Ứng dụng: Dùng để xác định nồng độ CV trước và sau quá trình quang phân hủy của
STG.
1.5.4.3.Khảo sát ảnh hưởng các yếu tố đến hiệu suất quang phân hủy CV của vật liệu STG
Ảnh hưởng từng yếu tố theo mơ hình Plackett−Burman
Khảo sát ảnh hưởng từng yếu tố đến hiệu suất quang phân hủy CV của vật liệu STG như pH, thời gian hấp phụ, thời gian chiếu sáng, nồng độ CV ban đầu, và lượng vật liệu được khảo sát theo mơ hình Plackett−Burman.
Thí nghiệm ảnh hưởng từng yếu tố thường được tiến hành trong giai đoạn đầu của nghiên cứu có nhiều yếu tố ảnh hưởng đến đáp ứng. Thực hiện thí nghiệm từng yếu tố giúp tìm ra các yếu tố ảnh hưởng nhất đến đáp ứng nhằm giảm bớt số yếu tố khảo sát, số nghiệm thức cũng như là số đơn vị thí nghiệm thực hiện trong giai đoạn sau của nghiên cứu.
Các thí nghiệm sàng lọc thường được xây dựng theo phương pháp kết hợp yếu tố giảm 2k–p và phương pháp thiết kế Plackett−Burman. Thí nghiệm được thiết kế theo phương pháp này có một số đặc điểm sau:
Số nghiệm thức N là một bội số của 4. Thông thường ta chọn N là số gần với số yếu tố khảo sát k nhất (N > k);
Các yếu tố chỉ được khảo sát ở hai mức là mức cao và mức thấp và được ký hiệu là + và – trong ma trận các yếu tố mã hóa;
24
Ma trận mã hóa cịn được gọi là ma trận Hadamard, là một ma trận trực giao, có k cột và N dịng và được biểu diễn bằng + và – theo thứ tự.
Năm 1933, Raymond Paley đã tìm được thuật tốn để xây dựng ma trận Hadamard bằng các trường hữu hạn cho đến N = 100 (ngoại trừ N = 92). Tuy vậy, khi N = 2m, với m là một số nguyên, thì ma trận Hadamard tương tự như ma trận yếu tố mã hóa (MYM) trong phương pháp kết hợp yếu tố giảm. Do đó, thuật tốn này khơng bao gồm các trường hợp N = 12; 20; 24, MYM tương ứng với N−1 yếu tố được xây dựng như sau:
Dòng đầu tiên lấy từ Bảng 1.7. Dịng này được gọi là dịng khóa (key);
Dòng thứ hai thu được bằng cách dịch dòng thứ nhất sang bên phải một vị trí. Vị trí đầu tiên của dịng này sẽ là vị trí cuối của dịng đầu tiên;
Các dòng tiếp theo cho đến dòng N−1 thu được theo cách tương tự: dòng dưới thu được bằng cách dịch dòng trên liền kề sang bên phải một vị trí; vị trí đầu tiên của dịng dưới sẽ là là vị trí cuối cùng của dịng đầu trên liền kề;
Tồn dịng N có giá trị là −1 (được biểu diễn bằng −);
Khi k < N−1, chỉ cần sử dụng một phần của ma trận này tương ứng với k cột, N dòng.
Bảng 1.7: Dòng đầu tiên của ma trận Hadamard khi N = 12, 20, 24
N=12 + + − + + + − − − + −
N=20 + + − − + + + + − + − + − − − − + + −
N=24 + + + + + − + − + + − − + + − − + − + − − − −
Ảnh hưởng đồng thời các yếu tố theo mơ hình Box−Behnken
Ảnh hưởng đồng thời các yếu tố đến hiệu suất quang phân hủy CV của vật liệu STG bằng quy hoạch thực nghiệm theo phương pháp bề mặt đáp ứng (response surface methodology – RSM). Phương pháp RSM được sử dụng để tìm ra mối liên hệ giữa các yếu tố ảnh hưởng và hàm mục tiêu, xác định ảnh hưởng đồng thời các yếu tố cũng như ảnh hưởng đồng thời của các yếu tố lên hàm mục tiêu.
Mơ hình Box–Behnken là mơ hình thử nghiệm cho phương pháp RSM được trình bày như Hình 1.17.
25