Trong đó: t là kích thước hạt, λ = 1,5406 Å là bước sóng của bức xạ Kα của Cu, β là độ rộng bán vạch phổ tính theo radian. θβ là góc giữa tia tới và mặt phẳng phản xạ.
Các phép đo phổ nhiễu xạ tia X của hệ mẫu được thực hiện trên hệ nhiễu xạ kế SIEMEN D5000 tại Phòng Phân tích cấu trúc thuộcViện Khoa học Vật liệu, Viện Khoa học và Công nghệ Việt Nam.
2.2. Phương pháp chụp ảnh bề mặt bằng kính hiển vi điện tử quét (SEM)
Kính hiển vi điện tử quét là thiết bị sử dụng để nghiên cứu hình thái học bề mặt của mẫu. Đây là thiết bị dùng chụp ảnh vi cấu trúc bề mặt với độ phóng đại lớn gấp nhiều lần so với kính hiển vi quang học. Sơ đồ nguyên lý của kính hiển vi điện tử quét được trình bày trên hình 2.2. Nguyên tắc hoạt động như sau: tạo chùm tia điện tử mảnh có năng lượng cao (được gọi là chùm tia điện tử sơ cấp) và điều khiển chùm tia này quét trên một diện tích rất nhỏ của bề mặt mẫu. Sau đó ghi nhận và phân tích các tín hiệu được phát ra do tương tác của điện tử sơ cấp với mẫu (được gọi là các tín hiệu thứ cấp). Các tín hiệu này bao gồm: điện tử thứ cấp, chùm điện tử tán xạ ngược, điện tử tán xạ không đàn hồi, điện
tử tán xạ đàn hồi, điện tử hấp thụ, điện tử Auger và tia X. Căn cứ vào các thông tin thu được bởi đầu thu các tín hiệu trên, người ta có thể vẽ lại hình thái bề mặt của mẫu một cách chính xác. Trong luận văn, các mẫu được chụp bằng thiết bị kính hiển vi điện tử quét HITACHI S-4800 đặt tại Phòng thí nghiệm trọng
điểm Quốc gia trực thuộc Viện Khoa học Vật liệu, độ phóng đại cao nhất có thể đạt đến 200.000 lần, độ phân giải có thể đạt được 2 nm ở thế hiệu 1 kV.