Trong những năm trở lại đây công nghệ ghi từđược xem như một yếu tố nắm vai trò chủđạo trong lĩnh vực lưu trữ thông tin. Do nhu cầu lưu trữ dữ liệu ngày càng cao, vấn đề được đặt ra là phải tìm cách tăng mật độ ghi từ lên 1Tb/in2 (phổ biến đang là 100 Gb/in2) tức làm giảm kích thước của một bít thông tin trên màng ghi từ. Tuy nhiên đối với một vật liệu từ xác định, độ giảm này là có giới hạn vì dưới giới hạn này từ độ sẽ mất ổn định do các kích thích nhiệt và giới hạn siêu thuận từ. Để xóa bỏ giới hạn này, hiện nay xu thế đang được tập trung nghiên cứu là nâng cao mật độ ghi từ bằng cách ghi vuông góc với bề mặt màng ghi từ và sử dụng các cấu trúc nanô của các vật liệu có dị hướng từ lớn.
Màng mỏng hợp kim Fe-Pt có cấu trúc tinh thể L10 với giá trị dị hướng từ tinh thể lớn (Ku~4.107 erg/cm3), có lực kháng từ và độ từ dư cao rất thuận lợi cho việc ghi từ và tiểu hình hóa các linh kiện điện tử. Ngoài ra màng mỏng hợp kim Fe-Pt còn có khả năng chống ăn mòn tốt. Chính vì những lý do đó mà màng mỏng hợp kim Fe-Pt được xem như vật liệu triển vọng ứng dụng trong các thiết bị lưu trữ thông tin mật độ cao, làm đầu dò từ cho kính hiển vi lực từ, cảm biến từ cho các thiết bị từ - điện cũng như các hệ thống vi cơđiện tử khác, …[13, 46, 57]. Y.T. Xing [47] và các cộng sựđã chế tạo thành công chip nguyên tử (atom chips) dựa trên màng mỏng hợp kim Fe-Pt sử dụng như những bẫy từ.