Hệ thống lưu trữ hỗ trợ SQLite trên bộ nhớ NAND Flash

Trong những năm gần đây, các thiết bị di động ngày càng phổ biến. Các thiết bị này thường sử dụng SQLite để làm cơ sở dữ liệu và bộ nhớ NAND Flash để lưu trữ dữ liệu. SQLite là một hệ cơ sở dữ liệu gọn nhẹ nhưng mạnh mẽ. SQLite đáp ứng đầy đủ mọi yêu cầu cơ bản của một hệ quản trị cơ sở dữ liệu.

Tập 2021, Số 1, Tháng Hệ thống lưu trữ hỗ trợ SQLite nhớ NAND Flash Hồ Văn Phi, Nguyễn Phương Tâm, Nguyễn Thị Hạnh, Lương Khánh Tý Đại học Công nghệ Thông tin Truyền thông Việt-Hàn, Đà Nẵng, Việt Nam Tác giả liên hệ: Hồ Văn Phi, email: hvphi@vku@udn.vn Ngày nhận bài: 28/12/2020, ngày sửa chữa: 03/04/2021, ngày duyệt đăng: 13/04/2021 Định danh DOI: 10.32913/mic-ict-research-vn.v2021.n1.938 Tóm tắt: Trong năm gần đây, thiết bị di động ngày phổ biến Các thiết bị thường sử dụng SQLite để làm sở liệu nhớ NAND Flash để lưu trữ liệu SQLite hệ sở liệu gọn nhẹ mạnh mẽ SQLite đáp ứng đầy đủ yêu cầu hệ quản trị sở liệu Bộ nhớ NAND Flash ngày phổ biến nhờ vào ưu điểm bật tốc độ truy xuất nhanh, tiêu thụ điện ít, khơng liệu nguồn Do đó, việc sử dụng SQLite NAND Flash lựa chọn tốt cho thiết bị Android iOS Tuy nhiên, NAND Flash có nhược điểm cần khắc phục ghi đè, vịng đời bị giới hạn số lần xố khối nhớ Bên cạnh đó, chế ghi tạm file journal lần commit SQLite làm ảnh hưởng đến nhớ Flash Trước thực cập nhật liệu vào sở liệu, SQLite tạo file tạm gọi journal chứa liệu cập nhật nhớ Flash Việc dẫn đến nhiều thao tác đọc/ghi nhớ Flash làm cho hiệu suất hệ thống giảm đáng kể Để giải vấn đề này, đề xuất hệ thống nhớ lai sử dụng FRAM cho hệ thống gọi COSS(Commit-Optimized Scheme for SQLite) COSS giảm bớt số lượng lớn thao tác đọc/ghi lên NAND Flash thời gian thực hệ thống nhờ vào khả ghi đè tốc độ cao FRAM Kết thực nghiệm cho thấy COSS đạt hiệu suất cao so với hệ thống nguyên thuỷ thơng thường Từ khóa: SQLite, nhớ Flash, FRAM, sở liệu điện thoại thông minh, thiết bị di động Title: Abstract: Keywords: A Design Method of Computational Semantics of Linguistic Words for Fuzzy Rule-based Classifier Recently, the mobile devices are popular day by day These devices use SQLite as a database management system and NAND Flash memeory as a storage medium SQLite is a lightweight and powerful database engine It provides all basic features of a database management system NAND Flash memeories are popular because of the following advantages: fast access speed, nonvolatile, low power consumption Thus, the combination of NAND Flash memory and SQLite is a good choice for mobile devices However, NAND Flash memories also have some drawbacks that should be limited such erase-before-write characteristic, the lifecycle is limited by the number of block erasing Beside that, the performance of NAND Flash is downgraded by temporarily writing journal files mechanism of SQLite Whenever updating data, SQLite has to create and write the back up data to a file called Journal file This causes a lot of Flash memory operations leading to reduction of overall performance of the system and shorten the lifecycle of NAND Flash To address this problem, this study introduces a novel commit policy and hybrid storage system for SQLite based on a Flash memory and an FRAM, called COSS COSS can minimize the overhead by deploying the hybrid storage of FRAM and NAND Flash memory The experimental results show that COSS yields a good performance SQLite, Flash memory, FRAM, smart phone database, mobile devices I GIỚI THIỆU block) Bộ nhớ Flash có cấu tạo chế hoạt động hoàn toàn khác với đĩa cứng (HDD-Hard Disk Drive) thơng thường Do để giúp hệ điều hành truy cập nhớ Flash cách tương tự HDD, phần mềm trung gian có tên FTL (Flash Translation Layer)[1] sử dụng để chuyển đổi địa logic sang địa vật lý ánh xạ máy tính nhớ Flash Bộ nhớ Flash [1, 4-6] sử dụng phổ biến nhờ vào ưu điểm bật chúng tốc độ cao, tiêu thụ điện năng, kích thước nhỏ gọn độ an toàn liệu cao Tuy nhiên, bên cạnh điểm mạnh đó, nhớ Flash có điểm yếu cần lưu tâm đặc tính xóa trước ghi – khơng thể ghi đè vịng đời hữu hạn (khoảng từ 10.000 đến 100.000 lần xóa SQLite hệ sở liệu sử dụng phổ biến 53 Các cơng trình nghiên cứu, phát triển ứng dụng CNTT Truyền thông thiết bị di động sử dụng hệ điều hành Android iOS SQLite khơng cần máy chủ, khơng cần cấu hình, khép kín nhỏ gọn SQLite engine khơng phải quy trình độc lập sở liệu khác, chúng liên kết cách tĩnh động tùy theo yêu cầu ứng dụng SQLite truy cập trực tiếp file lưu trữ nhớ Mặc dù hiệu suất thiết bị di động tăng đáng kể nhờ vào việc sử dụng SQLite nhớ Flash Tuy nhiên việc ghi tạm file journal nhớ Flash làm giảm đáng kể hiệu suất hoạt động số lượng lớn thao tác (read/write/erase) nhớ Flash thực cập nhật liệu SQLite Đây vấn đề cần giải để nâng cao hiệu suất hệ thống Android iOS Bài báo giới hệ thống lưu trữ kết hợp cho ứng dụng SQLite sử dụng Flash FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)[2, 3, 7] gọi COSS nhằm tối ưu hoá thao tác Commit cho hệ thống sử dụng NAND Flash SQLite Mục tiêu hệ thống làm giảm số lượng số lượng thao tác nhớ Flash làm chậm q trình lão hóa nhớ Flash, đồng thời hệ thống giúp liệu SQLite không bị mất điện hệ thống bị treo FRAM đóng vai trị đệm nơi lưu trữ tạm thời file journal SQLite Khi nhớ FRAM đầy, tất file journal FRAM ghi vào nhớ Flash Khả ghi đè liệu ghi byte FRAM giúp ứng dụng giảm chi phí thực số lượng thao tác phụ phát sinh nhớ Flash đặc tính vật lý Flash Kết thử nghiệm cho thấy hệ thống đạt hiệu tốt đảm bảo liệu SQlite an tồn Phần cịn lại bào có cấu trúc sau: Phần II giới thiệu kiến thức liên quan đến SQLite, Flash FRAM Phần III trình bày kiến trúc hệ thống Kết thực nghiệm đánh giá hệ thống trình bày Phần IV cuối cùng, kết luận báo trình bày Phần V 10 lần so với ghi Hiện nay, nhớ Flash có vịng đời khoảng 10.000-100.000 lần xóa khối Nếu số lần xóa khối vượt q ngưỡng khối khơng cịn khả sử dụng Để phù hợp với hệ điều hành khác đạt hiệu tối ưu, Flash cần phần mềm trung gian FTL FTL có chức là: ánh xạ địa (Address Mapping), thu hồi khối nhớ không hợp lệ điều phối ghi liệu khối nhớ (Wear Leveling) Chức ánh xạ địa cung cấp thuật toán ánh xạ địa logic địa vật lý nhớ Flash Đã có nhiều thuật tốn ánh xạ địa [1, 4-6] giới thiệu Chúng gom thành nhóm chính: Ánh xạ sector (Sector Mapping), ánh xạ khối (Block Mapping) ánh xạ lai (Hybrid Mapping) Bộ thu hồi khối nhớ khơng hợp lệ có chức thu hồi khối nhớ không hợp lệ để tái sử dụng Khi số lượng khối nhớ hợp lệ nhớ Flash thấp ngưỡng cho phép, thu hồi khối nhớ không hợp lệ tự động kích hoạt để thu hồi tái sử dụng khối không hợp lệ Wear Leveling sử dụng để điều tiết khối nhớ để đảm bảo khối nhớ có tần suất sử dụng tương đương Wear leveling định khối nhớ sử dụng có yêu cầu ghi liệu vào nhớ Flash FRAM công nghệ nhớ sử dụng tính chất điện sắt FRAM có tính chất tương tự DRAM liệu lưu FRAM khơng bị khơng có nguồn cung cấp điện Khác với Flash, FRAM cho phép truy xuất ngẫu nhiên đến đơn vị bit Thuật ngữ “ferroelectric - điện sắt” khơng có nghĩa FRAM chứa phần tử sắt khơng có nghĩa FRAM bị ảnh hưởng từ trường FRAM cho phép phân vùng cách linh hoạt cho mục đích chứa mã thực thi (Execution Code Partition) liệu Có nghĩa FRAM sử dụng để lưu trữ mã thực thi chương trình liệu đồng thời mà với loại nhớ khác phải sử dụng loại riêng biệt: ROM để lưu mã chương trình nhớ lưu trữ liệu SQLite hệ quản trị sở liệu sử dụng rộng rãi thiết bị di động nhờ vào tính nhỏ gọn mạnh mẽ Tuy nhiên, tần suất cập nhật ghi liệu ngẫu nhiên SQLite lớn nên hiệu SQLite nhớ Flash giảm đáng kể Mỗi cập nhật liệu, SQLite tạo file gọi file journal để lưu trữ tạm thời liệu cập nhật Sau thao tác cập nhật commit, file journal bị xóa Q trình thực atomic commit SQLite thực sau: II KIẾN THỨC CƠ SỞ Flash loại thiết bị nhớ thứ cấp sử dụng phổ biến Chúng có mặt thiết bị điện tử máy tính, điện thoại thơng minh, thiết bị nhúng, thẻ nhớ, USB, SSD, Khác với đĩa cứng thông thường, nhớ Flash gồm dãy thẻ nhớ NAND Flash Bộ nhớ Flash tổ chức thành khối nhớ; khối nhớ chứa số lượng cụ thể trang nhớ (32, 64, 128 trang) Trang nhớ đơn vị nhỏ thao tác đọc ghi khối nhớ đơn vị nhỏ thao tác xóa Bộ nhớ Flash hỗ trợ thao tác đọc, ghi xóa [89] Đọc thao tác có tốc độ nhanh tiếp đến thao tác ghi Một thao tác ghi khoảng 2ms; chậm 10 lần so với thao tác đọc Chậm thao tác xóa, chậm Chiếm giữ khóa: Trước SQLite ghi liệu vào sở liệu, phải nắm giữ khóa đọc (read lock) để đảm bảo sở liệu sẵn sàng Sau chiếm giữ khóa chia sẻ (shared lock) để ngăn khơng cho giao dịch khác ghi vào mục liệu hành Đọc thông tin từ sở liệu: 54 Tập 2021, Số 1, Tháng Những liệu cần thay đổi đọc từ sở liệu Chiếm giữ khóa dành riêng (Reserved Lock) Mục đích việc chiếm giữ khóa reserved nhằm ngăn chặn giao dịch khác ghi liệu giao dịch hành sớm ghi liệu vào mục liệu hành Tạo file Journal: Trước thực thay đổi liệu, SQLite tạo ghi liệu cũ vào file journal Lúc journal file lưu tạm thời đệm Hình Ví dụ cập nhật liệu nhớ Flash Thay đổi liệu phía người dùng: Sau liệu cũ vào file journal, liệu cập nhật phía người dùng Giả sử cần cập nhật mục sở liệu SQLite lưu trữ nhớ Flash Nếu ghi với giá trị khóa 12 chèn vào sỡ liệu ghi cập nhật nút C ghi liệu trang nhớ nhớ Flash Vì đặc tính xóa trước ghi (khơng thể ghi đè) nên q trình chèn 12 thực sau: Đầu tiên file hợp lệ (A, B) block #n chép sang block #m; ghi file C’ vào block #m cuối block #n bị xóa đánh dấu block khơng hợp lệ Quá trình phát sinh nhiều thao tác Flash dẫn đến giảm hiệu suất tồn hệ thống Lưu ý rằng, vịng đời NAND Flash bị giới hạn số lần xoá block Do đó, việc giảm thao tác xố giúp cho tuổi thọ NAND Flash bị ảnh hưởng Nhằm hạn chế việc phát sinh thao tác trình bày ví dụ trên, giải pháp đề xuất Phần III Ghi journal file vào đĩa: Để đảm bảo an toàn liệu, file journal ghi vào đĩa cứng Chiếm giữ khóa độc quyền (Exclusive Lock) Trước ghi liệu, SQLite cần chiếm giữ khóa độc quyền để đảm bảo khơng có giao dịch đọc hay ghi liệu lên mục liệu hành Ghi liệu thay đổi vào đĩa: Toàn liệu thay đổi ghi vào đĩa Xóa file journal: Sau hoàn tất ghi liệu vào file, hệ thống xóa file journal Sau journal file bị xóa thành cơng, khóa giải phóng Nếu q trình commit khơng thành cơng, hệ thống thực rollback cách đọc file journal vào ghi liệu cũ vào sở liệu Quá trình rollback bao gồm bước sau: III THIẾT KẾ VÀ CÀI ĐẶT COSS Thiết kế COSS Phần trình bày chế tới ưu hóa thao tác commit SQLite hệ thống lưu trữ cho SQLite tảng NAND Flash nhớ FRAM Mục tiêu hệ thống nhằm giảm tối đa chi phí thực cập nhật file journal cập nhật liệu sở liệu SQLite giảm số lượng thao tác NAND Flash Để đạt mục tiêu này, xây dựng hệ thống lưu trữ lai sử dụng FRAM NAND Flash Trong hệ thống này, FRAM dùng để lưu trữ file journal NAND Flash dùng để lưu trữ liêu Tìm file journal “nóng” File journal “nóng” file journal có đặc điểm sau: - Đang tồn hợp lệ - Không rỗng - Không chứa khóa reserved file sở liệu - Tiêu đề cấu trúc - Không chứa tên file supper-journal (dùng commit nhiều giao dịch đồng thời) Đọc thông liệu cũ từ file journal ghi vào sở liệu Xóa file journal “nóng”: Sau tất thơng tin ghi vào sở liệu, file journal cần xóa để hồn tất giao dịch Hình trình bày kiến trúc tổng thể hệ thống COSS Hệ thống COSS bao gồm tất thành phần hệ thống thông thường, driver cho hệ thống lai thành phần lưu trữ FRAM NAND Flash Như đề cập trên, bên cạnh điểm mạnh bật, nhớ Flash có hai nhược điểm lớn đặc tính xóa trước ghi hạn chế số lần xóa khối Do đó, thực thao tác commit SQLite nguyên thủy nhớ Flash dẫn đến hiệu hoạt động thấp Hình trình bày ví dụ việc cập nhật liệu nhớ Flash sử dụng thuật toán ánh xạ địa Block mapping Thành phần driver cho hệ thống lai quản lý định thiết bị lưu trữ (FRAM hay Flash) sử dụng để ghi liệu Nếu file journal tạo cập nhật driver hệ thống lai ghi liệu file journal lên FRAM Ngược lại, liệu SQLite ghi vào Flash FRAM driver Flash driver quản lý việc ghi liệu lên FRAM Flash tương ứng theo chế 55 Các cơng trình nghiên cứu, phát triển ứng dụng CNTT Truyền thông FRAM sử dụng kết hợp với nhớ Flash nhằm nâng cao hiệu suất SQLite hệ thống Android iOS Bởi liệu ghi đè FRAM nên tránh nhược điểm xóa trước ghi Flash Mỗi file journal tạo ra, COSS ghi file journal vào FRAM thay ghi vào Flash bình thường Điều làm giảm đáng kể số lượng thao tác nhớ Flash, đặc biệt thao tác ghi xóa Flash tiêu tốn nhiều thời gian lượng sở liệu vào Flash Với chế này, hệ thống hoạt động với hiệu suất tốt hệ thống thông thường FRAM nhanh Flash, hạn chế thao tác xóa trước ghi đồng thời giúp kéo dài tuổi thọ Flash Để cài đặt hệ thống lưu trữ này, hệ thống cần phương thức riêng để truy xuất Flash FRAM Như trình bày Hình 4, hệ thống sử dụng FRASH[10] hệ thống file đơn giản thiết kế cho hệ thống lưu trữ kết hợp FRAM Flash Hình Hệ thống file Hình Kiến trúc COSS Bằng cách sử dụng hệ thống lưu trữ lai này, COSS làm tăng đáng kể hiệu suất SQLite hệ thống Android/iOS thiết bị thông minh đồng thời làm chậm q trình lão hố NAND Flash Về bản, thực trình commit, COSS ghi file journal vào FRAM Ngay liệu cập nhật ghi vào Flash thành cơng file journal phân vùng liệu FRAM xóa để hồn tất q trình commit Cơ chế hoạt động COSS IV ĐÁNH GIÁ HIỆU SUẤT Phần trình bày số kết thực nghiệm COSS so sánh hiệu suất với hệ thống nguyên thuỷ Tất thực triển khai nhớ FRAM giả lập lấy từ RAM có dung lượng 8MB Hiệu suất hệ thống đánh giá dựa số lượng thao tác hiệu suất sử dụng không gian nhớ khối nhớ NAND Flash Trong thử nghiệm, sử dụng đếm thao tác đếm thời gian hệ thống nhớ Flash để đánh giá kết thực Để đảm bảo công so sánh, thử nghiệm tất thực nghiệm môi trường Windows 10 Pro N với vi xử lý Intel Core i5-7400, 8GB DDR đĩa cứng SSD 512GB Hình Hệ thống nhớ kết hợp Với hệ thống này, kết hợp FRAM NAND Flash để lưu trữ liệu FRAM sử dụng thiết bị lưu trữ hệ thống nhúng FRAM cho phép truy xuất byte ghi đè liệu hạn chế nhược điểm xóa trước ghi Flash Như trình bày Hình 3, hệ thống sử dụng FRAM cho hai mục đích lưu trữ liệu mã thực thi chương trình Trong trường hợp hệ thống hoạt động tốt FRAM đóng vai trị ROM thiết bị lưu trữ Bằng cách sử dụng phần FRAM để lưu liệu, hệ thống lưu file journal tạm thời vào FRAM Hiệu suất đọc/ghi Trong phần này, đánh giá hiệu hệ thống thông qua việc cập nhật 100.000 ghi sở liệu 56 Tập 2021, Số 1, Tháng Hình Số lượng thao tác đọc Hình Số lượng thao tác xố Khơi phục liệu Hình Số lượng thao tác ghi Như Hình thể hiện, số lượng thao tác đọc COSS khoảng 14,1% so với hệ thống nguyên thuỷ COSS sử dụng FRAM có khả ghi đè Nhờ vào khả ghi đè FRAM, COSS tránh số lượng lớn thao tác ghép nhớ Flash dẫn đến số lượng thao tác đọc giảm bớt Đối với thao tác ghi thao tác xoá, COSS thực hệ thống nguyên thuỷ khoảng 17,9% 20,5% Hình Hình sau Hình Thời gian thực Như trình bày phần trước, khả khôi phục liệu điểm mạnh FFB Dữ liệu COSS đảm bảo khả khôi phục liệu sau số nhanh Hình trình bày thời gian khơi phục liệu sau cố Nhìn chung, COSS khơi phục liệu thời gian trung bình khoảng 0,23 giây; nhanh hệ thống bình thường khoảng 82,6% Bởi tất liệu COSS ghi vào Flash FRAM (không liệu) liệu khơi phục cách dễ dàng cách đọc từ FRAM ghi vào Flash sau cố xảy Mặc dù COSS cần thêm số thao tác ghi để ghi liệu vào FRAM trước ghi vào Flash COSS không thực thao tác ghép Flash làm giảm đáng kể số lượng thao tác ghi xoá Điều có ích cho nhớ Flash kèo dài vịng đời nhớ Flash Vịng đời nhớ Flash tính dựa số lần xố khối nhớ Do đó, việc giảm số lượng thao tác xoá khối làm chậm lại q trình lão hố nhớ Flash Thời gian thực Hình trình bày thời gian thực 100.000 thao tác cập nhật vào sở liệu Bởi COSS giảm số lượng lớn thao tác Flash tốc độ cao FRAM nên COSS thực nhanh nhiều so với hệ thống nguyên thủy Tốc độ truy xuất FRAM tương tự DRAM, nhanh nhiều so với Flash Mặt khác, khơng có thao tác ghép xảy FRAM - thao tác mà tốn nhiều thời gian Flash Điều giúp cho COSS thực cập nhật nhanh khoảng 218% so với hệ thống nguyên thủy Hình Thời gian khôi phục liệu Thực tế, thời gian khôi phục liệu phụ thuộc vào kích thước vùng nhớ FRAM dùng để làm đệm Kích 57 Các cơng trình nghiên cứu, phát triển ứng dụng CNTT Truyền thơng thước vùng lớn thời gian khơi phục lâu có nhiều liệu lưu trữ tạm thời Tuy nhiên, tốc độ truy xuất FRAM cao nên thời gian khôi phục liệu chấp nhận Response Time and The Life Cycle of Flash Memory,” Information Sciences, vol 179, no 18, 2009, pp 3136-3161 [10] Kim, E.-K., Shin, H., Jeon, B.-G., Han, S., Jung, J., Won, Y “FRASH: Hierarchical File System for FRAM and Flash” ICCSA 2007, Part I LNCS, vol 4705, pp 238–251 Springer, Heidelberg (2007) [11] Jung, Myoungsoo, Choi, Wonil, Shuwen Gao, Ellis Herbert Wilson III, David Donofrio, John Shalf and Mahmut Taylan Kandemir “NANDFlashSim: High-Fidelity, Microarchitecture-Aware NAND Flash Memory Simulation” ACM Transactions on Storage, Vol.12, No.2, Article 6, 1.2016 V KẾT LUẬN Bằng cách kết hợp thiết bị lưu trữ để tạo thành hệ thống lưu trữ kết hợp, COSS nâng cao hiệu suất SQLite nhớ NAND Flash hệ thống di động Trong hệ thống COSS này, với khả ghi đè byte tốc độ cao FRAM khắc phục nhược điểm vật lý NAND Flash ghi trang (page) xóa khối (block) trước ghi (tính chất làm ảnh hưởng xấu đến tốc độ vòng đời Flash) COSS giúp hệ thống sử dụng SQLite nâng cao hiệu suất mà đảm bảo liệu ln an tồn Tuy nhiên, điểm hạn chế COSS phải sử dụng thêm FRAM (một thiết bị lưu trữ chưa sử dụng phổ biến hạn chế dung lượng) SƠ LƯỢC VỀ TÁC GIẢ Hồ Văn Phi Sinh ngày: 06/06/1980 Nhận Thạc sỹ Khoa học máy tính năm 2009 Đại học Đà Nẵng Nhận Tiến sỹ KH máy tính năm 2017 Trường Đại học Soongsil, Hàn Quốc Hiện công tác Trường ĐH CNTT Truyền thông Việt Hàn, Đại học Đà Nẵng Lĩnh vực nghiên cứu: Cơ sở liệu Flash Điện thoại: 0905702411 E-mail: hvphi@vku.udn.vn Do đó, COSS áp dụng ứng dụng mà yêu cầu mặt tốc độ an toàn liệu đặt lên hàng đầu Nguyễn Phương Tâm Trong tương lai gần, tập trung nghiên cứu xây dựng hệ thống drive cho COSS để nâng cao hiệu hoạt động hệ thống an tồn liệu Sinh ngày: 03/06/1980 Nhận Thạc sỹ Khoa học máy tính năm 2009 Đại học Đà Nẵng Nhận Tiến sỹ KH máy tính năm 2017 Trường Đại học Soongsil, Hàn Quốc Hiện công tác Trường ĐH CNTT Truyền thông Việt Hàn, Đại học Đà Nẵng Lĩnh vực nghiên cứu: Cơ sở liệu Flash Điện thoại: 0905702411 E-mail: hvphi@vku.udn.vn TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Shinde Pratibha et al “Efficient Flash Translation layer for Flash Memory,” International Journal of Scientific and Research Publications, Volume 3, Issue 4, April 2013 [2] Hồ Văn Phi “FFB: Hệ thống lưu trữ kết hợp cho ứng dụng B-tree nhớ NAND Flash” Hội thảo quốc gia lần thứ XXI: Một số vấn đề chọn lọc Cơng nghệ thơng tin truyền thơng – Thanh Hóa, 7/2018, Trang 97-102 [3] VanPhi Ho, Park, Dong-Joo “An Efficient B-tree Index Scheme for Flash Memory” International Journal of Software Engineering and Its Applications, Vol.11, No.2 pp 5164, (2017) [4] VanPhi Ho, Park, Dong-Joo, “WPCB-Tree: A Novel FlashAware B-Tree Index Using a Write Pattern Converter,” Symmetry 2018, 10, 18 [5] Chin-Hsien Wu et al “An Efficient B-Tree Layer Implementation for Flash Memory Storage Systems,” ACM Transactions on Embedded Computing Systems, Vol 6, No 3, Article 19, 2007 [6] Xiaona Gong et al “A Write-Optimized B-Tree Layer for NAND Flash,” Proceeding of the 7th International Conference on Wireless Communications, Networking and Mobile Computing (WiCOM), pp.1-4, 2011 [7] Volker Rzehak, “Low-Power FRAM Microcontrollers and Their Applications”, White Paper, Texas Instruments Deutschland, June 2011 [8] Yinan Li, Bingsheng He, Robin Jun Yang, Qiong Luo and Ke Yi “Tree Indexing on Solid State Drives,” Proceedings of International Conference on Very Large Data Bases, 2009 [9] Hongchan Roh, Woo-Cheol Kim, Seungwoo Kim and Sanghyun Par.k “A B-Tree Index Extension to Enhance Nguyễn Thị Hạnh Sinh ngày: 01/10/1981 Nhận Thạc sỹ Khoa học máy tính năm 2010 Đại học Đà Nẵng Hiện công tác Trường ĐH CNTT Truyền thông Việt Hàn, Đại học Đà Nẵng Lĩnh vực nghiên cứu: Bảo mật liệu Điện thoại: 0935688515 E-mail: hanhnt@vku.udn.vn Lương Khánh Tý Sinh ngày: 07/08/1984 Nhận Thạc sỹ KH máy tính năm 2011 Đại học Đà Nẵng Hiện công tác Trường ĐH CNTT Truyền thông Việt Hàn, Đại học Đà Nẵng Lĩnh vực nghiên cứu: Cơ sở liệu Điện thoại: 0974883609 E-mail: lkty@vku.udn.vn 58 ... hệ thống sử dụng NAND Flash SQLite Mục tiêu hệ thống làm giảm số lượng số lượng thao tác nhớ Flash làm chậm trình lão hóa nhớ Flash, đồng thời hệ thống giúp liệu SQLite không bị mất điện hệ thống. .. tổng thể hệ thống COSS Hệ thống COSS bao gồm tất thành phần hệ thống thông thường, driver cho hệ thống lai thành phần lưu trữ FRAM NAND Flash Như đề cập trên, bên cạnh điểm mạnh bật, nhớ Flash có... Flash Để đạt mục tiêu này, xây dựng hệ thống lưu trữ lai sử dụng FRAM NAND Flash Trong hệ thống này, FRAM dùng để lưu trữ file journal NAND Flash dùng để lưu trữ liêu Tìm file journal “nóng” File