Mục tiêu nghiên cứu của đề tài Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử GaN/AIN là khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử chế tạo từ hai loại vật liệu bán dẫn GaN và AIN có tính đến ảnh hưởng của một số nguồn giam giữ có thể.