Khi sử dụng, transistor được ráp theo một trong 3 cách căn bản sau: • Ráp theo kiểu cực nền chung (1)
• Ráp theo kiểu cực phát chung (2) • Ráp theo kiểu cực thu chung (3)
IEICvàoraKiểu cực nền chungIBIEvàoraKiểu cực thu chungIBICvàoraKiểu cực phát chungHình 4
Trong 3 cách ráp trên, cực chung chính là cực được nối mass và dùng chung cho cả hai ngõ vào và ngõ ra.
Trong mỗi cách ráp, người ta định nghĩa độ lợi dịng điện một chiều như sau:
Độ lợi dòng điên = Dòng điện ngỏ vàoDòng điện ngỏ ra
Độ lợi dịng điện của transistor thường được dùng là độ lợi trong cách ráp cực phát chung và cực nền chung. Độ lợi dịng điện trong cách ráp cực phát chung được cho bởi:
hFE≈ βDC= ICIB
Như vậy: IC = ?DC.IB
Nhưng: IE = IC + IB = ?DC.IB+IB ? IE = (?DC + 1).IB
Độ lợi dịng điện trong cách ráp cực nền chung được cho bởi:
hFB≈ αDC= ICIE
?DC cĩ trị số từ vài chục đến vài trăm, thậm chí cĩ thể lên đến hàng ngàn. ?DC cĩ trị từ 0,95 đến 0,999… tuỳ theo loại transistor. Hai thơng số ?DC và ?DC được nhà sản xuất cho biết.
Từ phương trình căn bản: IE = IC + IB
Ta cĩ: IC = IE – IB
Chia cả hai vế cho IC, ta được:
1 = IEIC − IBIC = IC1 IE − IC1 IB Như vậy:1 = α1 DC − β1 DC
Giải phương trình này để tìm ?DC hay ?DC, ta được:
βDC= 1 − ααDC
DC vàαDC= 1 + ββDC
DC
* Ghi chú: các cơng thức trên là tổng quát, nghĩa là vẫn đúng với transistor PNP. Ta chú ý dịng điện thực chạy trong hai transistor PNP và NPN cĩ chiều như sau: IEICIEIBNPNICIBPNPHình 5
Thí dụ:
Một transistor NPN, Si được phân cực sau cho IC = 1mA và IB = 10?A. Tính ?DC, IE, ?DC.
Giải: từ phương trình:
βDC= ICIB, Ta cĩ:βdc = 101mAμA = 100
Từ phương trình:
IE = IC + IB, ta cĩ: IE = 1mA + 0,01mA = 1,01mA Và từ phương trình:α
DC= ICIE = 1,011mAmA = 0,99
Một transistor Si PNP cĩ ?DC = 50 khi IE = 1,5mA. Xác định IC. Giải:
αDC= 1 + ββDC
DC = 1 + 5050 = 0,98
IC = ?DC.IE = 0,98 x 1,5 = 1,47mA