Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ khuếch đại

Bộ KH & CN Bộ quốc phòng Trung tâm KhKt - CnQs Viện Rađa Đề tài độc lập cấp Nhà nớc: Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải. báo cáo tổng kết chuyên đề Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ khuếch đại M số: ĐTĐL- 2005/28G Chủ nhiệm đề tài: TS Nguyễn Thị Ngọc Minh 6715-3 11/01/2007 Hà Nội - 2007 Bản quyền 2007 thuộc Viện Rađa Đơn xin sao chép toàn bộ hoặc từng phần tài liệu này phải gửi đến Viện trởng Viện Rađa trừ trờng hợp sử dụng với mục đích nghiên cứu. Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ khuếch đại 1 mục lục Các ký hiệu và viết tắt 3 1. Các ký hiệu và định nghĩa 3 2. Các chữ viết tắt 6 Lời mở đầu 7 Chơng I: Tổng quan các bộ khuyếch đại 8 1.1. Giới thiệu 8 1.2. Phơng pháp phân tích hệ số khuyếch đại và sự ổn định kinh điển. 9 1.2.1. Vòng tròn khuyếch đại hằng số 13 1.2.2. Các ý nghĩa thực tế của lý thuyết 15 1.2.3. Thiết kế mạch khuyếch đại ổn định có điều kiện 16 1.2.3.1. Tải thuần trở. 16 1.2.3.2. Phản hồi song song 16 1.2.3.3. Phản hồi nối tiếp 17 1.2.3.4. Mạch khuyếch đại cân bằng 17 1.3. Kỹ thuật phối hợp 18 1.3.1. Phối hợp bằng phần tử tập trung 18 1.3.1.1. Mạng L 18 1.3.1.2. Phối hợp hai trở kháng phức bằng mạng L 19 1.3.1.3. Mạng T và mạng 20 1.3.2. Mạng phối hợp phân tán 21 1.3.2.1. Đờng truyền nối tiếp và nhánh cụt song song 21 1.3.2.2. Biến áp phần t bớc sóng 23 1.3.2.3. Biến áp đoản mạch 24 1.4. Cấp thiên áp một chiều 25 1.4.1. Định thiên xếp chồng 30 1.4.2. Các phần tử ngoài chip 31 1.4.3. Khảo sát bằng thử RFOW 32 1.5. Thiết kế mạch khuyếch đại phối hợp điện kháng 32 1.5.1. Thiết kế nhiều tầng 33 1.6. Phối hợp có tổn hao 34 1.7. Mạch khuyếch đại FET có phản hồi 35 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ khuếch đại 2 1.8. Mạch khuyếch đại phân bố 37 1.8.1. Tổn hao đờng truyền gate - drain 39 1.8.2. Cân bằng tốc độ pha đờng truyền gate và drain 41 1.8.3. Mạch khuyếch đại phân bố có mạng R hằng số 42 1.8.4. Mạch khuyếch đại phân bố cascode 43 1.8.5. Mạch khuyếch đại phân bố đơn tầng 45 1.8.6. Mạch khuyếch đại phân bố ma trận 45 1.8.7. Vài chỉ dẫn thiết kế thực tế 46 1.9. Phối hợp tích cực 47 1.9.1. Mạch khuyếch đại drain chung/source chung/gate chung 48 1.9.2. Cặp Darlington 48 1.9.3. Mạch khuyếch đại ghép một chiều 49 1.10. Mạch khuyếch đại công suất 50 1.10.1. Mô tả đặc trng linh kiện 52 1.10.2. Cộng công suất và phối hợp nhóm 53 1.10.3. Làm việc ở chế độ B 55 1.10.4. Mạch khuyếch đại phân bố công suất lớn 56 1.10.4.1. Khuyếch đại phân bố ghép điện dung 56 1.10.4.2. Khuyếch đại phân bố chia đờng truyền gate 57 1.10.4.3. Kỹ thuật thu hẹp đờng drain 58 1.11. Mạch khuyếch đại tạp thấp 59 1.11.1. Thiết kế bộ khuyếch đại bán dẫn sử dụng tham số S 60 1.11.2. LNA phối hợp đồng thời 72 Chơng II: Nghiên cứu thiết kế chế tạo bộ khuyếch đại tạp thấp 74 2.1. Chỉ tiêu kỹ thuật của bộ khuyếch đại tạp thấp dải sóng cm 74 2.2. Chỉ tiêu kỹ thuật của bộ khuyếch đại tạp thấp dải sóng mét 78 Kết luận 81 Tài liệu tham khảo 82 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ khuếch đại 3 Các ký hiệu và viết tắt 1. Các ký hiệu và định nghĩa Điểm nén 1 dB: Là mức đầu ra mà tại đó hệ số khuếch đại bị giảm đi 1dB so với hệ số khuếch đại ở mức tín hiệu nhỏ, hoặc đợc nén bằng 1dB. Nói cách khác, nó là điểm mà khi ta tăng công suất đầu vào thì đờng cong KĐ không tăng tuyến tính nữa mà giảm đi 1dB. ổn định có điều kiện: ổn định có điều kiện đề cập đến bộ khuếch đại mà sẽ dao động dới điều kiện trở kháng tải hoặc nguồn cụ thể, đây là một điều kiện không mong muốn. Dải động: Là dải công suất mà bộ khuếch đại sẽ hoạt động tuyến tính, với giới hạn dới phụ thuộc vào hệ số tạp (hoặc độ nhạy) và giới hạn trên là hàm của điểm nén 1dB. Độ bằng phẳng hệ số khuếch đại: Chỉ thị sự biến thiên đặc tính khuếch đại của bộ khuếch đại theo dB trên toàn bộ dải đáp ứng tần số ở nhiệt độ cho trớc. Hệ số khuếch đại: Đối với các bộ khuếch đại RF nó là tỷ số công suất vào với công suất ra: G dB = 10 log 10 G. Méo hài: Là kết quả do bộ khuếch đại hoạt động trong vùng phi tuyến và xuất hiện dạng của các tần số tín hiệu đầu ra là cấp số nhân của các tần số tín hiệu vào. Độ cách ly: Là tỷ số của công suất ở đầu ra bộ khuếch đại với công suất mà đo tại đầu vào của bộ khuếch đại. Sự tuyến tính: Sự tuyến tính của một bộ khuếch đại biểu thị công suất đầu vàolà một hàm tuyến tính ở công suất đầu vào. Một bộ khuếch đại tuyến tính tạo ra ở đầu ra của nó một bản sao khuếch đại của tín hiệu đầu vào với hài không đáng kể hoặc không có hài. Mức công suất tín hiệu cực đại: Liên quan đến tín hiệu RF xung hoặc CW lớn nhất mà có thể đa vào một cách an toàn cho đầu vào một bộ khuếch đại. Vợt quá giới hạn cho phép có thể gây ra sự giảm hệ số tạp, tăng hài, giảm hệ số khuếch đại và có thể cháy khuếch đại. Hệ số tạp: Là tỷ số của tỷ số công suất tín hiệu trên công suất tạp tại đầu vào và tỷ số công suất tín hiệu trên công suất tạp tại đầu ra bộ khuếch Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ khuếch đại 4 đại. Hệ số tạp theo dB có quan hệ với hệ số tạp F theo công thức: NF = 10 log 10 F (dB). Tổn hao phản hồi (RL): Là tỷ số giữa công suất phản xạ với công suất tới tại cổng RF của bộ khuếch đại, biểu thị theo dB: RL = - 20 log ||, là hệ số phản xạ. Độ ổn định: Độ ổn định của bộ khuếch đại biểu thị xu hớng của nó làm dao động hoặc tạo ra một tín hiệu ở đầu ra của nó mà không đa vào đầu vào. ổn định không điều kiện: Đề cập đến một bộ khuếch đại sẽ không dao động bất chấp trở kháng tải hoặc nguồn. VSWR đầu ra và đặc tính kỹ thuật: VSWR đầu ra là phép đo xem bao nhiêu công suất bị phản xạ về từ cổng ra bộ khuếch đại khi một tín hiệu bên ngoài đợc đa vào cổng đó. VSWR biến thiên từ giá trị lý thuyết 1 : 1 đối với sự phối hợp hoàn toàn đến giá trị lớn hơn 20 : 1 đối với sự không phối hợp hoàn toàn. Do tải theo áp dụng thực tế thay đổi theo tần số, công suất cực đại và độ bằng phẳng hệ số khuếch đại cũng sẽ bị lệch từ giá trị đặc trng. Nếu bộ khuếch đại đợc nối với tải của nó bởi một cáp và có tất cả 3 trở kháng khác nhau, thì bội lần sự khuếch đại giữa bộ khuếch đại và tỉa của nó có thể xuất hiện tạo ra sự biến thiên lớn hơn về đáp ứng tần tần số, trở kháng ra (tiêu biểu cho VSWR đầu ra) là trở kháng nguồn của linh kiện sau. Mối quan hệ giữa hệ số phản xạ , VSWR và RL: = (VSWR 1)/(VSWR + 1). RL = - 20 log 10 || = - 20 log 10 (VSWR 1)/(VSWR +1) Tổng quan về đờng truyền: Với mục đích lấy đặc trng của bộ KĐ SCT, các khái niệm về đờng truyền chính gồm: - Sóng chạy theo cả 2 hớng, V + và V - - Trở kháng đặc tính và hằng số truyền j - Hệ số phản xạ 0 0 Z Z L L L + = đối với tải phức Z L - Hệ số sóng đứng khi 0 - Sự chuyển đổi của Z L qua đờng truyền của Z 0 và chiều dài l Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ khuếch đại 5 - Biểu diễn và Z trên đồ thị Smith Tổng quan về ma trận tán xạ: Sự chuẩn hoá biên độ sóng với 0 Z tơng ứng: 0 Z v a + = và 0 Z v b = Quan hệ của b i và a i : b i = i a i Phơng trình cho b 1 và b 2 ở mặt phẳng tham chiếu: b 1 = S 11 a 1 + S 12 a 2 b 2 = S 21 a 1 + S 22 a 2 Định nghĩa S ii : S 11 = hệ số phản xạ đầu vào với đầu ra đợc phối hợp S 21 = hệ số truyền với đầu ra phối hợp, chính là hệ số khuếch đại hoặc độ suy giảm của mạng. S 22 = hệ số phản xạ ra vào với đầu vào phối hợp S 21 = hệ số truyền ngợc. 0| 2 1 1 11 == a a b S , là đầu vào khi đầu ra đợc nối tải Z 0 0| 2 1 1 21 == a a b S , là tỷ số truyền thẳng với tải Z 0 0| 2 1 1 22 == a a b S , là đầu ra khi đầu vào đợc nối tải Z 0 0| 2 1 1 12 == a a b S , tỷ số truyền ngợc với nguồn Z 0 |S 21 | 2 = Hệ số KĐ công suất bộ khuếch đại với nguồn và tải Z 0 Định nghĩa L , S , IN , OUT : 0 0 Z Z L L L + = : Hệ số phản xạ của tải 0 0 Z Z S S S + = : Hệ số phản xạ của nguồn L L IN In IN S SS S Z Z += + = 22 2112 11 0 0 1 : Hệ số phản xạ đầu vào Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ khuếch đại 6 S S OUT OUT OUT S SS S Z Z += + = 11 2112 22 0 0 1 : Hệ số phản xạ đầu ra Hệ số KĐ công suất G, hệ số KĐ sẵn có G A , hệ số KĐ biến đổi G T : IN L P P G = = Công suất có đợc đến tải/công suất đa vào mạch S out AV AV A P P G = = Công suất có thể lấy từ mạch/công suất có thể lấy từ nguồn S AV L T P P G = = Công suất đến tải/ công suất có thể lấy từ nguồn 2. Các chữ viết tắt KĐ : Khuếch đại. HCCS: Hạn chế công suất SCT : Siêu cao tần. HSKĐ: Hệ số khuếch đại. VSWR: Hệ số sóng đứng. Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ khuếch đại 7 Lời mở đầu Việc nghiên cứu máy thu ít nhiễu tần số siêu cao đã cho ra đời 1 loạt bộ khuếch đại: KĐ đèn sóng chạy (TOP), KĐ tham số, KĐ dùng điốt Tunel, KĐ dùng điốt Gunn hoặc điốt thác lũ, KĐ dùng transistor lỡng cực (Bipolar), KĐ dùng transistor trờng. Transistor trờng xuất hiện vào năm 1986 vì đã đạt đợc các ứng dụng tốt. Việc đa ra thị trờng các transistor trờng cho phép có thể chế tạo những bộ KĐ có vị trí vợt trội trong lĩnh vực máy thu tần số siêu cao ít nhiễu. Các bộ KĐ này có thể áp dụng trong nhiều trờng hợp: radar cảnh giới, radar điều khiển hoả lực, theo dõi bám sát mục tiêu nói chung là dùng trong tất cả các trờng hợp máy thu với yêu cầu độ nhạy cao. Việc sử dụng rộng rãi transistor trờng trong thực nghiệm cho phép bắt tay vào nghiên cứu và chế tạo bộ KĐ tạp thấp, bộ KĐ này có các đặc trng có thể so sánh với các đặc trng của các bộ KĐ tham số nhng lại có những u điểm của hệ thống bán dẫn nh: dải rộng, độ ổn định cao, tiêu thụ năng lợng ít, kích thớc bé mà lại có độ tin cậy cao. Các bộ khuếch đại tạp thấp đã đợc nghiên cứu phát triển và ứng dụng rộng rãi trong máy thu của các hệ thống điện tử (trong đó có các đài rađa, đài điều khiển tên lửa) thay thế cho các đèn sóng chạy. Hiện nay có thể mua đợc các bộ khuếch đại tạp thấp này theo các hãng điện tử trên thế giới nhng với giá thành cao. Để đa đợc bộ khuếch đại tạp thấp vào thay đèn sóng chạy trong đài rađa dẫn đờng -37 đòi hỏi phải có bộ bảo vệ để tránh cho bộ khuếch đại bị đánh thủng vì công suất phát lọt qua đèn cặp nhả điện. Thờng thì những bộ khuếch đại chuyên dụng này rất khó mua đơn chiếc ở trên thị trờng. Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ khuếch đại 8 Chơng i Tổng quan các bộ khuyếch đại 1.1. Giới thiệu Trớc tiên chúng ta xem xét những kĩ thuật và công nghệ quan trọng nhất đợc sử dụng trong thiết kế mạch khuyếch đại MMIC. Các lí thuyết kinh điển, các phân tích các thông số tác xạ S, sự ổn định hai cực và hệ số khuyếch đại của bộ chuyển đổi đơn cũng sẽ lần lợt đợc trình bày. Các kĩ thuật cơ bản về phối hợp trở kháng và xu hớng thiết kế mạch sẽ đợc đề cập trớc khi giới thiệu 5 loại mạch khuyếch đại MMIC cơ bản là: mạch khuyếch đại phối hợp trở kháng, mạch khuyếch đại phối hợp tổn hao, mạch khuyếch đại phản hồi, mạch khuyếch đại phân bố nhiều kiểu mạch khuyếch đại phối hợp tích cực khác. Và cuối cùng sẽ trình bày kĩ thuật thiết kế mạch khuyếch đại có công suất ra lớn và tạp tán thấp. Khi so sánh với các mạch khuyếch đại MIC lai ghép, các mạch khuyếch đại MMIC có các u điểm chính là giá thành thấp và tính lặp lại rất tốt khi sản xuất với số lợng lớn. Tuy nhiên, tính năng của các mạch khuyếch đại MMIC có thể bị kém hơn do kích thớc nhỏ dẫn đến làm tăng tổn hao mạng phối hợp và khó chọn phơng án bố trí mạch. Hơn nữa, vì cần công suất ra cao, nên các linh kiện tích cực của mạch MMIC thờng có phẩm chất kém hơn so với các linh kiện rời. Điều này thể hiện rõ ở các linh kiện công suất lớn. Do đó, nói chung, các mạch khuyếch đại MMIC không đạt đợc các tính chất tốt nhất về hệ số tạp tán và công suất hữu ích. Tuy nhiên, do loại trừ đợc ảnh hởng kí sinh của các mối hàn và dây dẫn sẽ làm cho các mạch khuyếch tích hợp ở múc cao có dải thông rất rộng, đặc biệt đối với mạch khuyếch đại phân bố. Ngoài ra, việc thiết kế các mạch khuyếch đại dải sóng milimét sẽ trở nên dễ dàng hơn rất nhiều so với kỹ thuật vi mạch cao tần lai ghép, vì ở đó cần phải gia công cơ khí với độ chính xác rất cao, là một vấn đề khó khăn và hầu nh không thể thực hiện đợc trong thực tế. Tính năng của các mạch khuyếch đại MMIC sẽ đợc cải thiện rất nhiều khi dựa vào các linh kiện công nghệ mới nh MESFET (transistor hiệu ứng trờng), HEMT (transistor điện tử độ linh hoạt cao) và HBT (transistor lỡng cực lớp tiếp giáp không đồng nhất). Hiện nay, ngời ta đã chế tạo đ ợc các mạch khuyếch đại MMIC sử dụng linh kiện HEMT làm việc đến 100GHz, các Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ khuếch đại 9 mạch khuyếch đại HBT làm việc đến 90GHz. Để thiết kế các mạch khuyếch đại, các linh kiện MESFET các thể đáp ứng đợc tần số đến khoảng 30GHz và hệ số tạp tán tốt nhất đến 18GHz. Các linh kiện HEMT có hệ số tạp tán tốt nhất và hiện đang là linh kiện tốt nhất cho các ứng dụng tạp tán thấp ở dải sóng milimét. Các linh kiện HBT GaAs có khả năng tốt nhất về công suất ra, mạch khuyếch đại đơn khối 8,5GHz cho ra công suất liên tục 12W. Mặc dù linh kiện lỡng cực silicon có hệ số tạp tơng đối kém, nhng chúng đặc biệt kinh tế khi sản xuất loạt lớn và có thể tích hợp với mạch CMOS trong công nghệ BiCMOS. Công nghệ HBT SiGe đang phát triển rất nhanh và đã ghi nhận đạt đến tần số f max > 160GHz và có linh kiện đạt hệ số tạp nhỏ hơn 1dB ở 10GHz. Cần phải khẳng định rằng, tuy phẩm chất các linh kiện dù sẽ đợc hoàn thiện hơn nữa, nhng các kỹ thuật thiết kế mạch khuyếch đại trình bày ở đây sẽ vẫn tiếp tục đợc ứng dụng. Tất nhiên, khi hệ số khuyếch đại linh kiện đợc nâng cao, các chức năng khác nhau của mạch đợc tích hợp chặt chẽ hơn (thành từng tầng 50) thì sự cần thiết các kỹ thuật phối hợp kinh điển sẽ giảm đi. Kết quả là, khi thiết kế trên dải cao tần sẽ sử dụng ngày càng nhiều kĩ thuật phối hợp tích cực và kỹ thuật ghép một chiều kết hợp bơit lí do chúng đã đợc tích hợp ở múc cao. Trong tơng lai xu hớng các linh kiện có tạp tán tháp, công suất lớn và tiêu thụ ít năng lợng sẽ là xu hớng phổ bíen. Đối với các úng dụng sóng milimét, khi hệ số khuyếch đại của transistor bị hạn chế, các kỹ thuật phối hợp truyền thống nh phối hợp dây chêm và chuyển đổi trở kháng sẽ vẫn còn đợc sử dụng tiếp tục trong nhiều năm nữa. 1.2. Phơng pháp phân tích hệ số khuyếch đại và sự ổn định kinh điển. Độ khuyếch đại của transistor phụ thuộc rất nhiều vào các trở kháng nguồn và tải. Đó là nhiệm vụ của mạng phối hợp nhằm đạt đợc các phẩm chất mong muốn (hệ số tạp cực tiểu, độ khuyếch đại cực đại hoặc công suất ra cực đại) trong cả dải tần số, và thiết kế mạng phối hợp là phần chủ yếu của thiết kế mạch khuyếch đại. Thêm vào đó, các linh kiện thực tế có hệ số truyền ngợc đáng kể, điều đó có nghĩa là, vấn đề ổn định phải đợc khảo sát trong thiết kế mạch khuyếch đại. Để phân tích độ ổn định và độ khuyếch đại của mạch khuyếch đại tín hiệu nhỏ, cần phải biểu diễn transistor theo các tham số S , và hình 1.1 là biểu diễn sơ đồ của một transistor có trở kháng ra đợc coi là hệ số phản xạ tải L : [...]... tại lối vào sẽ bị quay pha 1800 sau khi đi qua bộ ghép, và triệt nhau Các tín hiệu phản 17 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ khuếch đại xạ tại đầu cuối bộ ghép bị hấp thụ Kết quả là các mạch khuyếch đại cân bằng có phối hợp tuyệt... ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ khuếch đại Mạng lối vào IMN Thiết bị Mạng giữa Thiết bị ISMN Mạng lối ra OMN Hình 1.17 Mạch khuyếch đại hai tầng chung Độ ổn định là vấn đề chính của mạch khuyếch đại phối hợp điện kháng nhiều tầng Hệ số... 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ khuếch đại của phần tử Trên giản đồ Smith có thể thiết kế mạng T và phối hợp bằng xếp chồng các đờng Q không đổi lên giản đồ Cực trị của đờng Q nằm trên trục thực (Q = 0; hoàn toàn không có điện kháng) và ra... thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ khuếch đại hợp với các đại lợng tính theo công thức (1.1) và (1.2), chứ không phải S 11 và S 22 Các hệ só phản xạ này đợc xác định khi K > 1 là hệ số phản xạ phối hợp bằng cách liên hợp đồng thời Đó là hệ số phản xạ lối vào của... 25 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ khuếch đại Ids(mA) Vgs= 0 Khuyếch đại -1V Tuyến tính -2V -3V Hiệu suất Tạp 3 6 9 Vgs(V) Hình 1.12 Các đờng I-V danh định và các điểm thiên áp hoạt động Có rất nhiều cách để cấp điện áp một chiều... transistor Hơn nữa, một hiệu quả nữa 16 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ khuếch đại của phản hồi là làm cho dễ dàng phối hợp trở kháng lối vào và lối ra Các mạch khuyếch đại phản hồi sử dụng FET đợc mô tả trong phần 1.7 Tuy nhiên,... bố trí một khuyếch đại MMIC lắp trong vỏ với các phần tử định thiên ngoài chíp 31 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ khuếch đại đều Hơn nữa, khi linh kiện chỉ ổn định có điều kiện, không thể phối hợp lối vào và lối ra với 50 vì... hoặc 6 x 100àm, bởi vì các thành phần của các linh kiện giống nhau đợc bố trí trực tiếp song song với nhau Nhng ở tần số thấp, linh kiện 14 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ khuếch đại nhỏ có trở kháng rất cao và do đó linh kiện... lớn,c - nhánh cụt mạch vi dải, d - tự định thiên, e - tải tích cực, f - tự định thiên bằng nguồn dòng không đổi, g - ghép một chiều, h - định thiên cho transistor lỡng cực 28 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ khuếch đại Phơng pháp... nối tiếp và nhánh cụt, Z Oser và Z Ostub : đờng truyền 50 thờng ít đợc sử dụng trong MMIC do độ rộng quá nhỏ Trong thí dụ này, trở kháng 70 22 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ khuếch đại đợc chọn cho cả hai Thủ tục thiết kế chủ . 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ khuếch. 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ khuếch. 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ khuếch