Quy trình tấn công VMD-GSO-SVM được thực hiện thông qua 03 pha chính
được mô tả bởi Hình 2.13 cụ thể là:
Pha 1: là pha lựa chọn POIs từ các vết điện năng tiêu thụ. Các POIs này sẽ được sử dụng cho các pha tiếp theo là pha lập mẫu và pha tấn công.
Pha 2: là pha lập mẫu, được sử dụng để xây dựng mô hình điện năng tiêu thụ của thiết bị từ POIs được lựa chọn ở pha 1.
Pha 3: là pha tấn công để xác định khóa đúng của thiết bị tấn công.
2.4.1.1. Pha lựa chọn POIs dựa trên VMD, GSO và SVM
Các phương pháp lựa chọn POIs cho bài toán tấn công mẫu được đề xuất cho tới nay thường chỉ đánh giá hiệu quả trên các vết điện năng tiêu thụ gốc mà chưa đánh giá ảnh hưởng của nhiễu đến sự lựa chọn này. Trong những điều kiện tấn công trên thực tế, nhiễu là nhân tố luôn tồn tại và do đó nó sẽ ảnh hưởng đến hiệu quả của tấn công. Như đã phân tích phần đầu của chương, kỹ thuật VMD có thể được sử dụng để làm giảm nhiễu cho các vết điện năng tiêu thụ. Do đó, trong phần này, luận án đề xuất phương pháp lựa chọn POIs dựa trên sự kết hợp giữa kỹ thuật VMD, GSO và SVM. Trong đó, VMD sẽ được áp dụng trên các vết điện năng tiêu thụ và kỹ thuật GSO được sử dụng để lựa chọn các POIs tốt nhất từ một VMD mode thông qua việc đánh giá hiệu quả của nó khi được phân lớp bởi bộ phân lớp SVM. Bằng việc áp dụng VMD cho các vết điện năng tiêu thụ, thành phần chứa thông tin có ích cho tấn công phân tích điện năng tiêu thụ được lựa chọn, nhiễu trên các vết điện năng tiêu thụ cũng được loại bỏ. Do đó, phương pháp này sẽ lựa chọn được những điểm POIs tốt nhất, giảm được ảnh hưởng của nhiễu, và các POIs được chọn phù hợp với phương pháp được sử dụng để xây dựng mô hình điện năng tiêu thụ.
Sơ đồ lựa chọn POIs đề xuất được mô tả trên Hình 2.14, bao gồm 03 bước chính:
(1) phân tích vết điện năng tiêu thụ thành các VMD mode, (2) lựa chọn VMD mode
phù hợp để làm đặc trưng của vết, (3) lựa chọn những POIs tốt nhất trên VMD mode đã chọn bởi GSO và SVM.