CHƢƠNG I : TỔNG QUAN
3.6. Chế tạo màng mỏng ZnO bằng phƣơng pháp CVD
3.6.2.1. Giản đồ nhiễu xạ ti aX của các màng
Các giản đồ nhiễu xạ tia X của màng ở các nhiệt độ khác nhau được trình bày trong phần phụ lục. Hình 3.8 là giản đồ nhiễu xạ tia X chồng của các màng.
Ở 350oC, giản đồ nhiễu xạ tia X khơng quan sát thấy có pic nhiễu xạ, điều này chứng tỏ màng khơng có pha tinh thể hoặc tạo thành quá mỏng không đủ quan sát thấy các pic nhiễu xạ hoặc chưa có pha tinh thể. Kết quả này phù hợp với giản đồ phân tích nhiệt: ở nhiệt độ này phức chất bắt đầu phân hủy, chúng tôi giả thiết ở nhiệt độ này tốc độ thăng hoa lớn hơn tốc độ cháy của phức nên khơng có sản phẩm ZnO bám trên bề mặt đế.
Từ 400 – 550o
C, trên giản đồ XRD xuất hiện các pic nhiễu xạ tương ứng với trong phổ chuẩn, khơng có pic tạp chứng tỏ sản phẩm ZnO đã được tạo ra trên màng. Tuy nhiên, ở 400 – 450oC cường độ các pic yếu, chứng tỏ lượng ZnO cịn rất ít.
Từ 450 – 550o
C, trên giản đồ XRD cường độ của pic nhiễu xạ cực đại lớn hơn rất nhiều so với các pic còn lại. Các màng ZnO chủ yếu định hướng theo mặt (002), ZnO tồn tại ở trạng thái đơn tinh thể. Mẫu ZnO dạng bột có 3 mặt phản xạ chủ yếu là (100), (002), (101) nhưng ZnO tinh thể sẽ định hướng chủ yếu theo mặt (002) vì có năng lượng tự do bề mặt thấp nhất [33].
Hình 3.8: Giản đồ nhiễu xạ tia X chồng của màng ở các nhiệt độ khác nhau
Từ phổ chồng XRD của các màng có thể kết luận rằng nhiệt độ đã ảnh hưởng đến thành phần, sự định hướng phát triển mầm tinh thể của màng. Nhiệt độ thấp hơn 350oC ta không thu được màng.