CHƯƠNG 3 : KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN
3.1. ẢNH HƯỞNG CỦA KHÍ TẢI HYDRO PHA LỖNG LÊN CẤU
3.1.3. Kết quả đo và thảo luận ảnh AFM và FESEM
Ảnh FESEM của các mẫu Si:H chế tạo trong điều kiện tỉ lệ khí pha lỗng khác nhau minh chứng rõ nét phần trăm tinh thể của màng tăng dần khi tăng tỉ lệ khí R được trình bày từ hình 3.7 đến 3.12. Số lượng và kích thước của các vi tinh thể Si:H tăng dần từ 450 nm (R=1) đến 1400 nm (R = 5). Bảng 3.3 cho thấy kích thước tinh thể tăng gần như tuyến tính khi tăng tỉ lệ khí pha lỗng từ 1 đến 5.
Bảng 3.3: Kích thước vi tinh thể Si:H phụ thuộc vào tỉ lệ khí pha lỗng Tên mẫu Tỉ lệ khí pha lỗng Kích thước vi tinh thể (nm)
R = 0 0 250 R = 1 1 450 R = 2 2 550 R = 3 3 800 R = 4 4 1000 R = 5 5 1400
Kích thước hạt của các mẫu được xác định tự động bởi chương trình hỗ trợ được cài đặt sẵn trong hệ FESEM – Jeol.
Hình 3.7: Aûnh FESEM màng Si:H (R = 0) cấu trúc vơ định hình cĩ một số mầm nhỏ kích thước cỡ 250 nm .
Hình 3.8: Aûnh FESEM màng Si:H (R = 1) cấu trúc gồm các vi tinh thể (paracrystal) cĩ kích thước cỡ 450 nm.
Hình 3.9: Aûnh FESEM màng Si:H (R = 2) cấu trúc gồm các vi tinh thể lớn dần (paracrystal) cĩ kích thước cỡ 550 nm.
Hình 3.10: nh FESEM màng Si:H (R = 3) cấu trúc gồm các micro tinh thể cĩ kích thước cỡ 800 nm.
Hình 3.11: nh FESEM màng Si:H (R = 4) cấu trúc gồm các micro tinh thể lớn dần cĩ kích thước cỡ 1000 nm.
Hình 3.12: Aûnh FESEM màng Si:H (R = 5) cấu trúc gồm rất nhiều micro tinh thể cĩ kích thước cỡ 1400 nm.
Từ ba phép đo độc lập khác nhau là tán xạ Raman, nhiễu xạ tia X và ảnh FESEM đều giúp chúng tơi dẫn đến một kết luận chung là quá trình tinh thể hĩa và hàm lượng tinh thể Si:H tăng khi tỉ lệ khí pha lỗng R tăng. Từ đĩ cĩ thể điều khiển và kiểm sốt dễ dàng được cấu trúc của màng Si:H (vơ định hình hay micro tinh thể) chỉ thơng qua sự thay đổi một thơng số chế tạo màng duy nhất là tỉ lệ khí pha lỗng. Điều này sẽ rất thuận lợi cho quá trình áp dụng màng Si:H vào các ứng dụng cụ thể như pin mặt trời, linh kiện điện huỳnh quang, sensor…