Nghiên cứu chế tạo vật liệu dẫn điện tử ứng dụng cho pin mặt trời perovskite

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI LUẬN VĂN THẠC SĨ Nghiên cứu chế tạo vật liệu dẫn điện tử ứng dụng cho pin mặt trời Perovskite BÙI CÔNG DÂN dan.bc202660m@sis.hust.edu.vn Ngành Khoa học Vật liệu Giảng viên hướng dẫn: TS Trần Văn Đáng Chữ ký GVHD Viện: Viện Đào tạo Quốc tề Khoa học vật liệu (ITIMS) HÀ NỘI, 09/2022 CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập – Tự – Hạnh phúc BẢN XÁC NHẬN CHỈNH SỬA LUẬN VĂN THẠC SĨ Họ tên tác giả luận văn: Bùi Công Dân Đề tài luận văn: Nghiên cứu chế tạo vật liệu dẫn điện tử ứng dụng cho pin mặt trời Perovskite Chuyên ngành: Khoa học kỹ thuật vật liệu Mã số SV: 202660M Tác giả, Người hướng dẫn khoa học Hội đồng chấm luận văn xác nhận tác giả sửa chữa, bổ sung luận văn theo biên họp Hội đồng ngày 28/09/2022 với nội dung sau: Chỉnh sửa câu văn, lỗi văn phù hợp với văn phong khoa học theo yêu cầu hội đồng Bổ sung danh mục từ viết tắt, tài liệu tham khảo, danh mục hình vẽ bảng biểu Bổ sung phần giới thiệu vật liệu truyền dẫn điện tử ZnO quy trình chế tạo lớp truyền dẫn điện tử Ngày tháng năm Giáo viên hướng dẫn Tác giả luận văn CHỦ TỊCH HỘI ĐỒNG LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan nội dung luận văn khoa học kết cơng trình nghiên cứu hướng dẫn TS.Trần Văn Đáng Những nội dung tham khảo trích dẫn từ tài liệu liệt kê danh mục tài liệu tham khảo cơng trình nghiên cứu HỌC VIÊN Bùi Cơng Dân LỜI CẢM ƠN Với lịng biết ơn sâu sắc, em xin chân thành cảm ơn PGS.TS Nguyễn Văn Quy TS Trần Văn Đáng tận tình hướng dẫn, dạy dỗ, truyền đạt kiến thức quý báu cho em suốt thời gian học tập nghiên cứu Đại Học Bách Khoa Hà Nội để em hồn thành tốt đề tài luận văn Em xin gửi lời cảm ơn đến thầy cô, anh chị em bạn viện ITIMS - Đại học Bách Khoa Hà Nội cho em có thêm cho nhiều kiến thức bổ ích, tinh thật học tập nghiêm túc, hiệu Những môn học thú vị có tính thực tế cao đảm bảo cung cấp đầy đủ kiến thức, gắn liền với nhu cầu thực tiễn xã hội Đây chắn kiến thức quý báu, hành trang để em vững bước sau Cuối cùng, tơi xin gửi lời cảm ơn đến gia đình, người khích lệ, động viên để tơi đủ tự tin theo đường nghiên cứu khoa học hoàn thành tốt luận văn tốt nghiệp TÓM TẮT NỘI DUNG LUẬN VĂN Những tiến gần việc phát triển pin mặt trời Perovskite sử dụng CH3NH3PbI3 làm vật liệu hấp thụ sáng đạt 25,7% hiệu suất chuyển đổi quang điện Để đạt hiệu suất cao, cấu trúc pin mặt trời Perovskite lớp vật liệu truyền dẫn điện tử lựa chọn đảm bảo có tính hiệu việc truyền dẫn electron từ lớp vật liệu Perovskite sang điện cực Trong cơng trình này, chúng tơi trình bày quy trình chế tạo pin mặt trời Perovskite với cấu trúc phẳng AZO / Au / AZO / ZnO / CH3NH3PbI3 / HTM / Au Ở đây, lớp nano ZnO hoạt động lớp vận chuyển điện tử hình thành dễ dàng cách sử dụng phương pháp lắng đọng điện hóa điều kiện nhiệt độ 150 oC môi trường khơng khí Kết cho thấy nano ZnO hình thành bề mặt điện cực AZO/Au/AZO đảm nhiệm hai vai trò làm giá đỡ cho lớp vật liệu Perovskite đồng thời lớp truyền dẫn điện tử pin mặt trời Kết mang lại hứa hẹn lớn việc nghiên cứu chế tạo pin mặt trời Perovskite điều kiện nhiệt độ thấp, quy trình đơn giản Keyworks: nano ZnO, pin mặt trời Perovskite, chi phí thấp, lớp vận chuyển điện tử 1|Page MỤC LỤC MỞ ĐẦU 12 CHƯƠNG TỔNG QUAN 14 1.1 Giới thiệu chung vật liệu Perovskite 14 1.1.1 Phân loại vật liệu Perovskite 14 1.1.2 Vật liệu hữu vô perovskite 15 1.1.3 Vật liệu hữu vô halogen perovskite cấu trúc ba chiều 17 1.1.5 Vật liệu hữu vô halogen perovsksite cấu trúc chiều 20 1.1.6 Vật liệu hữu vô halogen perovskite cấu trúc không chiều 20 1.1.7 1.1.7 Tính chất đặc trưng ứng dụng perovskite hữu vô halogen 24 1.1.8 1.1.8 Pin mặt trời hữu vô halogen perovskite 25 1.1.9 1.1.9 Cấu trúc pin mặt trời perovskite 26 1.2 Giới thiệu vật liệu truyền dẫn điện tử ZnO 29 1.2.1 Cấu trúc tinh thể ZnO 31 1.2.2 Các tham số mạng 33 1.2.3 Cấu trúc dải điện tử (electronic band) 33 1.2.4 Tính chất quang vật liệu ZnO 35 1.2.5 Tính chất nhiệt vật liệu ZnO 37 1.2.6 Tính chất điện vật liệu ZnO 39 1.3 Nguyên lý hoạt động pin mặt trời Perovskite nghiên cứu khuôn khổ luận văn 39 CHƯƠNG THỰC NGHIỆM 43 2.1 Hóa chất dụng cụ 43 2|Page 2.1.1 Hoá chất 43 2.1.2 Dụng cụ 44 2.2 Các bước phương pháp chế tạo pin mặt trời Perovskite 44 2.2.1 Chế tạo vật liệu dẫn điện tử nano ZnO 44 2.2.2 Chế tạo vật liệu perovskite phương pháp hóa học 46 2.2.3 Chế tạo vật liệu perovskite phương pháp vật lý 47 2.2.4 Phương pháp quay phủ 47 2.2.5 Phương pháp lắng đọng hóa pha (CVD) 48 2.3 Chế tạo pin mặt trời perovskite 49 2.3.1 Chuẩn bị thí nghiệm 50 2.3.2 Mọc lớp vật liệu nano ZnO lên điện cực AAA 50 2.3.3 Chế tạo pin mặt trời perovskite điện cực AAA / ZnO-NS 50 2.4 Các phương pháp đánh giá đặc trưng tính chất 51 2.4.1 Phương pháp nhiễu xạ tia X 51 2.4.2 Phương pháp kính hiển vi điện tử quét 53 2.4.3 Phương pháp đo phổ hấp thụ 55 2.4.4 Phương pháp đo đường đặc trưng I-V 55 CHƯƠNG KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 58 3.1 Kết chế tạo lớp hạt mầm ZnO 58 3.2 3.2 Kết tổng hợp cấu trúc nano ZnO phương pháp điện hóa 58 3.2.1 Sự ảnh hưởng nồng độ chất điện ly đến mật độ hình thái nano ZnO 58 3.2.2 Sự ảnh hưởng điện đến mật độ hình thái nano ZnO 59 3.2.3 Sự ảnh hưởng thời gian đến mật độ hình thái nano ZnO 60 3|Page 3.3 Kết phân tích cấu trúc thành phần nano ZnO 60 3.4 Kết chế tạo màng vật liệu Perovskite CH3NH3PbI3 nano ZnO 62 3.5 Kết chế tạo pin mặt trời perovskite 65 KẾT LUẬN 69 DANH MỤC CÁC CƠNG TRÌNH ĐÃ CƠNG BỐ CĨ LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN VĂN 70 TÀI LIỆU THAM KHẢO 71 4|Page DANH MỤC CÁC BẢNG Bảng 1: Các thông số mạng cấu trúc vật liệu MAPbI3 MAPbBr3 điều kiện thường [5] 18 Bảng 2: Vị trí nguyên tử cấu trúc tinh thể CH3NH3PbI3 lập phương 22 Bảng 3: Vị trí nguyên tử cấu trúc tinh CH3NH3PbI3 tứ phương 23 Bảng 4: Vị trí nguyên tử cấu trúc tinh thể CH3NH3PbI3 trực thoi 24 Bảng 5: Các số mạng đo tính tốn tham số u ZnO 33 Bảng 6: Bảng thống kê số hóa chất sử dụng phịng thí nghiệm 43 Bảng 7: Bảng tên số dụng cụ, thiết bị sử dụng thí nghiệm 44 5|Page DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT CVD: Chemical Vapor Deposion - Phương pháp lắng đọng hoá học ED: Electrochemical Deposition - Phương pháp lắng đọng điện hoá học SEM: Scanning Electron Microscopy - Kính hiển vi điện tử quét XRD: X-Ray Diffraction - Phương pháp nhiễu xạ tia X ETM: Electron Transport Layer Materials - Vật liệu dẫn electron HTM: Hole Transport Layer Materials - Vật liệu dẫn lỗ trống AAA: AZO/Au/AZO - Điện cực pin mặt trời gồm lớp vật liệu AZO xen lớp Au MAI: Methylammonium iodide (CH3NH3I) - Tên vật liệu dùng để chế tạo vật liệu perovskite FTO: Fluorine-doped Tin Oxide - Oxit thiếc pha tạp Flo NS: Nano Sheet - Tấm nano PCE: Power Conversion Efficiency - Hiệu suất chuyển đổi lượng GBL: Gamabuthylrolactone - Tên loại dung mơi hồ tan DMSO: Dimethyl sulfoxide - Tên loại dung mơi hồ tan TCO: Transparent Conducting Oxide - Oxít dẫn điện suốt UV-VIS: Ultral Violet - Visible - Dải phổ ánh sáng từ vùng cực tím đến ánh sáng nhìn thấy TFT: Transparent Thin Film Transistor - Bóng bán dẫn màng mỏng suốt ITO: Indium Tin Oxide - Oxít thiếc indium DMS: Ferromagnetic Diluted Magnetic Semiconductors - Vật liệu bán dẫn từ tính pha lỗng sắt từ HRXRD: High Resolution X-Ray Diffraction - Phương pháp nhiễu xạ tia X độ phân giải cao 6|Page chế tạo với nồng độ chất điện ly Zn(NO3)2 với nồng độ mol tương ứng (a) 0.01M, (b) 0.05 M, (c) 0.1 M (d) 0.2M khoảng thời gian 60 phút điện 2V Kết cho thấy mật độ nano ZnO phụ thuộc nhiều vào nồng độ chất điện ly Khi nồng độ chất điện ly tăng từ 0.01M đến 0.1M mật độ nano ZnO tăng tỷ lệ thuận, nhiên nồng độ tăng đến 0.2M mật độ ZnO lại có xu hướng giảm Điều cho thấy 0.1M nồng độ tối ưu để chế tạo nano ZnO có mật độ độ đồng cao 3.2.2 Sự ảnh hưởng điện đến mật độ hình thái nano ZnO Hình 3: Ảnh SEM nano ZnO chế tạo phương pháp điện hóa giá trị điện khác (a) 0.5V, (b) 1V, (c) 2V (d) 5V Hình 3.3 từ (a) đến (d) ảnh SEM tương ứng nano ZnO chế tạo phương pháp điện hóa với nồng độ chất điện ly Zn(NO3)2 0.1M khoảng thời gian 60 phút với giá trị điện khác thay đổi từ 0.5V đến 5V Kết cho thấy mật độ nano ZnO tăng theo giá trị điện 0.5V sau 60 phút nano ZnO hình thành với mật độ thưa thớt, mật độ tăng lên rõ rệt tăng điện lên 1V Tại giá trị điện 2V 5V khơng thấy rõ khác biệt hình thái kích thước mật độ nano ZnO 59 | P a g e 3.2.3 Sự ảnh hưởng thời gian đến mật độ hình thái nano ZnO Hình 4: Ảnh SEM nano ZnO chế tạo phương pháp điện hóa khoảng thời gian khác (a) phút, (b) 10 phút, (c) 30 phút (d) 60 phút Nhìn vào hình 3.4 ta dễ dàng nhận mật độ nano ZnO định theo thời gian điện hóa Mật độ nano ZnO tăng dần theo thời gian kích thước thước hình thái khơng thay đổi Kích thước nano ZnO khoảng từ 800-1000 nm 3.3 Kết phân tích cấu trúc thành phần nano ZnO Thành phần hóa học nano hình thành bề mặt điện cực AAA sau q trình điện hóa phân tích phổ EDX thể qua hình 3.5 Kết phân tích hóa học cho thấy diện Zn nguyên tố O, Al Au, với tỉ lệ số nguyên tử Zn / O xấp xỉ 1: Sự xuất diện nguyên tố Au giải thích tồn điện cực AZO/Au/AZO Từ kết khẳng định cấu trúc nano hình thành bề mặt điện cực AAA sau q trình điện hóa vật liệu ZnO 60 | P a g e Hình 5: Phổ phân tích thành phần EDX bề mặt nano ZnO Hình 6: Giản đồ nhiễu xạ tia X nano ZnO bề mặt điện cực AAA 61 | P a g e Hình 3.6 biểu đồ nhiễu xạ tia X điện cực AAA trước sau mọc cấu trúc nano ZnO Các đỉnh nhiễu xạ cấu trúc nano Zn thể qua đỉnh nhiễu xạ (002), (103), (200) (202) tương ứng với cấu trúc lục giác Wurtzite vật liệu nano ZnO Bên cạnh xuất đỉnh nhiễu xạ (111) (200) lớp Au cấu trúc điện cực AAA Hình 7: Phổ truyền qua điện cực AAA trước sau mọc nano ZnO Hình 3.7 so sánh phổ truyền qua điện cực AAA trước sau mọc cấu trúc nano ZnO Điện cực AAA chế tạo đế thủy tinh có độ truyền qua khoảng 92% phạm vi bước sóng khả kiến Độ truyền qua mẫu điện cực AAA đạt giá trị 80% dải bước sóng từ 500–800 nm Sau mọc cấu trúc nano ZnO điện cực AAA độ truyền qua có suy giảm tồn dải bước song, đạt độ truyền qua cao khoảng 70% bước sóng 650 nm 3.4 Kết chế tạo màng vật liệu Perovskite CH3NH3PbI3 nano ZnO Kết ảnh SEM Hình 3.8 cho thấy CH3NH3PbI3 kết tinh hình thành điền 62 | P a g e vào khe trống nano ZnO Tuy nhiên quan sát thấy nhiều khe trống chưa điền đầy, đồng thời lớp Perovskite chưa hoàn toàn bảo phủ nano ZnO Điều giải thích tính kỵ nước vật liệu ZnO khiến phương pháp quay phủ từ dung dịch không thực tối ưu việc chế tạo vật liệu Perovskite đế AAA/ZnO NS Hình 8: Ảnh SEM lớp Perovskite chế tạo phương pháp quay phủ vật liệu nano ZnO Hình 9: Ảnh SEM lớp Perovskite chế tạo phương pháp lắng đọng hóa học CVD vật liệu nano ZnO Trên ảnh 3.9 lớp vật liệu Perovskite chế tạo phương pháp lắng đọng hóa học (CVD) cấu trúc nano ZnO Chúng ta dễ dàng quan sát thấy 63 | P a g e nano ZnO hoàn toàn bao phủ vật liệu CH3NH3PbI3 khoảng trống ZnO nano điền đầy tinh thể lập phương Perovskite với kích thước khoảng 100 nm Việc bao phủ hoàn toàn đảm bảo cho việc cải thiện hiệu suất truyền dẫn điện tử từ lớp Perovskite sang nano ZnO tránh dịng dị Hình 10: Phổ XRD màng Perovskite điện cực AAA/ ZnO NS Hình 3.10 phổ nhiễu xạ tia X màng Perovskite điện cực AAA / ZnO NS chế tạo phương pháp CVC Các đỉnh nhiễu xạ vị trí góc 2θ là: 24.80, 28.70, 32.30, 41.50, 43.10 tương ứng với mặt phản xạ là: (110), (220), (310), (141), (116) cấu trúc tinh thể vật liệu Perovskite Bên cạnh quan sát đỉnh vật liệu ZnO nano (002), (103), (200) 64 | P a g e Hình 11: Phổ hấp thụ màng vật liệu Perovskite điện cực AAA/ZnO NS Quan sát phổ hấp thụ vật liệu CH3NH3PbI3 hình 3.11 ta thấy cường độ hấp thụ giảm mạnh dải bước sóng λ = 780 nm Kết cho thấy độ rộng vùng cấm vật liệu Perovskite CH3NH3PbI3 có giá trị tương ứng 1.55eV 3.5 Kết chế tạo pin mặt trời perovskite Hình 12: Ảnh SEM (a) bề mặt lớp dẫn điện tử HTM phủ lớp Perovskite (b) ảnh chụp mặt cắt cấu trúc pin mặt trời Hình 3.12a bề mặt lớp vật liệu truyền dẫn lỗ trống HTM-SpiroMeOTAD 65 | P a g e chế tạo phương pháp quay phủ Dễ dàng quan sát thấy lớp vật liệu thâm nhập hồn tồn vào khơng gian trống tinh thể Perovskite so sánh độ nhám bề mặt với hình 3.9 Trên hình 3.12b ảnh SEM mặt cắt ngang cấu trúc đầy đủ pin mặt trời Perovskite gồm lớp: đế thủy tinh / AAA / ZnO-NSs / CH3NH3PbI3 / HTM / Au Lớp điện cực vàng Au chế tạo phương pháp phún xạ bám dính tốt bề mặt vật liệu HTM Trong cấu trúc pin mặt trời này, ZnO nano đóng vai trị truyền dẫn điện tử từ từ lớp vật liệu Perovskite CH3NH3PbI3 sang điện cực AA Hình 13: Đường đặc trưng J-V pin mặt trời perovskite sử dụng nano ZnO làm lớp truyền dẫn điện tử Để làm rõ ảnh hưởng nano ZnO, hiệu suất quang điện pin mặt trời so sánh chi tiết hình 3.14 đường đặc trưng J-V của pin mặt trời MAPbI3 dựa điện cực AAA sử dụng không sử dụng nano ZnO Hiệu suất quang điện thiết bị tóm tắt hình 3.15 Tấm pin mặt trời dựa nano ZnO đạt cải thiện giá trị hệ số lấp đầy (FF), dòng ngắn mạch (Jsc) điện áp hở mạch (Voc) cao so với pin mặt trời chế tạo khơng có nano ZnO Các pin mặt trời sử dụng nano ZnO làm vật liệu dẫn điện tử thể hiệu suất tốt với Jsc 19,2 66 | P a g e mA.cm-2, Voc 0,91 V, FF 70% PCE 12,29%; pin mặt trời khơng sử dụng ZnO có Jsc 17,3 mA.cm-2, Voc 0,89 V, FF 67% PCE 10,34% điều kiện pin mặt trời đo cơng suất 1000 W.m-2 Hình 14: Đường đặc trưng J-V của pin mặt trời MAPbI3 dựa điện cực AAA sử dụng không sử dụng nano ZnO Hình 15: Hiệu suất quang điện pin mặt trời sử dụng nano ZnO thiết bị không sử dụng ZnO ánh sáng mặt trời AM 1,5G 67 | P a g e Kết khảo sát điều kiện chiếu sáng mô phổ ánh sáng mặt trời tiêu chuẩn (AM 1.5G, 1000W/m2) Pin mặt trời sử dụng cấu trúc ZnO nano lớp truyền dẫn điện tử đạt hiệu suất chuyển đổi quang điện 12.29% Giá trị thấp hiệu suất cấu trúc pin sử dụng vật liệu TiO2 điều kiện chế tạo đơn giản, không yêu cầu nhiệt độ ủ cao, lớp vật liệu nano ZnO hoàn toàn đủ khả đảm bảo vai trò lớp truyền dẫn điện tử cấu trúc pin mặt trời Perovskite Việc cải thiện hiệu suất kỳ vọng việc tối ưu hóa q trình chế tạo lớp vật liệu Perovskite 68 | P a g e KẾT LUẬN Chúng nghiên cứu chế tạo thành công pin mặt trời Perovskite có cấu trúc đơn giản nhiệt độ thấp Luận văn cho thấy điện cực đa lớp AZO/Au/AZO sử dụng làm điện cực suốt thay cho điện cực truyền thống đắt tiền ITO, FTO Đặc biệt cấu trúc nano ZnO dễ dàng chết tạo phương pháp điện hóa điện cực AAA Pin mặt trời Perovskite dựa cấu trúc nano ZnO đạt hiệu suất PCE 12.29%, điều thể tính hiệu sử dụng vật liệu ZnO vai trò lớp truyền dẫn điện tử tận dụng ưu điểm diện tích bề mặt riêng lớn, tính chất kết tinh cao cấu trúc nano dạng Hơn nữa, tồn quy trình chế tạo lớp Pin mặt trời, nhiệt độ kiểm sốt khơng 150 oC Việc phù hợp việc ứng dụng đế dẻo, polymer công nghệ pin mặt trời Việc sử dụng vật liệu ZnO thay cho vật liệu đắt tiền TiO2 giúp giảm giá thành đáng kể việc chế tạo loại pin mặt trời Mặc dù hiệu suất pin thấp so với sử dụng vật liệu truyền thống, song hướng tiếp cận mẻ nhiều tiềm cải thiện tối ưu hóa quy trình chế tạo nhằm tăng tính ổn định pin mặt trời Perovskite 69 | P a g e DANH MỤC CÁC CƠNG TRÌNH ĐÃ CƠNG BỐ CĨ LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN VĂN Hong-Cuong Truong, Cong-Dan Bui, Van-Duong Dao, Sy-Hieu Pham, Philippe Leclèrec, Duy-Cuong Nguyen, Bui-Thi Hang, Van-Quy Nguyen, Van-Dang Tran, Soon-Gil Yoon TCO-free perovskite solar cells in taking advantage of SWCNT/TiO2 core/shell sponge Link article: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2468217922000247 Cong-Dan Bui, Van-Phuoc Cao, Van-Quy Nguyen, Thi-Hang Bui and VanDang Tran Dual-function of the ZnO nano-sheets as light absorber scaffold and electron transport material in perovskite solar cells Link article: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/2043-6262/ac4109/meta Bui Thi Hang, Bui Cong Dan, Vu Van Cat, Doan Ha Thang, Nguyen Tuyet Nga Vật Liệu Nanocomposite Fe3O4 ứng dụng cho pin điện cực sắt Hội nghị vật lý chất rắn khoa học vật liệu toàn quốc – SPMS2021 70 | P a g e TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Gao, Peng, “Perovskites: crystal structure, important compounds and properties” [2] Hyun Suk Jung, Nam-Gyu Park, “Perovskite solar cells: from materials to devices”, Small, 11 (1), pp 10-25 [3] Ong, K.P., Wu, S., Nguyen, T.H et al Multi Band Gap Electronic Structure in CH3NH3PbI3 Sci Rep 9, 2144 https://doi.org/10.1038/s41598-01838023-2 (2019) [4] H Mashiyama, Y Kurihara, T Azetsu, “Disordered cubic perovskite structure of CH3NH3X3 (X= Cl, Br, I)”, Journal of the Korean Physiscal Society, Volume 32, pp 156-158 [5] Safdari, Majid, (2017)“Chemical Structure and Physical Properties of Organic-Inorganic Metal Halide Materials for Solid State Solar Cells” KTH Royal Institute of Technology School of Chemical Science and Engineering Department of Chemistry, ORCID iD:0000-0002-0387-2993 [6] Baki, Katia Abdel, “Ultrafast spectroscopy of 2D hybrid perovskites”, Http://Www.Theses.Fr [7] Jin Hyuck Heo, Sang Hyuk Im, Jun Hong Noh, Tarak N Mandal, Choong Sun Lim, Jeong Ah Chang, Yong Hui Lee, Hi-Jung Kim, Arpita Sarkar, Md K Nazeeruddin, Michael Gratzel, Sang II Seok (2013), “Efficient inorganic-organic hybrid heterojunction solar cells containing perovskite compound and polymeric hole conductors”, nature Photonics, 7(6), PP 486-491 [8] Takeo Oku, Crystal structure of CH3NH3PbI3 and Related perovskite Compounds Used for Solar Cells, The University of Shiga Prefecture, Japan, pp 77-101 [9] Yukihiko Kawamura, Hiroyuki Mashiyama, Katsuhiko Hasebe, “Structural study on cubic-Tetragonal transition of CH3NH3PbI3”, Journal of the Physical Society of Japan, 71 (7), pp 1694-1697 [10] H Mashiyama, Y Kurihara, T Azetsu, “Disordered cubic perovskite structure 71 | P a g e of CH3NH3X3 (X= Cl, Br, I)”, Journal of the korean Physiscal Society, 32, S156-S158 [11] Jin Hyuck Heo, Sang Hyuk Im, Jun Hong Noh, Tarak N Mandal, Choong Sun Lim, Jeong Ah Chang, Yong Hui Lee, Hi-Jung Kim, Arpita Sarkar, Md K Nazeeruddin, Michael Gratzel, Sang II Seok, “Efficient inorganicorganic hybrid heterojunction solar cells containing perovskite compound and polymeric hole conductors”, nature Photonics, 7(6), PP 486-491 [12] Elumalai, Naveen Kumar Mahmud, Md Arafat Wang, Dian Uddin, Ashraf, “Perovskite solar cells: Progress and advancements”, Energies, Volume 9, Issue 11, pp 861-881 [13] Chang Y H., Park C H., Matsuishi K, “First-Principles Study of the Structural and the Electronic Properties of the Lead-Halide-Based Inorganic Perovskites (CH3NH3)PbX3 and CsPbX3 (X= Cl, Br, I)”, Journal of the Korean Physical Society, 44 (4), pp 889-893 [14] Hyun Suk Jung, Nam-Gyu Park, “Perovskite solar cells: from materials to devices”, Small, 11 (1), pp 10-25 [15] Albrecht, S., Rech, B Perovskite solar cells: On top of commercial photovoltaics Nat Energy 2, 16196 https://doi.org/10.1038/nenergy.2016.196 [16] William L.Hughes “Synthesis and characterization of ZnO for piezoelectric applications”, PhD thesis, School of materials science & engineering, Georgia institute of technology USA (2006) [17] Ü Özgür, Ya I Alivov, C Liu, A Teke, M A Reshchikov, S Doğan, V Avrutin, S.J Cho and H Morkoỗd, journal of applied physics 98,041301 [18] Chumming Jin “Growth and characterization of ZnO and ZnO-based Alloys-MgxZn1-xO and MnxZn1-xO” PhD thesis, Department of materials science and Engineering, North Carolina state university, Raleigh [19] G.Ferblantier, F Mailly, R Al Asmar, A Foucaran, F Pascal-Delannoy sensor and actuators A 122 184-188 [20] Wolfgang H.Hirchwald Acc.Res., 18,228-234 72 | P a g e [21] R L Hoffman, B J Norris and J F Wager, volume 82, Number [22] H S Bae and Seongil Im, applied physics letter 12, 123-127 [23] Luis Manuel Angelats "Silva Study of structural, electrical, optical and magnetic properties of ZnO based films produced by magnetron sputtering” PhD thesis, university of Puerto Rico UPR [24] http://www.cermetinc.com/SI_ZnO_substrate_product_lit.pdf [25] S.J Pearton, D.P Norton, K Ip, Y.W Heo, T Steinerb, Superlattices and Microstructures 29–32 [26] www.semiconducators.co.uk [27] Günter Horst “The characterization of bulk as-grown and annealed ZnO by Hall effect” PhD thesis, University of Pretoria, Pretoria [28] Ivanov and J Pollmann, Phys Rev B 24 7273-7276 [29] W Göpel, J Pollmann, I Ivanov and B Reihl, Phys Rev B 26 3144-3150 [30] L Stolt, J Hedstrom, M Ruckh, K.V Velthaus, and H W Schcok, Appl Phys Letter, 62, 597 [31] S Shionoya, W.M Yen, Phosphor Hood book, CRC Press, Boca Raton, FL, (1999), p255 [32] R R Reeber, J Appl Phys 41, 5063 [33] T Olorunyolemi, A Birnboim, Y Carmel, O C Wilson, Jr., and I K Lloyd, J Am Ceram Soc [34] Yang J, Wang Y, Kong J, Jia H and Wang Z Synthesis of ZnO nanosheets via electrodeposition method and their optical properties, growth mechanism Opt Mater 46 179–85 73 | P a g e ... xạ nhóm vật liệu Từ đó, hàng loạt nghiên cứu khả ứng dụng vật liệu perovskite thiết bị quang điện tử đời Vật liệu perovskite ứng dụng chế tạo pin mặt trời đóng góp vào danh sách pin mặt trời hệ... phương pháp chế tạo pin mặt trời Perovskite 44 2.2.1 Chế tạo vật liệu dẫn điện tử nano ZnO 44 2.2.2 Chế tạo vật liệu perovskite phương pháp hóa học 46 2.2.3 Chế tạo vật liệu perovskite. .. loại vật liệu như: vật liệu cảm biến, vật liệu chế tạo nhớ hệ mới, vật liệu tản nhiệt, vật liệu cho thiết bị giải trí, vật liệu nano, vật liệu composit… Vật liệu perovskite tên gọi chung nhóm vật