1. Trang chủ
  2. Luận Văn - Báo Cáo

Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

168 28 0
Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

Thông tin tài liệu

Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Ngày đăng: 10/05/2022, 21:26

Xem thêm:

Hình ảnh liên quan

Hình 1.1 Hệ thống phóng điện phát sáng một chiều - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 1.1.

Hệ thống phóng điện phát sáng một chiều Xem tại trang 22 của tài liệu.
trình bày trong hình 1.15 và phụ lục 3. - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

tr.

ình bày trong hình 1.15 và phụ lục 3 Xem tại trang 47 của tài liệu.
Hình 1.16 Bộtiết diện va chạm của các electrontrong nguyên tử Ar [57, 82] - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 1.16.

Bộtiết diện va chạm của các electrontrong nguyên tử Ar [57, 82] Xem tại trang 48 của tài liệu.
Hình 1.17 Bộtiết diện va chạm của các electrontrong nguyên tử Kr [44] - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 1.17.

Bộtiết diện va chạm của các electrontrong nguyên tử Kr [44] Xem tại trang 49 của tài liệu.
Hình 1.18 Bộtiết diện va chạm của các electrontrong nguyên tử Xe [73, 92] - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 1.18.

Bộtiết diện va chạm của các electrontrong nguyên tử Xe [73, 92] Xem tại trang 50 của tài liệu.
Hình 1.19 Bộtiết diện va chạm của các electrontrong nguyên tử He [77, 92] - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 1.19.

Bộtiết diện va chạm của các electrontrong nguyên tử He [77, 92] Xem tại trang 51 của tài liệu.
Hình 2.1 Hàm phân bố Maxwellian và Druyvesteyn [14] - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 2.1.

Hàm phân bố Maxwellian và Druyvesteyn [14] Xem tại trang 58 của tài liệu.
Hình 2.5 Lưu đồ thuật toán áp dụng phương pháp Monte Carlo - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 2.5.

Lưu đồ thuật toán áp dụng phương pháp Monte Carlo Xem tại trang 71 của tài liệu.
Hình 3.1 Vận tốc dịch chuyển electrontrong phân tử khí TRIES nguyên chất - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 3.1.

Vận tốc dịch chuyển electrontrong phân tử khí TRIES nguyên chất Xem tại trang 80 của tài liệu.
Hình 3.2 Hệ số khuếch tán theo chiều dọc cho phân tử khí TRIES nguyên chất - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 3.2.

Hệ số khuếch tán theo chiều dọc cho phân tử khí TRIES nguyên chất Xem tại trang 81 của tài liệu.
Hình 3.3 Hệ số ion hóa cho phân tử khí TRIES nguyên chất - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 3.3.

Hệ số ion hóa cho phân tử khí TRIES nguyên chất Xem tại trang 82 của tài liệu.
Hình 3.4 Bộtiết diện va chạm phân tử khí TRIES nguyên chất - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 3.4.

Bộtiết diện va chạm phân tử khí TRIES nguyên chất Xem tại trang 83 của tài liệu.
(Hình 3.5b) Vận tốc dịch chuyển electron của hỗn hợp khí TRIES-Ar - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 3.5b.

Vận tốc dịch chuyển electron của hỗn hợp khí TRIES-Ar Xem tại trang 86 của tài liệu.
(Hình 3.5g) Vận tốc dịch chuyển electron của hỗn hợp khí TRIES-Ne - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 3.5g.

Vận tốc dịch chuyển electron của hỗn hợp khí TRIES-Ne Xem tại trang 90 của tài liệu.
(Hình 3.6a) Hệ số khuếch tándọc NDL của hỗn hợp khí TRIES-O2 - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 3.6a.

Hệ số khuếch tándọc NDL của hỗn hợp khí TRIES-O2 Xem tại trang 91 của tài liệu.
chất TRIES và Ar thể hiện ở hình 3.6b lớn hơn của nguyên chất TRIES và nhỏ hơn của nguyên chất Ar. - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

ch.

ất TRIES và Ar thể hiện ở hình 3.6b lớn hơn của nguyên chất TRIES và nhỏ hơn của nguyên chất Ar Xem tại trang 93 của tài liệu.
(Hình 3.6d) Hệ số khuếch tándọc NDL của hỗn hợp khí TRIES-Xe - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 3.6d.

Hệ số khuếch tándọc NDL của hỗn hợp khí TRIES-Xe Xem tại trang 94 của tài liệu.
(Hình 3.6e) Hệ số khuếch tándọc NDL của hỗn hợp khí TRIES-He - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 3.6e.

Hệ số khuếch tándọc NDL của hỗn hợp khí TRIES-He Xem tại trang 95 của tài liệu.
(Hình 3.6g) Hệ số khuếch tándọc NDL của hỗn hợp khí TRIE S– Ne - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 3.6g.

Hệ số khuếch tándọc NDL của hỗn hợp khí TRIE S– Ne Xem tại trang 96 của tài liệu.
(Hình 3.7b) Hệ số khuếch tán theo chiều dọc với độ linh độngelectron (DL/µ) của hỗn hợp khí TRIES – Ar - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 3.7b.

Hệ số khuếch tán theo chiều dọc với độ linh độngelectron (DL/µ) của hỗn hợp khí TRIES – Ar Xem tại trang 98 của tài liệu.
(Hình 3.7c) Hệ số khuếch tán theo chiều dọc với độ linh độngelectron (DL/µ) của hỗn hợp khí TRIES – Kr - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 3.7c.

Hệ số khuếch tán theo chiều dọc với độ linh độngelectron (DL/µ) của hỗn hợp khí TRIES – Kr Xem tại trang 99 của tài liệu.
(Hình 3.7d) Hệ số khuếch tán theo chiều dọc với độ linh độngelectron (DL/µ) của hỗn hợp khí TRIES-Xe - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 3.7d.

Hệ số khuếch tán theo chiều dọc với độ linh độngelectron (DL/µ) của hỗn hợp khí TRIES-Xe Xem tại trang 100 của tài liệu.
(Hình 3.7e) Hệ số khuếch tán theo chiều dọc với độ linh độngelectron (DL/µ) của hỗn hợp khí TRIES-He - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 3.7e.

Hệ số khuếch tán theo chiều dọc với độ linh độngelectron (DL/µ) của hỗn hợp khí TRIES-He Xem tại trang 101 của tài liệu.
(Hình 3.7g) Hệ số khuếch tán theo chiều dọc với độ linh động của điện tử (DL /µ) của hỗn hợp khí TRIES-Ne - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 3.7g.

Hệ số khuếch tán theo chiều dọc với độ linh động của điện tử (DL /µ) của hỗn hợp khí TRIES-Ne Xem tại trang 102 của tài liệu.
(Hình 3.8a) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-O2 - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 3.8a.

Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-O2 Xem tại trang 103 của tài liệu.
(Hình 3.8b) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-Ar - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 3.8b.

Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-Ar Xem tại trang 104 của tài liệu.
(Hình 3.8c) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-Kr - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 3.8c.

Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-Kr Xem tại trang 105 của tài liệu.
(Hình 3.8d) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-Xe - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 3.8d.

Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-Xe Xem tại trang 106 của tài liệu.
(Hình 3.8e) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-He - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 3.8e.

Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-He Xem tại trang 107 của tài liệu.
(Hình 3.8g) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-Ne - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Hình 3.8g.

Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-Ne Xem tại trang 108 của tài liệu.

Trích đoạn

Ứng dụng lắng đọng hơi hóa học tăng cường plasma TRIES trong chế tạo

Phương pháp Monte Carlo

Phương pháp đám electron

Kết luận chương 2

Xác định bộtiết diện va chạmelectron trong phân tử khí TRIES

Cáchệ số chuyển độngelectron của hỗn hợp khí TRIES với O2, Ar, Kr, Xe, He

Cáchệ số ion hóa do va chạm (α/N)

Những đóng góp mới của luận án

Tài liệu cùng người dùng

Tài liệu liên quan