cao tần trong các lĩnh vực nh: thông tin sóng ngắn, thông tin tiếp sức, thông tin vệ tinh, truyền hình, truyền số liệu, rađa, chiến tranh điện tử, đã có những bớc tiến lớn và có nhiều ứng dụng rộng rãi trong quân sự và đời sống. Trong khi đó, quân đội ta hiện đang sử dụng phổ biến các thiết bị ở dải sóng siêu cao tần đã lạc hậu so với thế giới. Một vấn đề đặt ra là phải cải tiến nâng cao chất lợng của các thiết bị đó đáp ứng kịp thời yêu cầu của chiến tranh hiện đại. Cùng với sự ra đời của nhiều linh kiện bán dẫn chất lợng cao làm việc ở dải sóng siêu cao tần, cho phép bán dẫn hoá từng bộ phận, từng khối của thiết bị để nâng cao độ tin cậy, giảm kích thớc trọng lợng, phải phù hợp với điều kiện gia công cơ khí ở nớc ta để góp phần nâng cao tính sẵn sàng chiến đấu cho quân đội ta. Trong kỹ thuật siêu cao tần một vấn đề hay gặp là thiết kế các bộ cộng/ chia công suất (Combiner/Splitter), nó có chức năng cộng /chia các nguồn phát để tạo ra các mức công suất khác nhau đáp ứng yêu cầu làm việc giữa các modun (hoặc khối) trong một thiết bị hoặc giữa các thiết bị trong một hệ thống. Việc thiết kế chế tạo các bộ cộng/chia công suất đòi hỏi phải tính toán các tham số thiết kế và quá trình gia công chính xác. Nếu không tính toán và thiết kế chính xác thì sẽ xuất hiện sóng phản xạ công suất từ đầu ra trở lại đầu vào của bộ cộng/chia, sự cách ly giữa các đầu ra không đảm bảo gây ảnh hởng lẫn nhau, do vậy công suất tại các đầu ra sẽ không đạt mức yêu cầu và thờng làm rối loạn chức năng của hệ thống. Đề tài: "Tổng quan các phơng pháp thiết kế các bộ cộng/ chia công suất ở dải sóng siêu cao tần" trình bày một cách khái quát về các kỹ thuật cộng/chia công suất ở dải sóng siêu cao tần nh các bộ cộng mức chip, các bộ cộng mức mạch, các bộ cộng không gian và các bộ cộng đa mức (kết hợp 3 bộ cộng trên) đồng thời cũng trình bày giải pháp thực hiện một số bộ cộng/chia công suất dải sóng cm hiện đang sử dụng trong thực tế nh bộ cộng công suất trên ống sóng và bộ cộng/ chia công suất trên mạch dải Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/chia công suất 4 Chơng i Tổng quan về các bộ cộng / chia công suất 1.1. Khái quát chung Trong dải sóng siêu cao tần các bộ cộng công suất đợc ứng dụng trong dải sóng mét, centimét và milimét. Các linh kiện tích cực trong bộ cộng thờng là các điốt Gunn hoặc điốt IMPATT, mặc dù trong tơng lai các thiết bị 3 đầu cuối (three-teminal) có thể đợc phát triển cho dải sóng milimét. Do yêu cầu đòi hỏi ngày càng cao đối với các hệ thống rađa và các hệ thống thông tin ở dải sóng centimét và dải milimét cần phải có các máy phát bán dẫn công suất cao. Các hệ thống sóng milimét này có thể có anten nhỏ hơn, cung cấp độ rộng dải tần lớn hơn và độ phân giải tốt hơn so với các hệ thống sóng siêu cao tần. Hiện tại, đèn sóng chạy (TWT) vợt trội hơn các bộ khuếch đại và máy phát bán dẫn về công suất đầu ra hoặc về hiệu suất (Tuy nhiên, các thiết bị bán dẫn có độ tin cậy cao hơn, kích thớc và trọng lợng nhỏ hơn, đòi hỏi nguồn điện áp thấp). Công suất đầu ra từ một thiết bị bán dẫn đơn sẽ đợc giới hạn chủ yếu bởi các vấn đề về nhiệt và trở kháng. Để đáp ứng sự đòi hỏi của một số hệ thống thì cần thiết phải cộng công suất để đạt đợc mức công suất cao. Các phơng pháp cộng công suất đợc trình bày trên hình 1.1. Các phơng pháp này chủ yếu đợc chia làm 4 loại [6]: Các bộ cộng mức chip. Các bộ cộng mức mạch. Các bộ cộng không gian. Các bộ cộng đa mức ( kết hợp 3 bộ cộng trên ). Các bộ cộng mức mạch có thể đợc chia tiếp ra làm hai loại: bộ cộng cộng hởng và không cộng hởng. Các bộ cộng cộng hởng bao gồm kỹ thuật cộng trong hốc cộng hởng hình chữ nhật hoặc trong hốc cộng hởng ống dẫn sóng hình trụ. Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/chia công suất 5 Hình 1.1. Các kỹ thuật cộng khác nhau Kỹ thuật cộng không cộng hởng bao gồm: bộ cộng ghép lai (hybrid), bộ cộng ống dẫn sóng hình nón, bộ cộng đờng-tia, bộ cộng hởng ghép chuỗi và bộ cộng kiểu Wilkinson. Trong vài thập kỷ qua ngời ta đã chế tạo thành công các bộ cộng hốc cộng hởng đến 220GHz cho các ứng dụng dải hẹp. Các bộ cộng không cộng hởng đã đợc phát triển trong các hệ thống dải rộng đến tần số 60GHz và các bộ cộng ghép lai là loại hay đợc sử dụng nhất. 1.2. Các bộ cộng hốc cộng hởng Bộ cộng hốc cộng hởng đầu tiên đợc Kurokawa và Magathaes đa ra là bộ cộng công suất 12 điốt làm việc là ở băng-X [7]. Mạch gồm một hốc cộng hởng ống dẫn sóng chữ nhật với các điốt đợc cắm trong các môdun gắn điốt dạng ống dẫn sóng trục đợc ghép ngang trong thành ống dẫn sóng. Các k ỹ thuật cộn g Bộ cộng mức chip Bộ cộng mức mạch Bộ cộng không gian Bộ cộng đa mức Bộ cộng khác: - ống dẫn sóng điện môi. - Đẩy kéo. - Hốc cộng hởng chóp. - Mạch phân bố - Điều hoà. Bộ cộng hốc cộng hởng Bộ cộng không cộng hởng Bộ cộng hốc cộng hởng hình chữ nhật (HCN) Bộ cộng hốc cộng hởng hình trụ Bộ cộng N đờng Bộ cộng tổng hợp Bộ cộng ống dẫn sóng hình nón Bộ cộng đờng -tia Bộ cộng Wilkinson Bộ cộng ghép lai Bộ cộng ghép chuỗi Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/chia công suất 6 Kurokawa đã phát triển lý thuyết mạch dao động và chỉ ra cấu hình mạch dao động tạo đợc dao động ổn định không phụ thuộc vào vấn đề mode đa-điốt [7]. Sau đó Harp và Stover đã chỉnh lại cấu hình bộ cộng bằng cách thay hốc ống dẫn sóng cộng hởng hình chữ nhật bằng hốc ống dẫn sóng cộng hởng hình trụ nhằm tăng thêm mật độ gá lắp để có thể cộng đợc số lợng điốt nhiều hơn trong một thể tích nhỏ [8]. kỹ thuật cộng này đã đợc sử dụng để xây dựng các bộ cộng công suất bán dẫn cho các ứng dụng khác nhau. Các bộ cộng có thể đợc sử dụng nh một bộ dao động, bộ khuyếch đại khoá-tiêm, hoặc bộ khuyếch đại ổn định.Trong trờng hợp các bộ khuyếch đại khoá-tiêm thì dải tần khoá đã chuẩn hoá 0 2 f f có liên hệ một cách gần đúng với hệ số khuếch đại công suất L P P 0 nh sau: 2/1 0 0 22 = Le P P Qf f (1.1) Trong đó: + f 0 : là tần số dao động tự do; + f: là độ rộng băng khi khoá một bên; + P 0 : là công suất bộ dao động tự do; + P L : công suất tín hiệu khoá-tiêm. Trong đa số các trờng hợp, Q e có giá trị thay đổi trong khoảng từ 20 đến 100 và L P P 0 thay đổi từ 10 đến 20 dB. Do đó dải tần khoá thay đổi trong khoảng từ 0,2 đến 3%. Bộ cộng hốc cổng hởng có các u điểm sau: - Hiệu suất cộng nói chung cao, vì các đầu ra công suất của các thiết bị sẽ cộng trực tiếp không có tổn hao đờng dẫn. - Bộ cộng hốc cộng hởng có khả năng cộng đợc một số các điốt đạt tới 300GHz. Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/chia công suất 7 - Các bộ cộng có kích thớc nhỏ, gọn và đợc sử dụng cho việc xây dựng khối đối với các bộ cộng đa mức. - Tạo ra sự cách ly giữa các điốt nhằm tránh sự thay đổi trở kháng qua lại do việc ghép kiểu hốc cộng hởng. Nhợc điểm của các bộ cộng hốc cộng hởng: - Độ rộng dải tần bị giới hạn nhỏ hơn một vài %, mặc dù một vài kỹ thuật đã đợc đa ra để giảm hệ số phẩm chất Q của mạch nhng nh vậy độ rộng dải tần cũng tăng lên không đáng kể [5]. - Số lợng các điốt đợc cộng trong một hốc đợc giới hạn bởi vấn đề về mode, từ đó số lợng mode sẽ tăng lên cùng với kích thớc hốc. - Sự điều chỉnh về điện hoặc về cơ khí là khó. 1.2.1. Bộ cộng hốc cộng hởng ống dẫn sóng HCN Các giải pháp cộng này thờng đợc áp dụng ở dải sóng dm, cm và mm. a. Giới thiệu chung Các bộ cộng hốc cộng hởng ống dẫn sóng hình chữ nhật đã đợc Kurokawa và Magalhaes mô tả nh hình 1.2. Hình 1.2. Mặt cắt ngang và cấu hình bộ cộng ống dẫn sóng Kurokawa Mỗi điốt đợc cắm ở một đáy của một đờng đồng trục. Đờng đồng trục đã đợc ghép từ trờng tại thành bên của hốc ống dẫn sóng. Một đầu của đờng đồng trục đợc tải bằng một bộ hấp thụ hình nêm nhằm làm ổn định dao động. Để ghép phù hợp vào hốc ống dẫn sóng, các mạch đồng trục cần phải đặt vào vị Điốt Tới tải g /4 g /2 Hốc ống dẫn sóng Bộ biến đổi /4 Tới nguồn thiên áp g /4 g /2 g /4 Từ trờng Chất dẫn ở tâm đờng đồng trục Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/chia công suất 8 trí từ trờng cực đại của hốc. Do đó, các cặp điốt cần phải cách nhau một nửa bớc sóng ( 2 g ) dọc theo ống sóng (hình 1.2). Hốc cộng hởng đợc tạo thành bởi cửa sổ điện cảm và pittông ngắn mạch. Sử dụng mạch này có thể nhận đợc công suất trung bình là 10,5W ở tần số 9,1GHz với hiệu suất là 6,2% bằng cách cộng 12 điốt IMPATT. Để tăng dung lợng điốt, có thể đặt 2 hoặc nhiều điốt trên cả phía từ trờng yếu nh đợc thấy ở hình 1.3 [5]. Hình 1.3. Mạch dung lợng 2 điốt của Kurokawa đã đợc thay đổi Mạch tơng đơng đợc đơn giản hoá của bộ cộng gần tần số cộng hởng của hốc đợc mô hình hoá nh hình 1.4. R, L, C dùng để mô tả hốc cộng hởng. N 1 , N 2 , N N là các hệ số ghép giữa mỗi môdun đồng trục và hốc. R 0 mô tả điện trở Eccosorb và dẫn nạp của linh kiện Y D . Đối với một hốc cộng hởng HCN thì tần cộng hởng cho bởi: 222 ,, 222 . 2 1 + + = d q b p a n f pnm à (1.2) Trong đó: + a: Độ rộng ống dẫn sóng (trục x); b: Độ cao ống dẫn sóng (trục y); + c: Độ dài hốc cộng hởng (trục z), với các số lẻ tơng ứng (số mode) m, n, p. Điốt /4 /2 Phân bố biên độ từ trờng Bộ biến đổi /4 Thiên áp Bộ hấp thụ hình nêm Hốc ống dẫn sóng - - Cửa sổ điện cảm g /4 g /4 g /2 Ghép đôi môdun Pít tông ngắn mạch Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/chia công suất 9 Hình 1.4. Mạch tơng đơng của bộ cộng hốc cộng hởng Các tần số hốc cộng hởng có thể đợc tính toán một cách dễ dàng khi các kích thớc hốc cộng hởng đợc cho trớc. Hốc sẽ đợc thiết kế sao cho các mode lân cận rơi vào vùng tần số mong muốn sẽ có giãn cách tha. Ví dụ: ở 94GHz với a = 0,1; b = 0,05; nếu c = 1,5 g thì 3 mode rơi vào dải từ 70GHz đến 120GHz mà trong dải này các điốt IMPATT có điện trở âm (xem bảng 1.1). Giãn cách các mode xấp xỉ 20GHz. Nếu c = 3 g thì sẽ có 6 mode và giãn cách giữa các mode xấp xỉ 10GHz. Bảng 1.1. Các tần số cộng hởng của một hốc cộng hởng băng-w Khi tăng độ dài hốc, giãn cách giữa các mode sẽ giảm và khi đó cùng một lúc nhiều mode đợc kích thích, thì về thực chất sẽ làm giảm hiệu suất cộng. Các môdun đợc ghép ở thành bên có thể đợc u tiên sắp xếp. Tuy nhiên, các môdun ghép ở thành bên có thể đặt tuỳ ý sao cho kích thích chỉ ở mode mong muốn. n = 1 m = 0 c p = 1 p = 2 p = 3 p = 4 p = 5 p = 6 p = 7 p = 8 c = 1,5 g 63,89 76,58 94 114 135,45 157,75 180,59 203,78 c = 3 g 60,30 63,89 69,46 76,58 84,87 94 103,77 114 f(GHz) out p ut N:1 C L R L 2 L 2 L 1 L 1 R 0 R 0 -Y 1D -Y nD N 1 :1 N n :1 Môdun ống dẫn sóng đồng trụ ghép ngang Điốt Hốc cộng hởng Bộ hấp thụ Eccosorb . . . . . . [...]... cần thiết với tải chung RL Đầu ra công suất CW vợt quá 4W ở tần số 7GHz và 3W ở 9GHz đã đợc chế tạo sử dụng các điốt 0,5W đến 1W [5] 23 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/ chia công suất Tụ rẽ mạch Nguồn chung thiên áp cho các. .. Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/ chia công suất Gần đây một dãy tích cực ở 35GHz đã đợc Durkin phát triển [5], nó cộng trong không gian công suất từ các bộ dao động IMPATT xung đợc tích hợp với một anten làm trên mạch in Sơ đồ khối và mạch dãy... triển các bộ cộng đa mức có quy mô lớn để cộng hàng trăm linh kiện 32 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/ chia công suất Sơ đồ cộng sẽ đợc phát triển sử dụng môi trờng truyền sóng trên mạch tích hợp sóng milimét để đạt đợc công. .. 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/ chia công suất rộng dải tần trên 3GHz bằng việc cộng 4 điốt với công suất đầu ra riêng rẽ từ 125mW đến 150 mW [5] Các điốt đã đợc gắn trên các góc của hốc cộng hởng HCN làm việc trong mode TE101 1.2.2 Bộ cộng. .. 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/ chia công suất 1.8.4 Bộ cộng ống dẫn sóng planar Điốt Lá toả nhiệt Mạch Màn planar ngăn Hình 1.27 Bộ cộng ống dẫn sóng-Planar Hình 1.27 minh họa một bộ cộng băng-Ka trong mạch planar [6] Mạch planar đợc áp dụng. .. dựng ở tần số 14,5GHz trong hốc cộng hởng điện môi tròn tạo ra 11W với hiệu suất cộng 70% 31 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/ chia công suất 1.8.6 Cộng công suất hài Kỹ thuật cộng này gần đây đã đợc Peterson đa ra và minh... 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/ chia công suất Bộ cộng xây dựng theo khối có một cấu trúc gá điốt ống dẫn sóng đồng trục ghép ngang Levin đã tiến hành phát triển đầu tiên phân tích lý thuyết cấu trúc này [9] Khi thiết kế bộ cộng công suất các. .. thâý các bộ cộng mức chip làm việc nh kỹ thuật cộng mức một Bộ cộng cộng hởng có thể đợc sử dụng để cộng một vài môdun bộ cộng mức chip và nó làm việc nh cộng mức hai Các môdun bộ cộng cộng hởng sau đó đợc kết hợp lại bằng kỹ 27 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên. .. (a) Cấu trúc bộ cộng mức chip, (b) Cộng qua dãy điốt 24 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/ chia công suất Có lẽ bộ cộng mức chip thành công nhất đã đợc Rucker đa ra[5] Cấu trúc bộ cộng đợc thấy ở hình 1.19a Các tụ điện thạch... là ở tần số cao nó không thể nối tất cả các điện trở trong mạch planar Để giải quyết vấn đề này ngời ta đã đa 20 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/ chia công suất Bộ cộng đợc thực hiện bởi Russel và Harp ở băng-X [12] và nó . 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ. 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ. 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ