1.1.1 .Các tính chất đặc trưng
1.1.1.5 .Tính chất quang và điện của a-Si:H
1.2 PHƯƠNG PHÁP CVD
Phương pháp CVD là phương pháp hình thành màng dựa trên chất nguồn dễ bay hơi và lắng đọng hơi hĩa học này trên đế nền.
Phương pháp CVD được sử dụng để sản xuất những vật liệu rắn cĩ độ tinh khiết và hiệu suất cao. Đặc trưng chung của quá trình CVD là gồm một hay nhiều precursor dễ bay hơi được đưa vào buồng CVD, chúng sẽ phản ứng hoặc phân ly trên bề mặt đế để lắng đọng tạo màng và sản phẩm thừa được đẩy ra ngồi theo luồng khí đi qua buồng CVD. Phương pháp CVD sử dụng rộng rãi trong các kĩ thuật sản xuất tinh vi để lắng đọng vật liệu dưới nhiều hình thức như: đơn tinh thể, đa tinh thể, vơ định hình và epitaxi.
Nguyên tắc hoạt động chung của phương pháp này theo sơ đồ khối sau đây (hình 1.17):
Hình 1.17: Sơ đồ khối về nguyên tắc hoạt động của phương pháp CVD. ° Chuyển các chất phản ứng ở pha khí tới bề mặt: q trình này thường gây ra do tiền chất bay hơi hoặc thăng hoa trong buồng trộn và sau đĩ vận chuyển các chất này vào buồng lắng đọng (thường được tạo chân khơng cao để tránh nhiễm tạp chất) ở đây cĩ đặt sẵn đế nền được nung nĩng.
° Sự hấp phụ trên bề mặt (quá trình ngưng tụ): các chất phản ứng ở pha hơi bị hút lên bề mặt chất nền chủ yếu là do mơmen lưỡng cực tức thời của các nguyên tử bề mặt chất nền. Quá trình này xảy ra đồng thời với quá trình khuếch tán.
° Phản ứng của các chất trên bề mặt. ° Giải hấp các sản phẩm phụ ở thể khí. ° Chuyển các sản phẩm phụ ra khỏi bề mặt.