Tính toán các phần tử trên mạch điện tử của đầu dò.

Một phần của tài liệu Nghiên cứu, thiết kế, chế tạo đầu dò bức xạ hạt nhân bằng khí có kích thước trung bình (Trang 44 - 45)

r, mm E(r), V/cm 0,0354

2.3.6. Tính toán các phần tử trên mạch điện tử của đầu dò.

Hình 2-3 mơ tả sơ đồ mạch điện tương đương của đầu dị khí hình trụ hoạt động ở chế độ xung. Đầu dị có 2 điện cực: A – anốt và K – katốt, R là điện trở tải

anôt, Ck là điện dung ký sinh trên lối ra của đầu dò, Cgh là tụ điện ghép lối ra của đầu dò với tiền khuếch đại và +U0 là cao áp cung cấp cho đầu dò. Giá trị của điện dung tương đương tại lối ra của đầu dò đo được bằng đồng hồ vạn năng điện tử là

C ≈ 46(pF). Như vậy, nếu thiết lập để đầu dò hoạt động ở chế độ xung điện tử thì phải chọn R cỡ một vài MΩ để có hàng số thời gian của đầu dị RC > te ( với te có

giá trị cỡ 10− 6s là thời gian thu điện tử). Nếu cho đầu dò hoạt động ở chế độ xung iơn để có biên độ xung lớn thì chọn R cỡ một vài trăm MΩ vì như vậy mới đảm bảo

RC > tiơn (thời gian góp iơn cỡ 10− 3s). Đối với tụ điện ghép tầng, Cgh, cần đặc biệt

chú ý tới khả năng chịu cao áp của nó vì có thời điểm điện áp một chiều cấp cho đầu dị lên tới 2kV (nếu chọn dây anốt có bán kính từ 0,5 dến 1mm). Tốt nhất là chọn tụ điện có khả năng chịu được cao áp với hệ số an toàn gấp khoảng 1,5 lần giá

trị 2kV và điện dung cõ 5000pF – 10000 pF. Vì rằng với các thơng số này, tụ điện vừa có thể cách điện tốt, vừa đảm bảo các xung tín hiệu có thể đi qua đễ dàng mà kích thước của tụ điện đủ nhỏ để tiện cho việc bố trí, lắp ráp.

Hỡnh 2-3. Sơ đồ mạch điện đầu dũ khớ hỡnh trụ hoạt động ở chế độ xung

∅ + U0 ∅ K R Ck Cgh A R’

Một phần của tài liệu Nghiên cứu, thiết kế, chế tạo đầu dò bức xạ hạt nhân bằng khí có kích thước trung bình (Trang 44 - 45)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(92 trang)