KMnO4 Nghiền
3.3.2.Phương pháp hiển vi điện tử quét (Scanning Electron Microscopy,
SEM) [2]
Chùm tia điện tử đi qua các thấu kính tiêu tụ thành một điểm rất nhỏ chiếu lên bề mặt mẫu nghiên cứu. Khi các điện tử của chùm tia tới va chạm với các nguyên tử ở bề mặt vật rắn thì có nhiều hiệu ứng xảy ra.
Khi cho chùm tia tới quét lên mẫu và quét một cách đồng bộ một tia điện tử trên một màn hình. Thu và khuếch đại một loại tín hiệu nào đó từ mẫu phát ra để làm thay đổi cường độ sáng của tia điện tử quét trên màn hình, ta thu được ảnh.
Độ phóng đại của kính hiển vi qt thơng thường từ vài chục đến vài trăm ngàn lần, năng suất phân giải là 5 nm đối với ảnh bề mặt bằng cách thu điện tử thứ cấp, do đó cho thấy được các chi tiết thô trong công nghệ nano.
Hiển vi điện tử quét (SEM) hoạt động theo nguyên lý như sau: điện tử thứ cấp phát ra từ súng bắn có năng lượng bắn phá cao vào bề mặt của các mẫu khảo sát. Số hạt thứ cấp dội trở lại càng nhiều thì bề mặt càng lồi và ngược lại bề mặt mẫu càng lõm, tương ứng với các điểm sáng tối ghi trên ảnh. Phương pháp này được sử dụng nhằm khảo sát hình thái bề mặt và cấu trúc lớp mỏng trong điều kiện chân không hay khảo sát bề mặt điện cực, để phân tích thành phần hóa học của bề mặt.
Trong đề tài này ảnh SEM được đo trên máy FE-SEM S4800 của hãng Hitachi Nhật Bản, thế bức electron là 20 kV, ảnh có độ phóng đại 80 nghìn lần với thước đo 500 nm.