1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

168 29 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 168
Dung lượng 10,01 MB

Nội dung

Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.

Ngày đăng: 10/05/2022, 21:26

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1.1 Hệ thống phóng điện phát sáng một chiều - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 1.1 Hệ thống phóng điện phát sáng một chiều (Trang 22)
trình bày trong hình 1.15 và phụ lục 3. - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
tr ình bày trong hình 1.15 và phụ lục 3 (Trang 47)
Hình 1.16 Bộtiết diện va chạm của các electrontrong nguyên tử Ar [57, 82] - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 1.16 Bộtiết diện va chạm của các electrontrong nguyên tử Ar [57, 82] (Trang 48)
Hình 1.17 Bộtiết diện va chạm của các electrontrong nguyên tử Kr [44] - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 1.17 Bộtiết diện va chạm của các electrontrong nguyên tử Kr [44] (Trang 49)
Hình 1.18 Bộtiết diện va chạm của các electrontrong nguyên tử Xe [73, 92] - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 1.18 Bộtiết diện va chạm của các electrontrong nguyên tử Xe [73, 92] (Trang 50)
Hình 1.19 Bộtiết diện va chạm của các electrontrong nguyên tử He [77, 92] - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 1.19 Bộtiết diện va chạm của các electrontrong nguyên tử He [77, 92] (Trang 51)
Hình 2.1 Hàm phân bố Maxwellian và Druyvesteyn [14] - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 2.1 Hàm phân bố Maxwellian và Druyvesteyn [14] (Trang 58)
Hình 2.5 Lưu đồ thuật toán áp dụng phương pháp Monte Carlo - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 2.5 Lưu đồ thuật toán áp dụng phương pháp Monte Carlo (Trang 71)
Hình 3.1 Vận tốc dịch chuyển electrontrong phân tử khí TRIES nguyên chất - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 3.1 Vận tốc dịch chuyển electrontrong phân tử khí TRIES nguyên chất (Trang 80)
Hình 3.2 Hệ số khuếch tán theo chiều dọc cho phân tử khí TRIES nguyên chất - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 3.2 Hệ số khuếch tán theo chiều dọc cho phân tử khí TRIES nguyên chất (Trang 81)
Hình 3.3 Hệ số ion hóa cho phân tử khí TRIES nguyên chất - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 3.3 Hệ số ion hóa cho phân tử khí TRIES nguyên chất (Trang 82)
Hình 3.4 Bộtiết diện va chạm phân tử khí TRIES nguyên chất - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 3.4 Bộtiết diện va chạm phân tử khí TRIES nguyên chất (Trang 83)
(Hình 3.5b) Vận tốc dịch chuyển electron của hỗn hợp khí TRIES-Ar - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 3.5b Vận tốc dịch chuyển electron của hỗn hợp khí TRIES-Ar (Trang 86)
(Hình 3.5g) Vận tốc dịch chuyển electron của hỗn hợp khí TRIES-Ne - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 3.5g Vận tốc dịch chuyển electron của hỗn hợp khí TRIES-Ne (Trang 90)
(Hình 3.6a) Hệ số khuếch tándọc NDL của hỗn hợp khí TRIES-O2 - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 3.6a Hệ số khuếch tándọc NDL của hỗn hợp khí TRIES-O2 (Trang 91)
chất TRIES và Ar thể hiện ở hình 3.6b lớn hơn của nguyên chất TRIES và nhỏ hơn của nguyên chất Ar. - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
ch ất TRIES và Ar thể hiện ở hình 3.6b lớn hơn của nguyên chất TRIES và nhỏ hơn của nguyên chất Ar (Trang 93)
(Hình 3.6d) Hệ số khuếch tándọc NDL của hỗn hợp khí TRIES-Xe - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 3.6d Hệ số khuếch tándọc NDL của hỗn hợp khí TRIES-Xe (Trang 94)
(Hình 3.6e) Hệ số khuếch tándọc NDL của hỗn hợp khí TRIES-He - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 3.6e Hệ số khuếch tándọc NDL của hỗn hợp khí TRIES-He (Trang 95)
(Hình 3.6g) Hệ số khuếch tándọc NDL của hỗn hợp khí TRIE S– Ne - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 3.6g Hệ số khuếch tándọc NDL của hỗn hợp khí TRIE S– Ne (Trang 96)
(Hình 3.7b) Hệ số khuếch tán theo chiều dọc với độ linh độngelectron (DL/µ) của hỗn hợp khí TRIES – Ar - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 3.7b Hệ số khuếch tán theo chiều dọc với độ linh độngelectron (DL/µ) của hỗn hợp khí TRIES – Ar (Trang 98)
(Hình 3.7c) Hệ số khuếch tán theo chiều dọc với độ linh độngelectron (DL/µ) của hỗn hợp khí TRIES – Kr - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 3.7c Hệ số khuếch tán theo chiều dọc với độ linh độngelectron (DL/µ) của hỗn hợp khí TRIES – Kr (Trang 99)
(Hình 3.7d) Hệ số khuếch tán theo chiều dọc với độ linh độngelectron (DL/µ) của hỗn hợp khí TRIES-Xe - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 3.7d Hệ số khuếch tán theo chiều dọc với độ linh độngelectron (DL/µ) của hỗn hợp khí TRIES-Xe (Trang 100)
(Hình 3.7e) Hệ số khuếch tán theo chiều dọc với độ linh độngelectron (DL/µ) của hỗn hợp khí TRIES-He - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 3.7e Hệ số khuếch tán theo chiều dọc với độ linh độngelectron (DL/µ) của hỗn hợp khí TRIES-He (Trang 101)
(Hình 3.7g) Hệ số khuếch tán theo chiều dọc với độ linh động của điện tử (DL /µ) của hỗn hợp khí TRIES-Ne - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 3.7g Hệ số khuếch tán theo chiều dọc với độ linh động của điện tử (DL /µ) của hỗn hợp khí TRIES-Ne (Trang 102)
(Hình 3.8a) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-O2 - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 3.8a Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-O2 (Trang 103)
(Hình 3.8b) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-Ar - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 3.8b Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-Ar (Trang 104)
(Hình 3.8c) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-Kr - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 3.8c Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-Kr (Trang 105)
(Hình 3.8d) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-Xe - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 3.8d Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-Xe (Trang 106)
(Hình 3.8e) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-He - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 3.8e Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-He (Trang 107)
(Hình 3.8g) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-Ne - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch.
Hình 3.8g Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-Ne (Trang 108)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TRÍCH ĐOẠN

Ứng dụng lắng đọng hơi hóa học tăng cường plasma TRIES trong chế tạo Phương pháp Monte Carlo Phương pháp đám electron Kết luận chương 2 Xác định bộtiết diện va chạmelectron trong phân tử khí TRIES Cáchệ số chuyển độngelectron của hỗn hợp khí TRIES với O2, Ar, Kr, Xe, He

Cáchệ số ion hóa do va chạm (α/N)

Những đóng góp mới của luận án

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w