Output file

1 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ Nguyễn Tất Thành NGHIÊN CỨU THIẾT KẾ VÀ QUY TRÌNH CHẾ TẠO CHIP CHIA CƠNG SUẤT QUANG TRÊN CƠ SỞ VẬT LIỆU LAI NANÔ ASZ LUẬN VĂN THẠC SĨ Hà Nội, 2006 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com MỤC LỤC Trang phụ bìa Trang Lời cảm ơn i Lời cam đoan ii Mục lục iii Danh mục kí hiệu, chữ viết tắt v Danh mục bảng vi Danh mục hình vẽ, đồ thị vii MỞ ĐẦU Chương VẬT LÍ, VẬT LIỆU VÀ QUY TRÌNH CHẾ TẠO DẪN SĨNG QUANG ……………… 1.1 Dẫn sóng quang tấng 1.1.1 Điều kiện giam giữ ánh sáng 1.1.2 Điều kiện hình thành mode dẫn 1.2 Phương pháp lan truyền chùm tia BPM… 1.3 Vật liệu dẫn sóng quang ………… ……………………… 10 1.3.1 Vật liệu Sợi Silica (SiO2) 13 1.3.2 Vật liệu Silica on Silicon (SOS) 13 1.3.3 Vật liệu Silicon on Insulator (SOI) 13 1.3.4 Vật liệu Silicon Oxynitride (SiON) 14 1.3.5 Vật liệu Indium Phosphide (InP) 14 1.3.6 Vật liệu Gallium Arsenide (GaAs) 14 1.3.7 Vật liệu Lithium Niobate (LiNbO3) 14 1.3.8 Vật liệu Polyme………… 15 1.3.9 Vật liệu Sol-Gel 16 1.4 Quy trình chế tạo vi cấu trúc dẫn sóng (3D) 16 1.5 Kết luận 17 Chương TÍNH CHẤT VẬT LÍ CỦA VẬT LIỆU LAI ASZ 18 2.1 Thành phần vật liệu lai hữu cơ-vô ASZ 18 2.2 Các tính chất vật liệu lai hữu cơ-vô ASZ 19 2.2.1 Độ nhớt dung dịch vật liệu lai hữu cơ-vô ASZ 19 2.2.2 Cấu trúc vi mô vật liệu lai hữu cơ-vô ASZ 20 2.2.3 Phổ hấp thụ vật liệu lai hữu cơ-vô ASZ 20 2.3 Tính chất vật lí dẫn sóng tầng ASZ 21 2.3.1 Chế tạo dẫn sóng tầng từ vật liệu ASZ 21 2.3.2 Đo chiều dày độ gồ ghề màng ASZ 24 2.3.2.1.Thiết bị đo chiều dày màng gồ ghề bề mặt 24 2.3.2.2 Đo chiều dày màng ASZ 24 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com 2.3.2.3 Độ đồng chiều dày màng ASZ 2.3.2.4 Độ ghồ ghề màng ASZ 2.3.3 Đo tính chất quang màng vật liệu ASZ 2.3.3.1.Thiết bị đo Prism Coupler 2010 2.3.3.2 Đo chiết suất vật liệu ASZ 2.3.3.3 Đo tổn hao quang dẫn sóng tầng ASZ…… 2.3.3.4 Chiết suất vật liệu ASZ biến đổi theo nhiệt độ 2.3.3.5 Tính nhạy quang vật liệu ASZ 25 26 26 26 28 31 33 35 2.4 Kết luận 38 Chương THIẾT KẾ VÀ CHẾ TẠO CHIP CHIA CÔNG SUẤT QUANG .…… 39 3.1 Nguyên lí hoạt động linh kiện chia quang 1xN 39 3.1.1 Dẫn sóng kênh thẳng 39 3.1.2 Điều kiện chia công suất quang 40 3.1.2 Tổn hao dẫn sóng chia cơng suất quang 1x2 (PS1x2) 40 3.2 Thiết kế linh kiện chia quang 1x2 chế tạo mặt nạ (Mask) 41 3.3 Chế tạo chip chia quang 1x2 44 3.4 Đo thông số chip chia quang 1x2 47 3.4.1 Hình thái bề mặt chip PS1x2 47 3.4.2 Hiệu suất truyền dẫn ánh sáng 48 3.4.3 Thảo luận kết 49 3.5 Kết luận 50 KẾT LUẬN ……………… …………………………………… 51 DANH MỤC CƠNG TRÌNH CỦA TÁC GIẢ 53 TÀI LIỆU THAM KHẢO…………………………………………… 54 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com Danh mục ký hiệu, chữ viết tắt n1 n0  k β κ r  Chiết suất màng dẫn sóng Chiết suất lớp bao quanh màng dẫn sóng Bước sóng ánh sáng lan truyền dẫn sóng tầng   M H Số sóng ánh sáng bước sóng  (k=2/) Hằng số lan truyền ánh sáng theo phương ngang (oz) Hằng số lan truyền ánh sáng theo phương vng góc (oy) Hệ số phản xạ ánh sáng biên lớp dẫn sóng (giữa) vỏ Độ lệch pha ánh sáng phản xạ biên lớp dẫn sóng vỏ Góc nghiêng chùm tia lan truyền Góc đến chùm tia sáng từ lớp dẫn sóng đến lớp vỏ Chiết suất tỉ đối lớp lớp vỏ Số mode dẫn sóng tầng Bước tính số mơ trường ánh sáng lan truyền dẫn sóng tầng  im Biên độ điện trường x  xi  ix z  z m  mz BPM FFT FDM TBC ASZ n dn/dT MCF R W h Phương pháp lan truyền tia sáng (Beam Propagation Method) Phương pháp biến đổi Fourier nhanh (Fast Fourier Transform) Phương pháp sai phân hữu hạn (Finite Difference Method) Điều kiện biên suốt (Transparent Boudary Condition) Viết tắt ba chữ đầu: Acrylic-Silica-Zirconia Gía trị thay đổi chiết suất Hệ số quang nhiệt Hệ số chuyển đổi mode (Mode Conversion Factor) Bán kính cong dẫn sóng kênh Độ rộng kênh dẫn sóng Khoảng cách hai kênh dẫn sóng song song  TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com Danh mục bảng Bảng 1.1 Các thuộc tính loại vật liệu quang Bảng 1.2 Ứng dụng cho loại vật liệu quang Bảng 2.1 Chiết suất vật liệu lai hữu cơ-vô cấu trúc nano ASZ Bảng 2.2 Hệ số tổn hao quang dẫn sóng tầng ASZ 11 12 28 32 Danh mục hình vẽ, đồ thị Hình 1.1 Mơ hình cấu trúc dẫn sóng tầng………………………………… Hình 1.2 Phân bố chiết suất dẫn sóng tầng………………… Hình 1.3 Các tia sáng mặt pha dẫn sóng tầng…… Hình 1.4 Qui trình chế tạo mạch quang tích hợp………………………… Hình 2.1 Độ nhớt vật liệu ASZ, ASZ(F) phụ thuộc vào thời gian lưu Hình 2.2 Ảnh vật liệu loại chế tạo từ TEOS nguyên chất…………… Hình 2.3 Hạt nano zieconia vật liệu ASZ……………….………… Hình 2.4 Phổ hấp thụ vật liệu ASZ AFSZ ……………………… Hình 2.5 Mơ hình cấu trúc dẫn sóng tầng ASZ/SiO2……………………… Hình 2.6 Sơ đồ hệ thiết bị chế tạo dẫn sóng tầng ………………………… Hình 2.7 Hệ chế tạo dẫn sóng tầng Dip-Coating………… …… Hình 2.8 Lị nhiệt Venticell 111, MMM Germany Hình 2.9 Chế độ biến đổi nhiệt theo thời gian Hình 2.10 Các dẫn sóng tầng ASZ Hình 2.11 Hệ đo Alpha-Step IQ – Surface Profiler ……………………… Hình 2.12 Định vị vị trí đo mẫu Hình 2.13 Biểu diễn đường đo cho mẫu khác Hình 2.14 Chiều dày màng tốc độ kéo-nhúng V=1.5 mm/s Hình 2.15 Độ gồ ghề mấu vị trí khác mẫu Hình 2.16 Gồ ghề màng ASZF14/4/4 Hình 2.17 Hệ đo Prism Coupler 2010 (Metricon,US) Hình 2.18 Sơ đồ nguyên lí hệ đo Prism Coupler 2010 Hình 2.19 Chiết suất vật liệu ASZ bước sóng 632.8nm, phân cực TE Hình 2.20 Chiết suất vật liệu ASZ bước sóng 632.8nm, phân cực TM Hình 2.21 Chiết suất vật liệu ASZ bước sóng 1538 nm, phân cực TE… Hình 2.22 Chiết suất vật liệu ASZ bước sóng 1538 nm, phân cực TM Hình 2.23 Ánh sáng lan truyền dẫn sóng tầng ASZ Hình 2.24 Cường độ ánh sáng lọt qua bề mặt dẫn sóng tầng ASZ dọc 5 17 20 20 20 21 21 22 22 22 23 23 24 25 25 25 26 26 27 27 30 30 30 31 31 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com theo phương truyền bước sóng 632.8 nm, phân cực TE Hình 2.25 Cường độ ánh sáng lọt qua bề mặt dẫn sóng tầng ASZ dọc theo phương truyền bước sóng 1538 nm, phân cực TE Hình 2.26 Sơ đồ hệ đo Prism Coupler 2010 xác định hệ số quang nhiệt Hình 2.27 Sự thay đổi chiết suất theo nhiệt độ màng ASZ Hình 2.28 Phổ MicroRaman vật liệu ASZ pha DPA… ………… Hình 2.29 Phổ microraman màng ASZ pha DPA (8%) …………… Hình 2.30 Phổ microraman màng ASZ pha DPA (30%) ………… Hình 2.31 Chiết suất màng ASZ phụ thuộc vào nồng độ chất khơi mào quang DPA HCPK……………………………………………… Hình 2.32 Sự thay đổi độ dày màng chế tạo từ vật liệu ASZ vàDPA……… Hình 3.1 Mơ hình chip chia cơng suất quang 1x2 Hình 3.2 Ảnh thiết kế cấu trúc 2D linh kiện chia quang 1x2 Hình 3.3 Hình ảnh phân bố chiết suất chip chia cơng suất 1x2 Hình 3.4 Cường độ ánh sáng đầu vào chip Hình 3.5 Trường ánh sáng 3D lan truyền chip chia cơng suất 1x2 Hình 3.6 Mặt nạ chip chia cơng suất quang 1x2 file Autocad… Hình 3.7 Mặt nạ chip chia công suất quang 1x2 Hình 3.8 Qui trình chế tạo chip chia công suất quang 1x2 Hình 3.9 Sơ đồ hệ chiếu UV tạo cấu trúc dẫn sóng……………… ……… Hình 3.10 Ảnh hệ chiếu UV tạo cấu trúc chip chia quang Hình 3.11 Phổ quang đèn Thuỷ ngân Xenon………………………… Hình 3.12 Chu trình xử lí nhiệt cho chip sau tạo cấu trúc…………… Hình 3.13 Mẫu chip chia cơng suất 1x2………………………… Hình 3.14 Cấu trúc chip phân chia cơng suất 1x2 Hình 3.15 Tăng chiều dày kênh dẫn sóng Hình 3.16 Sơ đồ ngun lí đo thơng số hoạt động chip PS1x2 Hình 3.17 Hệ đo công suất ánh sáng đầu vào/ra Hình 3.18 Tín hiệu cơng suất ánh sáng đầu vào/ra chip PS1x2……… 33 33 34 34 36 37 37 37 37 39 42 42 43 44 44 44 45 45 46 46 46 47 47 47 48 49 49 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com MỞ ĐẦU Hiện cáp quang trở thành vật liệu chủ chốt công nghiệp thông tin đại Tuy nhiên, phát triển mạnh mẽ kinh tế xã hội đặt nhu cầu cấp thiết phải xây dựng cơng nghệ truyền thơng có đặc trưng truyền dẫn thông tin khoảng cách dài (hàng nghìn km xun lục địa), với băng thơng rộng tốc độ cao (hàng chục giga byte), đa năng, kết hợp qui mô lớn Những thiết bị chủ chốt để tạo đột phá tốc độ đường truyền cao ghép gộp - tách kênh theo bước sóng WDM (Wavelength Division Multiplexing), khuyếch đại hồn tồn quang, mạch quang tích hợp, chuyển mạch hồn tồn quang (xử lí tín hiệu theo ngun tắc quang - quang thay cho nguyên tắc quang-điện) [26, 29, 34, 37, 50] Linh kiện chia công suất quang 1xN (N = 2, 4, 16, 32,…) nằm tuyến đường truyền thiết bị đầu cuối có vai trị phân luồng cơng suất quang từ kênh đường truyền sợi quang đến N kênh đường truyền quang khác Cấu trúc chip chia công suất quang 1xN (power splitter) phần tử cấu thành nên mạch quang tích hợp, giao thoa kế Mach - Zehnder [16, 17, 30, 39] Ngoài ra, linh kiện chia quang sử dụng hệ thiết bị quang, hệ thiết bị sensor sợi [21,23] Hiện linh kiện chia công suất quang 1xN chế tạo chủ yếu sử dụng vật liệu Silica on Silicon đạt chất lượng tốt thương mại hóa [2, 29, 44] Tuy nhiên giá thành công nghệ chế tạo linh kiện quang từ vật liệu Silica on Silicon cao, đặc biệt số vị trí hệ thống đường truyền thông tin quang đầu cuối, trạm sử dụng, yêu cầu linh kiện chia công suất quang chất lượng cao yếu tố quan trọng mà linh kiện có giá thành thấp Sự phát triển mở rộng mạng quang ngày lớn, đặc biệt hệ thống mạng quang truyền dẫn đến hộ gia đình (FTTH) cần số lượng linh kiện quang lớn giá thành hạ Hiện bên cạnh vật liệu sợi quang, vật liệu quang tử planar ngày quan tâm nghiên cứu Vật liệu quang tử planar chế tạo cấu trúc dẫn sóng quang tích hợp làm sở cho hệ điều hành công nghệ thông tin tương lai Trong lĩnh vực này, vật liệu vô (như hợp kim bán dẫn, thủy tinh hay gốm), vật liệu hữu cao phân tử vật liệu lai hữu cơ-vơ nhiều phịng thí nghiệm giới quan tâm nghiên cứu Phần lớn nghiên cứu vật liệu vô tập trung vào hệ vật liệu bán dẫn sở silic A3B5 Sau thời gian dài nghiên cứu, cơng nghệ chế tạo vật liệu dẫn sóng từ vật liệu oxit silic (SiO2) sử dụng oxit germani (GeO2) làm tác nhân điều chỉnh xây dựng Bằng công nghệ quang khắc chế tạo thành công số loại linh kiện dẫn sóng làm sở triển khai mạng thông tin hệ Tuy nhiên, hướng nghiên cứu dựa vật liệu bán dẫn phải xuất phát từ TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com 10 tảng khoa học cơng nghệ tiên tiến địi hỏi có đầu tư lớn sở vật chất Trong năm gần đây, xu hướng nghiên cứu hệ vật liệu lai hữu - vô thu hút quan tâm nhiều nhóm nghiên cứu nước, ưu việt công nghệ chế tạo vật liệu linh kiện, khả tương thích với cơng nghệ vi điện tử sẵn có, đặc biệt khả ứng dụng phát triển với đầu tư ban đầu thấp, gía thành sản phẩm hạ Trong lĩnh vực vật liệu lai vật liệu lai hữu vơ chế tạo phương pháp solgel có ưu lớn ngày nhiều sở nghiên cứu giới tập trung nghiên cứu Phương pháp hoá học keo sol-gel đánh giá phương pháp quan trọng đa việc tổng hợp vật liệu có chất lượng cao, sử dụng công nghệ điện tử, vi điện tử gần quang tử Một điều đặc sắc phương pháp cho phép lắp ghép phần vật liệu hữu với phần vật liệu vơ có tính chất hố lý khác mức độ trộn lẫn đến cỡ nanơ mét chí đến mức độ phân tử để thu vật liệu mới, vật liệu lai có độ đồng cao tính chất mong muốn Một số khả ứng dụng vật liệu lai hữu - vô mà thu hút quan tâm nhà khoa học ứng dụng làm vật liệu dẫn sóng quang Các kết nghiên cứu công bố cho thấy, vật liệu cao phân tử lai hữu cơ-vô khơng có nhiều tính chất lý thú mà cịn vật liệu có nhiều triển vọng cho việc chế tạo linh kiện quang học nối quang, nối định hướng, dồn kênh/phân kênh cách tử dẫn sóng (AWG), chuyển mạch, lọc điều hướng, làm suy yếu biến thiên (VOAs), khuyếch đại Những linh kiện dẫn sóng quang thành phần chủ chốt cho mạng truyền thông đại dựa cơng nghệ gộp - tách sóng (WDM) Việc tìm kiếm cơng nghệ mới, nhằm chế tạo vật liệu với mong muốn giảm kích thước linh kiện, tăng mật độ, giảm giá thành Chính tiêu chí chiến lược nêu thúc đẩy nghiên cứu tìm kiếm vật liệu cơng nghệ chế tạo linh kiện cho hệ thống thông tin quang Trong vài năm gần đây, số sở nghiên cứu lớn trường đại học nước bắt đầu tham gia vào hướng nghiên cứu nhiều triển vọng Chính đề tài nghiên cứu lựa chọn cho luận văn là: Nghiên cứu thiết kế quy trình chế tạo chip chia công suất quang 1x2 từ vật liệu lai nanô ASZ Mục tiêu nghiên cứu đặt thiết kế chip chia công suất quang 1xN (N = 2, 4, 8), nhằm tối ưu cấu trúc chip theo hệ vật liệu lai nanô ASZ chế tạo chip chia công suất quang 1x2 theo thiết kế vật liệu lai nanô ASZ Thiết kế chip 1xN phần mềm chuyên dụng OptiWave7.0, phương pháp chế tạo chip 1x2 quang vi hình trực tiếp Sử dụng phương pháp nghiên cứu tính chất quang tử vật liệu chíp dẫn sóng quang sở thiết bị TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com 11 đại trang bị Phịng thí nghiệm trọng điểm Quốc gia ―Vật liệu linh kiện điện tử‖ Nội dung luận văn phần nhánh đề tài nhà nước KC.02.14,và NCCB 801304 (2001-2005) thuộc chương trình nghiên cứu (ngành Khoa học Vật liệu) Nội dung luận văn chia thành chương sau: Chương 1: Trình bày tổng quan vật lí, vật liệu quy trình chế tạo dẫn sóng quang phẳng Chương 2: Nghiên cứu tính chất vật lí vật liệu dẫn sóng nano ASZ Tiến hành đo thơng số vật liệu lai nano ASZ: chiết suất, hệ số tổn hao quang vật liệu Chương 3: Thiết kế chip chia công suất quang, triển khai thực nghiệm chế tạo chip chia công suất quang tiến hành đo đạc thông số chip TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com 12 Chương VẬT LÍ, VẬT LIỆU VÀ QUY TRÌNH CHẾ TẠO DẪN SĨNG QUANG PHẲNG Trong chương này, chúng tơi trình bày tổng quan về: 1) Dẫn sóng quang tầng linh kiện chia quang 1xN, 2) Các phương pháp tính số dùng thiết kế, mơ lan truyền ánh sáng linh kiện quang, 3) Các loại vật liệu dẫn sóng quang kĩ thuật chế tạo dẫn sóng, 4) Vật lí thơng số vật liệu dẫn sóng quang linh kiện chia quang Những kiến thức làm sở lí luận liên quan trực tiếp đến nghiên cứu tính chất quang vật liệu dẫn sóng quang chương nghiên cứu chế tạo chip chia công suất quang 1x2 chương 1.1 Dẫn sóng quang tầng Dẫn sóng quang có chức điều khiển ánh sáng lan truyền, phân loại theo nhiều cách khác chia theo chức năng, chia theo cấu trúc hình học, chia theo phương giam giữ ánh sáng Tuy vậy, dẫn sóng quang có đặc điểm chung là: giam giữ ánh sáng lan truyền theo phương phương định Để mơ tả tượng vật lí ―giam giữ‖ ―lan truyền‖ ánh sáng dẫn sóng quang ta chọn dẫn sóng dẫn sóng tầng Hình 1.1 cấu trúc dẫn sóng tầng, bao gồm màng dẫn sóng (lõi) có chiết suất n1 lớp vỏ chiết suất no bao quanh Các hệ số vật lí dẫn sóng quang tầng là: số lan truyền giam giữ ánh sáng, số mode dẫn, phân bố lượng, tổn hao quang, tốc độ nhóm 1.1.1 Điều kiện giam giữ ánh sáng Trên hình 1.1 mơ tả chùm tia sáng bước sóng  từ nguồn sáng (sợi quang, laser led) nằm mặt phẳng khác tạo với pháp tuyến mặt lõi (trục Oz) góc đến khác Có ba trường hợp xảy ra:  Với tia sáng nằm mặt phẳng xOz tạo với trục Oz góc  thích hợp nhỏ góc tới hạn max (góc tính theo cơng thức 1.3.a) chúng lan truyền lõi  Với tia sáng khơng nằm mặt phẳng xOz có góc tới  nhỏ góc tới hạn max chúng khúc xạ mặt đầu vào lõi lan truyền màng dẫn sóng Chùm tia khúc xạ không giam giữ theo phương Ox nên chúng truyền thẳng theo phương Oy bị khúc xạ vào vỏ  Với tia sáng có góc tới  lớn góc tới hạn max chúng phản xạ hoàn toàn mặt đầu vào lõi TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com 51 Thông số ánh sáng lan truyền chip điều kiện biên  Ánh sáng lan truyền linh kiện đơn sắc có bước sóng 1.55 m, phân cực TE có cường phân bố dạng Gauss (hình 3.4.a)  Điều kiện biên suốt TBC (như nêu Chương 1)  Bước tính số 0.5 m Trong mô phỏng, giả sử chiết suất hai nhánh (n1 = n2 = 1.4850) nên hệ số MCF = Do vậy, thiết kế giả sử chip hoạt động chia công suất quang, thiết kế cần chọn bán kính cong thích hợp với giá trị chiết suất vật liệu nano ASZ, nhằm giảm tổn hao uốn cong vùng phân chia cường độ ánh sáng Kết mơ hình 3.4.a phân bố cường độ ánh sáng đầu vào hình 3.4.b phân bố cường độ ánh sáng hai đầu chip Hiệu suất lượng ánh sáng hai đầu so với đầu vào 90% b) Cường độ ánh sáng đầu a) Cường độ ánh sáng đầu vào phân bố dạng Gauss Hình 3.4 Cường độ ánh sáng đầu vào chip Hình 3.5 mơ ánh sáng lan truyền chip chia công suất 1x2, màu đỏ ứng với cường độ ánh sáng mạnh (chuẩn hoá 1) Trên hình 3.5 cho thấy ánh sáng phân bố hai nhánh chip, chứng tỏ với cấu trúc thiết kế chip hoạt động tốt chức chia công suất ánh sáng TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com 52 Hình 3.5 Trường ánh sáng 3D lan truyền chip chia cơng suất 1x2 Cấu trúc chíp sau thiết kế xuất dạng file Autocad hình 3.6 Lưu ý, hình 3.6 bên cạnh kênh dẫn sóng chia cơng suất cịn có kênh dẫn sóng thẳng, bốn đoạn ngắn làm định vị, hai đường vàng lớn làm biên chip Hệ làm Mask sử dụng file Autocad chế tạo Mask hình 3.7 Hình 3.6 Mặt nạ chip chia cơng suất quang 1x2 file Autocad Hình 3.7 Mặt nạ chip chia công suất quang 1x2, 1x4, 1x8 3.3 Chế tạo chip chia quang 1x2 Quy trình chế tạo chip chia công suất quang phân làm ba giai đoạn mơ tả hình 3.8 bao gồm:  Giai đoạn I: trải màng theo phương pháp nhúng kéo (Dip-Coating) đế Silica hệ thiết bị mô tả hình 2.8 (chương 2)  Giai đoạn II: tạo cấu trúc chip chia công suất quang cách chiếu chùm tia tử ngoại song song (UV) qua mặt nạ (MASK) TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com 53  Giai đoạn III: ủ chip chia cơng suất quang lị nung nhiệt Venticell 111 mơ tả hình 2.9 (chương 2) nhằm ổn định cấu trúc chip Trong giai đoạn I: Trải màng mỏng đế Silica có kích thước 2.5x7.5 cm, sử dụng vật liệu lai hữu - vô nano ASZ Các thông số vật liệu nano ASZF hệ trải màng là: - Độ nhớt dung dịch nano ASZ 25 cSt - Tốc độ nhúng kéo mẫu: mm/s - Tiến hành điều kiện phòng sạch, nhiệt độ phòng 250C Trong giai đoạn II: Tạo cấu trúc chip chia công suất quang lên màng vật liệu ASZ hệ chiếu chùm tử ngoại (UV), sơ đồ hệ chiếu UV hình 3.9 hình 3.10 ảnh hệ chiếu tạo cấu trúc chip chia quang Đế SiO2 Màng ASZ Dip-Coating Đế SiO2 I Tạo cấu trúc chip I I Đế SiO2 UV II I lí Xử MASK Màng ASZ nhiệt Đế SiO2 Hình 3.8 Qui trình chế tạo chip chia cơng suất quang 1x2 Máy đo công suất quang (model 1835-C, Newport) Digital Real-time Oscilloscope TDS 340A, Tektronix Giữ mẫu, quan sát chùm UV Hệ quang điều chỉnh chùm UV Đèn thuỷ ngân 500 W phát UV Bộ khí Bộ đo cơng suất quang Hình 3.9 Sơ đồ hệ chiếu UV tạo cấu trúc dẫn sóng TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com 54 Hình 3.10 Hệ tạo cấu trúc chip chia quang Nguồn phát UV đèn thuỷ ngân xenon có phổ phát xạ hình 3.11 Phổ đèn thuỷ ngân xenon có đỉnh phổ cực đại 313 nm, 365 nm nằm vùng hấp thụ mạnh vật liệu ASZ pha chất cảm quang DPA Hình 3.11 Phổ quang đèn thuỷ ngân Xenon Nhiệt độ (0C) Mask đặt gần màng, công suất chùm UV trì ổn định 30 mW/cm2 thời gian chiếu 30 phút Trong giai đoạn III: Bước mẫu xử lý nhiệt nhằm ổn định làm bền cấu trúc dẫn sóng lị Chu sấy (hình chu trình ủ nhiệt khảo sát trình 2.9), ủ nhiệt lựa chọn tối ưu hình 3.12 150 120 90 60 30 0 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 Thời gian ủ (h) Hình 3.12 Chu trình xử lí nhiệt cho chip sau tạo cấu trúc TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com 55 Hình 3.13 Mẫu chip chia cơng suất 1x2 3.4 Đo thông số chip chia quang 1x2 3.4.1 Hình thái bề mặt chip PS1x2 Sử dụng máy đo Alpha-Step IQ– Surface Profiler (hình 2.12) ta thu ảnh cấu trúc chip hình 3.14 Đường kênh dẫn sóng thẳng, đường chip chia cơng suất, ảnh phóng đại 100 lần cho thấy đường dẫn sóng rõ nét 11 21 22 Hình 3.14 Cấu trúc chip phân chia cơng suất 1x2 1-1 2-1 2-2 Hình 3.15 Tăng chiều dày kênh dẫn sóng Hình 3.15 hình thái bề mặt kênh dẫn sóng , có số nhận xét sau:  Đối xứng hình học, độ bán rộng kênh 50 m, hai kênh cách 250m  Đồng chiều dày, phần kênh dẫn thay đổi khoảng 0.47-0.5 m  Bề mặt đồng góc chia kênh dẫn rõ ràng TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com 56 Từ kết đo cho thấy, chip PS1x2 có cấu trúc hình học đạt tốt theo thiết kế ban đầu Sự lên kênh vật liệu ASZ nhạy quang chiếu UV chứng tỏ xảy trình phản ứng quang trùng hợp, làm chiết suất kênh dẫn sóng tăng lên lớn chiết suất vùng xung quang Vậy khẳng định chip chia công suất quang 1x2 hình thành 3.4.2 Hiệu suất truyền dẫn ánh sáng Sơ đồ ngun lí đo: hình 3.16 sơ đồ ngun lí đo hiệu suất truyền dẫn ánh sáng chip PS1x2, bao gồm sợi quang đơn mode (đường kính lõi sợi m) ghép với đầu vào chip, đầu chip ghép với sợi quang đa mode (đường kính lõi sợi 50 m) Việc ghép sử dụng hệ ghép quang chuyên dụng Kohzu, có khả dịch chuyển sáu chiều (bước dịch m, góc dịch 30) Ánh sáng từ sợi quang đa mode chuyển qua tín hiệu điện đo tín hiệu điện Osciloscope Thực nghiệm kết quả: hình 3.17 ảnh hệ thực nghiệm đo hiệu suất hoạt động chip PS1x2 Ánh sáng phát từ laser DFB độ đơn sắc cao (0.5 nm), bước sóng 1550 nm, ghép đầu vào sợi quang đơn mode Tại đầu sợi đơn mode ghép nối với đầu vào chip hệ vi chỉnh Kohzu Công suất quang đầu sợi quang đơn mode khơng đổi có giá trị 0.25 mW tương ứng với tín hiệu điện 0.3V đo Osciloscope (đường 1, hình 3.18.a) Khi đầu sợi đơn mode ghép vào kênh dẫn sóng thẳng đầu vào (hình 3.14) đầu 1-1 tương ứng thu tín hiệu điện 15 mV (đường 1-1, hình 3.18 b) tương ứng cơng suất quang 0.015 mW, hiệu suất dẫn sóng kênh thẳng 6% Khi đầu sợi đơn mode ghép vào đầu vào chip chia quang PS1x2 kênh (hình 3.14) đầu 2-1 thu tín hiệu điện 7.5 mV (đường 2-1, hình 3.18.c) tương ứng cơng suất quang 0.0075 mW, đầu 2-2 thu tín hiệu điện 7.0 mV (đường 2-1, hình 3.18.d) tương ứng cơng suất quang 0.007 mW, hiệu suất dẫn sóng Chip 5.5% Laser Kohzu Sợi quang SP1x2 Error! Photodetector Sợi quang Osciloscope Hình 3.16 Sơ đồ ngun lí đo thơng số hoạt động chip PS1x2 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com 57 Hình 3.17 Hệ đo cơng suất ánh sáng đầu vào/ra a a 1-1 Hình 3.18 a) Tín hiệu điện tương ứng với Hình 3.18 b) Tín hiệu điện tương ứng công suất quang đầu sợi đơn với công suất quang đầu mode kênh dẫn sóng thẳng a 2-1 a 2-2 Hình 3.18 c) 2-1 Tín hiệu điện tương ứng Hình 3.18 d) Tín hiệu điện tương ứng với cơng suất kênh 2-1 chip với công suất kênh 2-2 chip 3.4.3 Thảo luận kết Hiệu suất truyền dẫn lượng ánh sáng laser bước sóng 150 nm chip PS1x2 5.5% Giá trị hiệu suất thấp nhiều so với yêu TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com 58 cầu thực tế ứng dụng Nguyên nhân dẫn đến hiệu suất truyền dẫn công suất chip PS1x2 thấp là:  Tổn hao ánh sáng đầu vào chip, nơi ghép nối với sợi đơn mode lớn Điều chứng tỏ sử dụng laser bước sóng 600 nm làm nguồn phát, vị trí ghép nối sợi quang đơn mode với đầu vào chip thu ảnh hình 3.19 Từ ảnh thực nghiệm cho ta thấy ánh sáng từ sợi đơn mode đến mặt vào kênh dẫn sóng chip SP1x2 bị tán xạ mạnh Do hiệu suất ánh sáng chui vào kênh dẫn chip trở thành mode dẫn kênh dẫn chip SP1x2 thấp Ánh sáng bị tán xạ mạnh bề mặt kênh dẫn bề mặt khơng đánh bóng, độ ghồ bề mặt làm thay đổi phương ánh sáng từ sợi đơn mode  Tổn hao hấp thụ không lớn hệ số hấp thụ bước sóng 1538 nm cho vật liệu nano ASZ xác định chương 0.8 dB/cm chiều dài kênh dẫn 1.4 cm  Tổn hao không đồng chiết suất kênh dẫn, không đồng chiều dày, chiều rộng kênh dẫn đóng góp đáng kể vào làm giảm hiệu suất chip SP1x2 Để vượt qua nguyên nhân cần nâng cấp thiết bị cơng nghệ chế tạo chip như: thiết bị xử lí đánh bóng mặt chip đầu vào đầu thiếu, hệ tạo chùm chùm UV chưa thật song đồng cường độ chiếu sáng đặc biệt cần hợp tác nhiều sở từ nghiên cứu đến triển khai ứng dụng 3.5 Kết luận Trong chương luận văn trình bày kết nghiên cứu sau: - Đã mô phỏng, thiết kế máy tính cấu trúc chíp dẫn sóng sở phần mềm chuyên dụng Optiwave 7.0 - Đã chế tạo chip dẫn sóng chia cơng suất quang sử dụng vật liệu lai vô - hữu chế tạo Viện KHVL - Đã ghép nối chip chia quang với hệ thu phát laser bán dẫn Kết bước đầu, thu hiệu ứng dẫn sóng chia kênh với vật liệu ASZ cấu trúc chia quang thiết kế TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com 59 KẾT LUẬN Các kết thu luận văn: Xác định thông số vật liệu lai hữu - vô nano ASZ chiết suất, tổn hao quang, hệ số quang nhiệt Khảo sát tính nhạy quang vật liệu ASZ pha thêm DPA, đo độ tăng chiết suất chiều dày Khảo sát ảnh hưởng tốc độ nhúng kéo, độ nhớt vật liệu nano ASZ lên chiều dày màng độ gồ ghề màng Đã thiết kế cấu trúc dẫn sóng PS1x2 phần mềm OptiWave 7.0, xác định cấu trúc hình học tối ưu chíp phù hợp với tính chất vật liệu lai nano ASZ Từ thiết kế cấu trúc PS1x2 chế tạo thành công mặt nạ, cấu trúc mặt nạ phản ánh trung thực cấu trúc thiết kế Đã tiến hành thí nghiệm chế tạo chip PS1x2 theo bước sau:  Trải màng phương pháp nhúng-kéo với độ nhớt vật liệu 25 cSt, tốc độ kéo mẫu mm/s  Tạo cấu trúc chip PS1x2 lên màng ASZ cách chiếu chùm tử ngoại (đèn Xeno) có cơng suất 30 mW/cm2 với thời gian chiếu 30 phút  Ủ mẫu cấu trúc chip PS1x2 trịng lị sấy có nhiệt độ biến đổi theo thời gian Đã kiểm tra hình thái bề mặt cấu trúc chip PS1x2, kết thu cấu trúc chip PS1x2 theo thiết kế, lên kênh dẫn sóng rõ nét Đã ghép nối chip PS1x2 với sợi cáp quang hệ ghép nối chuyên dụng Kohzu Quan sát thấy hiệu ứng truyền dẫn ánh sáng chia công suất ánh sáng chip PS1x2 Đo công suất ánh sáng sợi cáp quang đầu chip PS1x2, đo công suất ánh sáng đầu chip PS1x2 Xác định hiệu suất truyền dẫn ánh sáng laser bước sóng 150 nm chip PS1x2 5.5% Những vấn đề cần nghiên cứu hoàn thiện mở rộng: Nâng cao hiệu suất dẫn sóng: Để nâng cao hiệu suất dẫn sóng chip PS1x2 thơng số định nâng cao hiệu suất ghép nối ánh sáng sợi quang với đầu vào/đầu chip PS1x2 Cần xử lí bề mặt đầu vào, đầu chip để ghép với sợi quang tốt Tăng độ đồng chiều dày, đồng chiết suất màng kênh dẫn sóng trước sau chiếu chùm tử ngoại TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com 60 Đóng gói: Để chip PS1x2 bền sử dụng thực tế cần đóng gói chíp, gắn kết cố định đầu vào/ra chip với sợi cáp quang Thử nghiệm hoạt động PS1x2 mạng thông tin quang: Để đánh giá chất lượng thông số linh kiện PS1x2 cần tiến hành lắp ghép linh kiện mạng thông tin quang Tiến hành đo số thông số xuyên kênh, khả hoạt động ổn định vv Chế tạo linh kiện khác: Vật liệu nano ASZ cho phép chế tạo linh kiện chia công suất 1x4, 1x8, 1x32 cở sở tương tự linh kiện chia cơng suất 1x2 Ngồi ra, hệ số quang nhiệt vật liệu nano ASZ lớn (-2.2x10-4) nên sử dụng vật liệu chế tạo chuyển mạch quang NxM đại TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com 61 DANH MỤC CƠNG TRÌNH CỦA TÁC GIẢ N.T.Thanh, N.T.Binh, D.T.Trung, N.T.Huong, L.Q.Minh, (2006) ―Fabrication of planar wave guide chip for splitting or combining infrared light beam‖, Procesding of the 1st IWOFM-3RDIWONN, Page 368-371 Nguyễn Tất Thành, Nguyễn Thanh Bình, Nguyễn Thanh Hường, Dương Thành Trung, Phan Việt Phong, Vũ Thị Nghiêm, Vũ Doãn Miên, Lâm Thị Kiều Giang, Lê Quốc Minh, (2006), ―Thiết kế chế tạo chip chia công suất quang đa mode từ vật liệu lai hữu cơ-vụ nano ASZ‖, Hội nghị Quang học-Quang phổ Cần Thơ 15-19/8 Nguyễn Tất Thành, Nguyễn Thanh Bình, Lê Quốc Minh, (2005), ―Nghiên cứu tính chất vật lí cấu trúc dẫn sóng sử dụng phương pháp tiếp xúc lăng kính‖, Hội nghị Vật lí tồn quốc, Tr 441-444 N T Thanh, N T Huong, N T Binh, and L Q Minh, (2004), ―Preparation and thermooptic properties of solgel hybrid materials from MAPTMS and ZOP‖, at 9th Asia Pacific Physics Conference (9th APPC), Hanoi, October 25-31/ 2004, pp 609-610 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com 62 TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng Việt N T Hường, N T Bình, L.Q Minh (2003), ―Kết nghiên cứu chế tạo vật liệu cấu trúc dẫn sóng planar dạng tầng từ vật liệu lai hữu – vô kích thước nano‖, Hội nghị VL Chất rắn tồn quốc lần thứ IV, Kỉ yếu núi cốc 5-7/11/2003, Tr 341-345 Lê Quốc Minh, Trần Kim Anh, Nguyễn Thanh Hường, Charles Barthou, Nguyễn đức Chiến (2003), ―Vật liệu dẫn sóng tích cực sở Silica pha Erbie", Hội nghị Vật lý Chất rắn toàn quốc lần thứ III - Nha trang 810/8/2001, tr 185-192, in năm 2003 Nguyễn Thanh Hường, Dương Thành Trung, Nguyên Thanh Bình Lê Quốc Minh (2005), ―Tổng hợp vật liệu lai ba thành phần MAPTMS, TEOS TPOT nhằm chế tạo chip dẫn sang sử dụng đế thủy tinh pyrex‖ Tuyển tập báo cáo Hội nghị Vật lý Toàn Quốc Lần thứ VI, Hà Nội, 23-25/11/2005, tr 338-341 Nguyễn Thanh Hường, Dương Thành Trung, Nguyên Thanh Bình Lê Quốc Minh (2005), ―Tổng hợp vật liệu lai ba thành phần MAPTMS, TEOS TPOT nhằm chế tạo chip dẫn sang sử dụng đế thủy tinh pyrex‖ Tuyển tập báo cáo Hội nghị Vật lý Toàn Quốc Lần thứ VI, Hà Nội, 23-25/11/2005, tr 338-341 Nguyễn Thanh Hường, Nguyễn Thanh Bình, Phan Việt Phong, Phạm Anh Tuấn, Mẫn Hoài Nam, Hoàng Thị Khuyên, Hồng Việt Hưng, Trần Kim Anh, Chu Đình Thúy, Michel Dumont, Nguyễn Chí Thành Lê Quốc Minh (2003), ―Kết nghiên cứu chế tạo vật liệu cấu trúc planar dạng tầng từ vật liệu lai vô hữu kích thước nanơ‖ Tuyển tập báo cáo Hội nghị Vật lý Chất rắn Toàn Quốc Lần thứ IV, Núi Cốc, 5-7/11/2003, tr 341-345 Nguyễn Thanh Hường, Trần Kim Anh, Nguyễn Thanh Bình, Lê Quốc Minh (2003), ―Nhiễu xạ tia X, Phổ microraman trình biến đổi vi cấu trúc màng dẫn sóng silica-titania‖, Tuyển tập báo hội nghị Vật lý toàn quốc lần thứ V, Hà nội, 1-3/3/2001, tr 954-958, in năm 2003 Nguyễn Thanh Hường, Trần Thu Hương, Vũ Thị Nghiêm, Lâm Thanh Nhàn, Charles Bathou, Trần Kim Anh, Lê Quốc Minh (2001), ―Nghiên cứu trình biến đổi vi cấu trúc qúa trình ủ nhiệt màng dẫn sóng Silica/Titania Silica/Zirconia‖, Tuyển tập báo cáo Hội nghị Vật lý Chất rắn toàn quốc lần thứ III, Nha trang 8-10/8/2001, tr 209-215, in năm 2003 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com 63 Tiếng Anh 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 A B Seddon (2000), ―Potential of organic-inorganic hybrid materials, derived by sol-gel, for photonic applications,‖ Proc SPIE CR68, pp143 A G Rickman et al (1993), ―Silicon-on-insulator optical rib waveguide circuits for fiber optic sensors", Proc SPIE 2071, p190 A Ougazzaden et al (1996), ―Strained InGaAsP/InGaAsP/InAsP multiquantum well structure for polarization insensitive electroabsorption modulator with high power satuaration,‖ Appl Phys Lett.69, 4131 A Radojevic et al (2002), ―Hybrid integrated optical polarization mode converters and low-optica modulators using crystal-ion-sliced LiNbO3 thin films,‖ Proc SPIE 4652 B E.A Salech, M.C Teich, Fundamental of Photonics, Wiley Series in Pure and Applied Optics J.W.Goodman, Editor BURNS, w., and MILTON, F.: ‗Mode conversion in planar dielectric separating waveguides‘, IEEE J Quantum Electron, , (11), pp 32-39 E.M Yeatman(1975), ―Sol-gel fabrication for optical communication components: prospects and progress", Proc SPIE CR68, p119 E.M Yeatman(1997), “Sol-gel farbrication for optical communication components: prospects and progress”, Proc SPIE CR68, 119 G J M Krijnen, H J W M Hoekstra, P V Lambeck and T J M A Popma(1992), ―Simple analytical description of forfermance of YJuntion‖, Electronics letters, Vol.28 No.22 G.J.M Krijnen, H.J.W.M Hoekstra, P.V Lambeck, and Th.J.A.Popma, ―Simple analytical description of the performance of Yjunctions‖, Electr Lett., 28(22), pp2072-2074 H A Macleod (1986), Thin film optical filters, Macmillian, New York H Nishihara, M Haruna, and T Suhara (1989), Optical Integrated Circuit, McGraw Hill, NY H Pulker (1984), Coatings on Glass, Elsevier, New York, H.Erlig et al (2001), ―Applications of state-of-the-art polymer modulators‖, Proc Integrated Photonics Res Conf., ITuH3 Haruna, M and J.Koyama(1981), ―Thermo-optic effect in LiNbO3 for light deflection and switching”, Electron Lett., 17(22), p 842-844 J Carroll (2001), ―Motorola‘s thoughbeam spinoff targets GaAs-onSilicon‖, Converge Network Dig,11 J R Busch et al (1996), ―Linear electro-optic response in sol-gel planar waveguide,‖ Electron Lett 28, p 298 J.-P.Krumme et al (1989), ―Optical recording aspects of rf magnetron- TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com 64 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 sputtered iron-garnet films,‖ J.Appl Phys, (66), p 4393 K Noguchi et al (1998), ―Millimeter-wave Ti: LiNbO3 optical modulators,‖ J Lightwave Technol 16, 615 K Noguchi (1998), ―Optical free-space multichannel switches composed of liquid-crystal light-modulator arrays and birefringent crystals,‖ J Lightwave Technol, 16, p 1437 K Worhoff et al (1999), ―Design, tolerance analysis, and fabrication of silicon oxynitride based planar optical waveguide for communication devices,‖ J.Lightwave Technol, 17, p1401 Katsunari Okamoto (2000), Fundamental of Optical Waveguidws, Printed in the United States of America Kobayashi et al (1992), ―Novel waveguide Y-branch for low-loss 1xN splitters, Proc of Optical Fiber Commu” Conf (OFC), vol.1 L Eldada (2001), ―Advances in Polymeric Integrated Optical Componentry‖ Pro Integrated Photonics Reseach Conf 19, ItuHl L Eldada (2002), "Polymer Integrated Optics: Promise vs Practicality,‖ Proc SPIE, p 4642 L Q Minh , N T Huong,T.T Huong, H T.Khuyen, P M Tuan, M H Nam, N.T Binh, T K Anh , C D Thuy, C Barthou, M Dumont and N T Thanh (2003), ―Development of solgel materials for photonics and optical telecommunication application‖, Proceedings of GV6 on Physics and engineering, Chemnitz, Germany, p120 -123 L.Eldada et al (2000), ―Advances in Polymer Integrated Optics,‖ J.Select Top Quant Electron, (6), p 54 L.Prod‘home (1960), Phys.Chem Glasses 4, 119 L.Q.Minh, N.T.Huong, C Barthou, P Benalloul, W Strek, T K Anh (2002), ―Eu3+- and Er3+- doped SiO2 - TiO2 sol-gel films for active planar waveguide‖, Materials Science, Vol 20,(2), p 47-52 Louary Eldada (2002), Optical Networking Component, Dupont Photonics Technologies M Scobey et al (1999), ―Thin film based components for optical add/drop", SOA TOPS WDM Components (29), p 25 Mitsunaga, K.,M.Masuda, and J.Koyama (1980), "Characteristics of an optical branching waveguide in LiNbO3", Trans IECE of Japan, 63-C(3), p178-185 N N Toan, M A Tuan, T T Huong, N.T Huong, C Barthou, T.K.Anh, L.Q Minh, and N.Duc Chien (2000), "Solgel prepared silica-based materials for sensors and optoelectronic applications", Prceedings of COMMAD, Conference on Optronic and Microelectronic Materials and TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com 65 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 Devices, Melbourne, Australia, p 304-308 N.T Huong, P.A Tuan, H.T Khuyen, L Q Minh (2002), ―Fabrication and properties of photosensitive organic- inorganic hybrid waveguide materials‖ given at third Vietnam National Conference on Optics and Spectroscopics, p 383-387 OKAYAMA, H., USHIKUBO, T.,and KAWAHARA (1991), ‗Low-drivevoltage Y-branch digital optical switch‘, Electron Letr , (27), p 24-26 Optiwave Systems Inc., Website, page link: http://www.optiwave.com/2006/corporate/testimonials.htm R Alfermess (1990), ―Titanium-diffused lithium niobate waveguide devices‖, Guided-wave optoelectronics, New York, p.145 R Dixon (2002), ―SDK develops inch InP wafers,‖ Compound Semiconductor 8-4 R Noé et al., ―Polarization mode dispersion compensation at 10, 20, and 40 Gb/s withvarious optical equalizers,‖ J Lightwave Technol T J Wang et al (2000), ―Wide-angle Ni-diffused LiNbO3 abrupt waveguide bend with a proton-exchanged microprism,‖ J Select Top Quant Electron, (6), p94 T K Anh, L Q Minh, N Vu, T Thu Huong, N Thanh Huong, C Barthou, W Strek(2003), ―Nanomaterials containing rare-earth ions Tb,Eu,Er and Yb: Preparation, optical Properties and Application Potential‖, J Luminescence, (102-103), p 391-394 T T Huong, N T Huong, L T Nhan, P A Tuan, T K Anh, M Heber, C Laubschat, C Barthou and L.Q Minh (2002), ―Fabrication, Optical and Surface Properties of erbium doped silica-titaninia and silica-zirconia thin film for planar wave guide‖, Proceedings of VG5 Fifth Vietnam-German Seminar on Physics and Engineering, Hue, p 277-280 T.Miya (2000), ―Silica-based planar lightwave circuits: passive and thermally active devices‖ J.Select Top Quant Electron, 6, p38 T.Tsukada (1974), ―GaAs-Ga1-xAlxAs buried heterostructre injection lasers,‖ J.Appl.Phys.45, 4899 V.Morozov et al (2000), ―Fused fiber optic variable attenuator,‖ Proc Optical Fiber Communication Conf, p22 W Tolksdorf (1989), ―Liquid phase epitaxy of garnets‖, Crystal Grownth in Science and Technology, Plenum, New York, p 397 W.K.Burns, and A.F Milton, ―Mode conversion in planardielectric separating waveguides,‖ IEEE J Quant Electr., 11(1), p 32-39 Y Hibino et al (2000), ―Fabrication of silica-on-Si waveguide with higher index difference and its application to 256 chanel arrayed-waveguide multi/demultiplexer,‖ Proc Optical Fiber Communication Conf., p 127 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com ... tài nghiên cứu lựa chọn cho luận văn là: Nghiên cứu thiết kế quy trình chế tạo chip chia công suất quang 1x2 từ vật liệu lai nanô ASZ Mục tiêu nghiên cứu đặt thiết kế chip chia công suất quang. .. Chương THIẾT KẾ VÀ CHẾ TẠO CHIP CHIA CÔNG SUẤT QUANG Trong chương chúng tơi trình bày nghiên cứu thiết kế chế tạo chip chia công suất quang 1x2 (PS1x2) từ vật liệu lai hữu cơ- vô ASZ Nghiên cứu phần... chip theo hệ vật liệu lai nanô ASZ chế tạo chip chia công suất quang 1x2 theo thiết kế vật liệu lai nanô ASZ Thiết kế chip 1xN phần mềm chuyên dụng OptiWave7.0, phương pháp chế tạo chip 1x2 quang