Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ chuyển mạch điốt pin
Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 85 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
85
Dung lượng
1,5 MB
Nội dung
Bộ KH & CN Bộ quốc phòng Trung tâm KhKt - CnQs Viện Rađa Đề tài độc lập cấp Nhà nớc: Nghiêncứuthiếtkếchếtạomạchtíchhợpthụđộngvàtíchcựcsiêucaotầnsửdụngphầnmềmthiếtkếmạchsiêucaotầnvàcôngnghệgiacôngmạch dải. báo cáo khoa học Nghiêncứuthiếtkế,chếtạocácbộchuyểnmạchđiốtpin M số: ĐTĐL- 2005/28G Chủ nhiệm đề tài: TS Nguyễn Thị Ngọc Minh 6715-3 11/01/2007 Hà Nội - 2007 Bản quyền 2007 thuộc Viện Rađa Đơn xin sao chép toàn bộ hoặc từng phần tài liệu này phải gửi đến Viện trởng Viện Rađa trừ trờng hợpsửdụng với mục đích nghiên cứu. Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiêncứuthiếtkếchếtạomạchtíchhợpthụđộngvàtíchcực SCT sửdụngphầnmềmthiếtkếmạch SCT vàcôngnghệgiacôngmạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu, thiếtkếchếtạocácbộchuyểnmạchđiốtPIN 1 mục lục Công thức tính toán một số đại lợng dùng trong báo cáo. 4 Bảng các từ viết tắt. 4 Mở đầu 5 Chơng I: Tổng quan về cácđiốt bán dẫn siêucao tần. 6 1.1. Điốtcao tần. 6 1.1.1. Khái quát về cácđiốt bán dẫn siêucao tần. 6 1.1.2. Mạch điện tơng đơng. 7 1.1.3. Hoạt động của điốt ở cáctần số siêu cao. 8 1.2. Nghiêncứu một vài loại điốtsiêucaotần thờng gặp. 8 1.2.1. Điốt Tunnel. 8 1.2.2. Điốt biến dung-Varicap. 10 1.2.3. Điốt PIN. 12 1.2.4. Sơ lợc về bộ hạn chếcông suất dùngđiốt PIN. 14 1.3. Mạch tơng đơng của điốt PIN. 17 1.3.1. Mạch tơng đơng khi thiên áp ngợc. 17 1.3.2. Mạch tơng đơng khi thiên áp thuận. 19 Chơng II: Tổng quan các giải pháp thiếtkếchếtạobộchuyểnmạchsiêucaotầnsửdụngđiốt PIN. 20 2.1. Các dạng mắc điốt. 21 2.1.1. Điốt mắc shunt. 21 2.1.2. Điốt mắc nối tiếp. 25 2.2. Tổn hao ở công suất cao. 25 2.3. Các giới hạn của điốt. 28 2.3.1. Mức công suất và tốc độ chuyển mạch. 28 2.3.2. Giới hạn lý thuyết. 29 2.3.3. Tốc độ chuyểnmạch của điốt PIN. 30 2.4. Độ lớn công suất xung mà một điốtPIN có thể xử lý. 33 2.5. Độ méo tín hiệu thấp ở chuyểnmạchđiốtPINsửdụngdụng cụ lắp ráp bề mặt (SMD). 40 2.5.1. Các loại méo thờng gặp. 40 2.5.2. Khảo sát điốt PIN. 43 2.6. Dải thông của bộchuyểnmạchđiốt PIN. 44 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiêncứuthiếtkếchếtạomạchtíchhợpthụđộngvàtíchcực SCT sửdụngphầnmềmthiếtkếmạch SCT vàcôngnghệgiacôngmạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu, thiếtkếchếtạocácbộchuyểnmạchđiốtPIN 2 Chơng III: Tổng quan về mạchdảisiêucao tần. 45 3.1. Mạchdảivàcác tham số cơ bản của mạch dải. 45 3.1.1. Phân loại mạch dải. 45 3.2. Mạch vi dải. 47 3.2.1. Cấu trúc hình học của đờng truyền vi dải. 47 3.2.2. Tạo phơng thức. 48 3.2.3. Các tham số cơ bản. 49 3.2.4. Sựphântán trong đờng truyền vi dải. 52 3.3. Các linh kiện cơ bản dùng trong mạch vi dải. 54 3.3.1. Tính toán cho tụ điện. 55 3.3.2. Tính toán cho điện trở. 55 3.3.3. Tính toán cho điện cảm. 56 Chơng IV: Tính toán vàthiếtkếchếtạobộchuyểnmạchđiốt PIN. ứng dụng làm bộ hạn chếcông suất bảo vệ máy thu Rađa P-37. 57 4.1. Nguyên tắc thiếtkếchuyển mạch. 57 4.1.1. Chuyểnmạch SPDT cho dải 0,5 đến 4,0 GHz. 57 4.1.2. Quá trình thiếtkếbộ lọc chuyểnmạch đa đờng. 59 4.1.3. Những yêu cầu điều khiển cơ bản. 62 4.1.4. Xem xét chuyển mạch. 63 4.1.5. Hạn chếmạch thiên áp. 64 4.2. Bộ hạn chếsiêucaotần bằng bán dẫn. 65 4.2.1. Bộ hạn chế varactor. 66 4.2.2. Bộ hạn chếđíôt PIN. 68 4.2.3. Bộ hạn chếđiốtPINgiảtích cực. 70 4.2.4. Bộ hạn chế varactor-PIN. 71 4.2.5. Tổng kết. 71 4.3. Một số mô hình vàmạch đã sửdụng trong thực tế. 72 4.3.1. Sơ đồ khối của một bộ hạn chếcông suất. 72 4.3.2. Chuyểnmạch SPDT- Mô hình chuyểnmạch giảm méo. 73 4.3.3. Mở rộng dải thông của bộchuyểnmạchđiốtPIN (SPDT) mắc shunt. 76 4.4. Tính toán thiếtkế cho mạch thực tế. 79 4.4.1. Vị trí bộ hạn công suất trong Rađa. 79 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiêncứuthiếtkếchếtạomạchtíchhợpthụđộngvàtíchcực SCT sửdụngphầnmềmthiếtkếmạch SCT vàcôngnghệgiacôngmạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu, thiếtkếchếtạocácbộchuyểnmạchđiốtPIN 3 4.4.2. Bộ hạn chếcông suất bảo vệ máy thu. 81 4.4.3. Thiếtkế khối xung điều khiển. 82 4.4.4. ThiếtkếbộchuyểnmạchđiốtPIN 85 Kết luận. 86 Tài liệu tham khảo 87 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiêncứuthiếtkếchếtạomạchtíchhợpthụđộngvàtíchcực SCT sửdụngphầnmềmthiếtkếmạch SCT vàcôngnghệgiacôngmạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu, thiếtkếchếtạocácbộchuyểnmạchđiốtPIN 4 Công thức tính một số đại lợng dùng trong báo cáovà bảng tần số. Hệ số phản xạ: 0 0 ZZ ZZ L L + = Hệ số truyền dẫn T: + = 1 T Tổn hao phản hồi (Return Loss - RL): = lg20RL [dB] Hệ số tổn hao chèn (Insersion Loss - IL): ]lg[20 TIL = [dB] Hệ số sóng đứng (SWR): + = 1 1 SWR Bảng tần số: VHF 3 - 30 kHz L 1 - 2 GHz LF 30 - 300 kHz S 2 - 4 GHz MF 0,3 - 3 MHz C 4 - 8 GHz HF 3 - 30 MHz X 8 - 12 GHz VHF 30 - 300 MHz Ku 12 - 18 GHz UHF 0,3 - 3 GHz K 18 - 27 GHz SHF 3 - 30 GHz Ka 27 - 40 GHz U 40 - 60 GHz Bảng các từ viết tắt: cw: Continous Wave: Sóng liên tục. DUT: Device Under Test: Đối tợng kiểm tra. IMPATT: IM Pact Avalanche Transit-Time Diode. MIC: Micro IC. PCB: Printed Circuit Board: Bomạch in. RF: Radio Frequency: Tần số vô tuyến. SMD: Surface Mount Divice: Dụng cụ lắp ráp bề mặt. SPDT: Single Pole - Double Throw: Một cực hai đầu ra. Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiêncứuthiếtkếchếtạomạchtíchhợpthụđộngvàtíchcực SCT sửdụngphầnmềmthiếtkếmạch SCT vàcôngnghệgiacôngmạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu, thiếtkếchếtạocácbộchuyểnmạchđiốtPIN 5 Mở đầu Ngày nay, khoa học kỹ thuật nói chung và kỹ thuật vô tuyến điện nói riêng phát triển rất mạnh mẽ. Cácthiết bị vô tuyến điện làm việc ở dải sóng siêucaotần đợc sửdụng trong các lĩnh vực nh: thông tin sóng ngắn, thông tin tiếp sức, thông tin vệ tinh, truyền hình, truyền số liệu, rađa, chiến tranh điện tử, đã có những bớc tiến lớn và có nhiều ứng dụng rộng rãi trong quân sựvà đời sống. Trong khi đó, nớc ta hiện nay sửdụng phổ biến cácthiết bị ở dải sóng siêucaotần đã lạc hậu so với thế giới. Một vấn đề đặt ra là phải cải tiến nâng cao chất lợng của cácthiết bị đó đáp ứng kịp thời yêu cầu của cuộc sống sản xuất và chiến đấu hiện đại. Cùng với sự ra đời của nhiều linh kiện bán dẫn chất lợng cao làm việc ở dải sóng siêucao tần, cho phép bán dẫn hoá từng bộ phận, từng khối của thiết bị để nâng cao độ tin cậy, giảm kích thớc, trọng lợng, phải phù hợp với điều kiện giacông cơ khí ở nớc ta để góp phần nâng cao tính năng cũng nh khả năng hoạt động cho cácthiết bị vô tuyến dân sựvà quân sự. Trong kỹ thuật siêucaotần có một vấn đề hay gặp là thiếtkếcácbộchuyểnmạch tốc độ cao, nó có chức năng dẫn hoặc ngăn tín hiệu đến những cổng mà chúng ta mong muốn. Côngnghệ vi dải là côngnghệ mới, bằng việc sửdụng kỹ thuật bay hơi trong chân không và kỹ thuật ăn mòn cho phép sản xuất mạch có độ chính xác cao, dễ sản xuất hàng loạt (bằng phơng pháp tự động), mạch có kích thớc bé (cả thể tíchvà trọng lợng), có khả năng tơng thích với quy trình mạchtích hợp, phạm vi trở kháng đặc trng hợp lý, tổn hao thấp, dải thông tơng đối rộng, nhng nó có giới hạn về mức công suất tơng đối thấp so với ống dẫn sóng. Vì vậy, nó thờng đợc ứng dụng nhiều hơn trong các linh kiện thụđộng nh: bộchuyển mạch, bộ suy hao, bộ lọc, bộ cộng/chia, bộ định hớng vàbộ di pha. Thiếtkế,chếtạobộchuyểnmạch trên mạch vi dải đòi hỏi phải tính toán các tham số thiếtkếvà quá trình giacông chính xác. Nếu không tính toán vàthiếtkế chính xác thì sẽ không đảm bảo đ ợc độ cách ly giữa các cổng; cũng nh làm tăng tổn hao giữa cáccổng cần thông suốt; dẫn đến không đạt mức yêu cầu và thờng làm rối loạn chức năng của hệ thống. Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiêncứuthiếtkếchếtạomạchtíchhợpthụđộngvàtíchcực SCT sửdụngphầnmềmthiếtkếmạch SCT vàcôngnghệgiacôngmạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu, thiếtkếchếtạocácbộchuyểnmạchđiốtPIN 6 Chơng I: Tổng quan về cácđiốt bán dẫn siêucao tần. 1.1 Điốtcao tần: Trớc hết, chúng ta tìm hiểu xem điốtsiêucaotần có khác gì so với điốt thờng. Điốt thuộc loại linh kiện tích cực. Cácphần tử này có thể đợc sửdụng với các chức năng khác nhau nh: tách sóng, trộn, tạo năng lợng điều khiển tín hiệu, nh khả năng điều khiển suy hao bằng điện tử, di pha, vàchuyển mạch. 1.1.1 Khái quát về cácđiốt bán dẫn siêucao tần: Điốt bán dẫn siêucaotần đợc phân thành: Điốt Varistor là cácđiốt có điện trở biến đổi. Điốt Varactor là cácđiốt có điện dung biến đổi. Điốt có trở kháng có thể điều khiển đợc (điốt PIN hoặc điốt Plasma). Điốt có trở kháng âm. +> Điốt Varistor (bao gồm cácđiốt có tiếp xúc điểm, điốt nghịch đảo và đa số điốt có hàng rào Schottky) đợc dùng để tách sóng, biến đổi dới, giải điều chế, bộ hạn chế tốc độ cao hoặc chỉnh lu. +> Điốt Varactor do có điện dung phi tuyến thay đổi đợc khá mạnh, tổn hao nhỏ hơn nhiều so với Varsito nên đợc dùng làm: bộ dao động sóng hài, bộ điều chế hoặc biến đổi trên, cácbộ khuếch đại có tạp âm bé, tạo dao độngvàtạo xung. +> Điốt có trở kháng điều chỉnh đợc: Độ dẫn điện của cácđiốt này hoàn toàn tỷ lệ thuận với số lợng các hạt mang điện không cơ bản đợc tích luỹ. Cácđiốt này ở dải sóng siêucaotần có trở kháng tựa tuyến tính, giá trị của nó có thể điều khiển đợc bằng thiên áp một chiều hoặc thiên áp âm tần ngoài. Chúng đợc dùng ở đảo mạchsiêucao tần, bộ quay pha, bộ hạn chếcông suất, bộ điều chếsiêucaotầncông suất, cácbộ suy giảm biến đổi để điều khiển biên độ tín hiệu. +> Điốtsiêucaotần có trở kháng âm. Hiện nay chủ yếu dùng để khuếch đạivàtạo dao độngsiêucao tần. Có ít nhất 3 loại tuỳ thuộc vào hiệu ứng đờng hầm (điốt Tunnel), hiệu ứng tạo thành thác lũ khi ion hoá do va chạm và thời gian bay (đíôt Impatt, điốt Barrit) và hiệu ứng Gunn (điốt Gunn). Điốt Tunnel do có tập âm bé nhng vì công suất ra rất nhỏ, tần số làm việc không cao nên đợc dùng chủ yếu làm ngoại sai tại chỗ cho các máy thu ngoại [...]... thiếtkế trên nền mạchdải là vì: mạchdải dễ dàng chếtạovà đặc biệt gọn nhẹ hơn nhiều so với sử 16 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiêncứuthiếtkếchếtạomạchtíchhợpthụđộngvàtíchcực SCT sửdụngphầnmềmthiếtkếmạch SCT vàcôngnghệgiacôngmạchdải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu, thiếtkếchếtạocácbộchuyểnmạchđiốtPIN 1.3.1 Mạch tơng đơng khi thiên áp ngợc: Sửdụngmạch tơng đơng khi thiên... thái thiên áp ngợc và chỉ ra rằng, thậm chí ở tần số siêucaotần rất cao, có thể dùngđiốt bán dẫn trong chuyểnmạch 19 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiêncứuthiếtkếchếtạomạchtíchhợpthụđộngvàtíchcực SCT sửdụngphầnmềmthiếtkếmạch SCT vàcôngnghệgiacôngmạchdải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu, thiếtkếchếtạocácbộchuyểnmạchđiốtPIN Chúng ta xem xét các vấn đề của điốt mắc shunt trên... Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiêncứuthiếtkếchếtạomạchtíchhợpthụđộngvàtíchcực SCT sử dụngphầnmềmthiếtkế mạch SCT vàcôngnghệgiacôngmạchdải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu, thiếtkếchếtạocácbộchuyểnmạchđiốtPINDòng trong điốtPIN đợc tạo bởi sự tái hợp hạt mang điện tích trong miền I Các ảnh hởng của sự khuếch tánvàsự trôi đợc miêu tả theo quy luật của điốt Trong bán dẫn, mật... 2005/28G Nghiêncứuthiếtkếchếtạomạchtíchhợpthụđộngvàtíchcực SCT sửdụngphầnmềmthiếtkếmạch SCT vàcôngnghệgiacôngmạchdải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu, thiếtkếchếtạocácbộchuyểnmạchđiốtPINGiá trị của R thay đổi từ 0,5 đến 10k Điện áp đánh thủng của điốtPIN là tơng đối lớn: từ vài trăm vôn đến vài nghìn vôn Nhiệt độ cho phép cựcđại Tmax 1500C * Nh vậy có 2 cách dùngđiốt PIN. .. mạch tơng đơng của điốt không thay đổi khi tăng công suất cao tần- một tiền đề không luôn luôn đúng Lấy ví dụ, nếu biên độ điện 28 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiêncứuthiếtkếchếtạomạchtíchhợpthụđộngvàtíchcực SCT sử dụngphầnmềmthiếtkế mạch SCT vàcôngnghệgiacôngmạchdải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu, thiếtkếchếtạocácbộchuyểnmạchđiốtPIN áp caotần vợt quá điện áp đánh thủng, điốt. .. rằng, độ cách ly sẽ giảm không đáng kể theo tần số Đối với mô hình đơn giản đợc 24 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiêncứuthiếtkếchếtạomạchtíchhợpthụđộngvàtíchcực SCT sử dụngphầnmềmthiếtkế mạch SCT vàcôngnghệgiacôngmạchdải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu, thiếtkếchếtạocácbộchuyểnmạchđiốtPIN xem xét ở đây, một vài biện pháp cải tiến có thể đợc thực hiện bằng cách sửdụngđiốt có... phức tạp hoá thêm, kết hợp với biểu thức chính xác cao sẽ không cung cấp một hiểu biết đáng kể về hoạt động của chuyểnmạch Rõ ràng, trong những ứng 18 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiêncứuthiếtkếchếtạomạchtíchhợpthụđộngvàtíchcực SCT sử dụngphầnmềmthiếtkế mạch SCT vàcôngnghệgiacôngmạchdải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu, thiếtkếchếtạocácbộchuyểnmạchđiốtPINdụng mà điều kiện của... áp caotần ở trạng thái tổn hao chèn VVISO: RF Voltage at Isolation: Điện áp caotần ở trạng thái cách ly 31 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiêncứuthiếtkếchếtạomạchtíchhợpthụđộngvàtíchcực SCT sửdụngphầnmềmthiếtkếmạch SCT vàcôngnghệgiacôngmạchdải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu, thiếtkếchếtạocácbộchuyểnmạchđiốtPIN tiên bởi dòng thiên áp thuận, If Nếu thiên áp thuận đặt vào thiết. .. công suất cao của bộ hạn chế kiểu mắc nối tiếp đợc quyết định bởi công suất phản xạ trong quá trình hạn chế Nếu trở kháng điốt là: Z = R F + jX L , thì độ cách ly kiểu mắc nối tiếp N là: 26 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiêncứuthiếtkếchếtạomạchtíchhợpthụđộngvàtíchcực SCT sử dụngphầnmềmthiếtkế mạch SCT vàcôngnghệgiacôngmạchdải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu, thiếtkếchếtạocácbộ chuyển. .. dùngđiốt PIN: Thực tế bộ hạn chếcông suất là một dạng của bộchuyểnmạchCácbộchuyểnmạch có thể đóng ngắt nhiều cổngcaotần với nhau; còn bộ hạn chếcông suất chỉ thực hiện trên hai cổng mà thôi Việc sửdụngcácđiốtPIN để hạn chếcông suất siêucao tần, dùngđiốtPIN nh một bộ bảo vệ siêucaotần đã đợc nghiêncứu rộng rãi CácđiốtPIN đã đợc đa vào làm cácbộ hạn chếcông suất bảo vệ máy thuĐiốt . 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu, thiết kế chế tạo các bộ chuyển. Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu, thiết kế chế tạo các bộ chuyển mạch. 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu, thiết kế chế tạo các bộ chuyển