Sau khi lắng đọng, mẫu được loại bỏ khuôn và tiến hành đo nhiễu xạ tia X để xác định cấu trúc tinh thể cũng như hằng số mạng của dây nano CoNiP. Kết quả được thể hiện như hình 3.5 dưới đây, trong đó màu đỏ là phổ nhiễu xạ của mẫu chế tạo trong điều kiện có từ trường, màu đen là phổ nhiễu xạ của mẫu trong điều kiện khơng có từ trường:
Hình 3.5. Phổ nhiễu xạ tia X của dây nano CoNiP
Phổ nhiễu xạ cho thấy đã xuất hiện mặt mạng (002) và (100) của vật liệu CoNiP, trong đó cường độ phổ nhiễu xạ của mặt (002) là mạnh nhất. Như vậy ta có thể khẳng định đã chế tạo được pha CoNiP bằng phương pháp lắng đọng điện hóa. Nhìn vào giản đồ nhiễu xạ khi có sự tham gia của từ trường trong quá trình chế tạo ta thấy cường độ nhiễu xạ của đỉnh phổ phản xạ từ mặt (002) rất mạnh. Điều này cho thấy từ trường đã có ảnh hưởng khơng nhỏ lên q trình tạo thành tinh thể của dây CoNiP. Cụ thể tinh thể đã kết tinh mạnh hơn, cấu trúc tinh thể hoàn hảo hơn, hàm lượng pha CoNiP cao hơn.
3.4.2. Hằng số mạng tinh thể
Từ kết quả hình ảnh phổ nhiễu xạ tia X ta còn xác định được vị trí của các
đỉnh nhiễu xạ, cỡ 43,750 và 45,050 tương ứng với cấu trúc lục giác xếp chặt với bề
mặt (100) và (002). Cấu trúc này phù hợp với kết quả công bố của D.Y.Park [6]. Các đỉnh đồng Cu là do điện cực Cu được phún xạ trên bề mặt của mẫu polycarbonate. Từ đó, ta có thể tính được hằng số mạng tinh thể giữa các mặt (100) và (002) của dây CoNiP có cấu trúc tinh thể dạng lục giác (hexagonal) như sau:
2
1
hkl
d =4 h +hk+k( 2 2 2 )+l22
3 a c
Áp dụng công thức nhiễu xạ Bargg cho các đỉnh (100) và (002), ta tính được hằng số mạng tinh thể của dây CoNiP:
100 3λ a=b= 3sinθ 002 λ c= sinθ
λ = 1,5406 Å là bước sóng của tia X. Ta thu được kết quả như sau:
a = b = 2,5725 Å và c = 4,0258 Å..