M Quỏ trỡnh thuận đúng gúp χH trở nờn lớn hơn so
1.1.3.1 Pherit ganet trong linh kiện cao tần và linh kiện truyền dẫn tớn hiệu vụ tuyến
dẫn tớn hiệu vụ tuyến
Pherit ganet được sử dụng nhiều trong cỏc linh kiện điện tử hoạt động ở tần số cao [27,28]. Trong dải tần từ 300 MHz đến 3 GHz, pherit ganet là vật liệu đặc biệt phự hợp, vừa cú tớnh chất của vật liệu từ, vừa cú điện trở suất cao. Do cú điện trở cao hơn nhiều so với vật cỏc loại pherit khỏc nờn việc sử dụng pherit ganet sẽ làm giảm tối thiểu tổn hao dũng xoỏy và sự thẩm thấu của trường điện từ.
Khi cỏc ứng dụng 3G được mở rộng, cỏc cỏch tử trờn cơ sở vật liệu pherit được sử dụng trong chuỗi khuếch đại của cỏc bộ thu phỏt. Do đú, cần phải giảm tổn hao và mức độ biến điệu tương hỗ trong cỏc linh kiện này. Cỏc linh kiện cộng hưởng làm việc chủ yếu ở tần số 1-2GHz, để giảm kớch thước linh kiện và mức độ biến điệu tương hỗ cần phải tối thiểu húa độ rộng vạch cộng hưởng sắt từ
∆Ho. Vật liệu được lựa chọn do vậy phải cú giỏ trị dị hướng từ tinh thể K1 thấp. Cỏc vật liệu như pherit spinel và ganet trờn cơ sở YIG là cỏc vật liệu phự hợp trong ứng dụng này. Một trong những lựa chọn cú thể là YIG pha tạp Al với độ rộng vạch thấp ở khoảng ∆Ho = 20 Oe. Cỏc vật liệu khỏc cú thể là YIG pha tạp V5+ trong phõn mạng 4 mặt và In3+, Zr4+ hoặc Sn4+ trong phõn mạng 8 mặt, kết hợp sử dụng Ca2+ cõn bằng lỗ trống để làm giảm độ rộng vạch ∆Ho do tăng Ms và giảm K1. Vật liệu YIG pha tạp Ca/V/In và Zr với Ms trong khoảng 1200 - 1600
23 Gauss cú bề rộng vạch ∆Ho < 5 Oe và nhiệt độ Curie TC < 150oC thường được sử dụng trong linh kiện, đỏp ứng được yờu cầu làm việc của hầu hết cỏc linh kiện. Đối với cỏc linh kiện yờu cầu độ ổn định nhiệt độ cao hơn thỡ việc pha tạp Al là thớch hợp [29].
Nghiờn cứu về vai trũ của YIG trong ứng dụng phủ bề mặt ăng-ten như được chỉ ra trong hỡnh 1.9 cho thấy cường độ từ trường B phỏt ra từ ăng-ten nhụm thu nhận từ ba vị trớ đặt nguồn thu trong trường hợp khụng cú YIG là 299 nT và cú phủ một lớp hạt nano YIG là 796nT (tăng 166%) [30]. Bờn cạnh đú, cỏc hạt nano GdIG kớch thước nano cũng đó được nghiờn cứu và cho thấy chỳng cú hằng số điện mụi và tổn hao thấp, phõn bố độ rộng vạch phổ FMR rộng, rất thớch hợp cho cỏc linh kiện truyền dẫn súng hay cỏch tử [31].