Như ta đã thấy trong JFET, người ta dùng điện trường kết hợp với sự phân cực nghịch của nối P-N để làm thay đổi điện trở (tức độ dẫn điện) của thơng lộ của chất bán dẫn. cũng như BJT, các thơng số của JFET cũng rất nhạy đối với nhiệt độ, ta sẽ khảo sát qua hai tác động chính của nhiệt độ:
Khi nhiệt độ tăng, vùng hiếm giảm, do đĩ độ rộng của thơng lộ tăng lên, do đĩ điện trở của thơng lộ giảm. (ID tăng)
Khi nhiệt độ tăng, độ linh động của các hạt tải điện giảm (ID giảm)
Do thơng lộ tăng rộng theo nhiệt độ nên VGS(off) cũng tăng theo nhiệt độ. Thực nghiệm cho thấy∣VGS(off)∣hay∣VP∣tăng theo nhiệt độ với hệ số 2,2mV/10C.
Từ cơng thức:ID=IDSS[1 − VGSVGS
Cho thấy tác dụng này làm cho dịng điện ID tăng lên. Ngồi ra, do độ linh động của hạt tải điện giảm khi nhiệt độ tăng làm cho điện trở của thơng lộ tăng lên nên dịng điện IDSS giảm khi nhiệt độ tăng, hiệu ứng này làm cho ID giảm khi nhiệt độ tăng.
Tổng hợp cả hai hiệu ứng này, người ta thấy nếu chọn trị số VGS thích hợp thì dịng thốt ID khơng đổi khi nhiệt độ thay đổi. Người ta chứng minh được trị số của VGS đĩ là:
∣VGS∣ =∣VP∣− 0,63Vvới VP là điện thế nghẽn ở nhiệt độ bình thường.
Các hình vẽ sau đây mơ tả ảnh hưởng của nhiệt độ trên các đặc tuyến ra, đặc tuyến truyền và đặc tuyến của dịng ID theo nhiệt độ khi VGS làm thơng số.
ID0VGS = 0VGS = -1V|VGS| = |VP|-0,63VID giảmID tăngVDS250 450Hình 18 0-100-50050100150IDIDIDSS(VDS cố định)-550C 250C +1500C|VGS| = |VP|-0,63VVGS(off)VGSt0C|VGS| = |VP|-0,63VVGS = -1VVGS = -0VHình 19
Ngồi ra, một tác dụng thứ ba của nhiệt độ lên JFET là làm phát sinh các hạt tải điện trong vùng hiếm giữa thơng lộ-cổng và tạo ra một dịng điện rỉ cực cổng IGSS (gate leakage current). Dịng IGSS được nhà sản xuất cho biết. dịng rỉ IGSS chính là dịng điện phân cực nghịch nối P-N giữa cực cổng và cực nguồn. Dịng điện này là dịng điện rỉ cổng-nguồn khi nối tắt cực nguồn với cực thốt. Dịng IGSS tăng gấp đơi khi nhiệt độ tăng lên 100C.
IGSS(t0C) =IGSS(250C)2(t− 25)10
VGGGDSIGSSVDS = 0VHình 20