Nghiên cứu, chế tạo chất nhạy quang trên cơ sở phức bipyridine và kim loại chuyển tiếp, định hướng ứng dụng cho pin mặt trời dssc

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI ĐOÀN TUẤN ANH ĐOÀN TUẤN ANH KH VÀ KT VẬT LIỆU ĐIỆN TỬ NGHIÊN CỨU, CHẾ TẠO CHẤT NHẠY QUANG TRÊN CƠ SỞ PHỨC BIPYRIDINE VÀ KIM LOẠI CHUYỂN TIẾP, ĐỊNH HƯỚNG ỨNG DỤNG CHO PIN MẶT TRỜI DSSC LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC KH VÀ KT VẬT LIỆU ĐIỆN TỬ 2012-2014 Hà Nội – 2014 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI ĐOÀN TUẤN ANH NGHIÊN CỨU, CHẾ TẠO CHẤT NHẠY QUANG TRÊN CƠ SỞ PHỨC BIPYRIDINE VÀ KIM LOẠI CHUYỂN TIẾP, ĐỊNH HƯỚNG ỨNG DỤNG CHO PIN MẶT TRỜI DSSC Chuyên ngành: KH & KT VẬT LIỆU ĐIỆN TỬ LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC KH VÀ KT VẬT LIỆU ĐIỆN TỬ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC PGS.TS MAI ANH TUẤN Hà Nội – Năm 2014 LỜI CẢM ƠN Luận văn tốt nghiệp cao học hoàn thành Viện ITIMS, Đại học Bách Khoa Hà Nội Để có luận văn tốt nghiệp này, tác giả xin bày tỏ lòng biết ơn chân thành sâu sắc đến lãnh đạo Viện ITIMS, phòng đào tạo sau đại học, đặc biệt PGS.TS Mai Anh Tuấn trực tiếp hướng dẫn, dìu dắt, giúp đỡ tác giả với dẫn khoa học quý giá suốt trình triển khai, nghiên cứu hoàn thành đề tài “Nghiên cứu, chế tạo chất nhạy quang sở phức bipyridine kim loại chuyển tiếp, định hướng ứng dụng cho pin mặt trời DSSC” Xin chân thành cảm ơn thầy cô giáo, nhà khoa học trực tiếp giảng dạy truyền đạt kiến thức khoa học cho thân tác giả thời gian qua Xin ghi nhận cơng sức đóng góp q báu nhiệt tình đồng nghiệp, bạn học viên ITIMS tập thể nhóm BIOMAT đóng góp ý kiến, giúp đỡ quan tâm động viên tác giả trình thực luận văn Cuối cùng, xin gửi lời cảm ơn chân thành tới gia đình, người ln bên cạnh, động viên, giúp đỡ tơi vượt qua khó khăn để hồn thành tốt luận văn Xin chân thành cảm ơn! LỜI CAM ĐOAN Tơi cam đoan cơng trình nghiên cứu Các số liệu, kết nêu luận văn trung thực chưa công bố cơng trình khác Tác giả Đồn Tuấn Anh MỤC LỤC MỞ ĐẦU CHƯƠNG LÝ THUYẾT VỀ PIN MẶT TRỜI SỬ DỤNG CHẤT MÀU NHẠY SÁNG 1.1 HIỆU ỨNG QUANG ĐIỆN 1.2 CẤU TRÚC VÀ CƠ CHẾ HOẠT ĐỘNG CỦA PIN MẶT TRỜI DSSC 1.2.1 Cấu trúc pin mặt trời DSSC 1.2.2 Biểu đồ lượng nguyên lý hoạt động pin mặt trời DSSC 1.3 NGHIÊN CỨU, CHẾ TẠO CÁC THÀNH PHẦN TRONG PIN DSSC 10 1.3.1 Chất nhạy quang (dye) 10 1.3.2 Tổng hợp vật liệu nano TiO2 phương pháp sol – gel 15 1.3.2.1 Quá trình sol – gel 17 1.3.2.2 Ảnh hưởng thơng số lên q trình sol – gel 18 1.3.2.3 Các phương pháp phủ màng sol – gel 23 1.3.2.4 Ưu nhược điểm phương pháp sol – gel 26 1.3.3 Tạo màng vật liệu TiO2 phương pháp phun phủ nhiệt phân 26 1.3.3.1 Kỹ thuật phun phủ nhiệt 27 1.3.3.2 Giai đoạn hình thành sol khí dung dịch tiền chất 29 1.3.3.3 Giai đoạn vận chuyển sol khí 30 1.3.3.4 Giai đoạn nhiệt phân hình thành màng vật liệu 35 1.4 CÁC THÔNG SỐ ĐẶC TRƯNG CỦA PIN MẶT TRỜI 37 1.4.1 Thế hở mạch VOC 37 1.4.2 Mật độ dòng ngắn mạch JSC 38 1.4.3 Hệ số lấp đầy pin (FF) 39 1.4.4 Hiệu suất chuyển đổi lượng 40 1.4.5 Thời gian sống độ bền nhiệt pin mặt trời 40 1.4.6 Phổ dòng quang điện 40 CHƯƠNG 2: THỰC NGHIỆM 41 2.1 TỔNG HỢP VẬT LIỆU TiO2 BẰNG PHƯƠNG PHÁP SOL – GEL 41 2.1.1 Hóa chất, dụng cụ 41 2.1.2 Quy trình tổng hợp vật liệu TiO2 41 2.2 TỔNG HỢP CHẤT NHẠY QUANG BIPYRIDIN-Cu (I) 44 2.3 CHẾ TẠO THỬ NGHIỆM DSSC 48 2.3.1 Hóa chất, dụng cụ 48 2.3.2 Quy trình chế tạo thử nghiệm DSSC 49 CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 51 3.1 PHÂN TÍCH CẤU TRÚC VÀ KHẢO SÁT HÌNH THÁI BỀ MẶT MÀNG TiO2 51 3.1.1 Nhiễu xạ tia X 51 3.1.2 Raman 52 3.1.3 Hình thái bề mặt 53 3.2 TÍNH CHẤT QUANG CỦA MÀNG VẬT LIỆU TiO2 55 3.3 PHỐI TỬ 6,6’-DIMETHYL-4,4’-BIS(PHENYLETHYNYL)2,2’-BIPYRIDINE (L) 57 3.4 ĐẶC TRƯNG I-V CỦA PIN DSSC CHẾ TẠO THỬ NGHIỆM 66 KẾT LUẬN 70 DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO 72 DANH MỤC HÌNH Hình Cấu trúc điển hình DSSC bao gồm: chất nhạy quang hấp phụ lên bề mặt nano TiO2 chất điện ly định vị hai điện cực Hình Sự truyền điện tử thông qua chất màu nhạy sáng phức chất Ru(II) Hình Mơ hình hoạt động pin DSSC Hình Cấu trúc hóa học phức N3, chất nhạy quang tiêu biểu sử dụng pin mặt trời DSSC 11 Hình Cấu hình khơng gian phối vị phức chất Cu (I) – polypyridyl Ru (II) – polypyridyl 13 Hình Các orbital orbital d liên quan tới trình vận chuyển điện tử phức chất kim loại có cấu hình điện tử d6 (Ru (II)) d10 (Cu (I)) 14 Hình Tính chất quang lý điện hóa 15 Hình Các nhóm sản phẩm phương pháp sol – gel 16 Hình Diễn biến trình sol – gel 17 Hình 10 Quá trình thủy phân 18 Hình 11 Ảnh hưởng pH phản ứng thủy phân 19 Hình 12 Quá trình ngưng tụ 20 Hình 13 Tốc độ hịa tan thời gian gel hóa điều kiện pH 22 Hình 14 Quá trình nhúng phủ 23 Hình 15 Phương pháp quay phủ 24 Hình 16 Các giai đoạn phương pháp quay phủ 24 Hình 17 Thiết bị phun phủ (súng phun) 25 Hình 18 Hệ thống phủ chảy dịng 25 Hình 19 Các cơng nghệ lắng đọng hóa học chế tạo màng mỏng 27 Hình 20 Mơ hình sử dụng kỹ thuật phun phủ nhiệt phân 28 Hình 21 Quá trình biến đổi giai đoạn vận chuyển hạt sol 31 Hình 22 Nhiệt độ khơng khí bề mặt đế nhiệt độ 210 0C, 250 0C, 310 C 400 0C trình phun phủ [28][29] 34 Hình 23 Sự phụ thuộc đặc trưng sáng VA pin mặt trời tinh thể Si vào nhiệt độ khoảng từ -40 0C đến 60 0C 38 Hình 24 Sự phụ thuộc đặc trưng VA pin mặt trời vào cường độ xạ mặt trời 39 Hình 25 Sự phụ thuộc mật độ dòng quang điện J vào hiệu điện V 39 Hình 26 Quy trình tổng hợp TiO2 phương pháp sol – gel 42 Hình 27 Quy trình chế tạo màng TiO2 phương pháp phủ màng (a) phun phủ (b) 43 Hình 28 Hệ phun phủ nhiệt phân TST1303 44 Hình 29 Quy trình tổng hợp phối tử bipyridin 45 Hình 30 Hóa chất, dụng cụ chế tạo thử nghiệm DSSC 48 Hình 31 Quy trình chế tạo thử nghiệm DSSC 49 Hình 32 Phổ nhiễu xạ tia X vật liệu TiO2 xử lý nhiệt độ từ 100 – 500 0C 51 Hình 33 Phổ Raman màng vật liệu TiO2 xử lý 400 0C 53 Hình 34 Ảnh SEM màng vật liệu TiO2 chế tạo phương pháp phun phủ 54 Hình 35 Ảnh SEM màng vật liệu TiO2 tổng hợp theo phương pháp sol – gel sử dụng kĩ thuật phủ màng thông thường, điều kiện xử lý 55 Hình 36 Phổ hấp thụ màng vật liệu TiO2 chế tạo phương pháp phun phủ nhiệt phân 56 Hình 37 Tính tốn độ rộng vùng cấm màng vật liệu TiO2 từ phổ hấp thụ truyền qua 57 Hình 38 Phổ 1H NMR phối tử L 58 Hình 39 Phổ 13C NMR phối tử L 59 Hình 40 Phổ 13C NMR phối tử L vùng từ 80 – 160 ppm 60 Hình 41 Phổ HSQC phối tử L 62 Hình 42 Phổ HMBC phối tử L 64 Hình 43 Cấu trúc phối tử tổng hợp 66 Hình 44 Một số mẫu pin DSSC chế tạo thử nghiệm 68 Hình 45 Đường đặc tuyến I-V pin DSSC sử dụng phức chất nhạy quang tổng hợp 68 xác cấu trúc phối tử L, nhóm tác giả tiến hành ghi phổ cộng hưởng từ hạt nhân hai chiều HSQC HMBC Hình 41 Phổ HSQC phối tử L 62 Kết phân tích phổ HSQC trình bày bảng Bảng Các tín hiệu ghi nhận liên kết C-H phổ HSQC C δ δ (ppm) H (ppm) C1; C1’ 24,662 C2; C2’ 158,246 - - C6; C6’ 155,683 - - C4; C4’ 132,552 - - C(10, 14); C(10’, 132,041 H(10, 14); H(10’, 7,583; 7,578; 7,571; 14’) H1; H1’ 14’) 2,652 7,564 C9; C9’ 122,603 - - C(11, 13); 128,592 H(11, 13); H(11’,, 7,377 ; 7,390 ,13’) C(11’,13’) C12, C12’ 129,125 H12, H12’ 7,384 C3; C3’ 125,067 H3; H3’ 7,288 C5; C5’ 120,496 H5 8,332 C8; C8’ 93,364 - - C7; C7’ 87,572 - - Phổ HMBC ghi nhận hình 42 63 Hình 42 Phổ HMBC phối tử L 64 Kết phân tích phổ HMBC tổng hợp bảng Bảng Bảng tổng hợp kết phân tích phổ HMBC Có tín hiệu Cacbon giao với hiđro δ (ppm) C H C1 24,662 H3 C2 158,246 H1, H3 C3 125,067 H1, H5 C4 132,552 - C5 120,496 H3 C6 155,683 H1 C7 87,572 H3, H5 C8 93,364 H10, H14 C9 122,603 H11, H13 C10 132,041 H14 C11 128,592 - C12 129,125 H10, H14 C13 128,592 65 C14 132,041 H10 Như từ phổ NMR chiều hai chiều sản phẩm thu được, cho thấy sản phẩm có cấu trúc phù hợp với hợp chất dự kiến diphenylethynyl bipyridin sử dụng để tạo phức với Cu (I) hình 43 Hình 43 Cấu trúc phối tử tổng hợp 3.4 ĐẶC TRƯNG I-V CỦA PIN DSSC CHẾ TẠO THỬ NGHIỆM Trong nghiên cứu này, tác giả chế tạo thử nghiệm pin DSSC sở số phức chất nhạy quang tổng hợp từ phối tử bảng 66 Bảng Chế tạo thử nghiệm pin DSSC sở số phối tử bipyridine tổng hợp Kí hiệu L1 L2 L3 Phối tử Phức chất nhạy quang tổng hợp từ phối tử L1, L2 L3 với Cu (I) có dạng tổng quát [Cu(L2)][PF6] sử dụng làm thành phần hấp thụ ánh sáng khả kiến chế tạo thử nghiệm pin DSSC 67 Hình 44 Một số mẫu pin DSSC chế tạo thử nghiệm Đường đặc tuyến I-V pin DSSC khảo sát đánh giá thông số đặc trưng pin mặt trời với điều kiện chiếu sáng tiêu chuẩn AM1.5 Hình 45 Đường đặc tuyến I-V pin DSSC sử dụng phức chất nhạy quang tổng hợp 68 Từ kết hình 45 cho thấy pin DSSC hiệu suất nâng lên từ 0,0249 lên đến 0,0637 % so sánh pin DSSC sử dụng chất màu nhạy quang không sử dụng chất màu nhạy quang Đối với pin DSSC sử dụng phối tử L1 cho hiệu suất 0,0367 % không khác nhiều so với pin không sử dụng chất nhạy quang, nguyên nhân phối tử L1 tạo thành phức chất Cu (I) dễ bị oxi hóa chuyển lên trạng thái Cu (II) môi trường dung dịch làm giảm hiệu suất chuyển đổi quang điện Ngoài ra, cấu trúc phức chất sử dụng phối tử L1 không bền dẫn đến thời gian sống pin giảm Trong đó, cấu trúc không gian cồng kềnh phối tử L2 L3 giảm oxi hóa tạo phức với Cu (I) Đặc biệt, với phức chất [Cu(L3)2]+ sử dụng làm chất màu nhạy quang pin mặt trời DSSC rõ ràng cải thiện đáng kể hiệu suất chuyển hóa lượng pin lên 0,0637 % 69 KẾT LUẬN Với mục tiêu nghiên cứu đề tài, tổng hợp lớp vật liệu chức định hướng ứng dụng pin mặt trời DSSC sử dụng kỹ thuật phun phủ nhiệt phân với giá thành rẻ chủ động công nghệ chế tạo Sau thời gian nghiên cứu thực nghiệm, tác giả thu kết sau: - Nghiên cứu, tìm hiểu sử dụng kỹ thuật phun phủ nhiệt phân việc chế tạo màng vật liệu khác với định hướng ứng dụng pin mặt trời DSSC - Tổng hợp màng vật liệu TiO2, chế tạo điện cực photoanode ứng dụng pin mặt trời DSSC Màng vật liệu TiO2 tổng hợp có cấu trúc pha anatase, kích thước hạt khoảng 20 nm phù hợp với số kết nghiên cứu cơng bố pin mặt trời DSSC - Nhóm tác giả tổng hợp số phức chất nhạy quang sở phức chất bipyridine kim loại chuyển tiếp Cu (I) nhằm thay cho phức chất nhạy quang phổ biến Ru (II) - Từ kết thu được, nhóm tác giả tiến hành chế tạo thử nghiệm pin mặt trời DSSC đo lường tính chất đặc trưng pin sở vật liệu tổng hợp - Trong trình tổng hợp vật liệu kỹ thuật sol – gel phun phủ nhiệt phân trình bày, cho thấy kỹ thuật có triển vọng việc chế tạo pin mặt trời DSSC với nhiều lớp vật liệu chức Tuy nhiên, trình thực nghiệm phải lưu ý số điều kiện chế tạo ví dụ phương pháp sol – gel bị ảnh hưởng yếu tố pH, nhiệt độ… phương pháp phun phủ nhiệt 70 phân ảnh hưởng tính chất dung dịch tiền chất, nhiệt độ phun phủ, lưu lượng dịng khí mang… Định hướng nghiên cứu tiếp theo: Với kết nghiên cứu thời gian thực luận văn này, tác giả đưa số định hướng nghiên cứu sau: - Nghiên cứu tính tốn lý thuyết hiệu suất hấp phụ chất nhạy quang bề mặt TiO2 phụ thuộc vào bề mặt TiO2 cấu trúc phức chất nhạy quang - Nâng cao hiệu suất phản ứng tổng hợp phức chất nhạy quang - Phát triển hệ phun phủ nhiệt phân, nâng cấp đầu phun sử dụng siêu âm nhằm nâng cao hiệu làm việc hệ phun phủ nhiệt phân TST1303 71 DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] H TRIBUTSCH, “REACTION OF EXCITED CHLOROPHYLL MOLECULES AT ELECTRODES AND IN PHOTOSYNTHESIS*,” Photochem Photobiol., vol 16, no 4, pp 261–269, Oct 1972 [2] J.-F Yin, J.-G Chen, Z.-Z Lu, K.-C Ho, H.-C Lin, and K.-L Lu, “Toward Optimization of Oligothiophene Antennas: New Ruthenium Sensitizers with Excellent Performance for Dye-Sensitized Solar Cells,” Chem Mater., vol 22, no 15, pp 4392–4399, Jul 2010 [3] S.-R Jang, C Lee, H Choi, J J Ko, J Lee, R Vittal, and K.-J Kim, “Oligophenylenevinylene-Functionalized Ru(II)-bipyridine Sensitizers for Efficient Dye-Sensitized Nanocrystalline TiO2 Solar Cells,” Chem Mater., vol 18, no 23, pp 5604–5608, Oct 2006 [4] Z Jin, H Masuda, N Yamanaka, M Minami, T Nakamura, and Y Nishikitani, “Efficient Electron Transfer Ruthenium Sensitizers for DyeSensitized Solar Cells,” J Phys Chem C, vol 113, no 6, pp 2618–2623, Jan 2009 [5] M K Nazeeruddin, A Kay, I Rodicio, R Humphry-Baker, E Mueller, P Liska, N Vlachopoulos, and M Graetzel, “Conversion of light to electricity by cis-X2bis(2,2’-bipyridyl-4,4’-dicarboxylate)ruthenium(II) charge-transfer sensitizers (X = Cl-, Br-, I-, CN-, and SCN-) on nanocrystalline titanium dioxide electrodes,” J Am Chem Soc., vol 115, no 14, pp 6382–90, 1993 [6] M K Nazeeruddin, F De Angelis, S Fantacci, A Selloni, G Viscardi, P Liska, S Ito, B Takeru, and M Grätzel, “Combined Experimental and 72 DFT-TDDFT Computational Study of Photoelectrochemical Cell Ruthenium Sensitizers,” J Am Chem Soc., vol 127, no 48, pp 16835– 16847, Nov 2005 [7] American Chemical Society, “Ultrathin, Dye-sensitized Solar Cells Called Most Efficient To Date,” 20-Sep-2006 [Online] Available: www.sciencedaily.com/releases/2006/09/060918201621.htm [8] F Gao, Y Wang, J Zhang, D Shi, M Wang, R Humphry-Baker, P Wang, S M Zakeeruddin, and M Gratzel, “A new heteroleptic ruthenium sensitizer enhances the absorptivity of mesoporous titania film for a high efficiency dye-sensitized solar cell,” Chem Commun., no 23, pp 2635– 2637, 2008 [9] S R Raga and F Fabregat-Santiago, “Temperature effects in dyesensitized solar cells,” Phys Chem Chem Phys., vol 15, no 7, pp 2328– 2336, 2013 [10] P Wang, S M Zakeeruddin, J E Moser, M K Nazeeruddin, T Sekiguchi, and M Gratzel, “A stable quasi-solid-state dye-sensitized solar cell with an amphiphilic ruthenium sensitizer and polymer gel electrolyte,” Nat Mater, vol 2, no 6, pp 402–407, Jun 2003 [11] M Grätzel, “Dye-sensitized solar cells,” J Photochem Photobiol C Photochem Rev., vol 4, no 2, pp 145–153, Oct 2003 [12] W M Campbell, K W Jolley, P Wagner, K Wagner, P J Walsh, K C Gordon, L Schmidt-Mende, M K Nazeeruddin, Q Wang, M Grätzel, and D L Officer, “Highly Efficient Porphyrin Sensitizers for DyeSensitized Solar Cells,” J Phys Chem C, vol 111, no 32, pp 11760– 11762, Jul 2007 73 [13] B Weintraub, Y Wei, and Z L Wang, “Optical Fiber/Nanowire Hybrid Structures for Efficient Three-Dimensional Dye-Sensitized Solar Cells,” Angew Chem Int Ed., vol 48, no 47, pp 8981–8985, Nov 2009 [14] Northwestern University, “Taking solar technology up a notch: New inexpensive, environmentally friendly solar cell shines with potential.” [Online] Available: www.sciencedaily.com/releases/2012/05/120523133236.htm [15] J Burschka, N Pellet, S.-J Moon, R Humphry-Baker, P Gao, M K Nazeeruddin, and M Gratzel, “Sequential deposition as a route to highperformance perovskite-sensitized solar cells,” Nature, vol 499, no 7458, pp 316–319, Jul 2013 [16] Nguyễn Tài Lương, “Nghiên cứu ảnh hưởng cấu trúc chất nhạy sáng Rethenium đến tính chất pin mặt trời chất màu nhạy sáng.” 2011 [17] M E C Genevie`ve Sauve, I L Stephen J.Doig, and N L Katherine Pomyka, “High Quantum Yield Sensitization of Nanocrystalline Titanium Dioxide Photoelectrodes with cis-Dicyanobis(4,4′-dicarboxy-2,2′- bipyridine) osmium(II) or Tris(4,4′-dicarboxy-2,2′-bipyridine) osmium(II) Complexes,” J.Phys.Chem., vol 104, pp 3488–3491, 2000 [18] Darius Kuciauskas, Jeremy E Monat,, Randy Villahermosa, Harry B Gray,, Nathan S Lewis, and and James K McCusker, “Transient Absorption Spectroscopy of Ruthenium and Osmium Polypyridyl Complexes Adsorbed onto Nanocrystalline TiO2 Photoelectrodes,” J Phys Chem., pp 9347–9358, 2002 [19] S Ferrere and B A Gregg, “Photosensitization of TiO2 by [FeII(2,2‘bipyridine-4,4‘-dicarboxylic acid)2(CN)2]:  Band Selective Electron 74 Injection from Ultra-Short-Lived Excited States,” J Am Chem Soc., vol 120, no 4, pp 843–844, Jan 1998 [20] S Ferrere, “New Photosensitizers Based upon [Fe(L)2(CN)2] and [Fe(L)3] (L = Substituted 2,2‘-Bipyridine):  Yields for the Photosensitization of TiO2 and Effects on the Band Selectivity,” Chem Mater., vol 12, no 4, pp 1083–1089, Mar 2000 [21] GM Hasselmann, GJ Meyer - Zeitschrift, “Sensitization of Nanocrystalline TiO2 by Re(I) Polypyridyl Compounds,” 1999 [22] N Alonso-Vante, J.-F Nierengarten, and J.-P Sauvage, “Spectral sensitization of large-band-gap semiconductors (thin films and ceramics) by a carboxylated bis(1,10-phenanthroline)copper(I) complex,” J Chem Soc Dalton Trans., no 11, pp 1649–1654, 1994 [23] T Bessho, E C Constable, M Graetzel, A Hernandez Redondo, C E Housecroft, W Kylberg, M K Nazeeruddin, M Neuburger, and S Schaffner, “An element of surprise-efficient copper-functionalized dyesensitized solar cells,” Chem Commun., no 32, pp 3717–3719, 2008 [24] A Islam, H Sugihara, K Hara, L P Singh, R Katoh, M Yanagida, Y Takahashi, S Murata, and H Arakawa, “New platinum(II) polypyridyl photosensitizers for TiO2 solar cells,” New J Chem., vol 24, no 6, pp 343–345, 2000 [25] K Kalyanasundaram, “Photophysics photochemistry and solar energy conversion with tris bipyridine ruthenium and Coordination Chemistry Reviews, pp 159–244, 1982 75 its analogues,” [26] N Armaroli, “Photoactive mono- and polynuclear Cu()- phenanthrolines A viable alternative to Ru()-polypyridines?,” Chem Soc Rev., vol 30, no 2, pp 113–124, 2001 [27] C C Phifer and D R McMillin, “The basis of aryl substituent effects on charge-transfer absorption intensities,” Inorg Chem., vol 25, no 9, pp 1329–1333, Apr 1986 [28] Katherine Bourzac, “Wrapping Solar Cells around an Optical Fiber,” 30-Oct-2009 [Online] Available: http://www.technologyreview.com/news/416052/wrapping-solar-cellsaround-an-optical-fiber/ [29] “Private communication with members of the molecular diagnostics, health and environment group at the Austrian Institute of Technology.” [30] W Siefert, “Properties of thin In2O3 and SnO2 films prepared by corona spray pyrolysis, and a discussion of the spray pyrolysis process,” Thin Solid Films, vol 120, no 4, pp 275–282, Oct 1984 [31] Pham Thi Kim Thanh, “Synthesize the nano structure CSTZ materials for solar cell development by using spray coating technique.” 2010 76 ... DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI ĐOÀN TUẤN ANH NGHIÊN CỨU, CHẾ TẠO CHẤT NHẠY QUANG TRÊN CƠ SỞ PHỨC BIPYRIDINE VÀ KIM LOẠI CHUYỂN TIẾP, ĐỊNH HƯỚNG ỨNG DỤNG CHO PIN. .. sáng DSSC, tác giả lựa chọn ? ?Nghiên cứu, chế tạo chất nhạy quang sở phức bipyridine kim loại chuyển tiếp, định hướng ứng dụng cho pin mặt trời DSSC? ?? làm đề tài cho luận văn thạc sỹ khoa học Trong... ứng dụng cho DSSC Trên sở nhiệm vụ giao, tác giả tổng hợp tài liệu liên quan đến qui trình tổng hợp phức chất nhạy quang định hướng ứng dụng cho pin DSSC, nghiên cứu chế tạo phức chất nhạy quang