Phổ nhiễu xạ cho thấy đã xuất hiện mặt mạng (002) và (100) của vật liệu CoNiP, trong đó cường độ phổ nhiễu xạ của mặt (002) là mạnh nhất. Như vậy ta có thể khẳng định đã chế tạo được pha CoNiP bằng phương pháp lắng đọng điện hóa. Nhìn vào giản đồ nhiễu xạ khi có sự tham gia của từ trường trong quá trình chế tạo ta thấy cường độ nhiễu xạ của đỉnh phổ phản xạ từ mặt (002) rất mạnh. Điều này cho thấy từ trường đã có ảnh hưởng khơng nhỏ lên quá trình tạo thành tinh thể của dây CoNiP. Cụ thể tinh thể đã kết tinh mạnh hơn, cấu trúc tinh thể hoàn hảo hơn, hàm lượng pha CoNiP cao hơn.
3.4.2. Hằng số mạng tinh thể
Từ kết quả hình ảnh phổ nhiễu xạ tia X ta cịn xác định được vị trí của các
đỉnh nhiễu xạ, cỡ 43,750 và 45,050 tương ứng với cấu trúc lục giác xếp chặt với bề
mặt (100) và (002). Cấu trúc này phù hợp với kết quả công bố của D.Y.Park [6]. Các đỉnh đồng Cu là do điện cực Cu được phún xạ trên bề mặt của mẫu polycarbonate. Từ đó, ta có thể tính được hằng số mạng tinh thể giữa các mặt (100) và (002) của dây CoNiP có cấu trúc tinh thể dạng lục giác (hexagonal) như sau:
2
1
hkl
d =4 h +hk+k( 2 2 2 )+l22
3 a c
Áp dụng công thức nhiễu xạ Bargg cho các đỉnh (100) và (002), ta tính được hằng số mạng tinh thể của dây CoNiP:
100 3λ a=b= 3sinθ 002 λ c= sinθ
λ = 1,5406 Å là bước sóng của tia X. Ta thu được kết quả như sau:
a = b = 2,5725 Å và c = 4,0258 Å..
3.5. Kết quả đo hiển vi điện tử truyền qua (HRTEM)
Để phân tích kĩ hơn về cấu trúc tinh thể và phát hiện ra được từng lớp nguyên tử, ta tiến hành đo hiển vi điện tử truyền qua với cả hai trường mẫu chế tạo khơng có và có từ trường. Kết quả thu được như sau: