RAM HIỂN THỊ:

Một phần của tài liệu luận văn thiết kế bộ thực tập vi xử lý 8085 (Trang 89)

C. KHỐI TẠO TÍN HIỆU QUÉT (SCAN GENERATOR ):

RAM HIỂN THỊ:

RAM hiển thị: bao gồm địa chỉ của bộ đếm đọc viết và địa chỉ của bộ đếm hiển thị.

Địa chỉ của bộ đếm đọc / viết sẽ được tải khi VXL chủ viết tới địa chỉ đọc RAM hiển thị hoặc địa chỉ thanh ghi điều khiển viết RAM hiển thị ( Display RAM Write Address ).

Dữ liệu được đọc hay viết tiếp theo của VXL chủ (A0 = 0) được lấy ra hay đưa vào từ địa chỉ RAM hiển thị giữ trong bộ đếm. Nếu tính năng tự động được cho phép thì địa chỉ sẽ tăng một cách tự động sau mỗi chu kỳ đọc hay viết.

Việc cho phép ghi tới 4 bit cao hay 4 bit thấp của bộ nhớ RAM hiển thị cĩ thể khơng thực hiện một cách độc lập, điều này cho phép VXL chủ viết dữ liệu hiển thị lên Nibble Boundaries.

Nhờ bộ đếm quét tăng giá trị đếm mà bộ đếm địa chỉ hiển thị sẽ cho phép từng bước chọn bộ nhớ RAM hiển thị nhằm cung cấp dữ liệu hiển thị đến bộ đa hợp hiển thị.

Chu kỳ của bộ đếm địa chỉ hiển thị cĩ thể là 16, 8 hay 4 tùy thuộc vào các Modes hiển thị được đặt là:16 hay 8 ký tự hay cho phép giải mã các đường quét ( secoded scanning ). Các modes như tăng tự động lối vào trái hay phải đều thực hiện bằng việc chỉnh bộ đếm này( The display address counter ).

Khối điều khiển hiển cịn chứa logic xĩa hiển thị. VXL chủ cĩ thể viết mã lệnh đến thanh ghi lệnh xĩa (clear command register) để thực hiện việc nhận dữ liệu vào xĩa RAM hiển thị. Dữ liệu trong RAM hiển thị sẽ chứa các giá trị logic khác nhau tùy thuộc vào mã lệnh (code) . Logic xĩa hiển thị dùng bộ đếm địa chỉ đọc/viết (read/write address counter) để tác động vào RAM.

RAM HIỂN THỊ :

Khối này chức 16 ơ nhớ RAM hiển thị 8 bit được xây dựng từ hai bộ nhớ RAM hiển thị 16x4bit dùng chung địa chỉ vào nhưng cĩ

Một phần của tài liệu luận văn thiết kế bộ thực tập vi xử lý 8085 (Trang 89)

Tải bản đầy đủ (DOC)

(119 trang)
w