Bài viết Nghiên cứu tính toán hiệu năng cao sự hydro hóa vật liệu graphene một chiều trình bày Các tính chất cấu trúc và điện tử giàu đặc tính của AGNR chức hóa hydro sẽ là rất tiềm năng cho các ứng dụng cách điện tiên tiến tương lai. Các dự đoán DFT trong nghiên cứu này là hoàn toàn có thể kiểm chứng bằng các phép đo thực nghiệm hiện đại như STM (scanning tunneling microscope) và ARPES (angle-resolved photoemission spectroscopy). Mời các bạn cùng tham khảo!
NGHIÊN CỨU TÍNH TỐN HIỆU NĂNG CAO SỰ HYDRO HĨA VẬT LIỆU GRAPHENE MỘT CHIỀU Cao Thanh Xuân1, Nguyễn Thị Hương2 Trần Minh Tiến2, Nguyễn Duy Khanh3 Phòng Khoa học Viện Phát triển Ứng dụng Trung tâm Cơng nghệ thơng tin Email: 2034401020024@tdmu.edu.vn, TĨM TẮT Các tính chất cấu trúc điện tử vật liệu graphene 1D cạnh ghế bành (AGNR) chức hóa nguyên tử hydro nghiên cứu tính tốn phiếm hàm mật độ hiệu cao (DFT) Các đại lượng DFT để xác định tính chất cấu trúc điện tử phát triển đầy đủ bao gồm lượng chức hóa, thơng số mạng tối ưu hóa, cấu trúc vùng điện tử, mật độ trạng thái điện tử phân bổ mật điện tích khơng gian Các tính tốn tối ưu xác định chức hóa hydro hai mặt ổn định chức hóa mặt Năng lượng chức hóa hai mặt tính toán đạt giá trị -3.67821 eV Giá trị lượng chức hóa đủ lớn để tạo cấu trúc bền vững AGNR nguyên sơ có cấu trúc phẳng liên kết σ mạnh liên kết C-C chức hóa hydro độ mấp mơ cấu trúc khoảng 0.58 Å xuất chiếm ưu liên kết H-C mạnh hình thành Cấu trúc vùng điện tử AGNR nguyên sơ biểu thị độ rộng vùng cấm lượng trực tiếp có giá trị 0.9 eV Dưới ảnh hưởng chức hóa hydro hai mặt độ rộng vùng cấm lượng mở lớn có giá trị 4.45 eV Độ rộng vùng cấm lượng 4.45 eV biểu thị AGNR chức hóa hydro thuộc chất cách điện đơn lớp Nguyên nhân gây độ rộng vùng cấm lượng lớn lai hóa mạnh liên kết H-C Các tính chất cấu trúc điện tử giàu đặc tính AGNR chức hóa hydro tiềm cho các ứng dụng cách điện tiên tiến tương lai Các dự đoán DFT nghiên cứu hồn tồn kiểm chứng các phép đo thực nghiệm đại STM (scanning tunneling microscope) ARPES (angle-resolved photoemission spectroscopy) Từ khóa: Tính tốn hiệu cao, phương pháp DFT, graphene, graphene 1D, lượng chức hóa, cấu trúc vùng điện tử, mật độ trạng thái điện tử chất cách điện tiên tiến GIỚI THIỆU Khoa học vật liệu thấp chiều thu hút nhiều mối quan tâm gần kể từ vật liệu đơn lớp graphene hai chiều (2D) tổng hợp thành công phương pháp bóc tách đơn lớp graphite ba chiều (3D) [Hashimoto, 2004; Berger, 2004; Novoselov, 2004] Graphene 2D mang đến tiềm to lớn cho ứng dụng hiệu cao độ rộng đơn lớp tính chất vật lý độc đáo [Jo nnk., 2012] Tuy nhiên, graphene không có độ rộng vùng cấm lượng hạn chế tiềm ứng dụng thiết bị điện tử hiệu cao [Zhan nnk., 2012] Từ quan điểm hình học, giam cầm chiều (1D) graphene 2D có 333 thể cải thiện độ rộng vùng cấm cho graphene 2D [Lu nnk., 2010] Sự giam cầm 1D graphene 2D hình thành dãy graphene 1D (GNR) [Lee nnk., 2011] GNR với độ rộng vùng cấm mở rộng thu hút nhiều mối quan tâm nghiên cứu bao gồm thực nghiệm, tính tốn lý thuyết GNR có hai dạng cấu trúc cạnh điển hình cạnh nghế bành (AGNR) zigzag (ZGNR) AGNR biết đến vật liệu bán dẫn có độ rộng vùng cấm trực tiếp không từ tính, đó ZGNR bán dẫn phản sắt từ với định hướng spin up spin down đối xứng dọc theo cạnh [Jafarova nnk., 2020] Ngoài ra, AGNR ZGNR có điểm giống có độ rộng vùng cấm lượng phụ thuộc mạnh vào độ rộng Mặc dù GNR với độ rộng vùng cấm mở rộng khắc phục điểm bất lợi lớn graphene 2D cho ứng dụng điện tử, nhiên tính chất thiết yếu GNR cần đa dạng xa để phù hợp cho nhiều ứng dụng cần độ rộng vùng cấm lượng lớn Nhiều phương pháp khác làm đa dạng tính chất thiết yếu GNR doping nguyên tử [Lin nnk., 2021], chức hóa cạnh [Xiang nnk., 2016], chức hóa bề mặt [Kang nnk., 2011], biến dạng học [Min nnk., 2011], tạo khuyết tật tinh thể [Yang nnk., 2018], tạo cấu trúc dị chất áp điện trường từ trường [Ong nnk., 2012] Trong số phương pháp đề cập doping nguyên tử GNR phương pháp hiệu làm đa dạng mạnh tính chất thiết yếu GNR Sử dụng tính tốn DFT, Duy Khanh Nguyen cộng nghiên cứu hấp phụ nguyên tử fluo lên AGNR ZGNR [Nguyen nnk., 2017] Kết nghiên cứu DFT cho thấy AGNR hấp phụ nguyên tử fluo tạo kim loại bán dẫn loại p phụ thuộc vào nồng độ phân bổ nguyên tử fluo đặc tính sắt từ hình thành hấp phụ fluo nồng độ thấp Trong đó, ZGNR hấp phụ fluo tạo nhiều cấu hình từ tính đa dạng gồm sắt từ phản sắt từ nồng độ thấp Thông qua tính tốn ngun lý ban đầu, Shih-Yang Lin cộng nghiên cứu tính chất cấu trúc, điện tử từ tính GNR hấp phụ cỏc kim loi chuyn tip 3d [Sevinỗli v nnk., 2008] Kết nguyên tử kim loại chuyển tiếp 3d hấp phụ tối ưu vị trí hollow tạo chuyển dời từ cấu trúc vùng bán dẫn có độ rộng vùng cấm hẹp khơng từ tính GNR ngun sơ đến cấu trúc vùng kim loại không từ, phản sắt từ sắt từ GNR hấp phụ kim loại Dana Krepel Oded Hod nghiên cứu lý thuyết phiếm hàm mật độ tiên tiến hiệu ứng hấp phụ nguyên tử lithium (Li) lên AGNR [Krepel nnk., 2011] Kết nghiên cứu biểu thị nồng độ hấp phụ thấp vị trí hấp phụ tối ưu Li vị trí hollow gần cạnh AGNR AGNR hấp phụ Li trở thành kim loại nồng độ hấp phụ đủ lớn Yu-Tsung Lin cộng nghiên cứu DFT GNR hấp phụ nguyên tử kim loại kiềm [Lin nnk., 2011] Kết nghiên cứu cho thấy nguyên tử kim loại kiềm hấp phụ tối ưu vị trí hollow AGNR hấp phụ kim loại kiềm dẫn đến kim loại kiểu p khơng từ tính chuyển dời electron từ nguyên tử hấp phụ đến nguyên tử C, đó ZGNR hấp phụ kim loại kiềm trở thành kim loại kiểu p với đặc tính phản sắt từ, khơng từ sắt từ đặc trưng Duy Khanh Nguyen cộng nghiên cứu hấp nguyên tử Cl, Br, I At lên GNR [Nguyen nnk., 2018] Kết nghiên cứu phiếm hàm mật độ cho thấy nguyên tử halogen hấp phụ tối ưu vị trí top GNR hấp phụ trở thành kim loại kiểu p với đặc tính sắt từ, khơng từ phản sắt từ Sự hydro hóa GNR dẫn đến tính chất giàu đặc tính Tuy nhiên, chưa có nghiên cứu DFT đầy đủ hydro hóa khác lên AGNR Do vậy, khám phá xa hydro hóa khác lên GNR cần thiết để triển khai tính chất giàu đặc tính GNR bị hydro hóa cho ứng dụng hiệu cao 334 Trong nghiên cứu này, chức hóa hydro khác lên AGNR nghiên cứu chi tiết tính toán nguyên lý ban đầu Thơng qua tính tốn DFT ngun lý ban đầu, đại lượng vật lý cần thiết để nghiên cứu tính chất cấu trúc điện tử phát triển bao gồm lượng chức hóa, thông số cấu trúc tối ưu, cấu trúc vùng điện tử, mật độ trạng thái điện tử phẩn bổ mật độ điện tích không gian Các đại lượng vật lý phát triển liên hệ chặt chẽ để xác định rõ chế lai hóa gây đa dạng tính chất thiết yếu Các tính chất cấu trúc điện tử giàu đặc tính dự đốn từ tính tốn DFT hồn tồn kiểm chứng phép đo thực nghiệm đại STM (scanning tunneling microscope) [Andrei nnk., 2012] ARPES (angle-resolved photoemission spectroscopy) [Park nnk., 2009] PHƯƠNG PHÁP TÍNH TỐN Các tính chất cấu trúc điện tử AGNR chức hóa nguyên tử hydro nghiên cứu phương pháp lý thuyết hàm mật độ (DFT) tiên tiến, tích hợp gói mơ Vienna ab Initio (VASP) [Yin nnk., 2016] Phiếm hàm Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE) phép xấp xỉ gradient tổng quát sử dụng để tính toán lượng trao đổi tương quan, có nguồn gốc từ tương tác Coulomb nhiều hạt [Zhu nnk., 2021] Tương tác electron-ion tính phương pháp PAW Hàm sóng lượng trạng thái xây dựng từ sở sóng phẳng với mức cắt lượng tối đa 450 eV Hướng tuần hoàn mạng cấu trúc AGNR 1D dọc theo hướng x Để loại bỏ tương tác van der Walls hai lớp lân cận, khoảng cách chân không đặt dọc theo y z lớn 15 Å Lưới điểm 1x1x12 1x1x100 sử dụng để tối ưu hóa cấu trúc tính tốn cấu trúc điện tử cách tương ứng Lực Hellmann-Feynman đặt nhỏ 0,01 eVÅ-1 Độ hội tụ lượng đặt 10-5 eV hai bước ion gần KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 3.1 Các tính chất cấu trúc Mơ hình nguyên tử xem từ mặt top mặt cạnh dải nano graphene cạnh ghế bành nguyên sơ (AGNR) AGNR chức hóa nguyên tử hydro hai mặt (H-ANGR) trình bày Hình Độ rộng AGNR tạo thành bời đường dimer dọc theo hướng y kí hiệu đường màu đen Hình Để cấu trúc AGNR đạt trạng thái ổn định, nguyên tử hydro sử dụng để thụ động hóa cạnh Có vị trí hấp phụ điển hình hydro lên dải AGNR 1D top, hollow, bridge mô tả Hình 1, đó vị trí top xác định vị trí chức hóa tối ưu Độ bền vững cấu xác định thông qua lượng chức hóa (Eb) tính sau: Eb = E tot − E P − nE H n (1) với Etot, EP EH lượng trạng thái hệ AGNR chức hóa H, AGNR nguyên sơ nguyên tử H cô lập n tổng số nguyên tử H chức hóa Năng lượng chức hóa tính toán đạt giá trị -3.67821 eV lớn cho thấy cấu trúc AGNR chức hóa H bền hồn tồn tổng hợp phương pháp thực nghiệm Các thông số 335 cấu trúc AGNR cạnh ghế bành nguyên sơ AGNR chức hóa nguyên tử hydro trình bày Bảng Độ dài liên kết C-C cạnh (1st C-C) độ dài liên kết C-C xa cạnh (2nd C-C) có giá trị 1.367 Å 1.481 Å (Bảng 1) Rõ ràng, độ dài liên kết C-C cạnh nhỏ vị trí xa cạnh khoảng 0.114 Å, nguyên nhân chênh lệch liên kết C-C ảnh hưởng kết thúc cấu trúc cạnh kích thước hữu hạn Đây điểm đặc trưng cấu trúc 1D so với 2D Chức hóa nguyên tử hydro lên AGNR nguyên sơ dẫn đến thay đổi đáng kể thông số cấu trúc Cụ thể, độ dài liên kết C-C cạnh cấu trúc chức hóa hydro lớn khoảng 0.07 (Å) so với độ dài liên kết C-C xa cạnh Điều giống với sai khác độ dài liên kết C-C gần cạnh xa cạnh cấu trúc nguyên sơ Điều chứng minh liên kết H-C tạo thay đổi cấu trúc Liên kết H-C mạnh gây độ mấp mơ cấu trúc có giá trị 0.58 Å AGNR chức hóa hydro Độ dài liên kết H-C tạo thành 1.094 Å cho thấy liên kết H-C mạnh so với liên kết C-C Góc liên kết C-C-C chức hóa nhỏ 9.867 (˚) so với cấu trúc nguyên sơ Bảng 1: Năng lượng chức hóa [Eb (eV)], độ dài liên kết C-C (Å), độ dài liên kết H-C (Å), góc liên kết C-C-C (0), độ mấp mô cấu trúc [buckling (Å)], độ rộng vùng cấm lượng Eg( eV) đặc tính độ rộng vùng cấm Configuration Eb (eV) 1st C-C (Å) 2nd C-C (Å) H-C (Å) C-C-C angle (0) Buckling (Å) Eg (eV) Band feature pristine AGNR H-AGNR X -3.67821 1.367 1.481 1.425 1.551 X 1.094 121.36 111.493 0.583 0.9 4.45 direct direct Hình 1: Cấu trúc nguyên tử xem từ mặt top mặt cạnh (a) AGNR nguyên sơ (b) AGNR chức hóa nguyên tử hydro 336 3.2 Tính chất điện tử Để nghiên cứu chi tiết tính chất điện tử vật liệu germanene 1D, cấu trúc vùng điện tử 1D AGNR nguyên sơ chức hóa H phát triển trình bày Hình 2, đó Hình 2(a), 2(b) tương ứng cấu trúc vùng điện tử 1D AGNR nguyên sơ chức hóa nguyên tử H vị trí cạnh Mức lượng Fermi xác định lượng để phân biệt vùng lượng hóa trị dẫn biểu thị đường màu hồng Hình Cấu trúc vùng điện tử AGNR nguyên sơ Hình 2(a) thể độ rộng vùng cấm lượng trực tiếp 0.905 eV (trình bày Bảng 1) vùng lượng tán sắt yếu không cắt tán sắc vùng dẫn vùng hóa trị khơng đối xứng qua mức Fermi Dưới ảnh hưởng chức hóa ngun tử H cấu trúc vùng lượng AGNR nguyên sơ bị thay đổi đáng kể Cấu trúc vùng lượng AGNR chức hóa H Hình 2(b) có độ rộng vùng cấm mở rộng 4.45 eV so với cấu trúc nguyên sơ (trình bày Bảng 1) Độ rộng vùng cấm mở rộng xem chất cách điện; đó cấu trúc vùng điện tử cách điện trì đặc tính vùng trực tiếp vùng tán sắc yếu bị tách biệt so với cấu trúc nguyên sơ Hình 2: Cấu trúc vùng điện tử (a) AGNR nguyên sơ (b) AGNR chức hóa ngun tử hydro Hình 3: Mật độ trạng thái điện (a) AGNR nguyên sơ (b) AGNR chức hóa nguyên tử hydro Để kiểm chứng lại đặc tính cấu trúc vùng điện tử 1D, mật độ trạng thái điện tử phát triển trình bày Hình 3, đó mức lượng Fermi xác định mức lượng để phân biệt vùng dẫn vùng hóa trị biểu thị đường màu hồng đứt nét Phạm vi lân cận mức Fermi khơng tồn mật độ điện tử Hình 3(a) chứng minh cho độ rộng vùng cấm lượng Hình 2(a) Các đỉnh có mật độ trạng thái cao xuất phát từ vùng tắn sắc yếu Phạm vi không tồn mật độ điện tử mở rộng chức hóa nguyên tử H vị trí cạnh biểu thị Hình 3(b) Phạm vi khơng có mật độ trạng thái mở rộng có kết từ độ rộng vùng cấm lượng tăng cường cấu trúc vùng điện tử AGNR chức hóa H Hình 2(b) Ngồi ra, đỉnh chiếm ưu Hình 3(b) có cường độ cao Hình 3(a), nguyên nhân có đóng góp bổ sung nguyên tử H 337 Phân bổ mật độ điện tích không gian đại lượng vật lý hữu ích để xác định cường độ liên kết hóa học Phân bổ mật độ điện tích AGNR nguyên sơ AGNR chức hóa mặt ngun tử hydro trình bày Hình 4; đó, cường độ điện tích lớn nhỏ tương ứng biểu thị màu đỏ màu xanh đậm thang đo Phân bổ mật độ điện tích AGNR ngun sơ Hình 4(a) cho thấy cường độ điện tích liên kết σ mặt (x,y) mạnh so với liên kết π dọc theo hướng z Các liên kết π nguyên sơ bị chấm dứt hồn tồn chức hóa H, ngun nhân hình thành liên kết H-C biểu thị Hình 4(b) Ngồi ra, chức hóa mặt nguyên tử hydro Hình 4(b) mật độ điện tích phân bổ mạnh liên kết H-C so với CC độ dài liên kết H-C ngắn so với C- C Đặc biệt, liên kết sigma C-C nguyên sơ bị suy yếu đáng kể chức hóa H Hình 4: Phân bổ mật độ điện tích (a) AGNR nguyên sơ (b) AGNR chức hóa hydro KẾT LUẬN Phương pháp DFT tích hợp gói mô lượng tử VASP công cụ hữu ích để nghiên cứu tính chất vật lý thiết yếu vật liệu sử dụng rộng rãi cho nhiều nghiên cứu gần Hiện nay, tính tốn VASP cơng cụ nhiều nhóm nghiên cứu lý thuyết thực nghiệm tính hiệu triển khai cụm máy tính hiệu cao (HPCC) Trong nghiên cứu này, tính chất cấu trúc điện tử AGNR nguyên sơ AGNR chức nguyên tử hydro nghiên cứu cách có hệ thống tính toán DFT hiệu cao Các tính chất thiết yếu nghiên cứu xác định thông qua khung lý thuyết nguyên lý đầu bao gồm đại lượng vật lý phát triển lượng chức hóa, thông số cấu trúc tối ưu, cấu trúc vùng điện tử mật độ trạng thái điện tử phân bố mật độ điện tích không gian AGNR nguyên sơ có độ rộng vùng cấm lượng 0.9 eV không phù hợp cho các ứng dụng cần độ rộng vùng cấm lớn chất cách điện Dưới ảnh hưởng chức hóa nguyên tử hydro hai mặt, độ rộng vùng cấm lượng AGNR nguyên sơ rộng lớn khoảng 4.45 eV Độ rộng vùng cấm lớn AGNR chức hóa hydro thuộc chất cách điện triển vọng cho vật liệu cách điện tiên tiến tương lai Lời cảm ơn: Nghiên cứu tài trợ trường Đại học Thủ Dầu Một Nghiên cứu sử dụng tài ngun Hệ thống tính tốn hiệu cao (HPCC) Trường Đại học Thủ Dầu Một TÀI LIỆU THAM KHẢO Andrei, E Y., Li, G., & Du, X (2012) Electronic properties of graphene: a perspective from scanning tunneling microscopy and magnetotransport Reports on Progress in Physics, 75(5), 056501 Berger, C., Song, Z., Li, T., Li, X., Ogbazghi, A Y., Feng, R., & De Heer, W A (2004) Ultrathin epitaxial graphite: 2D electron gas properties and a route toward graphene-based nanoelectronics The Journal of Physical Chemistry B, 108(52), 19912-19916 338 Hashimoto, A., Suenaga, K., Gloter, A., Urita, K., & Iijima, S (2004) Direct evidence for atomic defects in graphene layers nature, 430(7002), 870-873 Jafarova, V N., & Huseynova, S S AB INITIO STUDY OF MAGNETIC PROPERTIES IN A NON-MAGNETIC ZnO Jo, G., Choe, M., Lee, S., Park, W., Kahng, Y H., & Lee, T (2012) The application of graphene as electrodes in electrical and optical devices Nanotechnology, 23(11), 112001 Kang, S M., Park, S., Kim, D., Park, S Y., Ruoff, R S., & Lee, H (2011) Simultaneous reduction and surface functionalization of graphene oxide by mussel‐inspired chemistry Advanced Functional Materials, 21(1), 108-112 Krepel, D., & Hod, O (2011) Lithium adsorption on armchair graphene nanoribbons Surface Science, 605(17-18), 1633-1642 Lee, S H., Chung, H J., Heo, J., Yang, H., Shin, J., Chung, U I., & Seo, S (2011) Band gap opening by two-dimensional manifestation of Peierls instability in graphene Acs Nano, 5(4), 2964-2969 Lin, S Y., Tran, N T T., & Lin, M F (2021) Diversified phenomena in metal-and transitionmetal-adsorbed graphene nanoribbons Nanomaterials, 11(3), 630 10 Lin, Y T., Lin, S Y., Chiu, Y H., & Lin, M F (2017) Alkali-created rich properties in grapheme nanoribbons: Chemical bondings Scientific reports, 7(1), 1-14 11 Lu, Y., & Guo, J (2010) Band gap of strained graphene nanoribbons Nano Research, 3(3), 189-199 12 Min, K., & Aluru, N R (2011) Mechanical properties of graphene under shear deformation Applied Physics Letters, 98(1), 013113 13 Nguyen, D K., Tran, N T T., Nguyen, T T., & Lin, M F (2018) Diverse electronic and magnetic properties of chlorination-related graphene nanoribbons Scientific reports, 8(1), 1-12 14 Nguyen, D K., Lin, Y T., Lin, S Y., Chiu, Y H., Tran, N T T., & Fa-Lin, M (2017) Fluorinationenriched electronic and magnetic properties in graphene nanoribbons Physical Chemistry Chemical Physics, 19(31), 20667-20676 15 Novoselov, K S., Geim, A K., Morozov, S V., Dubonos, S V., Zhang, Y., & Jiang, D (2004) Room-temperature electric field effect and carrier-type inversion in graphene films arXiv preprint cond-mat/0410631 16 Ong, M T., & Reed, E J (2012) Engineered piezoelectricity in graphene ACS nano, 6(2), 1387-1394 17 Park, C H., Giustino, F., Spataru, C D., Cohen, M L., & Louie, S G (2009) Angle-resolved photoemission spectra of graphene from first-principles calculations Nano letters, 9(12), 4234-4239 18 Sevinỗli, H., Topsakal, M., Durgun, E., & Ciraci, S (2008) Electronic and magnetic properties of d transition-metal atom adsorbed graphene and graphene nanoribbons Physical Review B, 77(19), 195434 19 Xiang, Z., Dai, Q., Chen, J F., & Dai, L (2016) Edge functionalization of graphene and two‐ dimensional covalent organic polymers for energy conversion and storage Advanced Materials, 28(29), 6253-6261 20 Yang, G., Li, L., Lee, W B., & Ng, M C (2018) Structure of graphene and its disorders: a review Science and technology of advanced materials, 19(1), 613-648 21 Yin, L C., Liang, J., Zhou, G M., Li, F., Saito, R., & Cheng, H M (2016) Understanding the interactions between lithium polysulfides and N-doped graphene using density functional theory calculations Nano Energy, 25, 203-210 22 Zhan, D., Yan, J., Lai, L., Ni, Z., Liu, L., & Shen, Z (2012) Engineering the electronic structure of graphene Advanced Materials, 24(30), 4055-4069 23 Zhu, T., Antezza, M., & Wang, J S (2021) Dynamical polarizability of graphene with spatial dispersion Physical Review B, 103(12), 125421 339 ... triển khai tính chất giàu đặc tính GNR bị hydro hóa cho ứng dụng hiệu cao 334 Trong nghiên cứu này, chức hóa hydro khác lên AGNR nghiên cứu chi tiết tính toán ngun lý ban đầu Thơng qua tính tốn... yếu vật liệu sử dụng rộng rãi cho nhiều nghiên cứu gần Hiện nay, tính tốn VASP cơng cụ nhiều nhóm nghiên cứu lý thuyết thực nghiệm tính hiệu triển khai cụm máy tính hiệu cao (HPCC) Trong nghiên. .. với đặc tính sắt từ, khơng từ phản sắt từ Sự hydro hóa GNR dẫn đến tính chất giàu đặc tính Tuy nhiên, chưa có nghiên cứu DFT đầy đủ hydro hóa khác lên AGNR Do vậy, khám phá xa hydro hóa khác