Nghiên cứu tính toán hiệu năng cao sự oxy hóa của vật liệu graphene một chiều

Bài viết Nghiên cứu tính toán hiệu năng cao sự oxy hóa của vật liệu graphene một chiều tìm hiểu đại lượng vật lý DFT để xác định các tính chất cấu trúc và điện tử là được phát triển đầy đủ bao gồm năng lượng hấp phụ, các thông số cấu trúc tối ưu, cấu trúc vùng điện tử, mật độ trạng thái điện tử và phân bổ điện tích không gian. Các đại lượng được phát triển này là được liên hệ chặt chẽ và logic với nhau để xác định rõ ràng bức tranh vật lý và hóa học đa dạng gây ra bởi hấp phụ O. Mời các bạn cùng tham khảo!

NGHIÊN CỨU TÍNH TỐN HIỆU NĂNG CAO SỰ OXY HĨA CỦA VẬT LIỆU GRAPHENE MỘT CHIỀU Huỳnh Thân Phúc1, Nguyễn Duy Khanh1 Nguyễn Thanh Tùng2, Đỗ Thị Hồng Châu2 Trung tâm Công nghệ thông tin; Viện Phát triển Ứng dụng Email: khanhnd@tdmu.edu.vn, TĨM TẮT Các tính chất cấu trúc điện tử graphene chiều (1D) cạnh ghế bành (AGNR) hấp phụ nguyên tử oxy (O) nghiên cứu thơng qua tính tốn phiếm hàm mật độ (DFT) hiệu cao Các đại lượng vật lý DFT để xác định tính chất cấu trúc điện tử phát triển đầy đủ bao gồm lượng hấp phụ, thông số cấu trúc tối ưu, cấu trúc vùng điện tử, mật độ trạng thái điện tử phân bổ điện tích khơng gian Các đại lượng phát triển liên hệ chặt chẽ logic với để xác định rõ ràng tranh vật lý hóa học đa dạng gây hấp phụ O Các vị trí hấp phụ O ban đầu tính tốn bao gồm vị trí top, bridge (cầu) hollow Các tính tốn tối ưu hóa xác định O hấp phụ tối ưu vị trí cầu AGNR cấu trúc AGNR hấp phụ O đạt trạng thái ổn định tốt Năng lượng hấp phụ tính tốn lớn hệ hấp phụ thuộc hấp phụ hóa học AGNR nguyên sơ có độ rộng vùng cấm lượng mở 0.9 eV so với cấu trúc graphene hai chiều (2D) Mặc dù, độ rộng vùng cấm mở AGNR nguyên sơ khắc phục nhược điểm lớn graphene 2D cho số ứng dụng điện tử, nhiên độ rộng vùng cấm chưa phù hợp cho số ứng dụng yêu cầu độ rộng vùng cấm lớn thu hẹp Dưới ảnh hưởng hấp phụ O, độ rộng vùng cấm AGNR nguyên sơ thu hẹp lại 0.48 eV, độ rộng vùng cấm thu hẹp AGNR hấp phụ O phù hợp cho vật liệu kênh dẫn cho transistor hiệu ứng trường hiệu cao Các dự đoán DFT nghiên cứu kiểm chứng hồn tồn các phép đo thực nghiệm kính hiển vi quét xuyên hầm (scanning tunneling microscope) (STM), kính hiển vi điện tử truyền qua (transmission electron microscopy) (TEM), quang phổ quang phân giải theo góc (angle-resolved photoemission spectroscopy) (ARPES) quét đặc điểm kỹ thuật xuyên hầm (scanning tunneling spectroscopy) (STS) Từ khóa: Tính tốn hiệu cao, lý thuyết phiếm hàm mật độ, hấp phụ oxy, graphene 1D, lượng hấp phụ, cấu trúc vùng điện tử, mật độ trạng thái điện tử phân bổ mật độ điện tích GIỚI THIỆU Graphene biến đến dạng thù hình đơn lớp nguyên tố carbon (C) nguyên tố C cấu thành graphene xếp mạng lục giác phẳng đối xứng cao [Gao nnk., 2011] Kể từ tổng hợp thành công lần vào năm 2004, graphene 325 thu hút nhiều mối quan tâm nghiên cứu tính chất độc đáo [Novoselov nnk., 2004] Graphene sử dụng rộng rãi nhiều ứng dụng khác vật dẫn suốt [Ma nnk., 2019], lớp phủ sơn chống ăn mòn [Kulyk nnk., 2019], cảm biến có độ nhạy cao [Ma nnk., 2012], thiết bị điện tử hiệu cao [Wang nnk., 2021], hình siêu mỏng [Polat nnk., 2014], pin mặt trời [Mahmoudi nnk., 2018], giải trình tự DNA nhanh [Heerema nnk., 2016] phân phối thuốc Tuy nhiên, graphene cịn tồn đặc tính bất lợi để triển khai thiết bị điện tử không có độ rộng vùng cấm lượng Do vậy, nghiên cứu mở rộng độ rộng vùng cấm lượng graphene vấn đề cấp thiết để triển khai vật liệu tiềm cho ứng dụng điện tử Nhiều ý tưởng mở rộng độ rộng vùng cấm graphene c tin hnh nh hp ph nguyờn t [Sevinỗli v nnk., 2008], thay nguyên tử [Wang nnk., 2012], chức hóa bề mặt [Zhao nnk., 2015], tạo khuyết tật [Yang nnk., 2018], biến dạng học, áp điện trường từ trường [Min, 2011; Ong, 2012] giam cầm kích thước hữu hạn [Yeh nnk., 2016] Trong số phương pháp giam cầm kích thước hữu hạn graphene hai chiều (2D) tạo cấu trúc graphene chiều (1D) với độ rộng vùng cấm mở mà không làm biến dạng cấu trúc mạng tổ ong [Son nnk., 2006] Graphene bị giam cầm kích thước hữu hạn gọi dãy graphene 1D (GNR) Có hai dạng cấu trúc cạnh điển hình GNR hình thành kết thúc kích thước hữu hạn cạnh ghế bành (AGNR) cạnh zigzag (ZGNR) [Yazyev nnk., 2013] Cả AGNR ZGNR có đặc điểm chung độ rộng vùng cấm phụ thuộc mạnh vào độ rộng hữu hạn; nhiên, AGNR chất bán dẫn không từ tính, đó ZGNR biểu thị chất bán dẫn phản sắt từ với định hướng spin up spin down đối xứng hai cạnh đối diện [Jafarova nnk., 2020] Mặc dù GNR với độ rộng vùng cấm mở phù hợp cho số ứng dụng điện tử, nhiên độ rộng vùng cấm chưa phù hợp cho nhiều ứng dụng yêu cầu độ rộng vùng cấm lớn hẹp Do đó, nghiên cứu để làm đa dạng tính chất thiết yếu GNR chủ đề hấp dẫn thu hút nhiều nổ lực nghiên cứu gần Nhiều cách tiếp cận khác làm đa dạng tính chất thiết yếu GNR sử dụng doping nguyên tử [Lin nnk., 2021], chức hóa cạnh [Xiang nnk., 2016], chức hóa bề mặt [Zhao nnk., 2015], biến dạng học [Min nnk., 2011], tạo khuyết tật [Yang nnk., 2018] áp điện trường từ trường [Ong nnk., 2012] Doping nguyên tử xem phương pháp hiệu làm đa dạng mạnh tính chất thiết yếu GNR Sử dụng tính toán nguyên lý ban đầu, Duy Khanh Nguyen cộng nghiên cứu tính chất cấu trúc, điện tử từ tính GNR hấp phụ nguyên tử fluo [Nguyen nnk., 2017] Kết nghiên cứu AGNR hấp phụ nguyên tử fluo tạo cấu trúc vùng điện tử bán dẫn kim loại phụ thuộc vào nồng độ phân bổ nguyên tử fluo trạng thái kim loại phản sắt từ hình thành nồng độ hấp phụ thấp, đó ZGNR hấp phụ fluo tạo cấu trúc vùng điện tử kim loại sắt từ, phản sắt từ không từ đa dạng nồng độ thấp Mặc khác, GNR hấp phụ nguyên tử Cl, Br, I At hoàn toàn dẫn đến cấu trúc vùng điện tử kim loại với nồng độ lỗ trống tỷ lệ với nồng độ hấp phụ [Nguyen nnk., 2018] Chananate Uthaisar cộng nghiên cứu hấp phụ lithium (Li) lên GNR thơng qua tính tốn ngun lý ban đầu [Uthaisar nnk., 2009] Kết nghiên cứu cho thấy Li hấp phụ tối ưu vị trí hollow cho AGNR ZGNR lượng liên kết Li với ZGNR lớn khoảng 50% so với graphene AGNR Ngoài ra, chuyển dời điện tích Li ZGNR ảnh hưởng đáng kể đến tính chất từ 326 đặc điểm không xuất graphene AGNR Dựa sở tính tốn phiếm hàm mật độ, Airi Yasuma cộng nghiên cứu lượng oxy hóa cạnh GNR [Yasuma nnk., 2018] Kết nghiên cứu xác định nguyên tử oxy hấp phụ tối ưu cạnh ZGNR với lượng hấp phụ lớn khoảng eV, đó AGNR bị oxy hóa so với ZGNR oxy hóa gây biến dạng cấu trúc AGNR liên kết cộng hóa trị bền cạnh ghế bành xuất phát từ đặc tính liên kết C-C đối xứng Tuy nhiên, hấp phụ nguyên tử oxy lên AGNR dẫn đến nhiều hiệu ứng chưa quan tâm nghiên cứu chi tiết thiếu vắng cộng đồng khoa học Trong nghiên cứu này, dựa sở tính tốn phiếm hàm mật độ (density functional theory) (DFT), nghiên cứu tính chất cấu trúc điện tử AGNR hấp phụ nguyên tử oxy Thông quan tính toán DFT, đại lượng vật lý để xác định đặc tính cấu trúc điện tử phát triển đầy đủ bao gồm thông số cấu trúc tối ưu, cấu trúc vùng điện tử, mật độ trạng thái điện tử phân bổ điện tích không gian Các đại lượng vật lý phát triển kết nối chặc chẽ logic với để xác định rõ tranh vật lý hóa học đa dạng gây oxy hóa Các kết dự đốn dựa sở tính tốn DFT nghiên cứu kiểm chứng phép đo thực nghiệm kính hiển vi quét xuyên hầm (scanning tunneling microscope) (STM) [Tapasztó nnk., 2008], kính hiển vi điện tử truyền qua (transmission electron microscopy) (TEM) [Liu nnk., 2012], quang phổ quang phân giải theo góc (angle-resolved photoemission spectroscopy) (ARPES) [Park nnk., 2009] quét đặc điểm kỹ thuật xuyên hầm (Scanning tunneling spectroscopy) (STS) [Tapasztó nnk., 2008] CÁC CHI TIẾT TÍNH TỐN Đặc tính cấu trúc tính điện tử AGNR hấp phụ nguyên tử oxy nghiên cứu phương pháp lý thuyết hàm mật độ (DFT), tích hợp gói mơ Vienna ab Initio (VASP) [Kresse nnk., 2001] Phiếm hàm Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE) phép xấp xỉ gradient tổng quát sử dụng để tính toán lượng trao đổi tương quan, có nguồn gốc từ tương tác Coulomb nhiều hạt [Kresse nnk., 2001] Tương tác electron-ion tính phương pháp PAW Hàm sóng lượng trạng thái xây dựng từ sở sóng phẳng với mức cắt lượng tối đa 400 eV Hướng tuần hoàn mạng cấu trúc ASiNR 1D dọc theo hướng x Để loại bỏ tương tác van der Walls hai lớp lân cận, khoảng cách chân không đặt dọc theo y z lớn 20 Å Lưới điểm 1x1x12 1x1x100 sử dụng để tối ưu hóa cấu trúc tính tốn cấu trúc điện tử cách tương ứng Lực Hellmann-Feynman đặt nhỏ 0.01 eVÅ-1 Độ hội tụ lượng đặt 10-5 eV hai bước ion gần KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 3.1 Các tính chất cấu trúc Mơ hình ngun tử xem từ mặt top mặt cạnh dãy graphene cạnh ghế bành nguyên sơ (AGNR) hấp phụ nguyên tử oxy (O-AGNR) biểu thị Hình Độ rộng dãy graphene cạnh ghế bành nghiên cứu tạo thành đường dimer dọc theo hướng b Để cấu trúc AGNR ổn định, nguyên tử hydro sử dụng để thụ động hóa cạnh 327 để loại bỏ tương tác lắc lư Có vị trí hấp phụ O điển hình lên dãy graphene 1D top, hollow bridge (cầu) mô tả Hình 1, đó vị trí cầu xác định vị trí hấp phụ tối ưu Năng lượng hấp phụ (Eads) sử dụng để đánh giá độ bềnh vững cấu trúc hấp phụ tính theo biểu thức sau: E ads = Etot − E pristine − nEO n (1) Trong đó Etot, Epristine EO lượng trạng thái AGNR hấp phụ O, AGNR nguyên sơ nguyên tử O bị cô lập; n tổng số ngun tử O hấp phụ Eads tính tốn có giá trị -3.98084 eV Giá trị Eads lớn dẫn đến cấu trúc hấp phụ bền nên hệ hấp phụ thuộc hấp phụ hóa Các thơng số cấu trúc AGNR cạnh ghế bành nguyên sơ AGNR hấp phụ nguyên tử oxy trình bày Bảng Độ dài liên kết C -C cạnh (1st C-C) độ dài liên kết C -C xa cạnh (2nd C-C) 6-AGNR cạnh ghế bành có giá trị 1.367 Å 1.457 Å (Bảng 1) Rõ ràng, độ dài liên kết C-C cạnh nhỏ vị trí xa cạnh khoảng 0,09 Å nguyên nhân chênh lệch liên kết C-C ảnh hưởng kết thúc cấu trúc cạnh kích thước hữu hạn Đây điểm đặc trưng cấu trúc 1D so với 2D Góc liên kết C-C-C nguyên sơ 119.05 Å Hấp phụ O vào AGNR nguyên sơ dẫn đến thay đổi đáng kể thông số cấu trúc Cụ thể, độ dài liên kết C-C gần cạnh cấu trúc hấp phụ O lớn khoảng 0.039 Å so với độ dài liên kết C-C xa cạnh ảnh hưởng hình thành liên kết O-C Điều trái ngược với sai khác độ dài liên kết C-C cạnh xa cạnh cấu trúc nguyên sơ Qua chứng minh liên kết O-C định mạnh đến thay đổi cấu trúc chiếm ưu so với ảnh hưởng thụ động hóa cầu Độ dài liên kết O-C tạo thành 1.479 Å Điều cho thấy liên kết O-C mạnh so với liên kết C-C Góc liên kết C-C-C hấp phụ O nhỏ so với cấu trúc nguyên sơ nằm khoảng 0.41 Å Bảng 1: Năng lượng hấp phụ [Eads (eV)], độ dài liên kết C-C (Å), độ dài liên kết O-C (Å), góc liên kết C-C-C (0), độ rộng vùng cấm lượng Eg( eV) đặc tính độ rộng vùng cấm Configuration pristine AGNR O-AGNR Eads (eV) 1st C-C (Å) 2nd C-C (Å) O-C (Å) C-C-C angle (0) Eg (eV) Band feature X 1.367 1.425 X 119.05 0.9 direct -3.98084 1.457 1.418 1.479 118.64 0.48 direct 3.2 Tính chất điện tử Cấu trúc vùng điện tử đại lượng vật lý hữu ít, để nghiên cứu chi tiết tính chất điện tử vật liệu graphene 1D Cấu trúc vùng điện tử 1D AGNR nguyên sơ hấp phụ O phát triển trình bày Hình 2, đó Hình 2(a) 2(b) tương ứng cấu trúc vùng điện tử 1D AGNR nguyên sơ hấp phụ nguyên tử O vị trí cạnh Mức lượng Fermi đặt lượng để xác định vùng lượng hóa trị dẫn biểu đồ đường hồng nét liền Hình Cấu trúc vùng điện tử khơng từ tính AGNR nguyên sơ Hình 2(a) thể độ rộng vùng cấm lượng trực tiếp 0.9 eV (trình bày Bảng 1) vùng lượng tán sắt yếu có đặc tính khơng cắt tán sắc vùng dẫn vùng hóa trị không đối xứng qua mức Fermi Dưới ảnh hưởng cảu hấp phụ nguyên tử O cấu trúc vùng lượng AGNR hấp phụ o Hình 328 2(b) có độ rộng vùng cấm thu hẹp đạt 0.48 eV so với cấu trúc nguyên sơ trình bày Bảng Độ rộng vùng cấm thu hẹp trì đặc tính vùng trực tiếp vùng tán sắc yếu bị tách biệt so với cấu trúc nguyên sơ Hình 1: Mơ hình ngun tử (a) AGNR nguyên sơ (b) AGNR hấp phụ oxy Hình 2: Cấu trúc vùng điện tử (a) AGNR nguyên sơ (b) AGNR hấp phụ oxy Hình 3: Mật độ trạng thái điện tử (a) AGNR nguyên sơ (b) AGNR hấp phụ oxy Mật độ trạng thái điện tử đại lượng vật lý quan trọng để kiểm chứng đặc tính cấu trúc vùng điện tử 1D, mật độ trạng thái điện tử phát triển trình bày Hình bên dưới, đó mức lượng Fermi xác định mức lượng để phân biệt vùng dẫn vùng hóa trị biểu thị đường màu hồng nét liền Hình Phạm vi lân cận mức Fermi không tồn mật độ điện tử Hình (a) chứng minh cho độ rộng vùng cấm lượng cấu trúc vùng điện tử Hình 2(a) Các đỉnh có mật độ trạng thái cao xuất phát từ vùng tán sắc yếu Phạm vi không tồn 329 mật độ điện tử thu hẹp hấp phụ nguyên tử O vị trí cầu biểu thị Hình 3(b) Phạm vi khơng có mật độ trạng thái thu hẹp có kết từ độ rộng vùng cấm thu hẹp cấu trúc vùng điện tử AGNR hấp phụ O Hình 2(b) Ngồi ra, đỉnh chiếm ưu Hình 3(b) có cường độ cao Hình 3(a), nguyên nhân đóng góp nguyên tử O Cường độ liên kết hóa học nhận phân bố mật độ điện tích khơng gian Phân bố mật độ điện tích khơng gian AGNR nguyên sơ AGNR hấp phụ nguyên tử O vị trí cầu trình bày Hình Sự phân bố mật độ điện tích AGNR nguyên sơ Hình cho thấy cường độ điện tích lớn nhỏ tương ứng biểu thị màu đỏ màu xanh thang đo Phân bổ mật độ điện tích AGNR nguyên sơ Hình 4(a) cho thấy cường độ điện tích liên kết σ mặt (a,b) mạnh so với liên kết π dọc theo hướng c Dưới ảnh hưởng hấp phụ O, liên kết π nguyên sơ bị biến dạng hình thành liên kết giả π O-C biểu thị Hình 4(b) Ngồi ra, hấp phụ ngun tử oxy vị trí cầu Hình 4(b) mật độ điện tích phân bố mạnh lân cận nguyên tử O, nguyên nhân hình thành liên kết O-C mạnh Hình 4: Phân bổ mật độ điện tích (a) AGNR nguyên sơ (b) AGNR hấp phụ oxy KẾT LUẬN Trong nghiên cứu này, sử dụng tính tốn DFT hiệu cao, nhiều đại lượng vật lý thiết yếu để nghiên cứu tính chất cấu trúc điện tử AGNR hấp phụ oxy phát triển đầy đủ độ dài liên kết tối ưu, góc liên kết, cấu trúc vùng điện tử, mật độ trạng thái điện tử phân bố mật độ điện tích Các đại lượng vật lý phát triển liên hệ chặt chẽ logic với để xác định rõ tranh hóa-lý đa dạng oxy hóa Tùy thuộc vào loại nguyên tử hấp phụ khác dẫn đến vị trí hấp phụ tối ưu khác Các tính toán tối ưu hóa nghiên cứu xác định nguyên tử oxy hấp phụ tối ưu vị trí cầu gây biến dạng cấu trúc Cấu trúc vùng điện tử tính toán AGNR nguyên sơ thể độ rộng vùng cấm lượng trực tiếp 0.9 eV độ rộng vùng cấm kiểm chứng phạm vi lượng không tồn trạng thái điện tử mật độ trạng thái điện tử Độ rộng vùng cấm mở khắc phục nhược điểm lớn graphene 2D cho số ứng dụng điện tử Tuy nhiên, độ rộng vùng cấm AGNR nguyên sơ 330 chưa phù hợp cho nhiều ứng dụng điện tử yêu cầu độ rộng vùng cấm lớn hẹp Dưới ảnh hưởng oxy hóa, cấu trúc vùng điện tử tính toán AGNR hấp phụ oxy cho thấy độ rộng vùng cấm bị thu hẹp lại 0.48 eV kiểm chứng thơng qua phạm vi lượng khơng có trạng thái điện tử bị thu hẹp mật độ trạng thái Độ rộng vùng cấm lượng AGNR hấp phụ oxy tương thích làm vật liệu kênh dẫn transistor hiệu ứng trường vật liệu tiềm cho nhiều ứng dụng điện tử khác Các kết dự đoán DFT nghiên cứu kiểm chứng phép đo thực nghiệm kính hiển vi quét xuyên hầm (STM), kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM), quang phổ quang phân giải theo góc (ARPES) quét đặc điểm kỹ thuật xuyên hầm hầm (STS) Lời cảm ơn: Nghiên cứu tài trợ trường Đại học Thủ Dầu Một Nghiên cứu sử dụng tài ngun Hệ thống tính tốn hiệu cao (HPCC) Trường Đại học Thủ Dầu Một TÀI LIỆU THAM KHẢO 10 11 12 13 Gao, M., Pan, Y., Huang, L., Hu, H., Zhang, L Z., Guo, H M., & Gao, H J (2011) Epitaxial growth and structural property of graphene on Pt (111) Applied Physics Letters, 98(3), 033101 Heerema, S J., & Dekker, C (2016) Graphene nanodevices for DNA sequencing Nature nanotechnology, 11(2), 127-136 Jafarova, V N., & Huseynova, S S AB INITIO STUDY OF MAGNETIC PROPERTIES IN A NON-MAGNETIC ZnO Kulyk, B., Freitas, M A., Santos, N F., Mohseni, F., Carvalho, A F., Yasakau, K., & Costa, F M (2021) A critical review on the production and application of graphene and graphene-based materials in anti-corrosion coatings Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences, 1-48 Kresse, G., & Furthmüller, J (2001) Vienna ab-initio simulation package (VASP) Vienna: Vienna University Liu, X H., Wang, J W., Liu, Y., Zheng, H., Kushima, A., Huang, S., & Huang, J Y (2012) In situ transmission electron microscopy of electrochemical lithiation, delithiation and deformation of individual graphene nanoribbons Carbon, 50(10), 3836-3844 Lin, S Y., Tran, N T T., & Lin, M F (2021) Diversified phenomena in metal-and transitionmetal-adsorbed graphene nanoribbons Nanomaterials, 11(3), 630 Ma, J., Jin, W., Ho, H L., & Dai, J Y (2012) High-sensitivity fiber-tip pressure sensor with graphene diaphragm Optics letters, 37(13), 2493-2495 Ma, Y., & Zhi, L (2019) Graphene‐based transparent conductive films: material systems, preparation and applications Small Methods, 3(1), 1800199 Mahmoudi, T., Wang, Y., & Hahn, Y B (2018) Graphene and its derivatives for solar cells application Nano Energy, 47, 51-65 Min, K., & Aluru, N R (2011) Mechanical properties of graphene under shear deformation Applied Physics Letters, 98(1), 013113 Nguyen, D K., Lin, Y T., Lin, S Y., Chiu, Y H., Tran, N T T., & Fa-Lin, M (2017) Fluorinationenriched electronic and magnetic properties in graphene nanoribbons Physical Chemistry Chemical Physics, 19(31), 20667-20676 Nguyen, D K., Tran, N T T., Nguyen, T T., & Lin, M F (2018) Diverse electronic and magnetic properties of chlorination-related graphene nanoribbons Scientific reports, 8(1), 1-12 331 14 Novoselov, K S., Geim, A K., Morozov, S V., Jiang, D E., Zhang, Y., Dubonos, S V., & Firsov, A A (2004) Electric field effect in atomically thin carbon films Science, 306(5696), 666-669 15 Ong, M T., & Reed, E J (2012) Engineered piezoelectricity in graphene ACS nano, 6(2), 1387-1394 16 Park, C H., Giustino, F., Spataru, C D., Cohen, M L., & Louie, S G (2009) Angle-resolved photoemission spectra of graphene from first-principles calculations Nano letters, 9(12), 42344239 17 Polat, E O., Balcı, O., & Kocabas, C (2014) Graphene based flexible electrochromic devices Scientific Reports, 4(1), 1-9 18 Sevinỗli, H., Topsakal, M., Durgun, E., & Ciraci, S (2008) Electronic and magnetic properties of d transition-metal atom adsorbed graphene and graphene nanoribbons Physical Review B, 77(19), 195434 19 Son, Y W., Cohen, M L., & Louie, S G (2006) Energy gaps in graphene nanoribbons Physical review letters, 97(21), 216803 20 Tapasztó, L., Dobrik, G., Lambin, P., & Biro, L P (2008) Tailoring the atomic structure of graphene nanoribbons by scanning tunnelling microscope lithography Nature nanotechnology, 3(7), 397-401 21 Uthaisar, C., Barone, V., & Peralta, J E (2009) Lithium adsorption on zigzag graphene nanoribbons Journal of Applied Physics, 106(11), 113715 22 Wang, Z., Hemmetter, A., Uzlu, B., Saeed, M., Hamed, A., Kataria, S., & Lemme, M C (2021) Graphene in 2D/3D Heterostructure Diodes for High Performance Electronics and Optoelectronics Advanced Electronic Materials, 7(7), 2001210 23 Wang, H., Wang, Q., Cheng, Y., Li, K., Yao, Y., Zhang, Q., & Zhang, X X (2012) Doping monolayer graphene with single atom substitutions Nano letters, 12(1), 141-144 24 Xiang, Z., Dai, Q., Chen, J F., & Dai, L (2016) Edge functionalization of graphene and two‐ dimensional covalent organic polymers for energy conversion and storage Advanced Materials, 28(29), 6253-6261 25 Yang, G., Li, L., Lee, W B., & Ng, M C (2018) Structure of graphene and its disorders: a review Science and technology of advanced materials, 19(1), 613-648 26 Yazyev, O V (2013) A guide to the design of electronic properties of graphene nanoribbons Accounts of chemical research, 46(10), 2319-2328 27 Yasuma, A., Yamanaka, A., & Okada, S (2018) Energetics of edge oxidization of graphene nanoribbons Japanese journal of applied physics, 57(6S1), 06HB03 28 Yeh, T F., Huang, W L., Chung, C J., Chiang, I T., Chen, L C., Chang, H Y., & Teng, H (2016) Elucidating quantum confinement in graphene oxide dots based on excitation-wavelengthindependent photoluminescence The journal of physical chemistry letters, 7(11), 2087-2092 29 Zhao, Z., Li, J., Wen, T., Shen, C., Wang, X., & Xu, A (2015) Surface functionalization graphene oxide by polydopamine for high affinity of radionuclides Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects, 482, 258-266 332 ... AGNR hấp phụ oxy KẾT LUẬN Trong nghiên cứu này, sử dụng tính tốn DFT hiệu cao, nhiều đại lượng vật lý thiết yếu để nghiên cứu tính chất cấu trúc điện tử AGNR hấp phụ oxy phát triển đầy đủ độ dài... hầm hầm (STS) Lời cảm ơn: Nghiên cứu tài trợ trường Đại học Thủ Dầu Một Nghiên cứu sử dụng tài ngun Hệ thống tính tốn hiệu cao (HPCC) Trường Đại học Thủ Dầu Một TÀI LIỆU THAM KHẢO 10 11 12 13... Trong nghiên cứu này, dựa sở tính tốn phiếm hàm mật độ (density functional theory) (DFT), nghiên cứu tính chất cấu trúc điện tử AGNR hấp phụ nguyên tử oxy Thông quan tính toán DFT, đại lượng vật