Đối với MOSFET loại N, khi chưa đặt điện áp VGS tại cực G-S, đặt điện áp VDS tại cực D-S. Tại cực D, lớp tiếp xúc p-n phân cực ngược nên dịng điện khơng thể đi qua hai cực D- S, MOSFET không dẫn. Khi đặt điện áp VGS tại cực G-S và cực dương tại G, thì hai bản cực tại G và Substrate sẽ tạo ra một trường điện từ đẩy các electron về phía cực G tạo thành cầu dẫn điện tại hai cực D và S, lúc này dịng điện có thể đi qua hai cực D-S, MOSFET dẫn.
25
b. Đặc tính V-I của MOSFET có 3 vùng:
Cutoff mode_ vùng nghịch: tại vùng này MOSFET đóng, điện áp đặt vào cực G-S VGS
< VTh (trong đó VTh là điện áp đóng của MOSFET).
Triode mode (Linear Active)_vùng tích cực: tại vùng này điện áp đặt vào cực G-S VGS
> VDS, VGS > VTh. Lúc này, MOSFET dẫn, VGS tăng dẫn đến ID tăng theo.
Saturation_vùng bão hòa: tại vùng này điện áp đặt vào cực G-S VGS < VDS, VGS > VTh. Lúc này, MOSFET dẫn, VGS tăng nhưng ID đạt trạng tháo bão hịa giữ giá trị khơng đổi.
Trong điện tử công suất, MOSFET chỉ sử dụng ở 2 vùng: vùng nghịch và vùng tích cực.
26
2.3.3. Điện trở
Điện trở là linh kiện điện tử thụ động được sử dụng phổ biến trong các thiết bị điện tử hiện nay. Điện trở cấu tạo gồm hai dây dẫn được gắn vào hai bên của một vật kém dẫn điện. Mục đích khi sử dụng điện trở là để cản trở dòng điện và hạn chế dòng điện trong mạch. Dòng điện bị hạn chế làm giảm theo định luật Ohm:
I = U
R
Trong đó: I là cường độ dòng điện (A) U là điện áp (V)
R là điện trở (Ω)
Đường đặc tuyến V-I của điện trở tuyến tính loại 5k Ω và 10k Ω theo định luật Ohm: