Kết luận chương 2

Một phần của tài liệu Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch. (Trang 75 - 76)

7. Bố cục của luận án

2.5 Kết luận chương 2

Chương 2 đã thực hiện trình bày được một số nội dung như sau:

- Phương trình xấp xỉ bậc hai Boltzmann, trên cơ sở của phương trình xấp xỉ bậc hai Boltzmann để ta có thể xác định các hệ số chuyển động electron.

- Áp dụng lưu đồ thuật toán tính toán hàm phân bố năng lượng của phương trình xấp xỉ bậc hai Bolzmann để tính toán các hằng số chuyển động.

- Dùng lưu đồ thuật toán của phương pháp Monte Carlo để xác định các tiết diện va chạm từ đó khẳng định tính chính xác của bộ tiết diện ban đầu lấy làm mẫu sau đó tính toán các tham số chuyển động electron bên cạnh đó còn với mục đích để so sánh với phương pháp của phương trình xấp xỉ bậc hai Boltzmann.

- Lưu đồ thuật toán của phương pháp đám electron là cơ sở để khẳng định bộ tiết diện va chạm electron cuối cùng. Những lý thuyết này đã được nghiên cứu sinh sử dụng trong việc nghiên cứu, tính toán các kết quả và được công bố trong 07 bài báo khoa học đã được công bố trong danh mục công trình khoa học đã được công bố của nghiên cứu sinh.

Sau khi đã nghiên cứu những vấn đề trên, tác giả đã áp dụng phương pháp đám electron và sử dụng giải các phương trình của Boltzmann và Monte -Carlo trong việc xác định chính xác bộ tiết diện va chạm electron trong phân tử khí TRIES đồng thời chủ động thực hiệnđánh giá tính đúng đắn của các bộ tiết diện va chạm electron trong phân tử khí O2 và các nguyên tử khí Ar, Kr, Xe, He và Ne. Các kết quả nghiên cứu liên quan được trình bày trong nội dung của chương 3.

CHƯƠNG 3: CÁC KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU

Như đã trình bày ở chương 1 và chương 2, việc xác định bộ tiết diện va chạm electron cho phân tử khí TRIES và các hệ số chuyển động electron trong chất khí/hỗn hợp khí sử dụng khí TRIES là cần thiết. Thứ nhất, nghiên cứu sinh qua tìm hiểu thấy một số chất cùng họ với TRIES như TEOS, TMS đã được xác định đầy đủ về bộ tiết va chạm electron và các thông số kỹ thuật liên quan [42, 66], chất khí TRIES chưa được xác định đầy đủ về bộ tiết diện va chạm electron. Do đó, nội dung chương 3 này sẽ thực hiện trình bày các kết quả nghiên cứu được trong việc xác định khá chính xác bộ tiết diện va chạm electron cho phân tử khí TRIES.Thứ hai, nhằm mục đích xem xét khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch điện tử, các thông số va chạm electrontrong hỗn hợp các chất khí TRIES và các chất khí khác với các tỷ lệ phần trăm khác nhau đã được tính toán để hỗ trợ cho các nhà sản xuất trong lựa chọn theo mục đích riêng và xem xét khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch. Hiện tại, các thông số kỹ thuật này còn thiếu, chưa có sẵn. Tuy nhiên, do điều kiện trong nước không thể tiến hành thực nghiệm, luận án chỉ khiêm tốn thực hiện việc tính toán mô phỏng thông qua việc giải các phương trình xấp xỉ bậc hai Boltzmann đối với các hệ số chuyển động electron trong các hỗn hợp của chất khí TRIES với các khí khác (O2, Ar, Kr, Xe, He, Ne). Các bộ tiết diện va chạm electron của các khí O2, Ar, Kr, Xe, He và Ne lần lượt được trình bày trong phụ lục 3 đến phụ lục 8 và đã được chủ động kiểm tra tính chính xác của các bộ tiết diện va chạm electron này.

Một phần của tài liệu Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch. (Trang 75 - 76)

Tải bản đầy đủ (DOC)

(168 trang)
w