1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

(Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn

134 22 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Nội dung

(Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn(Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn(Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn(Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn(Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn(Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn(Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn(Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn(Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn(Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn(Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn(Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn(Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn(Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn(Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn(Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn(Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn(Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn(Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn(Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn(Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn(Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn(Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn

LỜI CẢM ƠN Lời đầu tiên, xin bày tỏ lịng biết ơn sâu sắc tới thầy, giáo hướng dẫn PGS.TS Nguyễn Văn Duy PGS.TS Đặng Thị Thanh Lê thầy đóng góp nhiều ý kiến khoa học quý báu tạo điều kiện thuận lợi để tơi hồn thành luận án Tơi xin trân trọng cảm ơn GS.TS Nguyễn Văn Hiếu, GS.TS Nguyễn Đức Hịa tập thể cán Phịng thí nghiệm nghiên cứu phát triển ứng dụng Cảm biến nano (ITIMS) ln nhiệt tình giúp đỡ, chia sẻ kinh nghiệm gợi mở nhiều ý tưởng quan trọng để thực nghiên cứu luận án Tôi xin gửi lời cảm ơn TS Phan Thị Lê Minh đồng nghiệp Bộ môn Y vật lý – Trường Đại học Y Hà Nội nghiên cứu sinh, học viên cao học nhóm Cảm biến khí - viện ITIMS ln đồng hành, hỗ trợ tạo điều kiện cho tơi q trình thực đề tài Tôi xin chân thành cảm ơn Viện Đào tạo Quốc tế Khoa học Vật liệu, Phòng Đào tạo Trường Đại học Bách khoa Hà Nội Trường Đại học Y Hà Nội tạo điều kiện cho học tập nghiên cứu Cuối cùng, tơi xin gửi lời cảm ơn tới gia đình, bạn bè ln động viên, khích lệ để tơi hoàn thành luận án Tác giả Trần Thị Ngọc Hoa LỜI CAM ĐOAN Tác giả xin cam đoan nội dung luận án cơng trình nghiên cứu riêng hướng dẫn PGS.TS Nguyễn Văn Duy PGS.TS Đặng Thị Thanh Lê Các số liệu kết luận án trung thực chưa tác giả khác công bố Hà Nội, ngày Giáo viên hướng dẫn tháng năm 2021 Tác giả PGS.TS Nguyễn Văn Duy Trần Thị Ngọc Hoa PGS.TS Đặng Thị Thanh Lê MỤC LỤC LỜI CẢM ƠN LỜI CAM ĐOAN MỤC LỤC DANH MỤC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT DANH MỤC BẢNG BIỂU DANH MỤC HÌNH ẢNH VÀ ĐỒ THỊ GIỚI THIỆU CHUNG 13 CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ CẢM BIẾN KHÍ 20 1.1 1.2 Tổng quan cảm biến khí 20 1.1.1 Một số đặc trưng cảm biến khí bán dẫn [1] 20 1.1.2 Cơ chế nhạy khí dây nano oxit kim loại bán dẫn cấu trúc dị thể 23 Tổng quan phương pháp chế tạo tính nhạy khí dây nano oxit kim loại bán dẫn cấu trúc dị thể 27 1.2.1 Phương pháp chế tạo 28 1.2.2 Đặc trưng nhạy khí 30 1.2.3 Đặc trưng nhạy khí dây nano oxit kim loại bán dẫn cấu trúc n- SnO2/n -SMO 34 1.2.4 Đặc trưng nhạy khí H2S dây nano oxit kim loại bán dẫn cấu trúc dị thể n-SnO2/p-SMO 37 1.3 Kết luận chương 40 CHƯƠNG 2: THỰC NGHIỆM 41 2.1 Chế tạo dây nano SnO2 41 2.1.1 Dụng cụ hóa chất 41 2.1.2 Thực nghiệm chế tạo dây nano SnO2 43 2.2 Chế tạo cảm biến dây nano cấu trúc dị thể SnO2/SMO 45 2.2.1 Chế tạo cảm biến dây nano cấu trúc dị thể SnO2/NiO 46 2.2.2 Chế tạo cảm biến dây nano cấu trúc dị thể SnO2/Ag2O 48 2.2.3 Chế tạo dây nano cấu trúc dị thể SnO2/ZnO 49 2.2.4 Chế tạo dây nano cấu trúc dị thể SnO2/WO3 50 2.3 Phương pháp khảo sát cấu trúc hình thái cảm biến 51 2.4 Phương pháp khảo sát đặc trưng nhạy khí 51 2.5 Kết luận chương 54 CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ TÍNH NHẠY KHÍ CỦA DÂY NANO OXIT KIM LOẠI BÁN DẪN CẤU TRÚC n-SnO2/p-SMO 55 3.1 3.2 3.3 Cảm biến dây nano cấu trúc n-SnO2/p-Ag2O 55 3.1.1 Hình thái cấu trúc cảm biến 55 3.1.2 Đặc tính nhạy khí H2S cảm biến 59 3.1.3 Cơ chế nhạy khí cảm biến 66 Cảm biến dây nano cấu trúc n-SnO2/p-NiO 69 3.2.1 Hình thái cấu trúc 69 3.2.2 Đặc trưng nhạy khí H2S 73 3.2.3 Cơ chế nhạy khí H2S cảm biến n-SnO2/p-NiO 78 Kết luận chương 80 CHƯƠNG 4: KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ TÍNH NHẠY KHÍ CỦA DÂY NANO OXIT KIM LOẠI BÁN DẪN CẤU TRÚC n-SnO2/n-SMO 82 4.1 Cảm biến dây nano cấu trúc n-SnO2/n-ZnO 82 4.1.1 Hình thái cấu trúc 82 4.1.2 Đặc trưng nhạy khí H2S 84 4.1.3 Đặc trưng nhạy khí NO2 92 4.1.4 Độ ổn định cảm biến 95 4.1.5 Cơ chế nhạy khí 96 4.2 Cảm biến dây nano cấu trúc n-SnO2/n-WO3 98 4.2.1 Hình thái cấu trúc 98 4.2.2 Đặc trưng nhạy khí H2S 103 4.2.3 Đặc trưng nhạy khí NO2 107 4.2.4 Cơ chế nhạy khí 112 4.3 Ảnh hưởng nhiệt độ đến tính chất nhạy khí cảm biến 113 4.4 Kết luận chương 114 KẾT LUẬN CHUNG VÀ KIẾN NGHỊ 116 TÀI LIỆU THAM KHẢO 118 DANH MỤC CƠNG TRÌNH ĐÃ CƠNG BỐ CỦA LUẬN ÁN 134 DANH MỤC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT TT Ký hiệu, viết tắt Tên tiếng Anh Nghĩa tiếng Việt CVD Chemical Vapour Deposition Lắng đọng hóa học pha SEM Scanning Electron Microscope Kính hiển vi điện tử quét TEM Transmission Electron Microscope Kính hiển vi điện tử truyền qua FESEM Field Emission Scanning Electron Microsope Kính hiển vi điện tử quét phát xạ trường HRTEM High Resolution Transmission Electron Microscope Kính hiển vi điện tử truyền qua phân giải cao SAED Selective area electron diffraction Nhiễu xạ điện tử chọn lọc vùng EDS Energy-dispersive X-ray spectroscopy Phổ tán sắc lượng tia X XRD X-ray diffraction Giản đồ Nhiễu xạ tia X JCPDS Joint Committee on Powder Diffraction Standards Thẻ chuẩn 10 MFC Mass Flow Controllers Bộ điều khiển lưu lượng khí 11 NWs Nanowires Dây nano 12 ppb Parts per billion Một phần tỷ 13 ppm Parts per million Một phần triệu 14 Ra Resistance in air Điện trở đo khơng khí 15 Rg Resistance in gas Điện trở đo khí thử 16 Sccm Standard cubic centimeters per minute Đơn vị đo lưu lượng khí cm3/phút 17 SMO Semiconductor Metal Oxide Oxit kim loại bán dẫn 18 VLS Vapour -Liquid -Solid Hơi-lỏng-rắn 19 VS Vapour -Solid Hơi – rắn 20 PVD Physical vapor deposition Lắng đọng vật lý 21 ALD Atomic layer deposition Lắng đọng lớp nguyên tử 22 UV Ultraviolet Tia cực tím 23 RSD Relative standard deviation Độ lệch chuẩn tương đối 24 LPG Liquefied Petroleum Gas Khí dầu mỏ hóa lỏng DANH MỤC BẢNG BIỂU Bảng 1.1 Ảnh hưởng việc tiếp xúc khí H2S [4]…………………………… 14 Bảng 1.2 Đáp ứng khí dây nano oxit kim loại bán dẫn cấu trúc dị thể… .33 Bảng 2.1 Các cảm biến Si (i= 1, … 5) biến tính dung dịch muối AgNO3 nồng độ số lần nhúng khác nhau……………………………………………… 48 Bảng 3.1 So sánh độ đáp ứng khí H2S dựa cảm biến khí SnO2 SnO2/p-SMO …………………………………………………………………………………… 66 Bảng 3.2 Thống kê nghiên cứu cảm biến khí H2S ……………………… 78 Bảng 4.1 Thời gian đáp ứng hồi phục khí H2S (0,25 ÷ 2,5 ppm) 300, 350 400 oC cảm biến dây nano SnO2 phủ ZnO với thời gian phủ 10 min……… 90 Bảng 4.2 So sánh độ đáp ứng khí H2S, NO2 dựa cảm biến khí SnO2 cảm biến SnO2/n -SMO ……………………………………………………………………111 DANH MỤC HÌNH ẢNH VÀ ĐỒ THỊ Hình 1.1 Đặc trưng hồi – đáp khí cảm biến kiểu điện trở [1] 21 Hình 1.2 Cơ chế nhạy khí dây nano biến tính sở chuyển tiếp p-n: (a) Dây nano loại n biến tính với hạt nano loại p; (b) hình thành vùng nghèo dây nano biến tính với nồng độ hạt tải dây nano biến tính với nồng độ hạt tải vật liệu biến tính lớn nhiều so với dây nano; (c) trường hợp ngược lại;(d,e) mơ hình vùng lượng dây nano vật liệu biến tính trước sau biến tính [1] 25 Hình 1.3 Cơ chế nhạy khí dây nano biến tính sở tiếp xúc dị thể có loại hạt tải: (a) trường hợp dây nano có cơng điện tử nhỏ so với vật liệu biến tính (b) dây nano có cơng điện tử lớn vật liệu biến tính [1] 26 Hình 1.4 Quy trình chế tạo dây nano cấu trúc lõi-vỏ n-SnO2/p-Cu2O [38] 29 Hình 1.9 (a) Đáp ứng khí của dây nano SnO2 cấu trúc SnO2/ZnO với loại khí khử nồng độ 500 ppm, nhiệt độ 250 oC; (b) Đáp ứng khí cấu trúc SnO2/ZnO nhiệt độ khác [55] 35 Hình 1.10 Độ nhạy khí H2S nhiệt độ 50 oC của nano WO3 (a) hỗn hợp nano Au/SnO2 bề mặt nano WO3 (b) [75] 36 Hình 1.11 Tính chất chọn lọc khí RT (a) đáp ứng khí H2S theo nhiệt độ (b) SnO2, NiO SnO2/NiO [84] 38 Hình 1.12 Đáp ứng khí H2S (150÷750 ppm) nhiệt độ 100 oC màng mỏng SnO2 màng mỏng biến tính kim loại Ag 3% [88] 39 Hình 2.1 (a) Sơ đồ khối; (b) hình ảnh hệ bốc bay nhiệt CVD Viện ITIMS [1] 42 Hình 2.2 Mơ hình chế tạo dây nano SnO2: (1) oxi hóa lớp Si để tạo SiO2; (2) phủ lớp cản quang; (3) quang khắc để tạo hình điện cực; (4) phủ lớp Pt để chế tạo điện cực lược; (5) mọc dây nano SnO2 phương pháp bốc bay nhiệt (CVD) [1] 43 Hình 2.3 Chu trình nhiệt chế tạo dây nano SnO2 44 Hình 2.4 Mơ hình thiết kế chế tạo dây nano cấu trúc dị thể SnO2/SMO 46 Hình 2.5 Sơ đồ nguyên lý hệ bốc bay chùm điện tử 47 Hình 2.6 (A) Sơ đồ nguyên lý hệ phún xạ chiều (phún xạ DC); (B) Hình ảnh hệ phún xạ Viện ITIMS 50 Hình 2.7 Sơ đồ nguyên lý hệ đo khí cho phương pháp đo động Viện ITIMS [1] 53 Hình 3.1 Hình ảnh SEM phân tích EDS cảm biến S0 (A, B), S2 (C, D) S5 (E, F) 57 Hình 3.2 Hình ảnh TEM: cảm biến S0 (A), S2 (B) S5 (C); Ảnh HRTEM hạt nano Ag2O bề mặt dây nano SnO2 58 Hình 3.3 Độ đáp ứng khí H2S (0,1 ÷ ppm) nhiệt độ khác cảm biến: S0 (A), S1 (B), S2 (C), S3 (D), S4 (E) S5 (F) 60 Hình 3.4 So sánh độ đáp ứng khí H2S (0,1 ppm ÷1 ppm) nhiệt độ khác cảm biến: S0 (A), S1 (B), S2 (C), S3 (D), S4 (E) S5 (F) 62 Hình 3.5 Độ đáp ứng khí cảm biến (A) 200 oC; Thời gian đáp ứng khí cảm biến nhiệt độ khác (B) 63 Hình 3.6 Độ đáp ứng khí cảm biến S5 nhiệt độ khác số loại khí khác 64 Hình 3.7 Độ ổn định cảm biến 10 chu kỳ 65 Hình 3.8 Sơ đồ mức lượng hình thành tiếp xúc n-SnO2 /p-Ag2O khơng khí n-Ag2S/ n-SnO2 mơi trường khí H2S 68 Hình 3.9 Ảnh SEM dây nano SnO2/NiO với chiều dày lớp biến tính NiO khác nm (A, B); nm (C, D) 10 nm (E, F) 70 Hình 3.10 Ảnh phân tích EDS dây nano SnO2/NiO 71 Hình 3.11 Ảnh TEM dây nano SnO2 (A, B) dây nano SnO2/NiO (C, D) 72 Hình 3.12 Đặc trưng cảm biến khí H2S (1 ÷ 10 ppm) dây nano SnO2/NiO - nm nhiệt độ khác (A) 200; (B) 250; (C) 300 oC; (D) đáp ứng theo nồng độ khí 73 Hình 3.13 Đặc trưng cảm biến khí H2S (1 ÷10 ppm) dây nano SnO2/NiO - nm nhiệt độ khác (A) 200; (B) 250; (C) 300 oC; (D) đáp ứng theo nồng độ khí 75 10 [19] Y.-G Jang, W.-S Kim, D.-H Kim, and S.-H Hong, “Fabrication of Ga2O3/SnO2 core–shell nanowires and their ethanol gas sensing properties,” J Mater Res., vol 26, no 17, pp 2322–2327, 2011, doi: 10.1557/jmr.2011.189 [20] H Kim, S An, C Jin, and C Lee, “Structure and NO2 gas sensing properties of SnO2-core/In2O3-shell nanobelts,” Curr Appl Phys., vol 12, no 4, pp 1125–1130, 2012, doi: 10.1016/j.cap.2012.02.006 [21] Y L Chueh et al., “RuO2 nanowires and RuO2/TiO2 core/shell nanowires: From synthesis to mechanical, optical, electrical, and photoconductive properties,” Adv Mater., vol 19, no 1, pp 143–149, 2007, doi: 10.1002/adma.200601830 [22] M N Rumyantseva et al., “p-CoOx/n-SnO2 nanostructures: New highly selective materials for H2S detection,” Sensors Actuators, B Chem., vol 255, pp 564–571, 2018, doi: 10.1016/j.snb.2017.08.096 [23] S Park, S An, Y Mun, and C Lee, “UV-enhanced NO2 gas sensing properties of SnO2-core/ZnO-shell nanowires at room temperature,” ACS Appl Mater Interfaces, vol 5, no 10, pp 4285–92, 2013, doi: 10.1021/am400500a [24] D T Thanh Le et al., “Facile synthesis of SnO2-ZnO core-shell nanowires for enhanced ethanol-sensing performance,” Curr Appl Phys., vol 13, no 8, pp 1637–1642, 2013, doi: 10.1016/j.cap.2013.06.024 [25] A Katoch, J Kim, Y Kwon, and H Kim, “Bifunctional sensing mechanism of SnO2–ZnO composite nanofibers for drastically enhancing the sensing behavior in H2 gas,” ACS Appl Mater., 2015 [26] D R Miller, S A Akbar, and P A Morris, “Nanoscale metal oxide-based heterojunctions for gas sensing: A review,” Sensors Actuators, B Chem., vol 204, pp 250–272, 2014, doi: 10.1016/j.snb.2014.07.074 [27] N D Hoa, N Van Quy, and D Kim, “Nanowire structured SnOx-SWNT composites: High performance sensor for NOx detection,” Sensors Actuators, B Chem., vol 142, no 1, pp 253–259, 2009, doi: 10.1016/j.snb.2009.07.053 [28] S Salehi, E Nikan, A A Khodadadi, and Y Mortazavi, “Highly sensitive carbon nanotubes-SnO2 nanocomposite sensor for acetone detection in 120 diabetes mellitus breath,” Sensors Actuators, B Chem., vol 205, pp 261–267, 2014, doi: 10.1016/j.snb.2014.08.082 [29] S Mubeen et al., “Hybrid tin oxide-SWNT nanostructures based gas sensor,” Electrochim Acta, vol 92, pp 484–490, 2013, doi: 10.1016/j.electacta.2013.01.029 [30] M Narjinary, P Rana, A Sen, and M Pal, “Enhanced and selective acetone sensing properties of SnO2-MWCNT nanocomposites: Promising materials for diabetes sensor,” Mater Des., vol 115, pp 158–164, 2016, doi: 10.1016/j.matdes.2016.11.042 [31] U Shaislamov and B L Yang, “CdS-sensitized single-crystalline TiO2 nanorods and polycrystalline nanotubes for solar hydrogen generation,” J Mater Res., vol 28, no 3, pp 418–423, 2013, doi: 10.1557/jmr.2012.373 [32] L L Xing, S Yuan, Z H Chen, Y J Chen, and X Y Xue, “Enhanced gas sensing performance of SnO2/α-MoO3 heterostructure nanobelts,” Nanotechnology, vol 22, no 22, 2011, doi: 10.1088/0957-4484/22/22/225502 [33] A Chowdhuri, P Sharma, V Gupta, K Sreenivas, and K V Rao, “H 2S gas sensing mechanism of SnO films with ultrathin CuO dotted islands,” J Appl Phys., vol 92, no 4, pp 2172–2180, 2002, doi: 10.1063/1.1490154 [34] X Liu, J Zhang, X Guo, S Wang, and S Wu, “Core-shell α-Fe 2O 3@SnO 2/Au hybrid structures and their enhanced gas sensing properties,” RSC Adv., vol 2, no 4, pp 1650–1655, 2012, doi: 10.1039/c1ra00811k [35] M S Wagh, L A Patil, T Seth, and D P Amalnerkar, “Surface cupricated SnO2-ZnO thick films as a H2S gas sensor,” Mater Chem Phys., vol 84, no 2–3, pp 228–233, 2004, doi: 10.1016/S0254-0584(03)00232-3 [36] Q Kuang et al., “Enhancing the photon- and gas-sensing properties of a single SnO nanowire based nanodevice by nanoparticle surface functionalization,” J Phys Chem C, vol 112, no 30, pp 11539–11544, 2008, doi: 10.1021/jp802880c [37] S W Choi, J Y Park, and S S Kim, “Synthesis of SnO2-ZnO core-shell nanofibers via a novel two-step process and their gas sensing properties,” Nanotechnology, vol 20, no 46, 2009, doi: 10.1088/0957-4484/20/46/465603 121 [38] J.-H Kim, A Katoch, S.-H Kim, and S S Kim, “Chemiresistive Sensing Behavior of SnO ( n )–Cu O ( p ) Core–Shell Nanowires,” ACS Appl Mater Interfaces, vol 2, no 28, p 150708132759008, 2015, doi: 10.1021/acsami.5b03224 [39] S Choi, A Katoch, G Sun, J.-H Kim, S.-H Kim, and S S Kim, “Dual Functional Sensing Mechanism in SnO –ZnO Core–Shell Nanowires,” ACS Appl Mater Interfaces, vol 6, no 11, pp 8281–8287, 2014, doi: 10.1021/am501107c [40] D R Miller, S A Akbar, and P A Morris, “Nanoscale metal oxide-based heterojunctions for gas sensing: A review,” Sensors Actuators, B Chem., vol 204, pp 250–272, 2014, doi: 10.1016/j.snb.2014.07.074 [41] X Xue, L Xing, Y Chen, S Shi, Y Wang, and T Wang, “Synthesis and H S Sensing Properties of CuO-SnO Core / Shell PN-Junction Nanorods,” Energy, vol 4, pp 12157–12160, 2008, doi: 10.1021/jp8037818 [42] C Jin, S Park, H Kim, and C Lee, “Ultrasensitive multiple networked Ga2O3-core/ZnO-shell nanorod gas sensors,” Sensors Actuators B Chem., vol 161, no 1, pp 223–228, 2012, doi: 10.1016/j.snb.2011.10.023 [43] T Tharsika, A S M A Haseeb, S A Akbar, M F aizul M Sabri, and W Y ew Hoong, “Enhanced ethanol gas sensing properties of SnO???-core/ZnOshell nanostructures,” Sensors (Basel)., vol 14, no 8, pp 14586–14600, 2014, doi: 10.3390/s140814586 [44] A Katoch, J Kim, and S S Kim, “TiO /ZnO Inner / Outer Double-Layer Hollow Fibers for Improved Detection of Reducing Gases,” ACS Appl Mater interfacesAPPLIED Mater INTERFACES, vol 6, no Iv, pp 21494–21499, 2014, doi: 10.1021/am506499e [45] A Chowdhuri, V Gupta, K Sreenivas, R Kumar, S Mozumdar, and P K Patanjali, “Response speed of SnO2-based H2S gas sensors with CuO nanoparticles,” Appl Phys Lett., vol 84, no 7, pp 1180–1182, 2004, doi: 10.1063/1.1646760 [46] H R Kim, A Haensch, I D Kim, N Barsan, U Weimar, and J H Lee, “The role of NiO doping in reducing the impact of humidity on the performance of 122 SnO2-based gas sensors: Synthesis strategies, and phenomenological and spectroscopic studies,” Adv Funct Mater., vol 21, no 23, pp 4456–4463, 2011, doi: 10.1002/adfm.201101154 [47] Z Lou, J Deng, L Wang, L Wang, T Fei, and T Zhang, “Toluene and ethanol sensing performances of pristine and PdO-decorated flower-like ZnO structures,” Sensors Actuators, B Chem., vol 176, pp 323–329, 2013, doi: 10.1016/j.snb.2012.09.027 [48] A Trinchi et al., “Investigation of sol-gel prepared CeO2-TiO2 thin films for oxygen gas sensing,” Sensors Actuators, B Chem., vol 95, no 1–3, pp 145– 150, 2003, doi: 10.1016/S0925-4005(03)00424-6 [49] G Cui, L Gao, B Yao, S Wang, P Zhang, and M Zhang, “Electrochemistry of CuO/In2O3 p-n heterojunction nano/microstructure array with sensitivity to H2 at and below room-temperature,” Electrochem commun., vol 30, no 3, pp 42–45, 2013, doi: 10.1016/j.elecom.2013.02.003 [50] S Sharma, A Kumar, N Singh, and D Kaur, “Excellent room temperature ammonia gas sensing properties of n-MoS2/p-CuO heterojunction nanoworms,” Sensors Actuators B Chem., vol 275, Dec 2018, doi: 10.1016/j.snb.2018.08.046 [51] K.-R Park, H.-B Cho, J Lee, Y Song, W.-B Kim, and Y.-H Choa, “Design of highly porous SnO2-CuO nanotubes for enhancing H2S gas sensor performance,” Sensors Actuators B Chem., vol 302, Jan 2020, doi: 10.1016/j.snb.2019.127179 [52] M N Rumyantseva et al., “Sub-ppm H2S sensing by tubular ZnO-Co3O4 nanofibers,” Sensors Actuators B Chem., vol 307, Mar 2020, doi: 10.1016/j.snb.2019.127624 [53] J.-H Kim, A Mirzaei, H W Kim, and S S Kim, “Extremely sensitive and selective sub-ppm CO detection by the synergistic effect of Au nanoparticles and core–shell nanowires,” Sensors Actuators B Chem., 2017, doi: 10.1016/j.snb.2017.04.090 [54] J H Kim, H W Kim, and S S Kim, “Ultra-sensitive benzene detection by a novel approach: Core-shell nanowires 123 combined with the Pd- functionalization,” Sensors Actuators, B Chem., vol 239, pp 578–585, 2017, doi: 10.1016/j.snb.2016.08.071 [55] M M Arafat, B Dinan, S A Akbar, and A S M A Haseeb, “Gas Sensors Based on One Dimensional Nanostructured Metal-Oxides: A Review,” Sensors, vol 12, no 6, pp 7207–7258, May 2012, doi: 10.3390/s120607207 [56] C Yu-Jin, Z Chun-Ling, W Li-Jiao, G Peng, C Mao-Sheng, and S XiaoLing, “Synthesis and enhanced ethanol sensing characteristics of α-Fe O / SnO core–shell nanorods,” Nanotechnology, vol 20, no 4, p 45502, 2009, doi: 10.1088/0957-4484/20/4/045502 [57] I.-S Hwang et al., “Synthesis and gas sensing characteristics of highly crystalline ZnO–SnO2 core–shell nanowires,” Sensors Actuators B Chem., vol 148, no 2, pp 595–600, 2010, doi: 10.1016/j.snb.2010.05.052 [58] Y.-J Chen et al., “Synthesis and enhanced gas sensing properties of crystalline CeO2/TiO2 core/shell nanorods,” Sensors Actuators B Chem., vol 156, no 2, pp 867–874, 2011, doi: 10.1016/j.snb.2011.02.057 [59] N Singh, A Ponzoni, R K Gupta, P S Lee, and E Comini, “Synthesis of In2O3-ZnO core-shell nanowires and their application in gas sensing,” Sensors Actuators, B Chem., vol 160, no 1, pp 1346–1351, 2011, doi: 10.1016/j.snb.2011.09.073 [60] H S Kim, C H Jin, S H Park, and C M Lee, “Structural, luminescent, and NO2 sensing properties of SnO 2-core/V2O5-shell nanorods,” J Electroceramics, vol 30, no 1–2, pp 6–12, 2013, doi: 10.1007/s10832-0129687-6 [61] L F da Silva et al., “UV-enhanced ozone gas sensing response of ZnO-SnO2 heterojunctions at room temperature,” Sensors Actuators, B Chem., vol 240, pp 573–579, 2017, doi: 10.1016/j.snb.2016.08.158 [62] J Kim and S S Kim, “Realization of abilities with Pt- functionalized SnO ZnO core-shell nanowires,” pp 1–36 [63] S Bai et al., “On the construction of hollow nanofibers of ZnO-SnO2 heterojunctions to enhance the NO2 sensing properties,” Sensors Actuators, B Chem., vol 266, no 2, pp 692–702, 2018, doi: 10.1016/j.snb.2018.03.055 124 [64] K Hu, F Wang, Z Shen, H Liu, W Zeng, and Y Wang, “Ar plasma treatment on ZnO–SnO2 heterojunction nanofibers and its enhancement mechanism of hydrogen gas sensing,” Ceram Int., vol 46, no 13, pp 21439–21447, 2020, doi: 10.1016/j.ceramint.2020.05.242 [65] C Lou, C Yang, W Zheng, X Liu, and J Zhang, “Atomic layer deposition of ZnO on SnO2 nanospheres for enhanced formaldehyde detection,” Sensors Actuators, B Chem., vol 329, p 129218, 2021, doi: 10.1016/j.snb.2020.129218 [66] S Qin, P Tang, Y Feng, and D Li, “Novel ultrathin mesoporous ZnO-SnO2 n-n heterojunction nanosheets with high sensitivity to ethanol,” Sensors Actuators, B Chem., vol 309, no August 2019, p 127801, 2020, doi: 10.1016/j.snb.2020.127801 [67] N X Thai et al., “Realization of a portable H2S sensing instrument based on SnO2 nanowires,” J Sci Adv Mater Devices, vol 5, no 1, pp 40–47, 2020, doi: 10.1016/j.jsamd.2020.01.003 [68] A Mirzaei, S S Kim, and H W Kim, “Resistance-based H2S gas sensors using metal oxide nanostructures: A review of recent advances,” Journal of Hazardous Materials, vol 357 pp 314–331, 2018, doi: 10.1016/j.jhazmat.2018.06.015 [69] A Sharma, M Tomar, and V Gupta, “WO3 nanoclusters–SnO2 film gas sensor heterostructure with enhanced response for NO2,” Sensors Actuators B Chem., vol 176, pp 675–684, Jan 2013, doi: 10.1016/j.snb.2012.09.094 [70] J Sukunta, A Wisitsoraat, A Tuantranont, S Phanichphant, and C Liewhiran, “WO3 nanotubes−SnO2 nanoparticles heterointerfaces for ultrasensitive and selective NO2 detections,” Appl Surf Sci., vol 458, pp 319–332, Nov 2018, doi: 10.1016/j.apsusc.2018.07.096 [71] K P Yuan et al., “Precise preparation of WO3@SnO2 core shell nanosheets for efficient NH3 gas sensing,” J Colloid Interface Sci., vol 568, pp 81–88, 2020, doi: 10.1016/j.jcis.2020.02.042 [72] M Yin, Y Yao, H Fan, and S Liu, “WO3-SnO2 nanosheet composites: Hydrothermal synthesis and gas sensing mechanism,” J Alloys Compd., vol 125 ... cảm biến dây nano oxit kim loại bán dẫn cấu trúc dị thể, dây nano SnO2 biến tính bề mặt lớp nano oxit kim loại bán dẫn khác SMO để tạo lên cấu trúc dị thể loại hạt tải (n -SnO2/ n-SMO) khác loại hạt... sở oxit kim loại bán dẫn cấu trúc dị thể cảm biến khí bao gồm phương pháp chế tạo, đặc trưng nhạy khí - Đặc trưng nhạy khí cảm biến khí dựa sở dây nano oxit kim loại bán dẫn cấu trúc dị thể loại. .. hạt nano oxit kim loại bán dẫn kim loại khác nhằm nâng cao ảnh hưởng lớp tiếp xúc dị thể hai loại oxit kim loại bán dẫn tính chất nhạy khí cảm biến Dây nano cấu trúc dị thể SnO2/ ZnO chế tạo phương

Ngày đăng: 29/04/2022, 13:51

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Bảng 1.1. Ảnh hưởng của việc tiếp xúc khí H2S [4] - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Bảng 1.1. Ảnh hưởng của việc tiếp xúc khí H2S [4] (Trang 14)
Hình 1.10. Độ nhạy khí H2S tại nhiệt độ 50 oC của của tấm nanoW O3 (a) và tấm nano WO3 biến tính bề mặt với hỗn hợp Au/SnO2 (b) [74] - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 1.10. Độ nhạy khí H2S tại nhiệt độ 50 oC của của tấm nanoW O3 (a) và tấm nano WO3 biến tính bề mặt với hỗn hợp Au/SnO2 (b) [74] (Trang 36)
Hình 1.11. Tính chất chọn lọc khí tại RT (a) và đáp ứng khí H2S theo nhiệt độ (b) của SnO2, NiO và SnO2/NiO [83] - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 1.11. Tính chất chọn lọc khí tại RT (a) và đáp ứng khí H2S theo nhiệt độ (b) của SnO2, NiO và SnO2/NiO [83] (Trang 38)
Hình 1.12. Đáp ứng khí H2S (150÷750 ppm) tại nhiệt độ 100 oC màng mỏng SnO2 và màng mỏng biến tính kim loại Ag 3% [87] - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 1.12. Đáp ứng khí H2S (150÷750 ppm) tại nhiệt độ 100 oC màng mỏng SnO2 và màng mỏng biến tính kim loại Ag 3% [87] (Trang 39)
Hình 2.2. Mô hình chế tạo dây nano SnO2: (1) oxi hóa lớp Si để tạo SiO2; (2) phủ lớp cản quang; (3) quang khắc để tạo hình điện cực; (4) phủ lớp Pt để chế tạo điện cực răng lược;  - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 2.2. Mô hình chế tạo dây nano SnO2: (1) oxi hóa lớp Si để tạo SiO2; (2) phủ lớp cản quang; (3) quang khắc để tạo hình điện cực; (4) phủ lớp Pt để chế tạo điện cực răng lược; (Trang 43)
Hình 2.3. Chu trình nhiệt chế tạo dây nano SnO2. - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 2.3. Chu trình nhiệt chế tạo dây nano SnO2 (Trang 44)
Thiết kế của cảm biến cấu trúc dị thể SnO2/SMO được mô tả như trên Hình 2.4 - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
hi ết kế của cảm biến cấu trúc dị thể SnO2/SMO được mô tả như trên Hình 2.4 (Trang 46)
Hình 2.7. Sơ đồ nguyên lý hệ đo khí cho phương pháp đo động tại Viện ITIMS [1]. - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 2.7. Sơ đồ nguyên lý hệ đo khí cho phương pháp đo động tại Viện ITIMS [1] (Trang 53)
Hình 3.1. Hình ảnh SEM và phân tích EDS của cảm biến S0 (A, B), S2 (C, D) và S5 (E, F). - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 3.1. Hình ảnh SEM và phân tích EDS của cảm biến S0 (A, B), S2 (C, D) và S5 (E, F) (Trang 57)
Hình 3.4. So sánh độ đáp ứng khí H2S (0,1 ppm ÷1 ppm) tại các nhiệt độ khác nhau của - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 3.4. So sánh độ đáp ứng khí H2S (0,1 ppm ÷1 ppm) tại các nhiệt độ khác nhau của (Trang 62)
Hình 3.5. Độ đáp ứng khí của các cảm biến (A) tại 200o C; Thời gian đáp ứng khí của các cảm biến tại các nhiệt độ khác nhau (B) - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 3.5. Độ đáp ứng khí của các cảm biến (A) tại 200o C; Thời gian đáp ứng khí của các cảm biến tại các nhiệt độ khác nhau (B) (Trang 63)
Hình 3.6. Độ đáp ứng khí của các cảm biến S5 tại các nhiệt độ khác nhau đối với một số - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 3.6. Độ đáp ứng khí của các cảm biến S5 tại các nhiệt độ khác nhau đối với một số (Trang 64)
Hình 3.7. Độ ổn định của cảm biến trong 10 chu kỳ. - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 3.7. Độ ổn định của cảm biến trong 10 chu kỳ (Trang 65)
Bảng 3.1. So sánh độ đáp ứng khí H2S dựa trên cảm biến khí SnO2 và SnO2/p-SMO. - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Bảng 3.1. So sánh độ đáp ứng khí H2S dựa trên cảm biến khí SnO2 và SnO2/p-SMO (Trang 66)
Hình 3.8. Sơ đồ mức năng lượng của sự hình thành tiếp xúc n-SnO2/p-Ag2O trong không khí và n-Ag 2S/ n-SnO2 trong môi trường khí H2S - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 3.8. Sơ đồ mức năng lượng của sự hình thành tiếp xúc n-SnO2/p-Ag2O trong không khí và n-Ag 2S/ n-SnO2 trong môi trường khí H2S (Trang 68)
Hình 3.9. Ảnh SEM của dây nano SnO2/NiO với các chiều dày lớp biến tính NiO khác - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 3.9. Ảnh SEM của dây nano SnO2/NiO với các chiều dày lớp biến tính NiO khác (Trang 70)
Hình 4.7. Độ đáp ứng với khí NH3, H2 và CO nồng độ 500ppm tại nhiệt độ 350 oC của mẫu SnO2/ZnO – 10 min - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 4.7. Độ đáp ứng với khí NH3, H2 và CO nồng độ 500ppm tại nhiệt độ 350 oC của mẫu SnO2/ZnO – 10 min (Trang 91)
Hình 4.8. Độ đáp ứng khí của cảm biến SnO2/ZnO-10min đối với một số khí khác nhau. - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 4.8. Độ đáp ứng khí của cảm biến SnO2/ZnO-10min đối với một số khí khác nhau (Trang 92)
Hình 4.10. Độ nhạy khí NO2 tại nhiệt độ phòng (38 oC) của của dây nano SnO2 và các cấu trúc SnO2/ZnO có bề dày vỏ ZnO mọc trong các thời gian 5;10;15 min. - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 4.10. Độ nhạy khí NO2 tại nhiệt độ phòng (38 oC) của của dây nano SnO2 và các cấu trúc SnO2/ZnO có bề dày vỏ ZnO mọc trong các thời gian 5;10;15 min (Trang 94)
Hình 4.11. Độ nhạy khí NO2 tại nhiệt độ 200÷300 oC của của dây nano SnO2 và các cấu trúc SnO2/ZnO có bề dày vỏ ZnO mọc trong các thời gian 5;10;15 min. - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 4.11. Độ nhạy khí NO2 tại nhiệt độ 200÷300 oC của của dây nano SnO2 và các cấu trúc SnO2/ZnO có bề dày vỏ ZnO mọc trong các thời gian 5;10;15 min (Trang 95)
Hình 4.12. Độ lặp lại của cảm biến SnO2/ZnO-10min đối với khí H2S-1 ppm tại 350 oC trong 11 chu kỳ - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 4.12. Độ lặp lại của cảm biến SnO2/ZnO-10min đối với khí H2S-1 ppm tại 350 oC trong 11 chu kỳ (Trang 96)
vật liệu cân bằng nhau. Kết quả một lớp nghèo điện tử được hình thành tại bề mặt tiếp xúc giữa SnO2 và ZnO, hàng rào dị thể bị uốn cong - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
v ật liệu cân bằng nhau. Kết quả một lớp nghèo điện tử được hình thành tại bề mặt tiếp xúc giữa SnO2 và ZnO, hàng rào dị thể bị uốn cong (Trang 97)
Hình 4.14. Sơ đồ mức năng lượng của cấu trúc SnO2/ZnO trước (a) và sau khi tiếp xúc khí khử H2S (b) - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 4.14. Sơ đồ mức năng lượng của cấu trúc SnO2/ZnO trước (a) và sau khi tiếp xúc khí khử H2S (b) (Trang 98)
Hình 4.15. Ảnh SEM của các cảm biến dây nano SnO2/WO3 với chiều dày lớp WO3 khác nhau (3, 5, 10 và 20 nm) - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 4.15. Ảnh SEM của các cảm biến dây nano SnO2/WO3 với chiều dày lớp WO3 khác nhau (3, 5, 10 và 20 nm) (Trang 99)
Hình 4.17. Giản đồ nhiễu xạ tia X của cấu trúc SnO2/WO3. - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 4.17. Giản đồ nhiễu xạ tia X của cấu trúc SnO2/WO3 (Trang 101)
Hình 4.17. (A-D) Ảnh ED S– mapping; (E) phân tích EDS và ảnh SEM của mẫu cấu trúc - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 4.17. (A-D) Ảnh ED S– mapping; (E) phân tích EDS và ảnh SEM của mẫu cấu trúc (Trang 102)
Hình 4.18. (A-C) Độ đáp ứng khí H2S (0,1÷1 ppm) của các cảm biến SnO2/WO3 –5 nm tại các nhiệt độ 150, 200 và 250 oC; (D) Độ nhạy khí H 2S ở các nồng độ khác nhau - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 4.18. (A-C) Độ đáp ứng khí H2S (0,1÷1 ppm) của các cảm biến SnO2/WO3 –5 nm tại các nhiệt độ 150, 200 và 250 oC; (D) Độ nhạy khí H 2S ở các nồng độ khác nhau (Trang 103)
nhất (với 0,1 ppm là 36/80 )– Bảng 3.1 so với các mẫu còn lại. Điều này chứng tỏ khả năng sử dụng cảm biến trong thực tế - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
nh ất (với 0,1 ppm là 36/80 )– Bảng 3.1 so với các mẫu còn lại. Điều này chứng tỏ khả năng sử dụng cảm biến trong thực tế (Trang 106)
Hình 4.22. Tính chọn lọc của cảm biến cấu trúc dây nano SnO2/WO3 –5 nm tại 200o C. - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 4.22. Tính chọn lọc của cảm biến cấu trúc dây nano SnO2/WO3 –5 nm tại 200o C (Trang 107)
Hình 4.23. Đặc trưng nhạy khí NO2 của cảm biến dây nano SnO2 biến tính bề mặt bởi WO3 dày 5 nm - (Luận án tiến sĩ) Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 4.23. Đặc trưng nhạy khí NO2 của cảm biến dây nano SnO2 biến tính bề mặt bởi WO3 dày 5 nm (Trang 108)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TRÍCH ĐOẠN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

  • Đang cập nhật ...

TÀI LIỆU LIÊN QUAN