Đánh dấu nguyên tử, do khuyết tật của vật đúc, phân tích vi lượng, diệt khuẩn.

Một phần của tài liệu 60 đề thi thử đại học vật lí của tác giả Nguyễn Hồng Khánh 2013 tập 1 (Trang 34)

D:Đánh dấu nguyên tử, do khuyết tật của vật đúc

Câu 4:Trong thí nghiệm về hiện tượng quang điện người ta cho các quang electron bay vào một từ trường đều theo phương vuông góc với đường sức từ thì bán kính quỹ đao lớn nhất của quang electron sẽ tăng khi

A:Chỉ cần giảm bước sóng ánh sáng kích thích.

B:Tăng bước sóng ánh sáng kích thích và giảm cường độ ánh sáng kích thích.

C:Tăng cường độ ánh sáng kích thích và tăng bước sóng ánh sáng kích thích.

D:Chỉ cần tăng cường độ ánh sáng kích thích.

Câu 5: Chiếu đồng thời hai ánh sáng đơn sắc có bước sóng λ1=0,4µm và λ2=0,6µm vào hai khe của thí nghiệm Iâng. Biết khoảng cách giữa hai khe a=1mm, khoảng cách từ hai khe tới màn D=3m, bề rộng vùng giao thoa quan sát được trên màn L=1,3cm. Số vị trí vân sáng của hai bức xạ trùng nhau trong vùng giao thoa là

A:3 B:1 C:4 D:2

Câu 6:Trong thí nghiệm Iâng (Young) về giao thoa ánh sáng, khoảng cách giữa hai khe là 1,2 nm. Khoảng cách từ hai khe đến màn quan sát là 2,0 m. Chiếu vào hai khe đồng thời hai bức xạ đơn sắc λ1 = 0,45µm và λ2

= 0,60 µm. Khoảng cách ngắn nhất giữa hai vân sáng có cùng màu so với vân sáng trung tâm là

A:3 mm. B:2,4 mm. C:4 mm. D:4,8 mm.

Câu 7:Nếu truyền tải điện năng bằng điện áp 6kV trên 1 đường dây thì tổn hao điện năng là 50%. Nếu tăng điện áp truyền tải lên 12kV thì hao phí điện năng là:

A: 25% B: 12,5% C: 6,25% D: 10%

Câu 8:Mạch R,L,C mắc nối tiếp có R=100 Ω, L= H, C=

π

410− 10−

F. Cuộn dây thuần cảm. Điện áp 2 đầu mạch là u=200cos(100πt - π/2) V. Biểu thức của điện áp giữa 2 đầu cuộn dây uL có dạng

A:uL=100cos(100πt - ) V B:uL=200cos(100πt- ) V

Một phần của tài liệu 60 đề thi thử đại học vật lí của tác giả Nguyễn Hồng Khánh 2013 tập 1 (Trang 34)

Tải bản đầy đủ (DOC)

(63 trang)
w